CN209823998U - 一种发声装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种发声装置，磁路系统包括导磁轭和设于所述导磁轭的底壁上的中心磁路部分和边磁路部分，所述中心磁路部分和所述边磁路部分之间形成磁间隙，其中，所述中心磁路部分包括由下往上并列设置的中心磁铁和中心磁部件；所述边磁路部分包括由下往上并列设置的边磁铁和边磁部件；所述中心磁铁和所述边磁铁的靠近所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性不同，远离所述导磁轭的一端的磁极的极性也不同；所述中心磁部件和所述边磁部件中的至少一个为永磁体，所述永磁体靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁或所述边磁铁的远离所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性相同。本实用新型中的发声装置声学性能更好。

Description

一种发声装置

技术领域

本实用新型涉及声能转换技术领域，特别涉及一种发声装置。

背景技术

微型发声装置是移动通讯设备中重要的电声转换部件，用于将电信号转换成声音，其用于构成移动通讯设备的扬声器、听筒、耳机等零部件。随着移动通讯设备行业的发展，微型发声装置行业得以迅速发展，而且对于微型发声装置性能的要求越来越高。

其中，动圈式发声装置是移动通讯设备中广泛应用的一种具体发声装置结构，现有动圈式发声装置如图1所示，通常包括外壳和收容固定于外壳上的振动系统和磁路系统，其中，振动系统包括振膜和音圈04，磁路系统形成磁间隙以收容音圈，音圈中通入电流后，音圈在磁路系统的磁场的作用下受力振动，进而带动振膜振动发声。

现有发声装置的结构中，磁路系统通常包括导磁轭01和设于导磁轭01上的中心磁路部分和边磁路部分，中心磁路部分包括中心磁铁021和中心导磁板022，边磁路部分包括边磁铁031和边导磁板032，中心磁铁021和边磁铁031在垂直方向上充磁，且两者的充磁方向相反，导磁轭01和导磁板用于对两磁铁产生的磁感线进行聚集并引导其走向，增强位于磁间隙中的磁场强度。结合图2所示的的磁感线分布图示，现有技术中的磁路结构，发声装置磁路比较扁平，边磁铁的外侧容易出现磁短路现象，驱动力因子BL值(一定圈数的导线长度L乘以单位面积磁通密度B)不高，磁场不能充分利用，发声装置的灵敏度不高，影响了发声装置的声学性能。并且现有技术中，调节BL(x)曲线对称性时，需要通过对磁铁及导磁板重新开模设计高度等方式，增大设计成本。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：克服现有技术中的问题，提供一种声学性能更好的发声装置。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种发声装置，包括振动系统和磁路系统，所述振动系统包括振膜和与所述振膜结合的音圈，所述磁路系统包括导磁轭和设于所述导磁轭的底壁上的中心磁路部分和边磁路部分，所述中心磁路部分和所述边磁路部分之间形成磁间隙，所述音圈伸入所述磁间隙中，其中，

所述中心磁路部分包括由下往上并列设置的中心磁铁和中心磁部件；

所述边磁路部分包括由下往上并列设置的边磁铁和边磁部件；

所述中心磁铁和所述边磁铁的靠近所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性不同，远离所述导磁轭的一端的磁极的极性也不同；

所述中心磁部件和所述边磁部件中的至少一个为永磁体，所述永磁体靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁或所述边磁铁的远离所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性相同。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁铁为矩形，所述中心磁铁包括相对的两个第一边和相对的两个第二边；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个边磁部件；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个边磁部件。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向平行于所述振膜的振动方向，所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为导磁体；

所述中心磁部件包括至少与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔设置；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二导磁体，所述两个第二导磁体为相互独立的结构，或者所述两个第二导磁体通过连接部连接为一体结构；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二导磁体，所述四个第二导磁体为相互独立的结构，或者所述四个第二导磁体通过连接部连接为一体结构。

作为一种优选的技术方案，所述每个第一磁铁包括靠近所述磁间隙设置的长方形部分以及远离所述磁间隙设置的梯形部分，所述梯形部分包括两个斜边，相邻两个第一磁铁的梯形部分的斜边相对且间隔设置。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件为第一导磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向在相对于所述振膜的振动方向倾斜的方向上，所述中心磁铁的充磁方向与所述边磁铁的充磁方向形成第一夹角，所述第一夹角的开口方向背离所述导磁轭的底壁；

所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向在相对于所述导磁轭的底壁所在平面倾斜的方向上，所述中心磁部件的充磁方向与所述边磁部件的充磁方向形成第二夹角，所述第二夹角的开口方向朝向所述导磁轭底壁。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向相对于所述振膜的振动方向倾斜的角度为大于等于0°小于等于45°；

所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向相对于所述导磁轭的底壁所在平面倾斜的角度为大于0°小于等于45°。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

作为一种优选的技术方案，所述中心磁铁的两个第一边为长边，两个第二边为短边。

采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：

本实用新型的发声装置，通过在中心磁铁和/或边磁铁上增设永磁体，可以减轻边磁路部分的磁短路现象，增强磁间隙中的磁场强度，提高BL值，提高磁场驱动力，以提升声学灵敏度。

进一步的，所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向可以平行于所述振膜的振动方向，且所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向。或者，所述永磁体甚至所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向在上述方向的基础上进行倾斜设置，通过充磁方向的偏斜，改善BL(x)的对称性，以降低失真。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术中的发声装置结构。

图2为现有技术中的发声装置的磁路系统的磁感线分布图；

图3为本实用新型实施例一中发声装置的剖面示意图；

图4为图3中发声装置的分解结构示意图；

图5为图3中发声装置的磁路系统的磁感线分布图；

图6为本实用新型发声装置与现有技术中发声装置的BL(X)曲线对比示意图；

图7为本实用新型实施例二中发声装置的剖面示意图；

图8为图7中发声装置的分解结构示意图；

图9为图7中发声装置的俯视图；

图10为图7中发声装置的的磁路系统的磁感线分布图；

图11为本实用新型实施例三种发声装置的剖面示意图；

图12为图11中发声装置的的磁路系统的磁感线分布图；

图13为图11中发声装置的分解结构示意图；

图14为本实用新型实施例四中发声装置剖面示意图；

图15为图14中发声装置的的磁路系统的磁感线分布图。

图16为图14中发声装置的BL(X)曲线图。

附图标号说明：

1、导磁轭，21、中心磁铁，22、第一导磁体，23、第一磁铁，31、边磁铁，32、第二导磁体，33、第二磁铁，4、音圈，A、现有技术中发声装置的BL曲线，B、图3中发声装置的BL曲线，C、图7中发声装置的BL曲线，D、图11中发声装置的BL曲线，E、图14中发声装置的BL曲线。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

实施例一：

本实用新型提出一种发声装置，该发声装置能够用于耳机、手机等能够发声的电子设备中。

请结合参考图3和图4所示，发声装置具体包括振动系统和磁路系统，所述振动系统包括振膜和与所述振膜结合的音圈4，所述磁路系统包括导磁轭1和设于所述导磁轭1的底壁上的中心磁路部分和边磁路部分，所述中心磁路部分和所述边磁路部分之间形成磁间隙，所述音圈4伸入所述磁间隙中，音圈4中通入电流后，音圈4在磁路系统的磁场的作用下受力振动，进而带动振膜振动发声。

其中，所述中心磁路部分包括由下往上并列设置的中心磁铁21和中心磁部件；所述边磁路部分包括由下往上并列设置的边磁铁31和边磁部件。所述中心磁铁21和所述边磁铁31的靠近所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性不同，远离所述导磁轭1的一端的磁极的极性也不同；所述中心磁部件和所述边磁部件中的至少一个为永磁体，所述永磁体靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁21或所述边磁铁31的远离所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同。所述中心磁部件或所述边磁部件在不采用永磁体的情况下，则采用导磁体，本身不能形成磁场，只能用于聚集磁感线并约束磁感线的走向，加强穿过音圈4的磁感线密度。

本实施例中的发声装置，通过在中心磁铁21和/或边磁铁31上增设永磁体，不仅可以减轻边磁路部分的磁短路现象，增强磁间隙中的磁场强度，提高BL值，提高磁场驱动力，以提升声学灵敏度。

其中，所述中心磁铁21为矩形，所述中心磁铁21包括相对的两个第一边和相对的两个第二边，具体的，两个第一边优选为中心磁铁21的长边，两个第二边为中心磁铁21的短边。

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21两个第一边外侧的两个边磁铁31和两个边磁部件；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个边磁部件。优选在中心磁铁21的长边侧设置边磁铁31，可以增大永磁体的体积，尽量增大磁路系统的磁场强度。具体的，本实施例中，在发声装置的预设尺寸足够大的情况下，边磁路部件包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个边磁部件，对应于中心磁铁21的每个边部均设置上下排列的一个边磁部件和一个边磁铁31。

本具体实施例中，参见图3，箭头方向为充磁方向，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向平行于所述振膜的振动方向，所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向，按照图3所示的发声装置所在的位置状态，也可以理解为，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向为竖直方向，永磁体的充磁方向为水平方向。其中，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向相反。

结合图3和图4所示，本实施例中，所述中心磁部件为设置于中心磁铁21上的一个第一导磁体22，所述边磁部件采用永磁体。具体的，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个第二磁铁33，对应于中心磁铁21的每个边部均设置上下排列的一个第二磁铁33和一个边磁铁31。采用四个第二磁铁33间隔设置，一方面充磁工艺简单，另一方面四个第二磁铁33之间形成缺口，用于形成连通发声装置内外的通道结构，有利于振膜的振动顺畅性，并且角部的缺口可以为音圈引线的弯折段提供容置空间，不需要为音圈引线单独预留横向或纵向上的空间。

在其他实施例中，发声装置的预设尺寸较小的情况下，只在中心磁铁21两个第一边外侧设置两个边磁铁31的情况下，在两个边磁铁31上对应设置两个第二磁铁33，在中心磁铁21的两个第二边外侧，导磁轭1的边部对应设有弯折侧壁，弯折侧壁与中心磁路部分之间形成磁间隙。

具体的，参见图3中磁体的磁极标注，第二磁铁33的靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述边磁铁31的远离所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同，第二磁铁33的远离所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述边磁铁31的靠近所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同。

本实施例中，通过在竖直充磁的边磁铁31的上方再增加设置与边磁铁31的充磁方向垂直的第二磁铁33，能够限制磁感线的流动方向，增大磁间隙的磁感线密度，减轻边磁路部分的磁短路现象，图5为本实施例中的磁路系统的磁感线分布图，图2为现有技术中的磁路系统的磁感线分布图，如图5和图2所示，相较于现有技术中的边导磁板，本实施例中，第二磁铁33中的磁感线流动密度增大，磁间隙的磁感线密度增大，并且本实施例中的边磁路部分的磁短路现象得到明显改善。进一步结合图6和下面的表1，仿真结果显示，本实施例中发声装置的BL值相较于现有技术有较大提高，图6中，曲线B为本实施例的发声装置的BL曲线，曲线A为现有技术发声装置的BL曲线，音圈4中未通入电流时，现有技术发声装置BL值为0.78，而本实施例发声装置的BL值提高到0.86，显然本实施例中的磁场驱动力更高，发声装置的声学灵敏度更高，声学性能更好。

表1

实施例二：

请结合参考图7、图8和图9所示，本实施例中的发声装置与实施例一的不同之处在于：本实施例中所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为导磁体。

本实施例中，参见图7，箭头方向为充磁方向，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向平行于所述振膜的振动方向，所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向，按照图7所示的发声装置所在的位置状态，也可以理解为，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向为竖直方向，永磁体的充磁方向为水平方向。其中，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向相反。

其中，所述中心磁部件包括至少与所述中心磁铁21的两个第一边对应的两个第一磁铁23，所述两个第一磁铁23相互间隔设置。作为一个具体实施例，所述中心磁部件包括与所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁23，所述四个第一磁铁23相互间隔设置，并且四个第一磁铁23的靠近磁间隙的一侧边缘与所述中心磁铁21的边缘对齐。采用两个第一磁铁23的设计，或者采用四个第一磁铁23的设计，充磁工艺简单，磁铁的可靠性高。

具体的，参见图7中磁体的磁极标注，第一磁铁23的靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁21的远离所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同，第一磁铁23的远离所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁21的靠近所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同。

进一步的，如图9所示，所述每个第一磁铁23包括靠近所述磁间隙设置的长方形部分231以及远离所述磁间隙设置的梯形部分232，所述梯形部分232包括两个斜边，相邻两个第一磁铁23的梯形部分232的斜边相对且间隔设置。这种设计，尽可能增大第一磁铁23的体积，并且方便第一磁铁23装配时的定位，便于与其他部分的组装。

具体的，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21两个第一边外侧的两个边磁铁31和两个第二导磁体32，所述两个第二导磁体32为相互独立的结构，或者所述两个第二导磁体32通过连接部连接为一体结构；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个第二导磁体32，所述四个第二导磁体32为相互独立的结构，或者所述四个第二导磁体32通过连接部连接为一体结构。两个或四个第二导磁体32连接为一体结构时，在对应音圈引线的弯折段位置预留缺口，用于容置弯折段；并且一体结构的设计，方便第二导磁体32与发声装置的外壳进行装配，例如可以通过一次定位，将四个第二导磁体32与外壳进行注塑结合。

本实施例中，通过在竖直充磁的中心磁铁21的上方再增加设置与中心磁铁21的充磁方向垂直的第一磁铁23，能够限制磁感线的流动方向，增大磁间隙的磁感线密度，图10为本实施例中的磁路系统的磁感线分布图，图2为现有技术中的磁路系统的磁感线分布图，如图10和图2所示，相较于现有技术中的中心导磁板，本实施例中，第一磁铁23中的磁感线流动密度增大，并且本实施例中的磁间隙部分的磁感线密度得到明显增大。进一步结合图6和上面的表1，仿真结果显示，本实施例中发声装置的BL值相较于现有技术有较大提高，图6中，曲线C为本实施例的发声装置的BL曲线，曲线A为现有技术发声装置的BL曲线，音圈4中未通入电流时，现有技术发声装置BL值为0.78，而本实施例发声装置的BL值提高到0.85，显然本实施例中的磁场驱动力更高，发声装置的声学灵敏度更高，声学性能更好。

实施例三：

请结合参考图11和图13所示，本实施例中的发声装置与实施例一的不同之处在于：本实施例中所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件也为永磁体。

本实施例中，参见图11，箭头方向为充磁方向，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向平行于所述振膜的振动方向，所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向，按照图11所示的发声装置所在的位置状态，也可以理解为，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向为竖直方向，永磁体的充磁方向为水平方向。其中，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向相反。

具体的，参见图11中磁体的磁极标注，第一磁铁23的靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁21的远离所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同，第一磁铁23的远离所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁21的靠近所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同。第二磁铁33的靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述边磁铁31的远离所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同，第二磁铁33的远离所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述边磁铁31的靠近所述导磁轭1的底壁的一端的磁极的极性相同。

具体的，所述中心磁部件包括与所述中心磁铁21的两个第一边对应的两个第一磁铁23，所述两个第一磁铁23相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁23，所述四个第一磁铁23相互间隔。其中，第一磁铁23的靠近磁间隙的一侧边缘与所述中心磁铁21的边缘对齐。采用两个第一磁铁23的设计，或者采用四个第一磁铁23的设计，充磁工艺简单，磁铁的可靠性高。

进一步的，如图13所示，所述每个第一磁铁23包括靠近所述磁间隙设置的长方形部分以及远离所述磁间隙设置的梯形部分，所述梯形部分包括两个斜边，相邻两个第一磁铁23的梯形部分的斜边相对且间隔设置。这种设计，尽可能增大第一磁铁23的体积，并且方便第一磁铁23装配时的定位，便于与其他部分的组装。

具体的，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21两个第一边外侧的两个边磁铁31和两个第二磁铁33；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个第二磁铁33。采用两个第二磁铁33间隔设置，或者采用四个第二磁铁33间隔设置，一方面充磁工艺简单，另一方面四个第二磁铁33之间形成缺口，用于形成连通发声装置内外的通道结构，有利于振膜的振动顺畅性，并且角部的缺口可以为音圈引线的弯折段提供容置空间，不需要为音圈引线单独预留横向或纵向上的空间。

本实施例中，通过在竖直充磁的中心磁铁21的上方再增加设置与中心磁铁21的充磁方向垂直的第一磁铁23，在竖直充磁的边磁铁31的上方再增加设置与边磁铁31的充磁方向垂直的第二磁铁33，能够限制磁感线的流动方向，增大磁间隙的磁感线密度，减轻边磁路部分的磁短路现象，图12为本实施例中的磁路系统的磁感线分布图，图2为现有技术中的磁路系统的磁感线分布图，如图12和图2所示，相较于现有技术中的中心导磁板和边导磁板，本实施例中，第一磁铁23和第二磁铁33中的磁感线流动密度增大，磁间隙的磁感线密度增大，并且本实施例中的边磁路部分的磁短路现象得到明显改善。进一步结合图6和下面的表1，仿真结果显示，本实施例中发声装置的BL值相较于现有技术有较大提高，图6中，曲线D为本实施例的发声装置的BL曲线，曲线A为现有技术发声装置的BL曲线，音圈4中未通入电流时，现有技术发声装置BL值为0.78，而本实施例发声装置的BL值提高到0.88，显然本实施例中的磁场驱动力更高，发声装置的声学灵敏度更高，声学性能更好。

实施例四：

请结合参考图14所示，本实施例中的发声装置与实施例三的不同之处在于：本实施例中所述中心磁部件和边磁部件均采用永磁体，并且，结合图14中箭头方向所指示的充磁方向，位于磁间隙的两侧，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向在相对于所述振膜的振动方向倾斜的方向上，所述中心磁铁21的充磁方向与所述边磁铁31的充磁方向形成第一夹角，所述第一夹角的开口方向背离所述导磁轭1的底壁；所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向在相对于所述导磁轭1的底壁所在平面倾斜的方向上，所述中心磁部件的充磁方向与所述边磁部件的充磁方向形成第二夹角，所述第二夹角的开口方向朝向所述导磁轭1底壁。

按照图14所示的发声装置所在的位置状态，也可以理解为，中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向与竖直方向之间具有夹角，所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向与水平方向之间具有夹角。

具体的，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向相对于所述振膜的振动方向倾斜的角度为大于等于0°小于等于45°；所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向相对于所述导磁轭1的底壁所在平面倾斜的角度为大于0°小于等于45°。

作为一种具体实施方案，所述中心磁铁21和所述边磁铁31的充磁方向平行于振膜的振动方向，也即在竖直方向上，并且中心磁铁21和边磁铁31的充磁方向相反。并且，所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向相对于所述导磁轭1的底壁所在平面倾斜的角度为大于0°小于等于45°。或者，作为另一具体实施例，所述中心磁铁21平行于振膜的振动方向，也即在竖直方向上，所述边磁铁31的充磁方向相对于所述振膜的振动方向倾斜的角度为大于0°小于等于45°，并且，所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向相对于所述导磁轭1的底壁所在平面倾斜的角度为大于0°小于等于45°。

具体的，本实施例中，所述中心磁部件包括与所述中心磁铁21的两个第一边对应的两个第一磁铁23，所述两个第一磁铁23相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁23，所述四个第一磁铁23相互间隔，其中，第一磁铁23的靠近磁间隙的一侧边缘与所述中心磁铁21的边缘对齐。采用两个第一磁铁23的设计，或者采用四个第一磁铁23的设计，充磁工艺简单，磁铁的可靠性高。

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21两个第一边外侧的两个边磁铁31和两个第二磁铁33；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁21的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁31和四个第二磁铁33。采用两个第二磁铁33间隔设置，或者采用四个第二磁铁33间隔设置，一方面充磁工艺简单，另一方面四个第二磁铁33之间形成缺口，用于形成连通发声装置内外的通道结构，有利于振膜的振动顺畅性，并且角部的缺口可以为音圈引线的弯折段提供容置空间，不需要为音圈引线单独预留横向或纵向上的空间。

本实施例中，通过在竖直充磁或相对竖直方向倾斜充磁的中心磁铁21的上方再增加设置相对水平方向倾斜充磁的第一磁铁23，并且在竖直充磁或相对竖直方向倾斜充磁的边磁铁31的上方再增加设置相对水平方向倾斜充磁的第二磁铁33，能够限制磁感线的流动方向，调节磁间隙中磁感线密度分布，减轻边磁路部分的磁短路现象，图15为本实施例中的磁路系统的磁感线分布图，图2为现有技术中的磁路系统的磁感线分布图，如图15和图2所示，相较于现有技术中的中心导磁板和边导磁板，本实施例中，第一磁铁23和第二磁铁33中的磁感线流动密度增大，磁间隙中磁感线密度分布有变化，并且本实施例中的边磁路部分的磁短路现象得到明显改善。进一步结合图6和下面的表1，仿真结果显示，本实施例中发声装置的BL值相较于现有技术有较大提高，图6中，曲线E为本实施例的发声装置的BL曲线，曲线A为现有技术发声装置的BL曲线，音圈4中未通入电流时，现有技术发声装置BL值为0.78，而本实施例发声装置的BL值提高到0.88，显然本实施例中的磁场驱动力更高，发声装置的声学灵敏度更高，声学性能更好。

并且结合参考图16所示，曲线E1、E2、E3、E4为调整中心磁铁21、边磁铁31、第一磁铁23和第二磁铁33中的至少一个的充磁方向后得到的四条BL曲线，曲线A为现有技术发声装置的BL曲线，通过比较可知，在本实施例规定的前述充磁方向的设定角度的范围内，通过改变充磁方向，在相较于现有技术增大BL值的情况下，还可以调整BL曲线的对称性，使之与振动系统的劲度K_MS曲线相匹配，改善失真现象，提升发声装置的声学性能。并且通过调整充磁方向进而调整BL曲线对称性的方法，相较于现有技术中通过改变音圈结构或改变整个磁路结构的方式，工艺简单，极大的降低了生产成本。

以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种发声装置，包括振动系统和磁路系统，所述振动系统包括振膜和与所述振膜结合的音圈，所述磁路系统包括导磁轭和设于所述导磁轭的底壁上的中心磁路部分和边磁路部分，所述中心磁路部分和所述边磁路部分之间形成磁间隙，所述音圈伸入所述磁间隙中，其特征在于：

所述中心磁路部分包括由下往上并列设置的中心磁铁和中心磁部件；

所述边磁路部分包括由下往上并列设置的边磁铁和边磁部件；

所述中心磁铁和所述边磁铁的靠近所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性不同，远离所述导磁轭的一端的磁极的极性也不同；

所述中心磁部件和所述边磁部件中的至少一个为永磁体，所述永磁体靠近所述磁间隙的一端的磁极与并列设置的所述中心磁铁或所述边磁铁的远离所述导磁轭的底壁的一端的磁极的极性相同。

2.如权利要求1所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁铁为矩形，所述中心磁铁包括相对的两个第一边和相对的两个第二边；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个边磁部件；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个边磁部件。

3.如权利要求2所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向平行于所述振膜的振动方向，所述永磁体的充磁方向垂直于所述振膜的振动方向。

4.如权利要求3所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为导磁体；

所述中心磁部件包括至少与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置。

5.如权利要求4所述的一种发声装置，其特征在于，

所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔设置；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二导磁体，所述两个第二导磁体为相互独立的结构，或者所述两个第二导磁体通过连接部连接为一体结构；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二导磁体，所述四个第二导磁体为相互独立的结构，或者所述四个第二导磁体通过连接部连接为一体结构。

6.如权利要求5所述的一种发声装置，其特征在于，所述每个第一磁铁包括靠近所述磁间隙设置的长方形部分以及远离所述磁间隙设置的梯形部分，所述梯形部分包括两个斜边，相邻两个第一磁铁的梯形部分的斜边相对且间隔设置。

7.如权利要求3所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁部件为第一导磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

8.如权利要求3所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

9.如权利要求2所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁部件为永磁体，所述边磁部件为永磁体；

所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向在相对于所述振膜的振动方向倾斜的方向上，所述中心磁铁的充磁方向与所述边磁铁的充磁方向形成第一夹角，所述第一夹角的开口方向背离所述导磁轭的底壁；

所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向在相对于所述导磁轭的底壁所在平面倾斜的方向上，所述中心磁部件的充磁方向与所述边磁部件的充磁方向形成第二夹角，所述第二夹角的开口方向朝向所述导磁轭底壁。

10.如权利要求9所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁铁和所述边磁铁的充磁方向相对于所述振膜的振动方向倾斜的角度为大于等于0°小于等于45°；

所述中心磁部件和所述边磁部件的充磁方向相对于所述导磁轭的底壁所在平面倾斜的角度为大于0°小于等于45°。

11.如权利要求9所述的一种发声装置，其特征在于，

所述中心磁部件包括与所述中心磁铁的两个第一边对应的两个第一磁铁，所述两个第一磁铁相互间隔设置，或者包括与所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边对应的四个第一磁铁，所述四个第一磁铁相互间隔；

所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁两个第一边外侧的两个边磁铁和两个第二磁铁；或者，所述边磁路部分包括位于所述中心磁铁的两个第一边和两个第二边外侧的四个边磁铁和四个第二磁铁。

12.如权利要求2至11任一权利要求所述的一种发声装置，其特征在于，所述中心磁铁的两个第一边为长边，两个第二边为短边。