CN210110757U - 欧姆接触结构与半导体器件 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种欧姆接触结构与半导体器件。欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。本公开实施例提供的欧姆接触结构可以安全地实现ESD功能。

Description

欧姆接触结构与半导体器件

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种用于ESD的欧姆接触结构和半导体器件。

背景技术

相关技术中，受限于制程，连接有同一块金属区域的欧姆接触结构通常采用间断设置(如图1所示)。随着器件尺寸的减小，欧姆接触结构的尺寸也相应减小，电阻相应增大，影响了器件的性能。槽型接触结构(Slot Contact)具有更大的接触面积和更小的电阻(如图2所示)，因此得以广泛应用。但是，槽型接触结构在面对静电放电场景(ESD)时会由于长槽接触散热不良而产生热烧毁，因此，需要一种能够更好地应对静电放电场景的欧姆接触结构。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开实施例提供一种欧姆接触结构和可以应用该欧姆接触结构的半导体器件，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的相关接触结构在静电放电场景中发生热烧毁的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种欧姆接触结构，包括：第一接触结构，沿栅宽方向设置，位于有源区上表面沿栅宽方向的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一长度为1微米，所述第二长度为1.5～3微米，所述第三长度为2～5微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向的宽度相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极。

在本公开的一种示例性实施例中，均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于同一金属结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极和漏极。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈轴对称分布。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈非对称分布，且分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第一接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第二接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第三接触结构在沟道方向上齐平。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第一宽度，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第一金属结构，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第二金属结构。

在本公开的一种示例性实施例中，在沟道方向上，所述第二金属结构具有比所述第一金属结构更大的宽度。

根据本公开实施例的另一个方面，提供一种半导体器件，包括：栅极；源极，位于所述栅极的一侧，具有第一凹槽阵列，所述第一凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同；漏极，位于所述栅极的另一侧，具有第二凹槽阵列，所述第二凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括，第一掺杂区，所述第一凹槽阵列位于所述第一掺杂区内；第二掺杂区，所述第二凹槽阵列位于所述第二掺杂区内，所述第二掺杂区的浓度大于等于所述第一掺杂区的浓度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽被导电介质填充，所述导电介质包括金属硅化物、金属氧化物和金属；所述第一凹槽阵列的导电介质电连接于第一金属结构，所述第二凹槽阵列的导电介质电连接于第二金属结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二凹槽阵列中的凹槽延栅宽方向中心对齐，从所述半导体器件的边沿到所述半导体器件的中心，所述第二凹槽阵列中的各凹槽的面积顺次增加。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二凹槽阵列中的多个凹槽均为矩形，所述多个凹槽延沟道方向的宽度相同，从所述半导体器件的边沿到所述半导体器件的中心，所述第二凹槽阵列中的各凹槽延栅宽方向的长度顺次减小。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二凹槽阵列和所述第一凹槽阵列的凹槽数量相等，且所述第二凹槽阵列中的第n个凹槽与所述第一凹槽阵列中的第n个凹槽延沟道方向中心对齐，n是对所述凹槽从所述半导体器件的边沿开始计算的序数。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一凹槽阵列和所述第二凹槽阵列中的凹槽数量的均为5，且在所述第一凹槽阵列和所述第二凹槽阵列中各凹槽延所述半导体器件在栅宽方向的中心线对称分布。

本公开实施例提供的欧姆接触结构，通过沿着器件中心至器件边沿由短到长依次设置多个欧姆接触结构，可以增加器件中心欧姆结构的电阻、降低器件边沿欧姆结构的电阻，从而在静电放电电流流过时将大电流导入到器件边沿，降低器件中心由于大电流流过产生的热量，避免位于器件中心的欧姆接触结构被大电流产生的热量烧毁。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中点状接触结构的示意图。

图2是相关技术中槽型接触结构的示意图。

图3是本公开第一实施例中欧姆接触结构的示意图。

图4A和图4B是本公开实施例中欧姆接触结构的热效应示意图。

图5是本公开第二实施例中欧姆接触结构的示意图。

图6是本公开第三实施例中欧姆接触结构的示意图。

图7是本公开第四实施例中欧姆接触结构的示意图。

图8是本公开第五实施例中欧姆接触结构的示意图。

图9是本公开第六实施例中欧姆接触结构的示意图。

图10是本公开第七实施例中欧姆接触结构的示意图。

图11是本公开一个实施例中半导体器件的示意图。

图12是图11所示半导体器件的俯视图。

图13是图11所示半导体器件的连接示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。

下面结合附图对本公开示例实施方式进行详细说明。

图3是本公开第一实施例中欧姆接触结构的结构示意图。

参考图3，欧姆接触结构100可以包括：

第一接触结构11，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在栅宽方向上的中心，具有第一长度L1；

第二接触结构12，沿栅宽方向设置，沿栅宽方向位于第一接触结构11两侧，与第一接触结构11在栅宽方向上中心对齐，具有大于第一长度L1的第二长度L2；

第三接触结构13，沿栅宽方向设置，沿栅宽方向位于第二接触结构12远离第一接触结构11的一侧，与第一接触结构11在栅宽方向上中心对齐，具有大于第二长度L2的第三长度L3。

本公开实施例中的接触结构均指金属半导体接触结构。

申请人通过ESD/TLP测试发现，现有欧姆接触结构在面对静电放电场景发生烧毁时，烧损点往往在半导体器件的宽度中心。

因此，本公开实施例沿着器件中心至器件边沿由短到长依次设置多个欧姆接触结构，通过减小长度增加器件中心欧姆结构的电阻，通过增大长度降低器件边沿欧姆结构的电阻，根据与器件中心的距离由短到长调整欧姆结构的长度，以在静电电流沿着与栅宽方向垂直的方向流经欧姆接触结构时，将大电流尽量导入到与器件中心距离更远的欧姆接触结构，进而降低器件中心欧姆接触结构的电热温度，避免欧姆接触结构的烧毁。

图4A和图4B是本公开实施例提供的欧姆接触结构的热效应的示意图。

图4A是相关技术中的槽型欧姆接触结构的温度分布示意图。在大电流流经时，由于器件中心散热环境较器件边沿差，因此位于器件中心的欧姆接触结构产生热效应，温度急剧升高，直至烧毁。

图4B是本公开实施例提供的欧姆接触结构的温度分布示意图。在大电流流经时，由于器件中心的欧姆接触结构长度小、面积小、电阻大，器件边沿的欧姆接触结构长度大、面积大、电阻小，因此大电流被导入到远离器件中心的欧姆接触结构，位于器件中心的欧姆结构的电流减小、电热效应减小、温度降低，进而，通过逐渐调整欧姆接触结构的长度，实现了全部欧姆接触结构的热量均衡，避免了欧姆接触结构在某一点被烧毁，能够较好地实现ESD功能。

图5是本公开第二实施例中欧姆接触结构的示意图。

参考图5，在栅宽方向上中心对齐的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13连接同一块金属区域，在设置位置上，第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13同时设置在晶体管的源极和漏极，且分别位于晶体管的源极和漏极的第一接触结构11在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的第二接触结构12在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的第三接触结构13在沟道方向上齐平，各接触结构均靠近栅极，且位于漏极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13在沟道方向上与栅极的距离为M1，位于源极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13在沟道方向上与栅极的距离为M2，M1大于M2，即分别位于晶体管的源极和漏极的第一接触结构、第二接触结构、第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈非对称分布。

M1大于M2的原因是为了给漏极流出足够的散热空间，提高漏极的散热能力。

在其他实施例中，分别位于晶体管的源极和漏极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13相对于晶体管的栅极也可以呈对称分布，即M1＝M2，本公开对此不作特殊限定。

图6是本公开第三实施例中欧姆接触结构的示意图。参考图6，在本公开的其他实施例中，第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13还可以仅设置于晶体管的漏极或仅设置于晶体管的源极。在各接触结构仅设置在晶体管栅极的一侧的情况下，优选为仅设置晶体管的漏极，以更好地实现ESD效果。

在单体尺寸上，位于晶体管栅极同一侧的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13在沟道方向上的宽度相同。一个实施例中，第一长度L1为1微米，第二长度L2为1.5～3微米，第三长度L3为2～5微米，确定第二长度L2和第三长度L3的具体数值时，仍需要保持第三长度L3大于第二长度L2。本领域技术人员可以根据实际工艺标准和需求自行设置各接触结构的长度，本公开对此不作特殊限定。

图7是本公开第四实施例中欧姆接触结构的示意图。

参考图7，在本公开一个实施例中，位于晶体管源极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13在沟道方向上具有相同的第一宽度W1，位于晶体管漏极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13在沟道方向上具有相同的第二宽度W2，第二宽度W2大于第一宽度W1。在图7所示实施例中，源极和漏极的金属结构在沟道方向上的宽度也可以相等。

图8是本公开第五实施例中欧姆接触结构的示意图。

参考图8，在本公开另一个实施例中，位于晶体管源极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13均电连接于第一金属结构81，位于晶体管漏极的第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13均电连接于第二金属结构82，第一金属结构81的宽度小于第二金属结构82的宽度。在图8所示实施例中，位于源极和漏极的各接触结构在沟道方向上的宽度既可以相同，也可以如图7所示，位于漏极的各接触结构的第二宽度W2大于位于源极的各接触结构的第一宽度W1。

在数量上，容易理解的是，接触结构的数量与器件的宽度成正比。当器件尺寸较大时，可以如图9所示，增加第一接触结构11、第二接触结构12、第三接触结构13的数量；或者如图10所示，增加长度比第三接触结构13更长的第四接触结构14等。

综上所述，本公开实施例提供的欧姆接触结构，通过沿着器件中心至器件边沿由短到长依次设置多个欧姆接触结构，可以增加器件中心欧姆结构的电阻、降低器件边沿欧姆结构的电阻，从而在静电放电电流流过时将大电流导入到器件边沿，降低器件中心由于大电流流过产生的热量，避免位于器件中心的欧姆接触结构被大电流产生的热量烧毁。

图11是本公开一个实施例中提供的半导体器件的示意图。

参考图11，半导体器件1100包括：

栅极111；

源极112，位于栅极111的一侧，具有第一凹槽阵列1121，第一凹槽阵列具有至少三个凹槽，凹槽的形状和面积不完全相同；

漏极113，位于栅极111的另一侧，具有第二凹槽阵列1131，第二凹槽阵列具有至少三个凹槽，凹槽的形状和面积不完全相同。

其中，第一凹槽阵列1121位于第一掺杂区1122内，第二凹槽阵列1131位于第二掺杂区1132内，第二掺杂区1132的浓度大于等于第一掺杂区1122的浓度。

图12是图11所示半导体器件的俯视图。

参考图12，在半导体器件1100中，第二凹槽阵列1131中的凹槽可以延栅宽方向中心对齐，各凹槽的面积从半导体器件1100的边沿到中心顺次增加。凹槽面积增加的方式既可以是如图12中所示的，多个凹槽均为矩形且延沟道方向的宽度相同，各凹槽延栅宽方向的长度从半导体器件1100的边沿到中心顺次减小，也可以是其他方法(比如将凹槽设置为圆形并增加凹槽的)，本公开不对凹槽的形状做特殊限定。

参考图12，在另一种实施例中，第一凹槽阵列1121的各凹槽形状和面积可以相同，例如凹槽11、凹槽12、凹槽13为形状和面积相同的矩形，根据流过电流的大小，可以将凹槽12和凹槽13的形状和面积设置为与凹槽11相同，也可以将凹槽11和凹槽13的形状和面积设置与凹槽12相同，同样可以将凹槽11和凹槽12的形状和面积设置与凹槽13相同。以上凹槽11、凹槽12、凹槽13的矩形形状可以为矩形或椭圆形或圆形或其他形状，这里不做限制。以上凹槽11、凹槽12、凹槽13的具体面积，考虑到制造工艺的不同，流过电流大小不同，这里不做具体限定。

此外，继续参考图12，可以设置第二凹槽阵列1131和第一凹槽阵列1121的凹槽数量相等，且第二凹槽阵列1131中的第n个凹槽与第一凹槽阵列1121中的第n个凹槽延沟道方向中心对齐，其中n是对凹槽从半导体器件的边沿开始计算的序数。可以理解的是，也可以设置第一凹槽阵列1121与第二凹槽阵列1131的凹槽数量不相等。

在图12所示实施例中，第一凹槽阵列1121和第二凹槽阵列1131中的凹槽数量的均为5，且在第一凹槽阵列1121和第二凹槽阵列1131中各凹槽延半导体器件在栅宽方向的中心线对称分布。在本公开其他实施例中，各凹槽阵列中凹槽的数量还可以更多，本公开对此不作特殊限定。

图11或图12所示的半导体器件可以用于建立如图3所示的欧姆接触结构。

图13是半导体器件与欧姆结构的连接示意图。

参考图13，在作为欧姆接触结构100的底层时，第一凹槽阵列和第二凹槽阵列中的凹槽被包括金属硅化物、金属氧化物和金属在内的导电介质1123或1133填充，第一凹槽阵列的导电介质1123(通过欧姆接触结构)电连接于第一金属结构131，第二凹槽阵列的导电介质1133(通过欧姆接触结构)电连接于第二金属结构132。第一金属结构131、第二金属结构132、各凹槽的形状和排布如图3～图12任一项所示，描述参见上文，本公开于此不再赘述。

综上所述，本公开实施例提供的半导体器件，由于位于器件中心的接触结构与位于器件边沿的接触结构相比面积小、电阻大，在ESD电流产生时可以使ESD电流按照边沿大于中心的状态分布，降低半导体器件中心的电热效应，避免ESD电流过大烧毁半导体器件中心的接触结构，具有优秀的ESD性能。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实用新型后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和构思由权利要求指出。

Claims (18)

1.一种欧姆接触结构，其特征在于，包括：

第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；

第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；

第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。

2.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述第一长度为1微米，所述第二长度为1.5～3微米，所述第三长度为2～5微米。

3.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向的宽度相同。

4.如权利要求3所述欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述欧姆接触结构，其特征在于，均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于同一金属结构。

6.如权利要求3所述欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极和漏极。

7.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，分别位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈轴对称分布。

8.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，分别位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈非对称分布，且分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第一接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第二接触结构在所述沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第三接触结构在所述沟道方向上齐平。

9.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第一宽度，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

10.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第一金属结构，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第二金属结构。

11.如权利要求10所述欧姆接触结构，其特征在于，在沟道方向上，所述第二金属结构的宽度大于所述第一金属结构的宽度。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

栅极；

源极，位于所述栅极的一侧，具有第一凹槽阵列，所述第一凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同；

漏极，位于所述栅极的另一侧，具有第二凹槽阵列，所述第二凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一掺杂区，所述第一凹槽阵列位于所述第一掺杂区内；

第二掺杂区，所述第二凹槽阵列位于所述第二掺杂区内，所述第二掺杂区的浓度大于等于所述第一掺杂区的浓度。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽被导电介质填充，所述导电介质包括金属硅化物、金属氧化物和金属；

所述第一凹槽阵列的导电介质电连接于第一金属结构，所述第二凹槽阵列的导电介质电连接于第二金属结构。

15.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第二凹槽阵列中的凹槽延栅宽方向中心对齐，从所述半导体器件的边沿到所述半导体器件的中心，所述第二凹槽阵列中的各凹槽的面积顺次增加。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二凹槽阵列中的多个凹槽均为矩形，所述多个凹槽延沟道方向的宽度相同，从所述半导体器件的边沿到所述半导体器件的中心，所述第二凹槽阵列中的各凹槽延栅宽方向的长度顺次减小。

17.如权利要求12、15、16任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二凹槽阵列和所述第一凹槽阵列的凹槽数量相等，且所述第二凹槽阵列中的第n个凹槽与所述第一凹槽阵列中的第n个凹槽延沟道方向中心对齐，n是对所述凹槽从所述半导体器件的边沿开始计算的序数。

18.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一凹槽阵列和所述第二凹槽阵列中的凹槽数量的均为5，且在所述第一凹槽阵列和所述第二凹槽阵列中各凹槽延所述半导体器件在栅宽方向的中心线对称分布。

Images