CN210322887U

CN210322887U - 一种自动采集数据的装置

Info

Publication number: CN210322887U
Application number: CN201921018932.3U
Authority: CN
Inventors: 王建峰; 张军; 张欢
Original assignee: Shenzhen Anpu Testing Technology Service Co ltd
Current assignee: Shenzhen Anpu Testing Technology Service Co ltd
Priority date: 2019-07-01
Filing date: 2019-07-01
Publication date: 2020-04-14
Anticipated expiration: 2029-07-01

Abstract

本实用新型涉及数据采集技术领域，尤其涉及一种自动采集数据的装置，包括：中央处理器、磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器。通过对金属材料或产品进行电磁激励共振及检测可获得一幅特定重量下的磁场强度图像，来检验金属材料或产品的性能。所以，本实用新型实施例达到了以下技术效果：不仅能对金属材料或产品进行检测，而且能够对不合格品进行自动信息采集，不需要人工排查、节省时间、效率高且准确度高，有利于彻底杜绝不合格品的流通。

Description

一种自动采集数据的装置

技术领域

本实用新型涉及数据采集技术领域，尤其涉及一种自动采集数据的装置。

背景技术

企业在实际生产过程中，对于探测出不符合生产要求的金属材料或产品要进行剔除，以防不合格金属材料进入生产环节或不良产品进入销售环节。现有技术中是通过人工逐一检查，这样不仅效率低，增加时间成本，而且准确度低。

因此，目前急需一种对金属材料进行自动采集数据的装置，不仅能对金属材料或产品进行检测，而且能够对不合格品进行自动信息采集，便于企业彻底杜绝不合格品的流通。

实用新型内容

为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案：本实用新型提供了一种自动采集数据的装置，包括中央处理器，还包括：磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器，所述磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器均与所述中央处理器电连接。

优选地，所述磁场传感器包括感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路，所述感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路依次电连接。

优选地，所述感应电路包括并联连接的一第一电感(L1)与一用于谐振频率调谐的第一电容(C1)，并联的LC谐振电路一端接地，另一端作为感应信号输出端与所述射频放大电路的输入电连接。

优选地，所述射频放大电路包括第一MOSFET晶体管(M1)与一第二MOSFET晶体管(M2)，所述第一MOSFET晶体管(M1)的栅极与第二MOSFET晶体管(M2)的栅极同时连接至所述感应电路的输出端，所述第一MOSFET晶体管(M1)的源极与第二MOSFET晶体管(M2)的源极连接，所述第二MOSFET晶体管(M2)的漏极通过第一电阻(R1)接地。

优选地，所述第一MOSFET晶体管(M1)与第二MOSFET晶体管(M2)为类型相同的晶体管。

优选地，所述检波电路包括一第一二极管(D1)、一第二二极管(D2)及一第二电容(C2)，所述第一二极管(D1)的阴极与所述射频放大电路中第一MOSFET晶体管(M1)的漏极、所述第二二极管(D2)的阳极电连接，正极接地；所述第二电容(C2)一端与所述第二二极管(D2)的阴极电连接，另一端接地。

优选地，所述电压放大电路包括由一运算放大器，一第二电阻(R2)及一第三电阻(R3)组成的电压比例放大器，所述运算放大器的正输入端电连接至所述检波电路中第二二极管(D2)的阴极，输出端输出最后的感应信号至所述中央处理器。

优选地，还包括一用于人机对话的触摸型人机界面部件。

有益效果：本实用新型的自动采集数据的装置，通过磁场振荡器产生电磁信号对金属材料或产品进行电磁激励共振，磁场传感器接收电磁共振信号并依次进行谐振感应收纳、射频放大、检测及滤波获得直流电压信号，直流电压信号被进一步放大后被中央处理器接收；中央处理器根据在不同的共振频率下的感应信号，并结合压力传感器获得的金属材料或产品的压力数据，形成一幅特定重量下的磁场强度图像，来检验金属材料或产品的性能，并可通过触摸装置的人机对话方式显示出来。所以，本实用新型实施例达到了以下技术效果：不仅能对金属材料或产品进行检测，而且能够对不合格品进行自动信息采集，不需要人工排查、节省时间、效率高且准确度高，有利于彻底杜绝不合格品的流通。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型自动采集数据的装置一实施例电路结构图。

图2是本实用新型上述自动采集数据的装置实施例磁场传感器的具体电路图。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型技术方案作进一步详细的说明，这是本实用新型的较佳实施例。应当理解，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例；需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型一实施例提供了一种自动采集数据的装置，如图1所示，具体可以包括如下模块：中央处理器、磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器，所述磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器均与所述中央处理器电连接。其中，中央处理器的型号是OMAP3635。

磁场振荡器采用传统LC振荡器产生正确频率的正弦波电磁波待测金属材料质子，使它们产生共振，被激发的金属材料质子以射频信号的形式释放吸收的能量，被磁场传感器上的接收线圈接收。通过按顺序改变磁场振荡器的磁场频率引起待测金属材料以不同的频率产生不同电磁强度的共振，可生成不同磁场强度的电磁成像。

本实施例中，如图2所示，所述磁场传感器包括感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路，感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路依次电连接。

通过按顺序改变磁场传感器中感应电路的调谐电容以与待测金属材料共振的相应谐振频率接收待测金属材料以不同的频率产生不同电磁强度的共振信号，可逐渐形成一幅磁场强度图像。具体地，感应电路包括并联连接的一第一电感(L1)与一用于谐振频率调谐的第一电容(C1)，并联的LC谐振电路一端接地，另一端作为感应信号输出端与射频放大电路的输入电连接。

由于LC谐振电路的信号较微弱，需要用射频放大电路对感应信号进一步放大，从而有利于后续电路的检测。具体地，射频放大电路包括第一MOSFET晶体管(M1)与一第二MOSFET晶体管(M2)，第一MOSFET晶体管(M1)的栅极与第二MOSFET晶体管(M2)的栅极同时连接至感应电路的输出端，第一MOSFET晶体管(M1)的源极与第二MOSFET晶体管(M2)的源极连接，第二MOSFET晶体管(M2)的漏极通过第一电阻(R1)接地。其中，第一MOSFET晶体管(M1)与第二MOSFET晶体管(M2)为类型相同的晶体管。

由于射频信号不能被中央处理器等数字电路所处理，需要经过射频检波电路把射频信号转换为基带信号。具体地，检波电路包括一第一二极管(D1)、一第二二极管(D2)及一第二电容(C2)，第一二极管(D1)的阴极与射频放大电路中第一MOSFET晶体管(M1)的漏极、第二二极管(D2)的阳极电连接，正极接地；第二电容(C2)一端与第二二极管(D2)的阴极电连接，另一端接地。其中，第一二极管(D1)、一第二二极管(D2)组成包络检波整流电路，第二二极管(D2)的等效电阻与第二电容(C2)形成RC低通滤波器。

为满足中央处理器的I/O处理门限，需要将进入到中央处理器前的信号放大至预定的电压值，从而保证感应信号被正确检测。具体地，电压放大电路包括由一运算放大器，一第二电阻(R2)及一第三电阻(R3)组成的电压比例放大器，运算放大器的正输入端电连接至检波电路中第二二极管(D2)的阴极，输出端输出最后的感应信号至中央处理器。本实施例中，运算放大器可以是LM358。

一个可选实施例中，该自动采集数据的装置还包括一用于人机对话的触摸型人机界面部件。

综上上述，本发明实施例提供的一种自动采集数据的装置，通过磁场振荡器产生电磁信号对金属材料或产品进行电磁激励共振，磁场传感器接收电磁共振信号并依次进行谐振感应收纳、射频放大、检测及滤波获得直流电压信号，直流电压信号被进一步放大后被中央处理器接收；中央处理器根据在不同的共振频率下的感应信号，并结合压力传感器获得的金属材料或产品的压力数据，形成一幅特定重量下的磁场强度图像，来检验金属材料或产品的性能，并可通过触摸装置的人机对话方式显示出来。所以，本实用新型实施例达到了以下技术效果：不仅能对金属材料或产品进行检测，而且能够对不合格品进行自动信息采集，不需要人工排查、节省时间、效率高且准确度高，有利于彻底杜绝不合格品的流通。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

还需要说明的是，在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种自动采集数据的装置，包括中央处理器，其特征在于，还包括：磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器，所述磁场振荡器、磁场传感器及压力传感器均与所述中央处理器电连接。

2.根据权利要求1所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述磁场传感器包括感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路，所述感应电路、射频放大电路、检波电路及电压放大电路依次电连接。

3.根据权利要求2所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述感应电路包括并联连接的一第一电感(L1)与一用于谐振频率调谐的第一电容(C1)，并联的LC谐振电路一端接地，另一端作为感应信号输出端与所述射频放大电路的输入电连接。

4.根据权利要求2所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述射频放大电路包括第一MOSFET晶体管(M1)与一第二MOSFET晶体管(M2)，所述第一MOSFET晶体管(M1)的栅极与第二MOSFET晶体管(M2)的栅极同时连接至所述感应电路的输出端，所述第一MOSFET晶体管(M1)的源极与第二MOSFET晶体管(M2)的源极连接，所述第二MOSFET晶体管(M2)的漏极通过第一电阻(R1)接地。

5.根据权利要求4所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述第一MOSFET晶体管(M1)与第二MOSFET晶体管(M2)为类型相同的晶体管。

6.根据权利要求2所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述检波电路包括一第一二极管(D1)、一第二二极管(D2)及一第二电容(C2)，所述第一二极管(D1)的阴极与所述射频放大电路中第一MOSFET晶体管(M1)的漏极、所述第二二极管(D2)的阳极电连接，正极接地；所述第二电容(C2)一端与所述第二二极管(D2)的阴极电连接，另一端接地。

7.根据权利要求2所述的自动采集数据的装置，其特征在于，所述电压放大电路包括由一运算放大器，一第二电阻(R2)及一第三电阻(R3)组成的电压比例放大器，所述运算放大器的正输入端电连接至所述检波电路中第二二极管(D2)的阴极，输出端输出最后的感应信号至所述中央处理器。

8.根据权利要求1-7任一项所述的自动采集数据的装置，其特征在于，还包括一用于人机对话的触摸型人机界面部件。