CN210892885U - 一种基于s698pm的弹载记录仪 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种基于S698PM的弹载记录仪，包括图像接入隔离模块、采集存储模块、采集存储模块和电源模块，图像接入隔离模块包括隔离器单元和至少一个LVDS解串单元，采集存储模块包括处理器、FRAM存储单元、FLASH存储单元和速变量采集接口单元，FRAM存储单元包括单片机和FRAM存储器，处理器用于将缓存数据存储到FLASH存储单元，单片机用于读取存储在FRAM存储器的坏块信息表，并将坏块信息发送给处理器，处理器还用于根据坏块信息调整缓存数据在FLASH存储单元的位置。本实用新型用采用FRAM存储器进行数据缓存，可以避免数据因断电丢失的问题，通过读取存储在FRAM存储器的坏块信息表来调整缓存数据的存储位置，避免因存储器损坏而导致数据丢失。

Description

一种基于S698PM的弹载记录仪

技术领域

本实用新型涉及数据采集与存储技术领域，具体涉及一种基于S698PM的弹载记录仪。

背景技术

随着数据采集与存储技术的发展，弹载数据记录仪存储的数据量和传输速度都大幅增加，与目前大部分导弹研制试验过程中所采用的遥测测试方法相比，遥测虽然具有测试数据可靠，可以对多通道进行长时间测试的特点，同时遥测也具有以下缺点：价格昂贵，必须设计地面接收点，容易丢失数据。而弹载数据记录仪体积小，功耗低，不受飞行范围的限制，最主要的是价格低，大比例的降低了导弹的研制成本。因此研制一种低成本，高可靠性，可扩展的弹载数据记录仪，为火箭弹、航弹、炮弹等武器系统提供分析数据成为一种趋势。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种基于S698PM的弹载记录仪，用于解决遥测数据容易丢失的问题。

本实用新型的内容如下：

一种基于S698PM的弹载记录仪，包括：

图像接入隔离模块，包括隔离器单元以及分别与所述隔离器单元连接的至少一个LVDS解串单元，所述LVDS解串单元的输入端用于连接LVDS图像源数据；

采集存储模块，包括与所述隔离器单元的输出端连接的处理器以及分别与所述处理器连接的FRAM存储单元、FLASH存储单元和速变量采集接口单元，所述速变量采集接口单元用于输入速变量数据并将所述速变量数据发送给所述处理器，所述FRAM存储单元包括与所述处理器依次连接的单片机和FRAM存储器，所述FRAM存储器用于进行数据缓存，所述处理器用于将缓存数据存储到所述FLASH存储单元，所述单片机用于读取存储在所述FRAM存储器的坏块信息表，并将坏块信息发送给所述处理器，所述处理器还用于根据坏块信息调整缓存数据在所述FLASH存储单元的位置；

电源模块，用于为所述图像接入隔离模块和所述采集存储模块供电。

优选的，所述电源模块包括依次连接的第一保护单元、第二保护单元、EMI滤波单元和隔离电源芯片，所述EMI滤波单元和所述隔离电源芯片之间并联有超级电容，所述隔离电源芯片的输出端分别连接有输出滤波单元和DC/DC转换单元。

优选的，所述第一保护单元采用过压保护电路。

优选的，所述第二保护单元包括型号为LT4363IMS芯片，所述LT4363IMS芯片的输入端与所述第一保护单元连接，所述LT4363IMS芯片的输出端与所述EMI滤波单元连接，所述LT4363IMS芯片用于防反接、过流保护和缓启动。

优选的，所述处理器还分别连接有采编器接口单元、制导机接口单元和转发数据缓存单元，所述采编器接口单元包括与所述处理器依次连接的RS422收发器和RS422接口，所述制导机接口单元包括电平转换电路，所述转发数据缓存单元包括与所述处理器连接的DDR2存储器。

优选的，所述处理器还连接有数据导出接口单元，所述数据导出接口单元包括依次与所述处理器连接的网络芯片和变压器。

优选的，所述处理器的型号为S698PM。

本实用新型的有益效果为：本实用新型用采用FRAM存储器进行数据缓存，可以避免数据因断电丢失的问题，本实用新型还可以通过读取存储在FRAM存储器的坏块信息表来调整缓存数据的存储位置，避免因存储器损坏而导致数据丢失。

附图说明

图1所示为本实用新型的原理框图；

图2所示为本实用新型实施例的原理框图；

图3所示为本实用新型的电源模块原理框图；

图4所示为本实用新型实施例的电源模块原理框图。

具体实施方式

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

请参照图1，本实施例公开的一种基于S698PM的弹载记录仪，包括图像接入隔离模块1、采集存储模块2和电源模块3。

所述图像接入隔离模块1，包括隔离器单元11以及分别与所述隔离器单元11连接的至少一个LVDS解串单元12，所述隔离器单元11采用型号为ADuM3440的隔离器，所述隔离器单元11用于实现信号隔离，所述LVDS解串单元12的输入端用于连接LVDS图像源数据,本实施例包括8个LVDS解串单元12，每个LVDS解串单元12包括型号为MAX9218的解串器及其外围电路，所述解串器用于将每路的所述LVDS图像源数据转换为27bit的并行信号并传输给所述隔离器单元11，每个所述解串器对应并联连接有3片所述隔离器，即所述隔离单元11包括24片所述隔离器。

所述采集存储模块2，包括与所述隔离器单元11的输出端连接的处理器201以及分别与所述处理器201连接的FRAM存储单元、FLASH存储单元204和速变量采集接口单元205，所述处理器201的型号为S698PM。

所述速变量采集接口单元205包括分别与所述处理器201连接的6通道的ADC转换电路，本实施例中，所述6通道的ADC转换电路采用型号为AD7656的模数转换器。所述速变量采集接口单元205用于输入速变量数据并将所述速变量数据发送给所述处理器201，所述处理器201用于对所述LVDS图像源数据和所述速变量数据进行处理，其中包括存储、转发和导出处理。

所述FRAM存储单元包括与所述处理器201依次连接的单片机202和FRAM存储器203(铁电存储器)，所述FRAM存储器203采用型号为FM25V10-G的铁电存储器，所述FRAM存储器203用于进行数据缓存，铁电存储器属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失，所述处理器201用于将缓存数据存储到所述FLASH存储单元204，所述FLASH存储单元204采用NAND闪存，成本低且在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据。所述单片机202采用SMT32系列的单片机202，所述单片机202用于读取存储在所述FRAM存储器203的坏块信息表，并将坏块信息发送给所述处理器201，所述处理器201还用于根据坏块信息调整缓存数据在所述FLASH存储单元204的位置，可以避免因存储器损坏而导致数据丢失。

所述处理器201还分别连接有采编器接口单元207、制导机接口单元206和转发数据缓存单元208，所述采编器接口单元207的数量为3个，每个所述采编器接口单元207包括与所述处理器201依次连接的RS422收发器和RS422接口，所述RS422收发器的型号为MAX3490，所述制导机接口单元206包括电平转换电路，所述电平转换电路用于将0～6.5V的电平转换为所述处理器201所需的电平信号，所述电平转换电路可采用现有的设计电路，所述转发数据缓存单元208包括与所述处理器201连接的DDR2存储器。

所述处理器201还连接有数据导出接口单元，所述数据导出接口单元包括依次与所述处理器201连接的网络芯片209和变压器210。所述网络芯片209的型号为AR8031。

本实施例采集存储模块2的工作原理如下：

首先，所述速变量采集接口单元205将6路速变量数据发送给所述处理器201，所述处理器201将数据经所述FRAM存储单元缓存后存储到所述FLASH存储单元204，在存储过程中，所述单片机202通过读取所述坏块信息表，并将坏块信息发送给所述处理器201，从而对数据的存储位置进行调整。其次，所述处理器201在接收到来自制导机接口单元206的启动转发信号后，将采集到的数据进行打包处理，并将打包后的数据经过所述采编器接口单元207输出。最后，所述处理器201通过所述数据导出接口单元对已存储的数据进行回读导出，方便数据的后续分析处理。

请参照图3-4，所述电源模块3分别与所述图像接入隔离模块1和所述采集存储模块2连接，并用于为所述图像接入隔离模块1和所述采集存储模块2供电。

所述电源模块3包括依次连接的第一保护单元301、第二保护单元302、EMI滤波单元303和隔离电源芯片304，所述EMI滤波单元303和所述隔离电源芯片304之间并联有超级电容305，超级电容305可以防止电压瞬间变化而导致的输出异常。所述隔离电源芯片304的输出端分别连接有输出滤波单元306和DC/DC转换单元307，所述第一保护单元301采用过压保护电路。所述第二保护单元302包括型号为LT4363IMS芯片，所述LT4363IMS芯片的输入端与所述第一保护单元301连接，所述LT4363IMS芯片的输出端与所述EMI滤波单元303连接，所述LT4363IMS芯片用于防反接、过流保护和缓启动，可以保证电源输入的安全性，而缓启动的设计可以保证上电电流平稳，降低输出信号的波动。所述隔离电源芯片304的型号为HTR28T515，采用隔离电源芯片304可以将电源的输入和输出隔离，降低电源输入对电源输出纹波的影响，提高电源品质。所述输出滤波单元306包括分别与所述隔离电源芯片304连接的第一至第三输出滤波电路，所述DC/DC转换单元307包括分别与所述隔离电源芯片304连接的第一至第三DC/DC转换电路，其中第一和第二DC/DC转换电路均包括型号为LTM4628的DC/DC转换芯片，第三DC/DC转换电路包括型号为DCR010503U的隔离DC/DC转换芯片。

以上所述，只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。在本实用新型的保护范围内其技术方案和/或实施方式可以有各种不同的修改和变化。

Claims (8)

1.一种基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于，包括：

图像接入隔离模块(1)，包括隔离器单元(11)以及分别与所述隔离器单元(11)连接的至少一个LVDS解串单元(12)，所述LVDS解串单元(12)的输入端用于连接LVDS图像源数据；

采集存储模块(2)，包括与所述隔离器单元(11)的输出端连接的处理器(201)以及分别与所述处理器(201)连接的FRAM存储单元、FLASH存储单元(204)和速变量采集接口单元(205)，所述速变量采集接口单元(205)用于输入速变量数据并将所述速变量数据发送给所述处理器(201)，所述FRAM存储单元包括与所述处理器(201)依次连接的单片机(202)和FRAM存储器(203)，所述FRAM存储器(203)用于进行数据缓存，所述处理器(201)用于将缓存数据存储到所述FLASH存储单元(204)，所述单片机(202)用于读取存储在所述FRAM存储器(203)的坏块信息表，并将坏块信息发送给所述处理器(201)，所述处理器(201)还用于根据坏块信息调整缓存数据在所述FLASH存储单元(204)的位置；

电源模块(3)，用于为所述图像接入隔离模块(1)和所述采集存储模块(2)供电。

2.如权利要求1所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述电源模块(3)包括依次连接的第一保护单元(301)、第二保护单元(302)、EMI滤波单元(303)和隔离电源芯片(304)，所述EMI滤波单元(303)和所述隔离电源芯片(304)之间并联有超级电容(305)，所述隔离电源芯片(304)的输出端分别连接有输出滤波单元(306)和DC/DC转换单元(307)。

3.如权利要求2所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述第一保护单元(301)采用过压保护电路。

4.如权利要求2或3所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述第二保护单元(302)包括型号为LT4363IMS芯片，所述LT4363IMS芯片的输入端与所述第一保护单元(301)连接，所述LT4363IMS芯片的输出端与所述EMI滤波单元(303)连接，所述LT4363IMS芯片用于防反接、过流保护和缓启动。

5.如权利要求1所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述速变量采集接口单元(205)包括分别与所述处理器(201)连接的6通道的ADC转换电路。

6.如权利要求1所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述处理器(201)还分别连接有采编器接口单元(207)、制导机接口单元(206)和转发数据缓存单元(208)，所述采编器接口单元(207)包括与所述处理器(201)依次连接的RS422收发器和RS422接口，所述制导机接口单元(206)包括电平转换电路，所述转发数据缓存单元(208)包括与所述处理器(201)连接的DDR2存储器。

7.如权利要求1或6所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述处理器(201)还连接有数据导出接口单元，所述数据导出接口单元包括依次与所述处理器(201)连接的网络芯片(209)和变压器(210)。

8.如权利要求1所述的基于S698PM的弹载记录仪，其特征在于：所述处理器(201)的型号为S698PM。

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