CN209949767U - 一种超薄散热型磁场屏蔽片 - Google Patents

一种超薄散热型磁场屏蔽片 Download PDF

Info

Publication number
CN209949767U
CN209949767U CN201920629274.5U CN201920629274U CN209949767U CN 209949767 U CN209949767 U CN 209949767U CN 201920629274 U CN201920629274 U CN 201920629274U CN 209949767 U CN209949767 U CN 209949767U
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic field
field shielding
layer
heat dissipation
ultra
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201920629274.5U
Other languages
English (en)
Inventor
朱全红
李俊奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Hongyi Thermal Conductmty Material Co Ltd
Original Assignee
Dongguan Hongyi Thermal Conductmty Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Hongyi Thermal Conductmty Material Co Ltd filed Critical Dongguan Hongyi Thermal Conductmty Material Co Ltd
Priority to CN201920629274.5U priority Critical patent/CN209949767U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN209949767U publication Critical patent/CN209949767U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本实用新型属于电子材料技术领域,尤其涉及一种超薄散热型磁场屏蔽片,包括依次叠合的离型层、第一导热双面胶层、纳米晶层、第二导热双面胶层和石墨层,所述纳米晶层设置有若干个孔隙,若干个所述孔隙中填充有导热材料,所述磁场屏蔽片的总体厚度为30~100μm。相比于现有技术,本实用新型厚度薄,散热性能和磁屏蔽性能优异,适用于无线充电领域,能满足客户日益增长的需求。

Description

一种超薄散热型磁场屏蔽片
技术领域
本实用新型属于电子材料技术领域,尤其涉及一种超薄散热型磁场屏蔽片。
背景技术
磁场屏蔽材料有很多种,通常以树脂类吸波材料,铁氧体,非晶材料以及纳米晶材料为主。树脂类吸波材料,磁导率低,磁饱和强度低下,导热系数低下,无法满足无线充高规格的要求。铁氧体材料对温度敏感,磁饱和强度相对低下,同时自身物理韧性极差,非常不利于加工。非晶材料磁滞损耗相对较大,无线充电效率较低。
随着电子消费品变得越来越纤薄,对磁场屏蔽材料的厚度也提出了更高的要求。同时,以手机为例的电子消费品,对发热问题也特别关心。传统的磁场屏蔽材料在厚度及散热性能上已经不能满足客户日益增长的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对现有技术的不足,而提供一种超薄散热型磁场屏蔽片,厚度薄,散热性能和磁屏蔽性能优异,适用于无线充电领域,能满足客户日益增长的需求。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种超薄散热型磁场屏蔽片,包括依次叠合的离型层、第一导热双面胶层、纳米晶层、第二导热双面胶层和石墨层,所述纳米晶层设置有若干个孔隙,若干个所述孔隙中填充有导热材料,所述磁场屏蔽片的总体厚度为30~100μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述孔隙为圆孔或正多变形孔,所述孔隙的直径或所述孔隙的内切圆直径为60~80μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述第一导热双面胶层的边缘位置超出所述纳米晶层的边缘位置。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述第二导热双面胶层的边缘位置超出所述纳米晶层的边缘位置。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述离型层的厚度为2~15μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述第一导热双面胶层的厚度为5~15μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述纳米晶层的厚度为8~20μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述第二导热双面胶层的厚度为10~20μm。
作为本实用新型所述的超薄散热型磁场屏蔽片的一种改进,所述石墨层的厚度为10~30μm。
相比于现有技术,本实用新型至少具有以下有益效果:
1)本实用新型的磁场屏蔽片的厚度薄。传统的纳米晶磁场屏蔽片都是采用多层纳米晶通过双面胶进行复合,传统的纳米晶带材的厚度为25μm以上,纳米晶磁场屏蔽带的总体其厚度大约为150~300μm,相比于传统方案,本实用新型在厚度上得到了较大的降低,越薄的厚度热阻越小,越有利于热量的释放,而且超薄设计更加适合于以手机为典型案例的电池消费品领域,更能满足客户的需求;
2)本实用新型的磁场屏蔽片的散热性能优异。一方面,本实用新型采用导热双面胶和石墨与纳米晶复合,使得散热效果有进一步改善,另一方面,本实用新型的纳米晶层设置有孔隙,孔隙中填充有导热材料,使得热量经过纳米晶层时依然能有效得到传导散发,因此,本实用新型的磁场屏蔽片具有良好的散热性能;
3)本实用新型的磁场屏蔽片的磁屏蔽性能优异。本实用新型选用纳米晶材料,其具有较高的磁导率和磁饱和强度,随温度上升磁性性能不明显衰减,因此,本实用新型的磁场屏蔽片具有良好的磁屏蔽性能,非常适用于无线充电领域。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中:1-离型层,2-第一导热双面胶层,3-纳米晶层,4-第二导热双面胶层,5-石墨层,31-孔隙。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明,但不作为对本实用新型的限定。
如图1所示,一种超薄散热型磁场屏蔽片,包括依次叠合的离型层1、第一导热双面胶层2、纳米晶层3、第二导热双面胶层4和石墨层5,纳米晶层3设置有若干个孔隙31,若干个孔隙31中填充有导热材料,磁场屏蔽片的总体厚度为30~100μm。使用时,只需将离型纸层撕下,将第一导热双面胶层2粘贴于有待进行散热和磁场屏蔽的部件上。
进一步地,孔隙31为圆孔或正多变形孔,孔隙31的直径或孔隙31的内切圆直径为60~80μm。孔隙31过小填充的导热材料也就相应较小,起不到很好的改善导热性能的作用;孔隙31过大会导致纳米晶材料的占比过少,影响磁屏蔽性能。
进一步地,第一导热双面胶层2的边缘位置超出纳米晶层3的边缘位置。如此设置,能防止端面因环境水汽侵入导致老化,同时防止纳米晶从端面掉出形成导电性异物。
进一步地,第二导热双面胶层4的边缘位置超出纳米晶层3的边缘位置。如此设置,能防止端面因环境水汽侵入导致老化,同时防止纳米晶从端面掉出形成导电性异物。
进一步地,离型层1的厚度为2~15μm;第一导热双面胶层2的厚度为5~15μm;纳米晶层3的厚度为8~20μm;第二导热双面胶层4的厚度为10~20μm;石墨层5的厚度为10~30μm。各材料层的厚度保持在合适的范围内,可以确保磁场屏蔽片在厚度较薄的情况下,同时具有良好的散热和磁屏蔽性能。
上述说明示出并描述了本实用新型的若干优选实施方式,但如前所述,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施方式的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述实用新型构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:包括依次叠合的离型层、第一导热双面胶层、纳米晶层、第二导热双面胶层和石墨层,所述纳米晶层设置有若干个孔隙,若干个所述孔隙中填充有导热材料,所述磁场屏蔽片的总体厚度为30~100μm。
2.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述孔隙为圆孔或正多变形孔,所述孔隙的直径或所述孔隙的内切圆直径为60~80μm。
3.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述第一导热双面胶层的边缘位置超出所述纳米晶层的边缘位置。
4.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述第二导热双面胶层的边缘位置超出所述纳米晶层的边缘位置。
5.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述离型层的厚度为2~15μm。
6.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述第一导热双面胶层的厚度为5~15μm。
7.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述纳米晶层的厚度为8~20μm。
8.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述第二导热双面胶层的厚度为10~20μm。
9.根据权利要求1所述的超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:所述石墨层的厚度为10~30μm。
CN201920629274.5U 2019-05-05 2019-05-05 一种超薄散热型磁场屏蔽片 Active CN209949767U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920629274.5U CN209949767U (zh) 2019-05-05 2019-05-05 一种超薄散热型磁场屏蔽片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920629274.5U CN209949767U (zh) 2019-05-05 2019-05-05 一种超薄散热型磁场屏蔽片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN209949767U true CN209949767U (zh) 2020-01-14

Family

ID=69131502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201920629274.5U Active CN209949767U (zh) 2019-05-05 2019-05-05 一种超薄散热型磁场屏蔽片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN209949767U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113573552A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 横店集团东磁股份有限公司 一种用于无线充电的磁屏蔽结构及其制造方法
WO2024119734A1 (zh) * 2022-12-08 2024-06-13 横店集团东磁股份有限公司 磁屏蔽结构及其制造方法、无线充电系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113573552A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 横店集团东磁股份有限公司 一种用于无线充电的磁屏蔽结构及其制造方法
WO2024119734A1 (zh) * 2022-12-08 2024-06-13 横店集团东磁股份有限公司 磁屏蔽结构及其制造方法、无线充电系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209949767U (zh) 一种超薄散热型磁场屏蔽片
KR101451964B1 (ko) 디지타이저용 자기장 차폐시트 및 그의 제조방법과 이를 이용한 휴대 단말기기
US20170345555A1 (en) Heat radiation unit and wireless power transmitting and receiving device having same
CN104972708B (zh) 一种吸波散热双功能复合材料及其制造方法
KR101544587B1 (ko) 열전도성 접착층을 포함하는 전자파 차단 필름 및 그 제조 방법.
CN213924617U (zh) 一种可屏蔽与吸收电磁波的复合胶带
CN109245325B (zh) 一种散热隔磁胶带以及无线充电电力接收器
KR101984790B1 (ko) 무선충전 라디에이터 기능을 갖는 자성 시트, 그 제조방법 및 이를 이용한 무선충전 디바이스
CN204350556U (zh) 一种电磁屏蔽散热膜
WO2015076387A1 (ja) ノイズ吸収シート
KR20170076510A (ko) 무선충전용 일체형 차폐성 방열유닛 및 이를 포함하는 무선전력 충전모듈
CN212848488U (zh) 极片、电池和电子装置
KR101530624B1 (ko) 복합 기능성 일체형 근거리무선통신 안테나 및 그 제조 방법
CN110335748B (zh) 一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片及其制备方法
CN203876309U (zh) 一种吸波散热双功能复合装置
KR20150041321A (ko) 자성시트 및 이를 포함하는 무선충전용 자성부재
KR102265396B1 (ko) 디지타이저용 하이브리드 시트, 그의 제조 방법 및 그를 구비한 전자기기
CN208143717U (zh) 胶合屏蔽胶带与膜片及无线充电的隔磁膜与模块
CN210607610U (zh) 近场天线和电子设备
CN114024020B (zh) 一种电极组件、电池及用电设备
JPWO2017010447A1 (ja) フェライト積層体及びノイズ抑制シート
CN211210301U (zh) 一种无胶型人工石墨散热片
CN210725889U (zh) 一种超薄柔性电磁屏蔽膜
CN212303841U (zh) 一种聚合物锂离子电池负极用热敏极耳
CN210840545U (zh) 一种具有散热导电功能的吸波屏蔽膜

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant