CN209841267U - 一种由电容式绝压mems实现的小型化差压传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于MEMS封装技术领域，尤其一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，以两组电容式绝压MEMS分别测量两个待测压力，并以其差作为差压检测结果，该小型化差压传感器包括芯片承载基板、金属容器、与芯片承载基板连接的信号处理电路以及与信号处理电路电连接的绝压MEMS传感器，所述信号处理电路、绝压MEMS传感器设置在金属容器内，所述金属容器安装在芯片承载基板上，所述绝压MEMS传感器与芯片承载基板电气连接，本实用新型可以用电容式绝压MEMS传感器来实现差压检测，实现更高的精度、更好的温度特性及稳定性。

Description

一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器

技术领域

本实用新型属于MEMS封装技术领域，具体为一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器。

背景技术

MEMS差压传感器在工业、消费、医疗等领域应用广泛。目前市场上主流的差压传感器均采用压阻式技术，该技术具有技术成熟、工艺简单等优势，但是该技术本身也存在一些缺点，如：输出受温度影响较大、灵敏度较低。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，以两组电容式绝压MEMS分别测量两个待测压力，并以其差作为差压检测结果，该小型化差压传感器包括芯片承载基板、金属容器、与芯片承载基板连接的信号处理电路以及与信号处理电路电连接的绝压MEMS传感器，所述信号处理电路、绝压MEMS传感器设置在金属容器内，所述金属容器安装在芯片承载基板上，所述绝压MEMS传感器与芯片承载基板电气连接。

作为本实用新型的一个方案，所述绝压MEMS传感器设有两个，分别设置在芯片承载基板的两侧，且至少有一个绝压MEMS传感器与芯片承载基板之间设有信号处理电路，所述芯片承载基板两侧的所述金属容器分别设有P1进气孔和P2进气孔。

作为本实用新型的一个方案，所述绝压MEMS传感器设有两个，设置在芯片承载基板的同侧，且两个绝压MEMS传感器之间通过隔离墙隔开，至少一个绝压MEMS传感器与芯片承载基板之间设有信号处理电路，所述芯片承载基板的两侧分别开设有P1进气孔、P2进气孔。

作为本实用新型的一个方案，所述金属容器内、且至少位于芯片承载基板一侧填充有硅凝胶。

作为本实用新型的一个方案，所述隔离墙位于金属容器内，且安装在芯片承载基板上，且所述金属容器开口部设有盖板，所述P2进气孔开设在盖板上。

本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：

可以用电容式绝压MEMS传感器来实现差压检测，实现更高的精度、更好的温度特性及稳定性。

附图说明

图1为本实用新型中第一实施例的示意图；

图2为本实用新型中第二实施例的示意图；

图3为本实用新型中一个实施例的顶视图；

图4为本实用新型中第三实施例的示意图；

图5为本实用新型中第四实施例的示意图；

图6为本实用新型中又一个实施例的顶视图；

附图标记：

1、芯片承载基板；2、信号处理电路；3、金属容器；4、绝压MEMS传感器；5、P1进气口；6、电气导线；7、盖板；8、隔离板；9、P2进气口；10、硅凝胶。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。

如图1-6所示，本实用新型提出的一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，包括芯片承载基板1、金属容器3、与芯片承载基板1连接的信号处理电路2以及与信号处理电路2电连接的绝压MEMS传感器4，所述信号处理电路2、绝压MEMS传感器4设置在金属容器3内，所述金属容器3安装在芯片承载基板1上，所述绝压MEMS传感器4与芯片承载基板1电气连接。

在一个实施例中，所述绝压MEMS传感器4设有两个，分别设置在芯片承载基板1的两侧，分别联通待测环境压力。

如图1所示，两个绝压MEMS传感器4与芯片承载基板1之间设有信号处理电路2，信号处理电路2的端口连接绝压MEMS传感器4，绝压传感器4与芯片承载基板1通过电气导线6连接，所述芯片承载基板1两侧的所述金属容器3分别设有P1进气孔5和P2进气孔9，需要说明的是，P1进气孔可以是开设有在金属容器3上，P2进气孔可以是金属容器3的开口处。

在一个实施例中，如图2所示，位于芯片承载基板1一侧的绝压MEMS传感器4直接与芯片承载基板1连接。

在另一个实施例中，所述绝压MEMS传感器4设有两个，设置在芯片承载基板1的同侧，且两个绝压MEMS传感器4之间通过隔离墙8隔开。

如图4所示，两个绝压MEMS传感器4与芯片承载基板1之间设有信号处理电路2，所述芯片承载基板1的两侧分别开设有P1进气孔5、P2进气孔9。

需要说明的是，所述隔离墙位于金属容器3内，且安装在芯片承载基板1上，且所述金属容器3开口部设有盖板7，所述P2进气孔9开设在盖板7上，P1进气口5开设有芯片承载基板上。

在另一个实施例中，如图5所示，其中一个绝压MEMS传感器4与芯片承载基板1直接连接。

进一步需要说明的是，P1进气孔、P2进气孔分别对应两个绝压MEMS传感器设置。

所述金属容器3内、且至少位于芯片承载基板1一侧填充有硅凝胶10，可进行防水保护。

进一步需要说明的是，两个绝压MEMS传感器的信号可由各自的信号处理电路或者同一个信号处理电路进行信号处理，当然，信号处理电路可为多通道，即一个多通道信号处理电路(ASIC)搭配两个绝压MEMS。

应当理解的是，本实用新型的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (5)

1.一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，其特征在于：包括芯片承载基板(1)、金属容器(3)、与芯片承载基板(1)连接的信号处理电路(2)以及与信号处理电路(2)电连接的绝压MEMS传感器(4)，所述信号处理电路(2)、绝压MEMS传感器(4)设置在金属容器(3)内，所述金属容器(3)安装在芯片承载基板(1)上，所述绝压MEMS传感器(4)与芯片承载基板(1)电气连接。

2.根据权利要求1所述的一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，其特征在于：所述绝压MEMS传感器(4)设有两个，分别设置在芯片承载基板(1)的两侧，且至少有一个绝压MEMS传感器(4)与芯片承载基板(1)之间设有信号处理电路(2)，所述芯片承载基板(1)两侧的所述金属容器(3)分别设有P1进气孔(5)和P2进气孔(9)。

3.根据权利要求1所述的一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，其特征在于：所述绝压MEMS传感器(4)设有两个，设置在芯片承载基板(1)的同侧，且两个绝压MEMS传感器(4)之间通过隔离墙(8)隔开，至少一个绝压MEMS传感器(4)与芯片承载基板(1)之间设有信号处理电路(2)，所述芯片承载基板(1)的两侧分别开设有P1进气孔(5)、P2进气孔(9)。

4.根据权利要求1所述的一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，其特征在于：所述金属容器(3)内、且至少位于芯片承载基板(1)一侧填充有硅凝胶(10)。

5.根据权利要求3所述的一种由电容式绝压MEMS实现的小型化差压传感器，其特征在于：所述隔离墙位于金属容器(3)内，且安装在芯片承载基板(1)上，且所述金属容器(3)开口部设有盖板(7)，所述P2进气孔(9)开设在盖板(7)上。