CN210516186U - 一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器 - Google Patents
一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供了一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器，包括：电压检测模块、输出缓冲模块和电源模块；其中所述电源模块包括：正电压和负电压；所述电压检测模块适于检测外部伽玛输入电压；所述电源模块适于根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至所述输出缓冲模块。本实用新型通过设置电压检测模块检测外部伽玛输入电压，然后通过设置电源模块根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至输出缓冲模块，接着通过输出缓冲模块输出伽玛参考电压，这样可以有效地减小内建伽玛缓冲器所产生的静态电流，从而避免了源极驱动器温度过高的情况发生。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其涉及内建伽玛缓冲器和源极驱动器技术领域。
背景技术
在TFT液晶显示面板的应用系统中，一般通过伽玛缓冲芯片(gamma buffer ic)提供伽玛参考电压给源极驱动器(source driver)，通过源极驱动器内的伽玛电阻串分压提供给数位类比转换器(DAC)以产生所需的源极输出电压。目前为了达到降低成本的功效，将独立芯片整合在一起是个重要的趋势，因此在源极驱动器中内建伽玛参考缓冲器是个常见的应用。通过在每个源极驱动器中内建两组伽玛缓冲器(gamma buffer)，由于面板需要多颗源极驱动器，一颗源极驱动器提供两组伽玛缓冲便可提供面板中所需的全部伽玛电压。但是对于源极驱动器来说，内建伽玛缓冲器是一高输出电流的运算放大器(opamp)，而运算放大器本身需要有静态电流(quiescent current)，由于源极驱动器在正常使用下都会有过热的问题，再加上伽玛缓冲器所产生的静态电流会使源极驱动器温度升高。
实用新型内容
为克服现有技术中存在的源极驱动器内建伽玛缓冲器容易过热的问题，本实用新型提供了一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种内建伽玛缓冲器，包括：电压检测模块、输出缓冲模块和电源模块；其中所述电源模块包括：正电压和负电压；所述电压检测模块适于检测外部伽玛输入电压；所述电源模块适于根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至所述输出缓冲模块。
进一步，所述电压检测模块采用比较器；所述比较器的正输入端与外部伽玛输入电压相连，其负输入端连接至电源HAVDD；所述比较器的输出端经控制开关 S1与正电压相连；所述比较器的输出端还依次经反相器、控制开关S2与负电压相连；当外部伽玛输入电压高于电源HAVDD时，控制开关S1闭合，使所述输出缓冲模块连接正电压；以及当外部伽玛输入电压低于电源HAVDD时，控制开关 S2闭合，使所述输出缓冲模块连接负电压。
进一步，所述输出缓冲模块采用缓冲器；所述缓冲器的输入端与外部伽玛输入电压相连，其输出端适于输出伽玛参考电压。
另一方面，本实用新型还提供了一种源极驱动器，包括上述任一内建伽玛缓冲器。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型通过设置电压检测模块检测外部伽玛输入电压，然后通过设置电源模块根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至输出缓冲模块，接着通过输出缓冲模块输出伽玛参考电压，这样可以有效地减小内建伽玛缓冲器所产生的静态电流，从而避免了源极驱动器温度过高的情况发生。
附图说明
图1是源极驱动器的电源区间；
图2是本实用新型的内建伽玛缓冲器简要电路图；
图3是源极驱动器的交换开关控制信号(STB)工作原理；
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1-3所示，本实用新型示意性的示出了一种内建伽玛缓冲器，包括：电压检测模块、输出缓冲模块和电源模块；其中所述电源模块包括：正电压和负电压；所述电压检测模块适于检测外部伽玛输入电压；所述电源模块适于根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至所述输出缓冲模块。
进一步，所述电压检测模块采用比较器；所述比较器的正输入端与外部伽玛输入电压相连，其负输入端连接至电源HAVDD；所述比较器的输出端经控制开关 S1与正电压相连；所述比较器的输出端还依次经反相器、控制开关S2与负电压相连；当外部伽玛输入电压高于电源HAVDD时，控制开关S1闭合，使所述输出缓冲模块连接正电压；以及当外部伽玛输入电压低于电源HAVDD时，控制开关 S2闭合，使所述输出缓冲模块连接负电压。
进一步，所述输出缓冲模块采用缓冲器；所述缓冲器的输入端与外部伽玛输入电压相连，其输出端适于输出伽玛参考电压。
如图1所示，是电源模块的输出电压，AVDD与HAVDD间的输出电压为正电压，HVADD与GND之间的电压为负电压，面板的外部伽玛输入电压落于正电压与负电压的区间内，通过电压检测模块来判断外部伽玛输入电压是落于正电压或负电压，具体步骤为：如图2所示，当外部伽玛输入电压高于电源HAVDD时，控制开关S1闭合，使所述输出缓冲模块连接正电压，即图2中GSW导通，GSWB断开，此时伽玛缓冲器操作在正电压；以及当外部伽玛输入电低于电源HAVDD时，控制开关S2闭合，使所述输出缓冲模块连接负电压，即图2中GSW断开，GSWB导通，此时伽玛缓冲器操作在负电压；这样，伽玛缓冲器的操作电压只有全电压 (AVDD-GND)的一半，因此伽玛缓冲器的静态电流会大幅的减少一半，从而避免了由于伽玛缓冲器的静态电流造成源极驱动器的过热现象。
本实用新型还提供了一种源极驱动器，包括上述的内建伽玛缓冲器。
如图3所示，源极驱动器通过利用交换开关控制讯号(STB)进行工作，在第一个交换开关控制讯号(STB)之后开始闭锁数据(latch data)，待第二个交换开关控制讯号(STB)之后才将第一个闭锁的数据由源极输出。本实用新型可以利用第二个交换开关控制讯号(STB)之前的时间来进行电源模块的电压切换，也即利用第二个交换开关控制讯号(STB)之前的时间，完成了开关S1和开关 S2的切换闭合，从而完成GSW和GSWB的切换导通，在第二个交换开关控制讯号 (STB)之前，将源极驱动器输出关闭成高阻态(Hi-z)状态，就不会影响液晶画面的显示。
上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例，如前所述，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述实用新型构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
Claims (4)
1.一种内建伽玛缓冲器，其特征在于，包括：
电压检测模块、输出缓冲模块和电源模块；其中
所述电源模块包括：正电压和负电压；
所述电压检测模块适于检测外部伽玛输入电压；
所述电源模块适于根据电压检测模块检测结果切换正电压或负电压至所述输出缓冲模块。
2.根据权利要求1所述的内建伽玛缓冲器，其特征在于，
所述电压检测模块采用比较器；
所述比较器的正输入端与外部伽玛输入电压相连，其负输入端连接至电源HAVDD；
所述比较器的输出端经控制开关S1与正电压相连；
所述比较器的输出端还依次经反相器、控制开关S2与负电压相连；
当外部伽玛输入电压高于电源HAVDD时，控制开关S1闭合，使所述输出缓冲模块连接正电压；以及
当外部伽玛输入电压低于电源HAVDD时，控制开关S2闭合，使所述输出缓冲模块连接负电压。
3.根据权利要求2所述的内建伽玛缓冲器，其特征在于，
所述输出缓冲模块采用缓冲器；
所述缓冲器的输入端与外部伽玛输入电压相连，其输出端适于输出伽玛参考电压。
4.一种源极驱动器，其特征在于，包括：如权利要求1-3任一所述的内建伽玛缓冲器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201921116640.3U CN210516186U (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器 |
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Publications (1)
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| CN210516186U true CN210516186U (zh) | 2020-05-12 |
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Family Applications (1)
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| CN201921116640.3U Active CN210516186U (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 一种内建伽玛缓冲器和源极驱动器 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2019
- 2019-07-16 CN CN201921116640.3U patent/CN210516186U/zh active Active
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A built-in gamma buffer and source driver Effective date of registration: 20220121 Granted publication date: 20200512 Pledgee: China Construction Bank Corporation Changzhou Economic Development Zone sub branch Pledgor: Changzhou Xinsheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2022320000027 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |