CN210956685U - 一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，包括壳体，所述壳体的两侧均贯穿固定连接有过滤网，所述壳体内腔的顶部固定连接有第一导热板，所述第一导热板顶部的后侧固定连接有第二导热板，所述第二导热板的顶部贯穿壳体并固定连接有散热板，所述散热板的正表面固定连接有散热筋，所述壳体内腔的底部固定连接有基板，所述基板的顶部固定连接有栅极。本实用新型通过设置壳体、散热板、散热筋、金属管脚、基板、栅极、超薄金属氧化物薄膜介电层、漏极、氧化物半导体层、第二导热板、第一导热板、过滤网和源极的配合使用，解决了现有的晶体管散热效果差且电学性能较差的问题。

Description

一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管

技术领域

本实用新型涉及晶体管技术领域，具体为一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管。

背景技术

晶体管是一种固体半导体器件，包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

随着社会的不断发展进步，晶体管的应用越发的广泛，现有的晶体管在使用的过程中会产生一定的热量，且现有的晶体管的散热性能较差，热量不能及时的散发出去会对晶体管的使用带来一定的影响，同时现有的晶体管栅极界面与部分结构之间的缺陷较大，造成了晶体管电学性能较差的现象。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，具备散热效果好同时具有较好的电学性能的优点，解决了现有的晶体管散热效果差且电学性能较差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，包括壳体，所述壳体的两侧均贯穿固定连接有过滤网，所述壳体内腔的顶部固定连接有第一导热板，所述第一导热板顶部的后侧固定连接有第二导热板，所述第二导热板的顶部贯穿壳体并固定连接有散热板，所述散热板的正表面固定连接有散热筋，所述壳体内腔的底部固定连接有基板，所述基板的顶部固定连接有栅极，所述基板的顶部固定连接有超薄金属氧化物薄膜介电层，所述超薄金属氧化物薄膜介电层的顶部固定连接有氧化物半导体层，所述氧化物半导体层顶部的两侧分别固定连接有漏极和源极，所述漏极和源极的底部均与基板接触，所述壳体的底部贯穿固定连接有金属管脚，所述金属管脚的数量为三个，三个金属管脚的顶部均贯穿基板并分别与栅极、漏极和源极固定连接。

优选的，所述第一导热板和第二导热板均由金属铝制成，所述第一导热板的前后两侧均与壳体的内壁接触。

优选的，所述第二导热板的表面与壳体的连接处做密封处理，所述散热筋的数量为若干个。

优选的，所述基板由硅片制成，所述栅极由金属材料制成。

优选的，所述栅极位于超薄金属氧化物薄膜介电层的底部，所述氧化物半导体层由二元氧化物制成。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过设置壳体、散热板、散热筋、金属管脚、基板、栅极、超薄金属氧化物薄膜介电层、漏极、氧化物半导体层、第二导热板、第一导热板、过滤网和源极的配合使用，解决了现有的晶体管散热效果差且电学性能较差的问题，该含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，具备散热效果好同时具有较好的电学性能的优点，值得推广。

2、本实用新型通过设置第一导热板和第二导热板，均起到导热的作用，金属铝的导热性能较强且价格低廉；

通过设置散热板和散热筋，均起到散热的作用，散热筋加强了散热板的强度；

通过设置过滤网，可避免外界的灰尘进入壳体的内腔，同时起到空气流通加速壳体内部热量散发的作用；

通过设置基板，便于基板顶部的结构进行安装。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型壳体的剖视图；

图3为本实用新型局部结构的主视图。

图中：1壳体、2散热板、3散热筋、4金属管脚、5基板、6栅极、7超薄金属氧化物薄膜介电层、8漏极、9氧化物半导体层、10第二导热板、11第一导热板、12过滤网、13源极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型中的壳体1、散热板2、散热筋3、金属管脚4、基板5、栅极6、超薄金属氧化物薄膜介电层7、漏极8、氧化物半导体层9、第二导热板10、第一导热板11、过滤网12和源极13等部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本领域技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。

请参阅图1-3，一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，包括壳体1，壳体1的两侧均贯穿固定连接有过滤网12，壳体1内腔的顶部固定连接有第一导热板11，第一导热板11顶部的后侧固定连接有第二导热板10，第二导热板10的顶部贯穿壳体1并固定连接有散热板2，散热板2的正表面固定连接有散热筋3，壳体1内腔的底部固定连接有基板5，基板5的顶部固定连接有栅极6，基板5的顶部固定连接有超薄金属氧化物薄膜介电层7，超薄金属氧化物薄膜介电层7的顶部固定连接有氧化物半导体层9，氧化物半导体层9顶部的两侧分别固定连接有漏极8和源极13，漏极8和源极13的底部均与基板5接触，壳体1的底部贯穿固定连接有金属管脚4，金属管脚4的数量为三个，三个金属管脚4的顶部均贯穿基板5并分别与栅极6、漏极8和源极13固定连接；

第一导热板11和第二导热板10均由金属铝制成，第一导热板11的前后两侧均与壳体1的内壁接触；

第二导热板10的表面与壳体1的连接处做密封处理，散热筋3的数量为若干个；

基板5由硅片制成，栅极6由金属材料制成；

栅极6位于超薄金属氧化物薄膜介电层7的底部，氧化物半导体层9由二元氧化物制成；

通过设置第一导热板11和第二导热板10，均起到导热的作用，金属铝的导热性能较强且价格低廉；

通过设置散热板2和散热筋3，均起到散热的作用，散热筋3加强了散热板2的强度；

通过设置过滤网12，可避免外界的灰尘进入壳体1的内腔，同时起到空气流通加速壳体1内部热量散发的作用；

通过设置基板5，便于基板5顶部的结构进行安装。

使用时，晶体管运行时内部产生的热量通过过滤网12的空隙排出，同时通过第一导热板11和第二导热板10传递至散热板2和散热筋3的表面进行散热，以此提高散热效率，通过设置的超薄金属氧化物薄膜介电层7与栅极6界面之间的缺陷减少，因此可提高电学性能。

综上所述：该含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，通过设置壳体1、散热板2、散热筋3、金属管脚4、基板5、栅极6、超薄金属氧化物薄膜介电层7、漏极8、氧化物半导体层9、第二导热板10、第一导热板11、过滤网12和源极13的配合使用，解决了现有的晶体管散热效果差且电学性能较差的问题。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的两侧均贯穿固定连接有过滤网(12)，所述壳体(1)内腔的顶部固定连接有第一导热板(11)，所述第一导热板(11)顶部的后侧固定连接有第二导热板(10)，所述第二导热板(10)的顶部贯穿壳体(1)并固定连接有散热板(2)，所述散热板(2)的正表面固定连接有散热筋(3)，所述壳体(1)内腔的底部固定连接有基板(5)，所述基板(5)的顶部固定连接有栅极(6)，所述基板(5)的顶部固定连接有超薄金属氧化物薄膜介电层(7)，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(7)的顶部固定连接有氧化物半导体层(9)，所述氧化物半导体层(9)顶部的两侧分别固定连接有漏极(8)和源极(13)，所述漏极(8)和源极(13)的底部均与基板(5)接触，所述壳体(1)的底部贯穿固定连接有金属管脚(4)，所述金属管脚(4)的数量为三个，三个金属管脚(4)的顶部均贯穿基板(5)并分别与栅极(6)、漏极(8)和源极(13)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于：所述第一导热板(11)和第二导热板(10)均由金属铝制成，所述第一导热板(11)的前后两侧均与壳体(1)的内壁接触。

3.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于：所述第二导热板(10)的表面与壳体(1)的连接处做密封处理，所述散热筋(3)的数量为若干个。

4.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于：所述基板(5)由硅片制成，所述栅极(6)由金属材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于：所述栅极(6)位于超薄金属氧化物薄膜介电层(7)的底部，所述氧化物半导体层(9)由二元氧化物制成。

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