CN209935364U - 清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种清洗装置，清洗装置包括：清洗槽、清洗液喷头及气体喷头；清洗槽包括内槽及位于内槽外侧的外槽，外槽包围内槽，且外槽的底面低于内槽的顶面；清洗液喷头形成清洗液面，且清洗液面的投影覆盖位于内槽中的传送手臂；气体喷头位于清洗液喷头的上方，气体喷头形成气体面，气体面位于清洗液面的上方，且气体面的投影覆盖清洗液面。本实用新型的清洗装置，通过清洗液喷头对传送手臂进行清洗，通过气体喷头对传送手臂进行清洁及干燥，且通过气体喷头还可防止清洗液的飞溅，从而提高传送手臂的清洗效果、提高晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体装置领域，涉及一种清洗装置。
背景技术
在半导体湿法清洗工艺中，槽式湿法清洗一直占据很大的比例，槽式清洗的工艺发展至今也越发成熟和稳定。
目前，在半导体行业中，对晶圆制造中的湿法清洗工艺的要求越来越高，如在Bench机台中，晶圆放在传送手臂上并随传送手臂浸泡在酸槽或水槽中，制程结束后，传送手臂承载晶圆从水槽中升起，而后通过机械手臂(Wafer Transfer Robot)将晶圆取走，此时传送手臂上可能会残留有水槽中的去离子水(DIW)，该部分残留DIW，如果不能有效地从传送手臂上去除，当传送手臂再次转移到酸槽中时，会影响酸槽中化学药液的浓度，从而造成晶圆的蚀刻率下降，进而影响晶圆的良率；并且传送手臂上还有可能会残留未处理干净的化学药液，会对下一批晶圆造成污染。
因此，为了提高传送手臂的清洗效果、改善晶圆的蚀刻率及晶圆的质量，提供一种新型的清洗装置，已成为本领域亟待解决的问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种清洗装置，用于解决现有技术中由于传送手臂的清洗效果不良，所造成的晶圆的蚀刻率及晶圆的质量下降的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种清洗装置，所述清洗装置包括：
清洗槽，所述清洗槽包括内槽及位于所述内槽外侧的外槽，所述外槽包围所述内槽，且所述外槽的底面低于所述内槽的顶面；
清洗液喷头，所述清洗液喷头形成清洗液面，且所述清洗液面的投影覆盖位于所述内槽中的传送手臂；
气体喷头，所述气体喷头位于所述清洗液喷头的上方，所述气体喷头形成气体面，所述气体面位于所述清洗液面的上方，且所述气体面的投影覆盖所述清洗液面。
可选地，所述清洗液喷头位于所述内槽的顶面上方。
可选地，所述清洗液喷头及所述气体喷头位于所述外槽的内壁上。
可选地，还包括支撑架，所述清洗液喷头及所述气体喷头位于所述支撑架上。
可选地，所述清洗液喷头的横截面呈中心对称图形；所述气体喷头的横截面呈中心对称图形。
可选地，所述清洗液喷头包括1个～20个喷嘴；所述气体喷头包括1个～20个喷嘴。
可选地，所述外槽的底面低于所述内槽的底面。
可选地，所述清洗液喷头包括去离子水喷头；所述气体喷头包括氮气喷头及惰性气体喷头中的一种或组合。
可选地，所述内槽还包括排液单元。
可选地，所述清洗装置还包括液体调节器。
如上所述，本实用新型的清洗装置，通过清洗液喷头对传送手臂进行清洗，通过气体喷头对传送手臂进行清洁及干燥，且通过气体喷头还可防止清洗液的飞溅，从而提高传送手臂的清洗效果、提高晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。
附图说明
图1显示为实施例一中的清洗装置的结构示意图。
图2显示为实施例一中的清洗装置的俯视结构示意图。
图3显示为实施例一中的清洗装置的侧视结构示意图。
图4显示为实施例二中的清洗装置的结构示意图。
元件标号说明
101、201 内槽
102、202 外槽
103、203 清洗液喷头
104、204 气体喷头
105、205 传送手臂
106、206 排液单元
107、207 输气管
108、208 输液管
109、209 储气罐
110、210 储液罐
111、211 阀门
112、212 液体调节器
113、213 液体过滤器
200 支撑架
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图1至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
实施例一
本实用新型提供一种清洗装置，所述清洗装置包括：
清洗槽，所述清洗槽包括内槽及位于所述内槽外侧的外槽，所述外槽包围所述内槽，且所述外槽的底面低于所述内槽的顶面；
清洗液喷头，所述清洗液喷头形成清洗液面，且所述清洗液面的投影覆盖位于所述内槽中的传送手臂；
气体喷头，所述气体喷头位于所述清洗液喷头的上方，所述气体喷头形成气体面，所述气体面位于所述清洗液面的上方，且所述气体面的投影覆盖所述清洗液面。
本实施例中的清洗装置，通过清洗液喷头对传送手臂进行清洗，通过气体喷头对传送手臂进行清洁及干燥，且通过气体喷头还可防止清洗液的飞溅，从而提高传送手臂的清洗效果、提高晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。
如图1，提供一种清洗装置，所述清洗装置包括清洗槽、清洗液喷头103及气体喷头104。其中，所述清洗槽包括内槽101及位于所述内槽101外侧的外槽102，所述外槽102包围所述内槽101，且所述外槽102的底面低于所述内槽101的底面；所述清洗液喷头103形成清洗液面，且所述清洗液面的投影覆盖位于所述内槽101中的传送手臂105，从而通过所述清洗液喷头103喷出的清洗液清洗所述传送手臂105；所述气体喷头104位于所述清洗液喷头103的上方，所述气体喷头104形成气体面，所述气体面位于所述清洗液面的上方，且所述气体面的投影覆盖所述清洗液面，从而通过所述气体喷头104喷出的气体清洁及干燥所述传送手臂105，且通过喷出的气体所形成的所述气体面防止所述清洗液的飞溅。
具体的，所述清洗槽包括溢液型清洗槽，清洗晶圆时，用以清洗晶圆的液体首先注满所述内槽101，多余的液体会溢到所述外槽102中，而后通过位于所述外槽102上的排液单元106排除，在此清洁晶圆的过程中，所述传送手臂105在传输晶圆的同时也接触到位于所述内槽101内的液体，该部分液体会随所述传送手臂105转移至酸槽或晶圆上，从而降低晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。因此在所述传送手臂105完成晶圆清洁及晶圆转移后，可将所述内槽101中的液体排出，而后将所述传送手臂105返回所述内槽101内，并通过所述清洗液喷头103喷出的所述清洗液清洗所述传送手臂105；通过所述气体喷头104喷出的所述气体面进行进一步的清洁及干燥所述传送手臂105，在所述气体作用于所述传送手臂105的过程中，所述传送手臂105可进行上下移动，以得到充分的清洁及干燥。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液喷头103位于所述内槽101的顶面上方。
具体的，当所述清洗液喷头103位于所述内槽101的顶面上方时，所述清洗液喷头103可直接水平的或向下喷出的所述清洗液，以形成投影可覆盖所述传送手臂105的所述清洗液面，较之所述清洗液喷头103位于所述内槽101的顶面下方或水平的方案，在形成所述清洗液面时，该方案可降低工艺控制的难度，提高操作的便捷性。本实施例中，优选为所述清洗液喷头103位于所述内槽101的顶面上方，在另一实施例中，所述清洗液喷头103也可位于所述内槽101的顶面下方或与所述内槽101的顶面齐平的位置，后续可通过调节，确保所述清洗液面的投影可覆盖位于所述内槽101中的所述传送手臂105，实现对所述传送手臂105的充分清洗即可。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液喷头103及所述气体喷头104位于所述外槽102的内壁上。
具体的，当所述清洗液喷头103及所述气体喷头104位于所述外槽102的内壁上时，所述外槽102的壁面即可作为所述清洗液的阻挡面，从而进一步降低所述清洗液飞溅的概率，且直接将所述外槽102的内壁作为所述清洗液喷头103及所述气体喷头104的支撑件还可降低成本。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液喷头103的横截面呈中心对称图形；所述气体喷头104的横截面呈中心对称图形。
具体的，所述清洗液喷头103的横截面形貌可包括由直线或曲线所围成的图形中的一种，如可包括圆形、长方形、正方形、三角形、椭圆形等；所述气体喷头104的横截面形貌可包括由直线或曲线所围成的图形中的一种，如可包括圆形、长方形、正方形、三角形、椭圆形等。所述清洗液喷头103的横截面优选为呈中心对称图形，且所述气体喷头104的横截面优选为呈中心对称图形，以便于提供稳定的、易操控的所述清洗液面及所述气体面。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液喷头103包括1个～20个喷嘴；所述气体喷头104包括1个～20个喷嘴。
具体的，所述清洗液喷头103可仅包括1个喷嘴，如为环状的喷嘴，所述清洗液喷头103也可包括多个喷嘴，如4个、5个、10个、15个等，且优选所述清洗液喷头103上的喷嘴呈中心对称分布，以便于提供稳定的、易操控的所述清洗液面。所述气体喷头104也可仅包括1个喷嘴，如为环状的喷嘴，所述气体喷头104也可包括多个喷嘴，如4个、5个、10个、15个等，同理，优选所述气体喷头104上的喷嘴呈中心对称分布，以便于提供稳定的、易操控的所述气体面。如图2及图3，本实施例中，所述清洗液喷头103包括4个喷嘴，所述气体喷头104包括4个喷嘴，并分别围绕所述传送手臂105呈中心对称分布，以使得所述清洗液面及所述气体面可完全清洁所述传送手臂105。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液喷头103包括去离子水喷头；所述气体喷头104包括氮气喷头及惰性气体喷头中的一种或组合。
具体的，所述清洗液包括去离子水，所述气体包括氮气及惰性气体中的一种或组合，通过所述去离子水，用以清洗所述传送手臂105上残留的溶液，通过所述氮气或所述惰性气体清洁及干燥所述传送手臂105，且通过所述气体面还可避免所述去离子水的飞溅。所述清洗液喷头103及所述气体喷头104的具体种类及形貌，可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
作为该实施例的进一步实施例，所述内槽101还包括所述排液单元106。
具体的，当所述内槽101具有所述排液单元106时，可加速所述内槽101内的液体的排出，以提高效率，所述排液单元106可包括排液泵等，具体种类此处不作限制。
作为该实施例的进一步实施例，所述清洗装置还包括液体调节器112。
具体的，所述液体调节器112与所述清洗液喷头103相连接，通过所述液体调节器112可控制所述清洗液的流量及流速，所述清洗装置还可包括气体调节器(未图示)，以提供可控的所述气体，此处不作限制。
本实施例中，所述清洗装置还包括输气管107、输液管108、储气罐109、储液罐110、阀门111及液体过滤器113，其中，所述输气管107及所述输液管108位于所述外槽102上，所述输气管107与所述储气罐109相连接，用以为所述气体喷头104提供所述气体；所述储液罐110、阀门111、液体调节器112、液体过滤器113及输液管108依次连接，用以为所述清洗液喷头103提供清洁、可控的所述清洗液。
实施例二
如图4，本实用新型还提供一种清洗装置，所述清洗装置与实施例一的不同之处在于清洗液喷头、气体喷头的位置及清洗槽结构的差异，但并不局限于此。
具体的，本实施例中，所述清洗装置包括：清洗槽、支撑架200、清洗液喷头203、气体喷头204、传送手臂205、排液单元206、输气管207、输液管208、储气罐209、储液罐210、阀门211、液体调节器212及液体过滤器213。
本实施例，通过所述清洗液喷头203对所述传送手臂205进行清洗，通过所述气体喷头204对所述传送手臂205进行清洁及干燥，且通过所述气体喷头204还可防止清洗液的飞溅，从而提高所述传送手臂205的清洗效果、提高晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。通过所述支撑架200提供灵活、可变动的所述清洗液喷头203及所述气体喷头204的安装位置，提高操作便捷性。
如图4，所述清洗槽包括内槽201及位于所述内槽201外侧的外槽202，所述外槽202包围所述内槽201，且所述外槽202的底面低于所述内槽201的顶面并高于所述内槽201的底面；所述支撑架200位于所述内槽201的上方，所述清洗液喷头203及所述气体喷头204位于所述支撑架200上，且所述支撑架200可允许所述清洗液自所述清洗液喷头203下方溢出，以实现溢液型的所述清洗槽。所述支撑架200的具体形貌可根据需要进行选择，且所述支撑架200的具体安装位置也可根据需要进行变动，并不局限于此。所述清洗液喷头203形成清洗液面，且所述清洗液面的投影覆盖位于所述内槽201中的所述传送手臂205，从而通过所述清洗液喷头203喷出的清洗液清洗所述传送手臂205；所述气体喷头204位于所述清洗液喷头203的上方，所述气体喷头204形成气体面，所述气体面位于所述清洗液面的上方，且所述气体面的投影覆盖所述清洗液面，从而通过所述气体喷头204喷出的气体清洁及干燥所述传送手臂205，且通过所述气体面防止所述清洗液的飞溅。所述输气管207及所述输液管208位于所述内槽201上，但并不局限于此，所述输气管207与所述储气罐209相连接，用以为所述气体喷头204提供所述气体；所述储液罐210、阀门211、液体调节器212、液体过滤器213及输液管208依次连接，用以为所述清洗液喷头203提供清洁、可控的所述清洗液。所述清洗液喷头203及气体喷头204的具体形貌、分布及种类，可参阅实施例一，此处不再赘述。
综上所述，本实用新型的清洗装置，通过清洗液喷头对传送手臂进行清洗，通过气体喷头对传送手臂进行清洁及干燥，且通过气体喷头还可防止清洗液的飞溅，从而提高传送手臂的清洗效果、提高晶圆的蚀刻率及晶圆的质量。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括：
清洗槽，所述清洗槽包括内槽及位于所述内槽外侧的外槽，所述外槽包围所述内槽，且所述外槽的底面低于所述内槽的顶面；
清洗液喷头，所述清洗液喷头形成清洗液面，且所述清洗液面的投影覆盖位于所述内槽中的传送手臂；
气体喷头，所述气体喷头位于所述清洗液喷头的上方，所述气体喷头形成气体面，所述气体面位于所述清洗液面的上方，且所述气体面的投影覆盖所述清洗液面。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷头位于所述内槽的顶面上方。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷头及所述气体喷头位于所述外槽的内壁上。
4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：还包括支撑架，所述清洗液喷头及所述气体喷头位于所述支撑架上。
5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷头的横截面呈中心对称图形；所述气体喷头的横截面呈中心对称图形。
6.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷头包括1个～20个喷嘴；所述气体喷头包括1个～20个喷嘴。
7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述外槽的底面低于所述内槽的底面。
8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷头包括去离子水喷头；所述气体喷头包括氮气喷头及惰性气体喷头中的一种或组合。
9.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述内槽还包括排液单元。
10.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于：所述清洗装置还包括液体调节器。
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| CN112146359A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 干燥装置、干燥方法、清洗干燥系统及清洗干燥方法 |
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200114 |
|
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