CN210781344U - 一种光照强度变暗时启动的智能mems麦克风 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及麦克风领域,尤其涉及一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风,包含封装基板和光敏电阻,所述封装基板上固定有Sensor芯片,所述Sensor芯片通过键合线与ASIC芯片电性相连,所述ASIC与前述封装基板电性相连,所述光敏电阻与一个固定电阻串联后与电源正极相连,所述ASIC芯片供电端通过三极管与前述光敏电阻连接,所述封装基板上固定有腔体板,所述腔体板上放固定有前述光敏电阻的光敏型基板。通过本装置可以实现根据光照强度智能开启麦克风的功能。
Description
【技术领域】
本发明涉及麦克风领域,尤其涉及一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风。
【背景技术】
MEMS是微机电系统,英文全称是Micro-Electro mechanical System,是指尺寸在几毫米乃至更小的传感器装置,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。简单来说,MEMS就是将传统传感器的机械部件微型化后,通过三维堆叠技术,例如三维硅穿孔TSV等技术把器件固定在硅晶元(wafer)上,最后根据不同的应用场合采用特殊定制的封装形式,最终切割组装而成的硅基传感器。受益于普通传感器无法企及的IC硅片加工批量化生产带来的成本优势,MEMS同时又具备普通传感器无法具备的微型化和高集成度;
目前的MEMS麦克风在提供合适电压的情况下进入工作状态,工作方式不够智能,无法在光照强度变暗时智能启动。
本发明是针对现有技术的不足而研究提出的。
【发明内容】
本发明的目的是克服上述现有技术的缺点,提供了一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风。
本发明可以通过以下技术方案来实现:
本发明公开了一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风,包含封装基板和光敏电阻,所述封装基板上固定有Sensor芯片,所述 Sensor芯片通过键合线与ASIC芯片电性相连,所述ASIC与前述封装基板电性相连,所述光敏电阻与一个固定电阻串联后与电源正极相连,所述封装基板上固定有腔体板,所述腔体板上放固定有前述光敏电阻的光敏型基板,所述Sensor芯片上有BIAS端和VOUT端,所述 Sensor芯片上BIAS端与ASIC芯片的BIAS端电性相连,所述Sensor 芯片上VOUT端与ASIC芯片的VOUT端电性相连,所述ASIC芯片供电端通过三极管与光敏电阻并联后与前述固定电阻一端串联,所述固定电阻另一端接地。通过ASIC芯片与光敏电阻并联,光线变暗时,光敏电阻阻值增大,光敏电阻上电压增大,ASIC芯片上电压增大到一定值时,三极管导通,从而启动ASIC芯片,从而启动ASIC芯片,MEMS 麦克风开始工作。MEMS麦克风的工作原理是,通过外部电源给ASIC 芯片供电使ASIC芯片进入工作状态,ASIC芯片通过ASIC内部的电荷泵为振膜和背极提供偏置电压使Sensor芯片的振膜和背极间存在电势差,从而在外部声压作用下,声音信号转化为振膜的机械能,同时类比平行板电容器工作原理,在振膜和背极之间距离变化的情况下,Sensor芯片有电信号从Sensor芯片的VOUT端输出,此信号为所检测声音的初始信号,信号经过信号ASIC芯片处理后从OUT端输出;利用光敏电阻在不同光照度下电导率不同的内光电效应,光照产生的载流子参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降,在强光照射时,光敏电阻阻值变小,从而可以起到阻值调整的作用;本发明通过光敏电阻和定值电阻串联分压的方式实现控制ASIC芯片的工作状态;固定电阻和光敏电阻串联后,与麦克风电路并联,ASIC 芯片与任一电阻并联后,由于外界光照条件的变化,其分压值都会发生变化;分压值变小,ASIC芯片不能正常工作。
优选的,所述封装基板上设有声孔。
优选的,所述键合线为金,铝,铜等金属材质制成。
本发明与现有的技术相比有如下优点:
本设计的麦克风工作方式智能,可以在光照强度强度变暗时自动开启,工作方式智能,尤其是一些监听功能,可以选择在夜晚的时候自动开启,其他时间麦克风会进入休眠模式。
【附图说明】
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细说明,其中:
图1为本发明的爆炸图;
图2为本发明的电路图;
图3为本发明的Sensor芯片结构图;
图4为Sensor芯片工作状态图;
图中:1、光敏电阻;2、腔体板;3、ASIC芯片;4、Sensor芯片;401、背极;402、硅基;403、振膜;5、封装基板;51、声孔; 6、三极管;7、键合线;8、固定电阻;
【具体实施方式】
下面结合附图对本发明的实施方式作详细说明:
如图1至图4所示,本发明公开了一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风,包含封装基板5和光敏电阻1,封装基板5上固定有Sensor芯片4,Sensor芯片4通过键合线7与ASIC芯片3电性相连,ASIC与封装基板5电性相连,光敏电阻1与一个固定电阻8 串联后与电源正极相连,ASIC芯片3供电端通过三极管6与光敏电阻1连接,封装基板5上固定有腔体板2,腔体板2上放固定有光敏电阻1的光敏型基板,Sensor芯片4上有BIAS端和VOUT端,Sensor芯片4上BIAS端与ASIC芯片3的BIAS端电性相连,Sensor芯片4 上VOUT端与ASIC芯片3的VOUT端电性相连。MEMS麦克风的工作原理是,通过外部电源给ASIC芯片3供电,使ASIC芯片3进入工作状态,ASIC芯片3通过ASIC内部的电荷泵为振膜403和背极401提供偏置电压使Sensor芯片4的振膜403和背极401间存在电势差,从而在外部声压作用下,声音信号转化为振膜403的机械能,同时类比平行板电容器工作原理,在振膜403和背极401之间距离变化的情况下,Sensor芯片4有电信号从Sensor芯片4的VOUT端输出,此信号为所检测声音的初始信号,信号经过信号ASIC芯片3处理后从OUT 端输出;利用光敏电阻1在不同光照度下电导率不同的内光电效应,光照产生的载流子参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻1器的阻值迅速下降,在强光照射时,光敏电阻1阻值变小,从而可以起到阻值调整的作用;本发明通过光敏电阻1和定值电阻串联分压的方式实现控制ASIC芯片3的工作状态;固定电阻8和光敏电阻1串联后,与麦克风电路并联,ASIC芯片3与任一电阻并联后,由于外界光照条件的变化,其分压值都会发生变化;分压值变小,ASIC芯片3通过三极管6后无法活得一个合适的电压,ASIC芯片3不能正常工作。
如图4所述为Sensor芯片4的结构,Sensor芯片4由振膜403,背极401以及硅基402组成,振膜403和背极401通过半导体加工工艺(刻蚀,抛光,蒸镀等)固定在硅基402腔体内部;其工作原理可等效为平行板电容器;振膜403和背极401组成电容器的上下两基板,在电压作用下,电荷发生定向移动,在上下基板间会形成稳定的电压差,当外界声压作用在振膜403上时,振膜403和背极401间的距离发生变化,由公式C=εS/4πkd,可知,在距离发生变化时,电容器的电容量会随之发生变化(C:电容量,ε:介电常数,S:振膜403 和背极401之间的正对面积d:两板间距离,k:静电力恒量);由 U=Q/C可知,在电容量发生变化的情况下,输出电压值会发生变化(Q 为电容器的电荷量,Q为定值保持不变;U为振膜403形变后两极板之间的电压),若记形变前的电压为U1,形变后的电压为U2,那么在声压作用下Sensor芯片输出信号为△U=U1-U2;Sensor芯片在外部声压的作用下,完成了声能-机械能-电能的转化。
其中,封装基板5上设有声孔6。
其中,键合线7为铜等金属材质制成。
其中,ASIC芯片3供电端通过三极管6与光敏电阻1并联后与固定电阻8一端串联,固定电阻8另一端接地。通过ASIC芯片3与光敏电阻1并联,光线变暗时,光敏电阻1阻值增大,光敏电阻1上电压增大,ASIC芯片3上增大到一定值时,三极管6导通,从而启动ASIC芯片3,MEMS麦克风开始工作。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,这些变化、修改、替换和变型,也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风,其特征在于:包含封装基板和光敏电阻,所述封装基板上固定有Sensor芯片,所述Sensor芯片通过键合线与ASIC芯片电性相连,所述ASIC与前述封装基板电性相连,所述光敏电阻与一个固定电阻串联后与电源正极相连,所述ASIC芯片供电端通过三极管与光敏电阻并联后与前述固定电阻一端串联,所述固定电阻另一端接地,所述封装基板上固定有腔体板,所述腔体板上放固定有前述光敏电阻的光敏型基板。
2.根据权利要求1所述的光照强度变暗时启动的智能MEMS麦克风,其特征在于:所述封装基板上设有声孔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201921797579.3U CN210781344U (zh) | 2019-10-24 | 2019-10-24 | 一种光照强度变暗时启动的智能mems麦克风 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN210781344U true CN210781344U (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=71047268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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CN110650418A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-03 | 朝阳聚声泰(信丰)科技有限公司 | 一种光敏智能mems麦克风 |
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2019
- 2019-10-24 CN CN201921797579.3U patent/CN210781344U/zh active Active
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