CN210137323U - 近场通信设备 - Google Patents

近场通信设备 Download PDF

Info

Publication number
CN210137323U
CN210137323U CN201921423697.8U CN201921423697U CN210137323U CN 210137323 U CN210137323 U CN 210137323U CN 201921423697 U CN201921423697 U CN 201921423697U CN 210137323 U CN210137323 U CN 210137323U
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
circuit
coupled
input
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201921423697.8U
Other languages
English (en)
Inventor
A·特拉莫尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics Rousset SAS
Original Assignee
STMicroelectronics Rousset SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics Rousset SAS filed Critical STMicroelectronics Rousset SAS
Application granted granted Critical
Publication of CN210137323U publication Critical patent/CN210137323U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/20—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by the transmission technique; characterised by the transmission medium
    • H04B5/24—Inductive coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/40—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by components specially adapted for near-field transmission
    • H04B5/45—Transponders
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/70—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
    • H04B5/77—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for interrogation
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H03K3/0315—Ring oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/20—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by the transmission technique; characterised by the transmission medium
    • H04B5/22—Capacitive coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Abstract

近场通信设备包括振荡电路、整流桥和压控振荡器，整流桥被配置成对跨振荡电路的电压进行整流，压控振荡器被配置成提供基准频率。压控振荡器由作为整流桥的输出电压的函数的电压供电和控制。

Description

近场通信设备
技术领域
本公开一般涉及电子电路，并且在具体的实施例中，涉及近场通信(NFC)设备的频率调整。
背景技术
包括电磁应答器的通信系统越来越常见，特别是自从根据ISO标准14493或NFC论坛开发近场通信技术以来。
这种系统使用由设备(终端或读取器)发射的射频电磁场与另一个设备(卡)通信。
为了优化通信的质量，由于电容和/或电阻元件具有可设置的值，通常调整(调谐)检测场的设备的振荡电路的谐振频率。
实用新型内容
本公开一般涉及电子电路，并且在具体的实施例中，涉及电磁应答器、电子标签(TAG)和其他近场通信设备。本公开的特定实施例涉及集成了近场通信(NFC)电路的电子设备。
实施例解决了改进近场通信设备的需求，特别考虑了跨由电磁场激励的振荡电路采样的电压的振幅变化。
实施例试图减少已知近场通信电路的缺点。
在一个方面，提供了一种近场通信设备，其包括：振荡电路；整流桥，被配置成对跨振荡电路的电压进行整流；以及压控振荡器，被配置成提供基准频率，其中压控振荡器由作为整流桥的输出电压的函数的电压来供电和控制。
根据一些实施例，设备还包括用于整流桥的输出电压的调节电路。
根据一些实施例，压控振荡器由调节电路供电和控制。
根据一些实施例，设备还包括数字电路，数字电路直接利用由整流桥提供的电压供电。
根据一些实施例，调节电路被配置成根据跨压控振荡器的电压，来调节电源并且控制压控振荡器的电压。
根据一些实施例，设备还包括由整流桥的输出电压供电的数字电路。
根据一些实施例，设备还包括由整流桥的输出电压供电的多个数字电路。
根据一些实施例，压控振荡器由整流桥的输出电压直接供电和控制。
根据一些实施例，设备还包括：用于整流桥的输出电压的调节电路，以及由整流桥的输出电压供电的数字电路，其中数字电路由调节电路供电。
根据一些实施例，设备还包括跨振荡电路耦合的限压电路。
在另一方面，提供了一种近场通信设备，其包括：振荡电路；整流桥，跨振荡电路的端子耦合；调节电路，耦合到整流桥的输出；压控振荡器，具有耦合到调节电路的输入；以及数字近场通信电路，具有耦合到压控振荡器的输出的时钟端子，以及耦合到调节电路的供电电压端子。
根据一些实施例，设备还包括跨振荡电路的输出端子耦合的限压电路。
根据一些实施例，调节电路包括：比较器，具有第一输入和第二输入，第一输入耦合到基准电压节点；晶体管，具有耦合到比较器的输出的控制端子，晶体管具有电流路径，电流路径耦合在整流桥的输出与数字近场通信电路的供电电压端子之间；第一电阻器，耦合在数字近场通信电路的供电电压端子与比较器的第二输入之间；以及第二电阻器，耦合在比较器的第二输入与基准电压端子之间。
根据一些实施例，设备还包括：第二比较器，具有第一输入和第二输入，第二比较器的第一输入耦合到基准电压节点；第二晶体管，具有跨振荡电路的端子耦合的电流路径，第二晶体管具有耦合到第二比较器的输出的控制端子；第三电阻器，耦合在整流桥的输出与第二比较器的第二输入之间；以及第四电阻器，耦合在第二比较器的第二输入与基准电压端子之间。
根据一些实施例，调节电路包括：比较器，具有第一输入和第二输入，第一输入耦合到基准电压节点；晶体管，具有耦合到比较器的输出的控制端子，晶体管具有电流路径，电流路径耦合在整流桥的输出与压控振荡器的输入之间；第一电阻器，耦合在压控振荡器的输入与基准电压端子之间；第二电阻器，耦合在整流桥的输出与比较器的第二输入之间；以及第三电阻器，耦合在比较器的第二输入与基准电压端子之间。
根据一些实施例，设备还包括第二晶体管，第二晶体管具有跨振荡电路的端子耦合的电流路径，第二晶体管具有耦合到比较器的输出的控制端子。
一个实施例提供了一种近场通信设备，其包括振荡电路、对跨振荡电路的电压进行整流的桥、和提供基准频率的压控振荡器。振荡器由作为整流桥的输出电压的函数的电压供电和控制。
根据一个实施例，该设备还包括调节整流桥的输出电压的电路。
根据一个实施例，该设备还包括由整流桥的输出电压供电的一个或多个数字电路。
根据一个实施例，振荡器由整流桥提供的电压直接供电和控制。
根据一个实施例，数字电路由调节整流桥的输出电压的电路供电。
根据一个实施例，振荡器由调节整流桥的输出电压的电路供电和控制。
根据一个实施例，数字电路利用由整流桥提供的电压直接供电。
根据一个实施例，调节电路根据跨振荡电路的电压来调节振荡器电源和控制电压。
根据一个实施例，该设备还包括用于限制跨振荡电路的电压的电路。
一种调节电磁应答器的功耗的方法，其中应答器的数字电路的操作频率是跨应答器的振荡电路的电压的函数。
根据一个实施例，操作频率由振荡器提供，该振荡器由桥的输出电压进行电压控制，该桥对跨振荡电路的电压进行整流。
根据一个实施例，数字电路利用从整流桥的输出电压调节的电压供电。
根据一个实施例，振荡器由整流桥的输出电压直接供电和控制。
根据一个实施例，振荡器由从整流桥的输出电压调节的电压供电和控制。
根据一个实施例，数字电路利用整流桥的输出电压直接供电。
所描述的实施例的一个优点在于，与模数转换器的功耗相比，它们利用了压控振荡器的较低功耗。
结合附图，在对具体实施例的以下非限制性描述中，将详细讨论前述和其他特征和优点。
附图说明
图1以框的形式非常示意性地示出了所描述的实施例所适用的类型的近场通信系统的一个示例；
图2以框的形式非常示意性地示出了近场通信设备的一个实施例；以及
图3以框的形式非常示意性地示出了近场通信设备的另一个实施例。
具体实施方式
在不同的附图中，相同的元件用相同的附图标记指定。特别地，不同实施例共有的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记指定，并且可以具有相同的结构、尺寸和材料特性。
为清楚起见，仅示出并且详细描述了对理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。特别地，近场通信设备的应用未被详细描述，所描述的实施例与这些设备的通常应用兼容。另外，由于所描述的实施例更具体地针对应答器或由磁场激励的设备，因此电磁场生成终端的操作未被详细描述，所描述的实施例与通常的操作兼容。
贯穿本公开，术语“连接”用于指定除了导体之外没有中间元件的电路元件之间的直接电连接，而术语“耦合”用于指定可以是直接的、或者可以是经由一个或多个中间元件的电路元件之间的电连接。
在以下描述中，当提及限定绝对位置(诸如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等)或相对位置(诸如术语“上方”、“下方”、“上”、“下”等)的术语，或提及限定方向(诸如术语“水平”、“竖直”等)的术语时，参考的是图的定向，除非另有指定。
术语“大约”、“基本上”和“近似”在本文中用于指定所讨论的值的正或负10％(优选正或负5％)的公差。
作为一个示例，图1是所描述的实施例适用的类型的近场通信系统的一个示例的以框的形式的非常简化的表示。
尽管采用两个类似的电子设备(例如，两个蜂窝电话)的情况，但是将描述的所有情况更一般地适用于其中应答器检测由读取器或终端辐射的电磁场的任何系统。为了简化，将参考NFC设备来指定集成近场通信电路的电子设备。
两个NFC设备1(NFC DEV1)和2(NFC DEV2)能够通过近场电磁耦合进行通信。根据应用，为了进行通信，其中一个设备以所谓的读取器模式操作，而另一个设备以所谓的卡模式操作，或者两个设备以对等模式(P2P)进行通信。每个设备包括各种电子电路，其中一个电路形成在NFC设备和外部之间的近场通信接口或NFC接口。除其他的之外，这种接口用在读取器模式中以生成借助于天线传输的射频信号，并且用在卡模式中以对所捕获的射频信号进行解码。由其中一个设备生成的射频场被另一个设备检测，该另一个设备位于其范围内并且也包括天线。
为了简化，下文中将参考终端来指定发射电磁场的设备(例如，电子标签读出终端、以读取器模式操作的NFC设备等)，并且将参考应答器来指定旨在捕获该场的设备(例如，电子标签、以卡模式操作的NFC设备等)。
应答器包括形成振荡电路(例如，由并联的天线和电容元件形成的并联振荡电路)的一部分的天线，振荡电路旨在于在存在电磁场的情况下被激励。振荡电路通常被调谐到旨在生成电磁场的终端的振荡电路的激励频率。例如，振荡电路被调谐到13.56MHz的频率。终端至应答器方向上的通信通常通过调制由终端生成的射频信号的振幅和/或相位来实现，并且因此通过调制电磁场来实现。在应答器至终端方向上的通信通常通过由应答器的电路在其振荡电路上形成的负载的调制(逆向调制)来执行。为了简化，没有详细描述振幅和/或相位检测(解调)以及逆向调制电路，所描述的实施例与通常的解调和逆向调制电路兼容。
在某些应用中，应答器从电磁场中提取它所包括的电子电路所需的功率。
应答器的操作约束之一是：跨振荡电路采样的电压可能根据终端和应答器的振荡电路的天线之间的耦合而强烈地变化，该耦合尤其是使振荡电路彼此分离的距离的函数。
图2以框的形式非常示意性地示出了近场通信设备3的一个实施例。该设备形成应答器或混合设备的应答器(或卡)部分。
例如，设备3配备成图1的设备1和设备2之一，或两者。
应答器3包括振荡电路31，振荡电路31具有由天线312形成的电感元件，旨在检测电磁场。在图2的示例中，假定振荡电路的电容元件由杂散电容形成。作为一个变型，电容器(例如，具有可变电容以调整振荡电路的调谐)与天线312并联连接。
对应于天线312的端子的振荡电路的端子311和313耦合(优选地连接)到整流桥33的AC输入端子331和333，整流桥33具有提供DC电压Vout的整流输出端子335和337，DC电压Vout旨在给应答器的电子电路供电。在所示示例中，端子337限定基准电位(地)。用于平滑电压Vout的电容器(未示出)通常存在于端子335和337之间。根据实施例，整流桥33是半波或全波的。在图2的示例中，考虑全波桥的情况，全波桥的两个二极管D1和D2分别将端子331和333连接到端子335，其中它们的阴极位于端子335侧，并且全波桥的两个二极管D3和D4分别将端子331和333连接到端子337，其中它们的阳极位于端子337侧。
整流桥33的输出电压Vout由线性调节器35或分流调节器来调节。在图2中所示的简化示例中，调节器35基于模拟比较器351，模拟比较器351将表示电压Vcc的信息与基准电压Vref进行比较。电压Vcc形成输出电压，用于给应答器的一个或多个电子电路(由图2中的框4符号化)供电。在图2图示的示例中，比较器351驱动(耦合到，优选地连接到)MOS体管353的栅极，MOS晶体管353将端子335耦合(优选地连接)到提供电位Vcc(假定以地337为基准)的端子41。比较器351的输入(例如直接+(非反相))接收表示电压Vcc的信息，而其另一输入(反相-)接收基准电压Vref。例如，基准电压Vref由带隙型电路提供。例如，两个电阻器355和357的串联关联的接合点连接到比较器351的端子+，两个电阻器355和357的串联关联将端子41和337连接，并且形成电阻分压桥。
应答器3还优选地包括防止过电压的电路37。电路37包括模拟比较器371，模拟比较器371将表示在整流桥33的输出处的电压Vout(并因此，未调节电压)的信息与基准电压Vref进行比较。在图2图示的示例中，比较器371驱动(耦合到，优选地连接到)MOS晶体管373的栅极，MOS晶体管373将振荡电路的端子311和313耦合(优选地，连接)。比较器371的输入(例如直接+(非反相))接收表示电压Vcc的信息，而其另一输入(反相-)接收基准电压Vref。例如，基准电压Vref与比较器351所使用的基准电压相同。例如，两个电阻器375和377的接合点连接到比较器371的端子+，两个电阻器375和377将端子335和337连接，并且形成电阻分压桥。电路37的功能是调制晶体管373的导通状态漏极-源极电阻的值，以将跨天线的过电压限制(限幅)到根据下游连接的电路可以承受的电压选择的值。因此，只有晶体管373以及可能振荡电路的电容器需要承受过电压，电路的其余部分仅看到受限制的电压。在结构上，电路37具有与分流调节器相同的结构。
根据本描述所针对的应用，应答器的电路4尤其包括以频率f驱动的数字电路。
根据所描述的实施例，提供了根据跨振荡电路采样的电压Vout来调整应答器电路4的操作频率f。这种调整使得能够将应答器的功耗适配成可用功率。实际上，驱动应答器3的数字电路4的频率f越高，电路消耗功率越多，并且它们参与降低跨振荡电路31的过电压越多。相反，在跨天线采样的电压降低时，降低应答器3的数字电路4的基本操作频率f使得能够保持应答器的远程供电，而不损失通信。因此，调整操作频率通过利用最大可能功率来优化效率，同时保持电路免受过高电压的影响。实际上，应答器3的电路4形成振荡电路31的负载的一部分。它们的功耗因此对跨振荡电路31的电压产生影响。增加电路4的操作频率(并且因此增加电路4的功耗)会使跨电路31的电压降低。因此，晶体管373(或其他等效分流电路)中的耗散损失较少的功率。
本可以设计成使用由比较器371使用的电压信息，以经由模数转换器，将数字设置点提供给通常被包括在电路4中的数字时钟发生电路。然而，这会有提供不稳定系统的风险，因为这会在两个频率调整时间之间，在整流桥的下游引入振荡。
根据所描述的实施例，提供了以模拟方式使用压控振荡器39(VCO)，来提供电路4或应答器3的基本操作频率。压控振荡器由整流桥33的输出电压Vout供电。由振荡器39提供的频率f形成基本频率，基本频率然后可以由框4的电路分频。
在图2的实施例中，使用线性调节器35(分流调节器)来提供应答器电路的电源电压Vcc与使用利用电压Vout(未调节的)直接控制和供电的振荡器相结合。这使得能够根据可用功率调整电路4的功耗，从而优化了操作。
尽管这未图示，但是在图2的实施例中，可以利用电压Vout或电压Vcc给比较器351和371供电。
当可用功率足够时，即当频率f相对较高时(与较低功率下的频率值相比)，还可以通过激活某些功能来改变电路4的功耗。
图3以框的形式非常示意性地示出了应答器3’的另一实施例，应答器3’使用压控振荡器，以根据振荡电路的输出处可用的电压来变化应答器3’的电路4的基本频率f。
图3示出了振荡电路31、整流桥33和保护电路37。
然而，在图3的实施例中，电路4直接由整流桥的输出电压Vout(优选地由电容器平滑，未示出)供电。因此，端子41耦合(优选地连接)到端子335。
根据该实施例，通过变化应答器的数字电路的操作频率f，来直接获得对电压Vout的调节。因此，模拟控制的压控振荡器39’由线性调节器(或分流调节器)35’的输出控制和供电。在图3的示例中，调节器35’包括MOS晶体管353’和电阻器359，MOS晶体管353’位于端子335与振荡器39’的控制和电源端子391之间，电阻器359将端子391耦合到地337。在本示例中，晶体管353’由比较器371驱动，因此其栅极耦合(优选地连接)到比较器371的输出。
在该实施例中，由分流调节器35’对振荡器39’进行控制使得能够通过操作频率间接地调节施加到端子41的电源电压。
作为一个变型，提供另一比较器(未示出)来控制晶体管353’，以通过从电压Vout采样信息来控制它。
在图3的示例中，整流桥33由框来符号化。它可以如图2中那样是半波或全波的。
所描述的实施例的一个优点在于，与模数转换器的功耗相比，它们利用了压控振荡器的较低功耗。
所描述的实施例的另一个优点在于，它们与不同功率模式下的应答器的操作兼容。
所描述的实施例的另一个优点在于，在优化应答器的功耗的同时，保持了由电路37提供的保护功能。
不同类型的压控振荡器可以用于振荡器39或39’。优选地，使用环形振荡器，其具有简单并且避免了使用电感部件的优点。
已经描述了各种实施例和变型。本领域技术人员将理解，可以组合这些各种实施例和变型的某些特征，并且本领域技术人员将想到其他变型。特别地，应答器的操作频率的选择取决于应用。
最后，基于上文给出的功能指示，所描述的实施例和变型的实际实施方式在本领域技术人员的能力范围内。特别地，可以提供用于提供压控振荡器的控制(或电源)电压的其他组件，只要该电压是跨振荡电路31的电压的函数。
这种改变、修改和改进旨在成为本公开的一部分，并且旨在于在本实用新型的精神和范围内。因此，前面的描述仅是通过示例的方式，而不旨在是限制性的。本实用新型仅如所附权利要求及其等同物所限定的那样来限制。

Claims (16)

1.一种近场通信设备，其特征在于，包括：
振荡电路；
整流桥，被配置成对跨所述振荡电路的电压进行整流；以及
压控振荡器，被配置成提供基准频率，其中所述压控振荡器由作为所述整流桥的输出电压的函数的电压来供电和控制。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括用于所述整流桥的所述输出电压的调节电路。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述压控振荡器由所述调节电路供电和控制。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，还包括数字电路，所述数字电路直接利用由所述整流桥提供的电压供电。
5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述调节电路被配置成根据跨所述压控振荡器的电压，来调节电源并且控制所述压控振荡器的电压。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括由所述整流桥的所述输出电压供电的数字电路。
7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括由所述整流桥的所述输出电压供电的多个数字电路。
8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述压控振荡器由所述整流桥的所述输出电压直接供电和控制。
9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：用于所述整流桥的所述输出电压的调节电路，以及由所述整流桥的所述输出电压供电的数字电路，其中所述数字电路由所述调节电路供电。
10.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括跨所述振荡电路耦合的限压电路。
11.一种近场通信设备，其特征在于，包括：
振荡电路；
整流桥，跨所述振荡电路的端子耦合；
调节电路，耦合到所述整流桥的输出；
压控振荡器，具有耦合到所述调节电路的输入；以及
数字近场通信电路，具有耦合到所述压控振荡器的输出的时钟端子，以及耦合到所述调节电路的供电电压端子。
12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，还包括跨所述振荡电路的输出端子耦合的限压电路。
13.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述调节电路包括：
比较器，具有第一输入和第二输入，所述第一输入耦合到基准电压节点；
晶体管，具有耦合到所述比较器的输出的控制端子，所述晶体管具有电流路径，所述电流路径耦合在所述整流桥的所述输出与所述数字近场通信电路的所述供电电压端子之间；
第一电阻器，耦合在所述数字近场通信电路的所述供电电压端子与所述比较器的所述第二输入之间；以及
第二电阻器，耦合在所述比较器的所述第二输入与基准电压端子之间。
14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，还包括：
第二比较器，具有第一输入和第二输入，所述第二比较器的所述第一输入耦合到所述基准电压节点；
第二晶体管，具有跨所述振荡电路的所述端子耦合的电流路径，所述第二晶体管具有耦合到所述第二比较器的输出的控制端子；
第三电阻器，耦合在所述整流桥的所述输出与所述第二比较器的所述第二输入之间；以及
第四电阻器，耦合在所述第二比较器的所述第二输入与所述基准电压端子之间。
15.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述调节电路包括：
比较器，具有第一输入和第二输入，所述第一输入耦合到基准电压节点；
晶体管，具有耦合到所述比较器的输出的控制端子，所述晶体管具有电流路径，所述电流路径耦合在所述整流桥的所述输出与所述压控振荡器的所述输入之间；
第一电阻器，耦合在所述压控振荡器的所述输入与基准电压端子之间；
第二电阻器，耦合在所述整流桥的所述输出与所述比较器的所述第二输入之间；以及
第三电阻器，耦合在所述比较器的所述第二输入与所述基准电压端子之间。
16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，还包括第二晶体管，所述第二晶体管具有跨所述振荡电路的所述端子耦合的电流路径，所述第二晶体管具有耦合到所述比较器的所述输出的控制端子。
CN201921423697.8U 2018-08-31 2019-08-29 近场通信设备 Active CN210137323U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1857859 2018-08-31
FR1857859A FR3085566A1 (fr) 2018-08-31 2018-08-31 Ajustement en frequence d'un dispositif de communication sans contact

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN210137323U true CN210137323U (zh) 2020-03-10

Family

ID=65201236

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201921423697.8U Active CN210137323U (zh) 2018-08-31 2019-08-29 近场通信设备
CN201910810773.9A Active CN110875759B (zh) 2018-08-31 2019-08-29 Nfc设备的频率调整

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910810773.9A Active CN110875759B (zh) 2018-08-31 2019-08-29 Nfc设备的频率调整

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10727906B2 (zh)
EP (1) EP3618293A1 (zh)
CN (2) CN210137323U (zh)
FR (1) FR3085566A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110875759A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 意法半导体(鲁塞)公司 Nfc设备的频率调整

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2901574B2 (ja) * 1997-06-05 1999-06-07 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 クロック入力回路
US20070108297A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Bates Colin D Adaptation of transponder card performance to available power
EP2070019A4 (en) * 2006-10-02 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE
TWI481195B (zh) * 2006-10-31 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 振盪器電路及包含該振盪器電路的半導體裝置
US8934836B2 (en) * 2012-06-28 2015-01-13 Broadcom Corporation NFC device with PLL controlled active load modulation
SI24283A (sl) * 2013-01-15 2014-07-31 Ams R&D Analogni Polprevodniki, D.O.O. Postopek in vezje aktivne pametne nalepke za komuniciranje z izpraševalnikom
JP6858201B2 (ja) * 2016-03-31 2021-04-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 無線位置決定
FR3085566A1 (fr) * 2018-08-31 2020-03-06 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Ajustement en frequence d'un dispositif de communication sans contact

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110875759A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 意法半导体(鲁塞)公司 Nfc设备的频率调整
CN110875759B (zh) * 2018-08-31 2022-01-25 意法半导体(鲁塞)公司 Nfc设备的频率调整

Also Published As

Publication number Publication date
FR3085566A1 (fr) 2020-03-06
EP3618293A1 (fr) 2020-03-04
CN110875759A (zh) 2020-03-10
US10727906B2 (en) 2020-07-28
US20200076476A1 (en) 2020-03-05
CN110875759B (zh) 2022-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7606532B2 (en) Adaptable power supply circuit
US9853486B2 (en) Resonant wireless power receiver circuit and control method thereof
KR100471655B1 (ko) 단말기와원격으로전력이투입되는휴대품간의비접촉통신에의한데이터교환시스템
US11101696B2 (en) Wireless power feeding system, wireless power transmitter, and wireless power receiver
US6650226B1 (en) Detection, by an electromagnetic transponder reader, of the distance separating it from a transponder
US7093765B2 (en) Transponder, especially for a contactless chip card
JP4584373B2 (ja) 電磁誘導結合で作動する遠隔交信装置
JP5066982B2 (ja) 制御装置
US7738272B2 (en) Circuit and method for rectifying and regulating voltages
US7218204B2 (en) Contactless IC card
KR101843433B1 (ko) 전압 조정 회로, 이를 포함하는 비접촉식 카드, 및 비접촉식 카드 시스템
US20230206020A1 (en) Mode-changeable power supply circuit and smart card including the same
US9973010B2 (en) Control circuit, resonance circuit, electronic device, control method, control program, and semiconductor element
CN210137323U (zh) 近场通信设备
JP7201414B2 (ja) 受電装置、ウェアラブルデバイス、及び非接触給電システム
US9135546B2 (en) Smart card
JP2005063123A (ja) 非接触型ｉｃカードのリーダ／ライタ装置、そのアンテナ固有周波数の自動調整方法、プログラム
US7263339B2 (en) Tuner comprising a voltage converter
US11283487B2 (en) Power supply circuit that sources energy from an NFC antenna
US10749576B2 (en) Evaluation of an average power consumption of an electronic circuit
WO2019172366A1 (ja) 受電装置、ウェアラブルデバイス、及び非接触給電システム

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant