CN210243056U - 一种气压传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于气压传感器技术领域，尤其为一种气压传感器，包括硅衬底、二氧化硅层、硅薄膜、金属层和背极板，所述背极板位于所述硅衬底的上表面，且与所述硅衬底固定连接，所述二氧化硅层的数量为两个，两个所述二氧化硅层均对称分布在所述硅衬底上表面的两端，且所述二氧化硅层和所述硅衬底连接时形成空腔，该空腔内设有金属层，所述硅薄膜安装在两个所述二氧化硅层中间靠近所述背极板的上方，所述硅薄膜和所述二氧化硅层固定连接，且所述硅薄膜安装时，所述硅薄膜和所述背极板之间形成空腔；气压使硅薄膜形变，从而改变由硅薄膜跟背极板形成的电容的电容值，电容式气压传感器的优点，对温度变化不敏感，更高的灵敏度，低功耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及气压传感器技术领域，尤其涉及一种气压传感器。
背景技术
气压传感器是用于测量气体的绝对压强的仪器，主要适用于与气体压强相关的物理实验，如气体定律等，也可以在生物和化学实验中测量干燥、无腐蚀性的气体压强。
现有的压阻式气压传感器，对温度变化非常敏感、膜片面积大，厚度大，导致灵敏度低、复杂的校准程序以及更高的生产成本、很难不标准的CMOS工艺集成。
为解决上述问题，本申请中提出一种气压传感器。
实用新型内容
(一)实用新型目的
为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种气压传感器，气压使硅薄膜形变，从而改变由硅薄膜跟背极板形成的电容的电容值，电容式气压传感器的优点，对温度变化不敏感，更高的灵敏度，低功耗。
(二)技术方案
为解决上述问题，本实用新型提供了一种气压传感器，包括硅衬底、二氧化硅层、硅薄膜、金属层和背极板，所述背极板位于所述硅衬底的上表面，且与所述硅衬底固定连接，所述二氧化硅层的数量为两个，两个所述二氧化硅层均对称分布在所述硅衬底上表面的两端，且所述二氧化硅层和所述硅衬底连接时形成空腔，该空腔内设有金属层，所述硅薄膜安装在两个所述二氧化硅层中间靠近所述背极板的上方，所述硅薄膜和所述二氧化硅层固定连接，且所述硅薄膜安装时，所述硅薄膜和所述背极板之间形成空腔。
作为本实用新型一种气压传感器优选的技术方案，还包括硅基底、绝缘层、腔体、隔膜和压阻层，所述隔膜安装在所述硅基底的上表面，且所述隔膜和所述硅基底安装时，形成梯形结构的腔体，所述隔膜的上表面安装有绝缘层，所述隔膜的底面靠近所述硅基底的上方固定设有两个所述压阻层。
作为本实用新型一种气压传感器优选的技术方案，气压使所述硅薄膜形变，从而改变由所述硅薄膜跟所述背极板形成的电容的电容值。
作为本实用新型一种气压传感器优选的技术方案，气压使所述腔体形成，从而改变其上面压阻的电阻。
本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：气压使硅薄膜形变，从而改变由硅薄膜跟背极板形成的电容的电容值，电容式气压传感器的优点，对温度变化不敏感，更高的灵敏度，低功耗。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为现有技术结构示意图。
附图标记：
100、硅衬底；200、二氧化硅层；300、硅薄膜；400、空腔；500、金属层；600、背极板；10、硅基底；20、绝缘层；30、腔体；40、隔膜；50、压阻层。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
如图2所示；
图2为现有技术结构示意图。
一种气压传感器，包括硅基底10、绝缘层20、腔体30、隔膜40和压阻层50，所述隔膜40安装在所述硅基底10的上表面，且所述隔膜40和所述硅基底10安装时，形成梯形结构的腔体30，所述隔膜40的上表面安装有绝缘层20，所述隔膜40的底面靠近所述硅基底10的上方固定设有两个所述压阻层50。
本实施方案中：此上述结构为气压传感器的主体结构，该气压传感器为压阻式，该气压传感器主要由硅基底10、绝缘层20、腔体30、隔膜40和压阻层50组成，但是该气压传感器对温度变化非常敏感、膜片面积大，厚度大，导致灵敏度低、复杂的校准程序以及更高的生产成本、很难不标准的CMOS工艺集成。
需要说明的是：气压使所述腔体30形成，从而改变其上面压阻的电阻。
如图1所示；
图1为本实用新型的结构示意图。
一种气压传感器，包括硅衬底100、二氧化硅层200、硅薄膜300、金属层500和背极板600，所述背极板600位于所述硅衬底100的上表面，且与所述硅衬底100固定连接，所述二氧化硅层200的数量为两个，两个所述二氧化硅层200均对称分布在所述硅衬底100上表面的两端，且所述二氧化硅层200和所述硅衬底100连接时形成空腔400，该空腔400内设有金属层500，所述硅薄膜300安装在两个所述二氧化硅层200中间靠近所述背极板600的上方，所述硅薄膜300和所述二氧化硅层200固定连接，且所述硅薄膜300安装时，所述硅薄膜300和所述背极板600之间形成空腔400。
本实施方案中：此上述结构为气压传感器的主体结构，该气压传感器为电容式，该气压传感器主要由硅衬底100、二氧化硅层200、硅薄膜300、金属层500和背极板600组成，该气压传感器采用上述结构，相对比上述内容“该气压传感器对温度变化非常敏感、膜片面积大，厚度大，导致灵敏度低、复杂的校准程序以及更高的生产成本、很难不标准的CMOS工艺集成。”，气压使硅薄膜300形变，从而改变由硅薄膜300跟背极板600形成的电容的电容值，电容式气压传感器的优点，对温度变化不敏感，更高的灵敏度，低功耗。
需要说明的是：气压使所述硅薄膜300形变，从而改变由所述硅薄膜300跟所述背极板600形成的电容的电容值。
应当理解的是，本实用新型的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (4)
1.一种气压传感器，其特征在于，包括硅衬底(100)、二氧化硅层(200)、硅薄膜(300)、金属层(500)和背极板(600)，所述背极板(600)位于所述硅衬底(100)的上表面，且与所述硅衬底(100)固定连接，所述二氧化硅层(200)的数量为两个，两个所述二氧化硅层(200)均对称分布在所述硅衬底(100)上表面的两端，且所述二氧化硅层(200)和所述硅衬底(100)连接时形成空腔，该空腔内设有金属层(500)，所述硅薄膜(300)安装在两个所述二氧化硅层(200)中间靠近所述背极板(600)的上方，所述硅薄膜(300)和所述二氧化硅层(200)固定连接，且所述硅薄膜(300)安装时，所述硅薄膜(300)和所述背极板(600)之间形成空腔(400)。
2.根据权利要求1所述的气压传感器，其特征在于，还包括硅基底(10)、绝缘层(20)、腔体(30)、隔膜(40)和压阻层(50)，所述隔膜(40)安装在所述硅基底(10)的上表面，且所述隔膜(40)和所述硅基底(10)安装时，形成梯形结构的腔体(30)，所述隔膜(40)的上表面安装有绝缘层(20)，所述隔膜(40)的底面靠近所述硅基底(10)的上方固定设有两个所述压阻层(50)。
3.根据权利要求1所述的气压传感器，其特征在于，气压使所述硅薄膜(300)形变，从而改变由所述硅薄膜(300)跟所述背极板(600)形成的电容的电容值。
4.根据权利要求2所述的气压传感器，其特征在于，气压使所述腔体(30)形成，从而改变其上面压阻的电阻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921147448.0U CN210243056U (zh) | 2019-07-22 | 2019-07-22 | 一种气压传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921147448.0U CN210243056U (zh) | 2019-07-22 | 2019-07-22 | 一种气压传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210243056U true CN210243056U (zh) | 2020-04-03 |
Family
ID=69992090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921147448.0U Active CN210243056U (zh) | 2019-07-22 | 2019-07-22 | 一种气压传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210243056U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114323408A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-04-12 | 歌尔微电子股份有限公司 | 多量程多灵敏度压力mems芯片 |
-
2019
- 2019-07-22 CN CN201921147448.0U patent/CN210243056U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114323408A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-04-12 | 歌尔微电子股份有限公司 | 多量程多灵敏度压力mems芯片 |
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