CN209902597U - 一种压接型igbt压装工装 - Google Patents
一种压接型igbt压装工装 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209902597U CN209902597U CN201920540568.0U CN201920540568U CN209902597U CN 209902597 U CN209902597 U CN 209902597U CN 201920540568 U CN201920540568 U CN 201920540568U CN 209902597 U CN209902597 U CN 209902597U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- press
- igbt
- valve
- flat plate
- fitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
一种压接型IGBT压装工装,包括IGBT阀件组件(107)和压装工装,所述压装工装包括压装机机头(101)、阀串定位板(102)、阀串拉杆(103)、压装机调整尾座(104)、调整定位板(105)、原件组装平板(106)、压装机导轨(108);所述IGBT阀件组件(107)压装时位于两块所述阀串定位板(102)之间,所述阀串定位板(102)、所述调整定位板(105)、所述原件组装平板(106)共同限定了所述IGBT阀件组件(107)的位置,确保所述IGBT阀件组件(107)与压装机压装中心线的距离,保证所述IGBT阀件组件(107)高度位置和左右定位。该压接型IGBT组装工装,能够保障元器件压装质量,有效减少施工作业时间,提高工作效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及电力、电子器件组装领域,特别涉及用于柔性高压直流断路器领域的电力、电子器件的组装。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N- 层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
IGBT组装后用于电力、电子系统,安装在电力、电子控制电路和执行电路中。本实施新型提供一种压接型IGBT组装工装用于压装IGBT组件,能够安全、方便、快捷且节省人工成本,提高工作效益,则这项工装有很大的推广价值。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种压接型IGBT组装工装,能够保障元器件压装质量,有效减少施工作业时间,提高工作效率。
一种压接型IGBT压装工装,包括IGBT阀件组件107和压装工装,其特征在于,所述压装工装包括压装机机头101、阀串定位板102、阀串拉杆103、压装机调整尾座104、调整定位板105、原件组装平板106;所述阀串定位板(102)安装到所述压装机导轨(108) 上,所述调整定位板(105)安装到所述压装机导轨(108)的定位块上,所述原件组装平板(106)组装于所述压装机导轨(108)上;所述IGBT阀件组件107压装时位于两块所述阀串定位板102之间,所述阀串定位板102、所述调整定位板105、所述原件组装平板106共同限定了所述IGBT阀件组件107的位置,确保所述IGBT阀件组件107与压装机压装中心线的距离,保证所述IGBT阀件组件107高度位置和左右定位。
进一步地,所述IGBT阀件组件107包括蝶形弹簧、调整顶杆、二极管,散热器、绝缘板。进一步地,所述阀串定位板102的数量是两块,由4根拉杆螺栓、垫片和锁紧螺母紧固。进一步地,所述原件组装平板106端部连接件是马鞍形平板,所述马鞍形平板用紧固螺栓固定在所述原件组装平板106上,便于工装的调整和操作。
本实用新型提供的一种IGBT组装工装,使用方便高效,定位准确,具有很高的推广价值。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述,其中:
图1为本实用新型压接型IGBT压装工装整体结构示意图;
图2A为本实用新型的导轨定位块和工件定位调整装置的剖面示意图,图2B为本实用新型的导轨定位块和工件定位调整装置的平面图;
图3A为压装机工装调整定位板的正视图,图3B为压装机工装调整定位板的侧视图;
图4A为压装机工装原件组装板的正视图,图4B为压装机工装原件组装板的侧视图;
图5为压接型IGBT阀件组件示意图;
图6A为压装机导轨图的局部示意图,图6B为压装机导轨图的剖面图;
图中附图标记含义如下:
101为IGBT压装机液压装置机头;102为阀串定位板;103为阀串拉杆;104为压装机调整尾座;105为调整定位板;106为原件组装平板;107为IGBT阀组件;108为压装机导轨。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参见附图1,压接型IGBT压装工装包括IGBT阀件组件107和压装工装;所述压装工装包括压装机机头101、阀串定位板102、阀串拉杆103、压装机调整尾座104、调整定位板105、原件组装平板106,IGBT阀件组件107压装时位于两块阀串定位板102之间,阀串定位板102、调整定位板105、原件组装平板106共同限定了IGBT阀件107的位置,确保IGBT阀件组件107与压装机压装中心线的距离,保证阀件组件左右定位。
IGBT阀件组件107包括蝶形弹簧、调整顶杆、二极管,散热器、绝缘板。阀串定位板102的数量是两块,由4根拉杆螺栓、垫片和锁紧螺母紧固。
原件组装平板106端部连接件是马鞍形平板,马鞍形平板用紧固螺栓固定在原件组装平板106上,这样便于工装的调整和操作。
执行压装操作时,首先将将阀串定位板102安装到压装机导轨108上端,调整工装定位螺栓,调整后再用螺栓紧固;然后将调整定位板105安装到导轨定位块上;再组装原件组装平板106,组装后将平板安装在压装机导轨108上。
以上所述仅为本实用新型的具体实施方式,并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换以及改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并不用于限制本发明,显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (4)
1.一种压接型IGBT压装工装,包括IGBT阀件组件(107)和压装工装,其特征在于,所述压装工装包括压装机机头(101)、阀串定位板(102)、阀串拉杆(103)、压装机调整尾座(104)、调整定位板(105)、原件组装平板(106)、压装机导轨(108);
所述阀串定位板(102)安装到所述压装机导轨(108)上,所述调整定位板(105)安装到所述压装机导轨(108)的定位块上,所述原件组装平板(106)组装于所述压装机导轨(108)上;
所述IGBT阀件组件(107)压装时位于两块所述阀串定位板(102)之间,所述阀串定位板(102)、所述调整定位板(105)、所述原件组装平板(106)共同限定了所述IGBT阀件组件(107)的位置,确保所述IGBT阀件组件(107)与压装机压装中心线的距离,保证所述IGBT阀件组件(107)高度位置和左右定位。
2.根据权利要求1所述的压接型IGBT压装工装,其特征在于,所述IGBT阀件组件(107)包括蝶形弹簧、调整顶杆、二极管,散热器、绝缘板。
3.根据权利要求1或2所述的压接型IGBT压装工装,其特征在于,所述阀串定位板(102)的数量是两块,由4根拉杆螺栓、垫片和锁紧螺母紧固。
4.根据权利要求1或2所述的压接型IGBT压装工装,其特征在于,所述原件组装平板(106)端部连接件是马鞍形平板,所述马鞍形平板用紧固螺栓固定在所述原件组装平板(106)上,便于工装的调整和操作。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920540568.0U CN209902597U (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种压接型igbt压装工装 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920540568.0U CN209902597U (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种压接型igbt压装工装 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209902597U true CN209902597U (zh) | 2020-01-07 |
Family
ID=69044795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201920540568.0U Active CN209902597U (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种压接型igbt压装工装 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209902597U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111633416A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-09-08 | 广东洲明节能科技有限公司 | 一种装配治具及led模组装配方法 |
-
2019
- 2019-04-19 CN CN201920540568.0U patent/CN209902597U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111633416A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-09-08 | 广东洲明节能科技有限公司 | 一种装配治具及led模组装配方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7473965B2 (en) | Structure of a high breakdown voltage element for use in high power applications | |
DE102014106787A1 (de) | Schaltung mit einer vielzahl an bipolartransistoren und verfahren zum ansteuern einer solchen schaltung | |
CN209902597U (zh) | 一种压接型igbt压装工装 | |
US20130301170A1 (en) | Systems, methods, and apparatus for voltage clamp circuits | |
JP4788028B2 (ja) | 逆阻止型igbtを逆並列に接続した双方向igbt | |
US9824976B1 (en) | Single-sided power device package | |
CN101819970B (zh) | 一种基于焊接型igbt与压接型二极管的串联结构模块 | |
CN104518648A (zh) | 用于操作氮化镓电子器件的方法和系统 | |
Zhu et al. | Transient analysis when applying GaN+ Si hybrid switching modules to a zero-voltage-switching EV onboard charger | |
CN109425811B (zh) | 一种igbt检测电路及检测方法 | |
Skarolek et al. | Influence of deadtime on Si, SiC and GaN converters | |
Nakagawa et al. | Silicon limit electrical characteristics of power devices and Ics | |
CN111381144A (zh) | 功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法 | |
Musumeci et al. | Low-voltage GaN based inverter for power steering application | |
DE102006038541A1 (de) | Halbleiterbauelementanordnung mit komplementären Leistungsbauelementen | |
Passmore et al. | Wide bandgap packaging for next generation power conversion systems | |
DE112015004772T5 (de) | Leistungsmodul, elektrische Leistungsumsetzungsvorrichtung und Antriebsgerät für ein Fahrzeug | |
Wang et al. | Thermal stress reduction of power MOSFET in electric drive application with dynamic gate driving strategy | |
CN211209613U (zh) | 一种无刷电机控制器系统 | |
Chen et al. | Impact of Parasitic Elements on Power Loss in GaN-based Low-voltage and High-current DC-DC Buck Converter | |
CN207339635U (zh) | 驱动保护电路以及航空地面电源装置 | |
Shen | Automotive power semiconductor devices | |
CN102832245B (zh) | 一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结mosfet器件 | |
CN219329252U (zh) | 一种igbt用高效散热的安装座 | |
CN214542201U (zh) | 一种具有散热装置的igbt模块结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |