CN210341060U - 一种平板式pecvd设备线性ecr源用高均匀性磁场装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,包括两列平行布置的磁铁保持架,各列所述磁铁保持架上沿长度方向均匀布置有多块永磁体,所述永磁体的端面形状为矩形。本实用新型具有结构简单,有利于保证产生的等离子均匀和沉膜均匀等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及平板式PECVD设备,尤其涉及一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学气相沉积法,利用微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,可使化学反应在较低的温度下进行,在基片上沉积出所期望的薄膜。平板式PECVD设备所用的离子源为线性电子回旋共振离子源——ECR离子源,其长度远大于其宽度,它采用微波激发工艺气体使其电离,内部有高强度磁场约束,使电离产生的电子在电磁场作用下做螺旋运动,增加了与气体的碰撞几率,进一步提高气体的离化率,从而使等离子放电更容易,产生的等离子体密度更高。由于是线性离子源,要保证线性长度上等离子体的均匀性,其内部磁场强度的均匀性是关键影响因素之一。
如附图1和2所示,常规的线性ECR源的内部磁场由多个沿直线方向均匀排列的永磁体产生,永磁体采用圆形磁棒,磁场方向为轴向南北极。圆形端面本身及相邻两圆形端面之间均存在磁场不均匀的问题。以相邻两块磁铁圆心的连线的中垂线为例,即便将两块磁铁之间的间隙尽可能缩小,但是中垂线上各点的磁场强度也并不一致。这样会造成等离子体不均匀,从而影响沉膜均匀性。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种结构简单、有利于保证产生的等离子体均匀的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,包括两列平行布置的磁铁保持架,各列所述磁铁保持架上沿长度方向均匀布置有多块永磁体,所述永磁体的端面形状为矩形。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述永磁体的磁场强度大于350毫特斯拉。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:本实用新型公开的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,采用矩形永磁体阵列产生磁场,呈直线排列,矩形端面内磁场均匀,相邻两块永磁体之间的间隙可以做的很小(具体根据结构强度确定),磁场最强区域可以做到更大,因此整条直线上磁场非常均匀,从而保证产生的等离子体均匀。
附图说明
图1是常规的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的结构示意图。
图2是图1的A向视图。
图3是本实用新型平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的结构示意图。
图4是图3的B向视图。
图中各标号表示:1、磁铁保持架;2、永磁体。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
图3至图4示出了本实用新型平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的一种实施例,实施例的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,包括两列平行布置的磁铁保持架1,各列磁铁保持架1上沿长度方向均匀布置有多块永磁体2,永磁体2的端面形状为矩形。
该平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,采用矩形永磁体2阵列产生磁场,呈直线排列,矩形端面内磁场均匀,相邻两块永磁体2之间的间隙可以做的很小(具体根据结构强度确定),磁场最强区域可以做到更大,因此整条直线上磁场非常均匀,从而保证产生的等离子体均匀。
作为优选的技术方案,本实施例中,永磁体2采用耐高温永磁材料制作,磁场强度大于350毫特斯拉。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围的情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均应落在本实用新型技术方案保护的范围内。
Claims (2)
1.一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,包括两列平行布置的磁铁保持架(1),其特征在于:各列所述磁铁保持架(1)上沿长度方向均匀布置有多块永磁体(2),所述永磁体(2)的端面形状为矩形。
2.根据权利要求1所述的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置,其特征在于:所述永磁体(2)的磁场强度大于350毫特斯拉。
Priority Applications (1)
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CN201920791240.6U CN210341060U (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 一种平板式pecvd设备线性ecr源用高均匀性磁场装置 |
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CN210341060U true CN210341060U (zh) | 2020-04-17 |
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CN201920791240.6U Active CN210341060U (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 一种平板式pecvd设备线性ecr源用高均匀性磁场装置 |
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2019
- 2019-05-29 CN CN201920791240.6U patent/CN210341060U/zh active Active
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