CN210380796U - 一种功率器件驱动电路 - Google Patents

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余敏
尹志明
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Abstract

本实用新型涉及驱动电路技术领域,具体公开了一种功率器件驱动电路,包括主控制芯片MCU、MOS管Q1、二极管D1以及电阻R1、R2、R3、R4;所述电阻R1和R2分别连接主控制芯片MCU,所述电阻R2的另一端连接电阻R4和MOS管,所述二极管D1与电阻R3串联后并联在电阻R2的两端;本实用新型能够快速启动功率器件,慢速关断功率器件,或是快速关断功率器件,慢速开启功率器件,有效避免功率器件在开关时损坏,适用于更多产品的功能应用。

Description

一种功率器件驱动电路
技术领域
本实用新型涉及驱动电路技术领域,尤其涉及一种功率器件驱动电路。
背景技术
锂离子电池在便携式吸尘器产品应用中,通常需要用到功率开关器件来控制负载,如MOSFET、三极管、以及其它晶体管,在负载功率比较大时,以及一些特殊的产品功能应用场合,常规的驱动设计会导致功率器件开关时损坏,为了避免功率器件在开关时损坏,需要主控制芯片IO能够快速开启功率器件,慢速关断功率器件,或者快速关断功率器件,慢速开启功率器件,而目前行业主控制芯片不能实现该功能。
实用新型内容
针对上述技术问题,本实用新型提供了一种功率器件驱动电路,能够快速启动功率器件,慢速关断功率器件,或是快速关断功率器件,慢速开启功率器件,有效避免功率器件在开关时损坏,适用于更多产品的功能应用。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供的具体方案如下:
一种功率器件驱动电路,包括主控制芯片MCU、MOS管Q1、二极管D1以及电阻R1、R2、R3、R4;
所述电阻R1和R2分别连接主控制芯片MCU,所述电阻R2的另一端连接电阻R4和MOS管,所述二极管D1与电阻R3串联后并联在电阻R2的两端。
可选的,所述二极管D1为隔离驱动开关二极管,用于隔离主控制芯片MCU驱动信号。
可选的,所述MOS管Q1为N沟道MOS管,MOS管Q1的G极连接电阻R2,MOS管Q1的D极连接电阻R4。
可选的,所述MOS管Q1的D极连接有电阻R5。
可选的,所述MOS管Q1的S极连接有二极管D2,所述二极管D2的另一端连接电阻R1,二极管D2能够对MOS管Q1和主控制芯片MCU起到保护作用。
可选的,所述二极管D2为续流二极管,续流二极管是一种配合电感性负载使用的二极管,当电感性负载的电流有突然的变化或者减少时,电感二端会产生突变电压,可能会破坏其他元件,配合续流二极管时,其电流可以较平缓的变化,避免突波电压的发生。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:本实用新型能够快速启动功率器件,慢速关断功率器件,或是快速关断功率器件,慢速开启功率器件,有效避免功率器件在开关时损坏,适用于更多产品的功能应用。
附图说明
图1为本实用新型实施例中提供的一种功率器件驱动电路示意图。
具体实施方式
为了详细说明本实用新型的技术方案,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如,一种功率器件驱动电路,包括主控制芯片MCU、MOS管Q1、二极管D1以及电阻R1、R2、R3、R4;所述电阻R1和R2分别连接主控制芯片MCU,所述电阻R2的另一端连接电阻R4和MOS管,所述二极管D1与电阻R3串联后并联在电阻R2的两端。
本实施例提供的一种功率器件驱动电路,能够快速启动功率器件,慢速关断功率器件,或是快速关断功率器件,慢速开启功率器件,有效避免功率器件在开关时损坏,适用于更多产品的功能应用。
在一些实施例中,如图1所示,提供一种功率器件驱动电路,包括主控制芯片MCU、MOS管Q1、二极管D1以及电阻R1、R2、R3、R4;电阻R1和R2分别连接主控制芯片MCU,电阻R2的另一端连接电阻R4和MOS管,二极管D1与电阻R3串联后并联在电阻R2的两端。
具体的,当主控制芯片MCU IO输出高电平时,电信号经过电阻R2给MOS管Q1提供高电平,MOS管Q1快速或慢速导通;当主控制芯片MCU IO输出低电平时,电信号经过电阻R2和R4,二极管D1和电阻R3给MOS管Q1提供低电平,MOS管Q1快速或慢速关断截止。本示例对主控制芯片的型号并不进行限制,能输出高电平或低电平信号即可,如主控制芯片为PIC16F1933,该芯片具有较宽的电压工作范围,具有快闪程序存储器的读写功能等。
在一些实施例中,二极管D1为隔离驱动开关二极管,用于隔离主控制芯片MCU驱动信号,二极管D1由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,在该示例中,电阻R2、R3和R4为快速或慢速的开启、关断延时调整电阻,通过改变电阻R2、R3和R4的阻值参数,可以实现延时开关MOS管Q1的功能,电阻R1为限流电阻,能够防止电流过大烧坏主控制芯片MCU,对主控制芯片MCU起到保护作用。
在一些实施例中,MOS管Q1为N沟道MOS管,MOS管Q1的G极连接电阻R2,MOS管Q1的D极连接电阻R4。
当主控制芯片MCU IO输出高电平时,电信号经过电阻R2给MOS管Q1控制脚G极提供高电平,MOS管Q1快速或慢速导通;当主控制芯片MCU IO输出低电平时,电信号经过电阻R2和R4,二极管D1和电阻R3给MOS管Q1控制脚G极提供低电平,MOS管Q1快速或慢速关断截止。
在一些实施例中,MOS管Q1的D极连接有电阻R5,电阻R5为采样电阻,将该功率器件驱动电路应用在吸尘器产品中,通过电阻R5对电路中的电流进行采样。
在一些实施例中,MOS管Q1的S极连接有二极管D2,二极管D2的另一端连接电阻R1,二极管D2能够对MOS管Q1和主控制芯片MCU起到保护作用。
具体的,二极管D2为续流二极管,续流二极管是一种配合电感性负载使用的二极管,当电感性负载的电流有突然的变化或者减少时,电感二端会产生突变电压,可能会破坏其他元件,配合续流二极管时,其电流可以较平缓的变化,避免突波电压的发生。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围,因此,本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种功率器件驱动电路,其特征在于,包括主控制芯片MCU、MOS管Q1、二极管D1以及电阻R1、R2、R3、R4;
所述电阻R1和R2分别连接主控制芯片MCU,所述电阻R2的另一端连接电阻R4和MOS管,所述二极管D1与电阻R3串联后并联在电阻R2的两端。
2.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路,其特征在于,所述二极管D1为隔离驱动开关二极管。
3.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路,其特征在于,所述MOS管Q1为N沟道MOS管,MOS管Q1的G极连接电阻R2,MOS管Q1的D极连接电阻R4。
4.根据权利要求3所述的功率器件驱动电路,其特征在于,所述MOS管Q1的D极连接有电阻R5。
5.根据权利要求3所述的功率器件驱动电路,其特征在于,所述MOS管Q1的S极连接有二极管D2,所述二极管D2的另一端连接电阻R1。
6.根据权利要求5所述的功率器件驱动电路,其特征在于,所述二极管D2为续流二极管。
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