CN209766846U - 温度控制组件及具有其的固体激光器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种温度控制组件及具有其的固体激光器，其中，温度控制组件包括控制结构和至少两个TEC，TEC是指热电制冷器，TEC上分别设置有热负载；其中，多个TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，主控TEC直接与控制结构电连接，从属TEC与主控TEC电连接，以使主控TEC在控制结构控制下被动控制从属TEC。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。

Description

温度控制组件及具有其的固体激光器

技术领域

本实用新型涉及激光设备技术领域，具体而言，涉及一种温度控制组件及具有其的固体激光器。

背景技术

在激光设备技术领域中经常用到温度控制结构，传统的温度控制结构设置为可以传导温度的导热结构，比如金属导体等，通过金属的导热特性将工作区域的温度传导出去；或者采用利用半导体材料的珀尔帖效应制成的元器件，比如半导体致冷器(TEC)。上述两种温度控制结构可以单独使用也可以相互结合的使用。一般的激光设备上仅设置1个TEC，这样的设置会对应的连接有一个控制器。

但是，在较为复杂的设备里需要同时设置多个TEC。采用多个TEC时，由于每个控制区域的工作温度不同，相应的TEC需要不同的温度控制范围，为了保证TEC的准确温度，每个TEC是单独控制的，因此需要设置多个对应的控制器。这样会增加整个设备的复杂程度和控制难度。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种温度控制组件及具有其的固体激光器，以解决现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种温度控制组件，包括控制结构和至少两个TEC，TEC是指热电制冷器，多个TEC上分别设置有热负载；其中，多个TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，主控TEC直接与控制结构电连接，从属TEC与主控TEC电连接，以使主控TEC在控制结构控制下被动控制从属TEC。

进一步地，主控TEC与从属TEC串联或并联，主控TEC与从属TEC的电流或电压大小相同。

进一步地，控制结构包括：温度传感器，温度传感器设置在主控TEC的热负载上，以检测主控TEC上负载的工作温度；PID控制器，PID控制器与温度传感器电连接，PID控制器控制主控TEC所在电路上的电流或电压大小。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种固体激光器，包括：LD模块，LD模块包括LD芯片，LD是指半导体激光器；介质模块，介质模块包括介质结构，介质结构与LD芯片相对设置；温度控制组件，温度控制组件为上述的温度控制组件；其中，TEC设置为两个，包括第一TEC和第二TEC，第一TEC设置在LD模块上，第二TEC设置在介质模块上。

进一步地，第一TEC为主控TEC，第二TEC为从属TEC，第一TEC与第二TEC相匹配，第二TEC在第一TEC的控制下被动控制。

进一步地，温度传感器设置在LD模块上，温度传感器与第一TEC配合设置，温度传感器与PID控制器配合下控制经过第一TEC的电流或电压大小，以控制第一TEC的温度；主控TEC与从属TEC串联时，与第一TEC串联的第二TEC的电流大小发生改变，以使第二TEC的温度改变；主控TEC与从属TEC并联时，与第一TEC并联的第二TEC的电压大小发生改变，以使第二TEC的温度改变；其中，温度传感器为上述的温度传感器，PID控制器为上述的PID控制器。

进一步地，LD模块还包括：第一热沉，第一热沉设置在第一TEC与LD芯片之间，温度传感器设置在第一热沉上，温度传感器为上述的温度传感器；第二热沉，第二热沉设置在第一TEC远离LD芯片的一侧。

进一步地，介质模块还包括第三热沉，第三热沉设置在第二TEC远离介质结构的一侧，介质结构、第二TEC和第三热沉依次贴合。

进一步地，第一TEC的尺寸大于或者等于第一热沉、或第二热沉或LD芯片的尺寸；第二TEC的尺寸大于或者等于第三热沉或介质结构的尺寸。

进一步地，介质结构与LD芯片之间设置有光学透镜组件，光学透镜组件安装在第一热沉和/或介质模块上。

进一步地，光学透镜组件包括：快轴准直镜，快轴准直镜设置在靠近LD芯片的位置；慢轴准直镜，慢轴准直镜设置在远离LD芯片的位置。

进一步地，介质结构为激光增益介质和饱和吸收体的复合介质。

进一步地，固体激光器还包括底板，LD模块与介质模块设置在底板上并处于底板的同一侧。

进一步地，固体激光器还包括二极管，二极管和第二TEC并联。

应用本实用新型的技术方案，主控TEC和从属TEC的设置可以实现仅设置与主控TEC连接的控制结构来控制多个TEC，这样可以简化温度控制组件的控制方式，降低温度控制组件所在设备的复杂程度和控制难度。具体地，从属TEC的控制是通过主控TEC来进行的，它属于被动控制的方式，不需要增加额外的控制器，这样就可以通过一个控制器来控制多个TEC。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本实用新型的固体激光器的实施例的结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、LD模块；11、第一TEC；12、第一热沉；13、第二热沉；14、温度传感器；15、LD芯片；16、光学透镜组件；161、快轴准直镜；162、慢轴准直镜；20、介质模块；21、第二TEC；22、第三热沉；23、介质结构；30、二极管。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

现在，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

在传统的激光设备中，使用键合晶体的被动调Q微片固体激光器一般具有结构简单、可靠性高的特点，可应用于测距、激光雷达等领域。这类固体激光器一般采用传导冷却的激光器二级管(以下称为LD)作为泵浦源；使用增益介质与饱和吸收体键合在一起的复合晶体(或介质)，增益介质的前端面与饱和吸收体的后端面分别镀有全反膜和部分反射膜，形成谐振腔。

为了使得固体激光器稳定的输出和获得较高的转换效率，LD的出光波长需要与固体激光器增益介质的吸收波长有较好的匹配。而LD的输出波长会随着温度变化产生较大的漂移，例如一般8xx半导体激光器的温漂系数约为0.2～0.3nm/℃。当产品的工作环境温度发生变化时，为了使得LD的波长始终与增益介质有较好的匹配，就需要对LD进行控温，使其输出波长稳定。此外，尽管增益介质的吸收峰较为稳定，但增益介质的性质会随着温度的变化而改变，从而影响其出光阈值和能量。例如使用Nd:YAG与Cr:YAG的被动调Q固体激光器，激射阈值和单脉冲能量会受到温度的影响：当温度升高时，激射阈值和单脉冲能量也会升高。当工作温度范围比较大时，由于LD和激光介质的温度变化特性，会导致固体激光器的输出特性不稳定，甚至出现不出光的问题，影响其正常工作。

对宽温度范围使用的固体激光器，要获得稳定的输出特性，一般需要对LD和激光介质进行控温。常用的方法有以下几种：

一、通过TEC对LD进行控温。这种方法最为常用。这种方法的缺陷：1)出光能量不稳定。如前所述，激光介质的温度特性会导致出光能量和功率的变化。2)需要LD工作在较大的功率范围内，需要LD具有较大的余量：由于激光介质本身会随着温度发生变化了，因此要满足整个温度范围内均正常出光，则需要LD的出光功率具有较大的余量，使得在整个温度范围内LD的出光功率均大于固体激光器的激射阈值。

二、通过一个TEC对LD和激光介质整体控温。这种方法结构简单，输出稳定，对由单管LD泵浦、单脉冲能量和峰值功率均较小的固体激光器较为试用。但对由巴条LD泵浦、单脉冲能量较高(例如毫焦及以上)峰值功率达到兆瓦量级的固体激光器，由于LD的耦合光路较为复杂，且激光介质尺寸较大，受到封装工艺限制，一般难以使用一个较大的TEC对LD、整体耦合光路和激光介质整体进行控温。

如1图所示，本实施例中的一种温度控制组件，包括控制结构和至少两个TEC，TEC是指热电制冷器，多个TEC上分别设置有热负载。其中，多个TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，主控TEC直接与控制结构电连接，从属TEC与主控TEC电连接，以使主控TEC在控制结构控制下被动控制从属TEC。

应用本实施例的技术方案，主控TEC和从属TEC的设置可以实现仅设置与主控TEC连接的控制结构来控制多个TEC，这样可以简化温度控制组件的控制方式，降低温度控制组件所在设备的复杂程度和控制难度。具体地，从属TEC的控制是通过主控TEC来进行的，它属于被动控制的方式，不需要增加额外的控制器，这样就可以通过一个控制器来控制多个TEC。本实施例的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。

值得注意的是，本实施例中的多个TEC上分别设置的热负载可以为彼此热密度完全不同的热负载，也可以为彼此热密度部分相同的热负载，具体根据实际需要进行设置。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，主控TEC与从属TEC串联或并联，主控TEC与从属TEC的电流或电压大小相同。上述结构中主控TEC与从属TEC串联时，通过控制主控TEC的电流大小来间接控制从属TEC所在电路上的电流大小，进而被动控制从属TEC的温度；主控TEC与从属TEC并联时，通过控制主控TEC的电压大小来间接控制从属TEC所在电路上的电压大小，进而被动控制从属TEC的温度。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，控制结构包括温度传感器14和PID控制器。温度传感器14设置在主控TEC的热负载上，以检测主控TEC上负载的工作温度。PID控制器与温度传感器14电连接，PID控制器控制主控TEC所在电路上的电流或电压大小。上述结构中由于主控TEC与从属TEC串联或并联，进而间接控制从属TEC所在电路上的电流或电压大小。上述的温度传感器14优选设置为热敏电阻或者热电偶。上述结构中的PID控制器主要是为了配合温度传感器14对主控TEC和从属TEC所在电路上的电流或电压大小进行控制，进而控制主控TEC和从属TEC的工作，从而保证LD芯片15和介质结构23时刻处于预设的工作温度，保证固体激光器工作时的稳定性。

值得注意的是，PID是比例(proportion)、积分(integral)、微分(differential)的缩写，PID控制器(比例-积分-微分控制器)是一个在工业控制应用中常见的反馈回路部件，由比例单元P、积分单元I和微分单元D组成。PID控制的基础是比例控制；积分控制可消除稳态误差，但可能增加超调；微分控制可加快大惯性系统响应速度以及减弱超调趋势。

如1图所示，本实施例中的一种固体激光器，包括LD模块10、介质模块20和温度控制组件。LD模块10包括LD芯片15，LD是指半导体激光器。介质模块20包括介质结构23，介质结构23与LD芯片15相对设置。温度控制组件为上述的温度控制组件。其中，TEC设置为两个，包括第一TEC11和第二TEC21，第一TEC11设置在LD模块10上，第二TEC21设置在介质模块20上。第一TEC11和第二TEC21的设置用来调整LD模块10和介质模块20的工作温度，具体通过温度控制组件进行控制。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，第一TEC11为主控TEC，第二TEC21为从属TEC，第一TEC11与第二TEC21相匹配，第二TEC21在第一TEC11的控制下被动控制。上述结构可以为温度控制组件和温度传感器14对第一TEC11实现主动温度控制，使得第二TEC21实现被动温度调节。上述的第一TEC11与第二TEC21的参数匹配。具体地，第一TEC11与第二TEC21匹配的参数包括交流电阻(ACR)、TE热电半导体材料的尺寸及对数、TE热电半导体材料的空间排布等。将第一TEC11和第二TEC21串联之后，在温度控制组件在控制第一TEC11所在电路上的电流大小时，也同时对电路上的第二TEC21的电流大小进行了控制，进而可以实现通过一个控制器对LD模块10和介质模块20的工作温度同时控制，提高固体激光器工作时的输出稳定性，保证固体激光器的正常出光。

值得注意的是，本实施例中的LD为固体激光器的泵浦源，具体设置为激光器二极管30，进一步设置为半导体激光器巴条。与温度控制组件直接连接的TEC为主控制TEC，主控TEC的性能参数需要和其承载的热负载匹配。主控TEC优选为第一TEC11，主控制TEC的性能参数需要和LD模块10上的热负载匹配，具体地，在选择主控制TEC时，即选择LD温度控制TEC时，整体热量(包括热负载元件的热量和TEC自身产热热量)由于TEC非控制端面的有限系统热阻的存在，TEC的内部设计也需要与热负载的热量和TEC非控制端面的系统热阻进行匹配。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，温度传感器14设置在LD模块10上，温度传感器14与第一TEC11配合设置，温度传感器14与PID控制器配合下控制经过第一TEC11的电流大小，以控制第一TEC11的温度。主控TEC与从属TEC串联时，与第一TEC11串联的第二TEC21的电流大小发生改变，以使第二TEC21的温度改变。主控TEC与从属TEC并联时，与第一TEC11并联的第二TEC21的电压大小发生改变，以使第二TEC21的温度改变其中，温度传感器14为上述的温度传感器14，PID控制器为上述的PID控制器。上述结构可以对第一TEC11和第二TEC21进行同时控制，进而保证LD芯片15和介质结构23的工作温度更加精确稳定。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，LD模块10还包括第一热沉12和第二热沉13。第一热沉12设置在第一TEC11与LD芯片15之间，温度传感器14设置在第一热沉12上，温度传感器14为上述的温度传感器14。第二热沉13设置在第一TEC11远离LD芯片15的一侧。上述结构中第一热沉12的设置可以使LD模块10的温度调节更加快速，提高第一TEC11的调节效率。第一热沉12优选设置为金属结构，具体为铜或铜合金热沉。优选的，第一热沉12与LD芯片15之间设置有应力缓释结构，具体为热膨胀系数与LD芯片15匹配的过渡热沉，优选为CuW层或者陶瓷层。第二热沉13的设置可以进一步提高LD模块10的温度调节速度，以提高第一TEC11的调节效率。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，介质模块20还包括第三热沉22，第三热沉22设置在第二TEC21远离介质结构23的一侧，介质结构23、第二TEC21和第三热沉22依次贴合。上述结构第三热沉22的设置可提高介质模块20的温度调节速度，以提高第二TEC21的调节效率。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，第一TEC11的尺寸大于或者等于第一热沉12、或第二热沉13或LD芯片15的尺寸。第二TEC21的尺寸大于或者等于第三热沉22或介质结构23的尺寸。上述结构可以使第一TEC11和第二TEC21对其上的热负载结构的配合更加稳定可靠，以保证LD模块10所有部位均可以控温。进一步地，TEC的尺寸与其上面的热负载元件尺寸进行匹配，即TEC的尺寸需要大于或者等于上面的热负载元件的尺寸。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，介质结构23与LD芯片15之间设置有光学透镜组件16，光学透镜组件16安装在第一热沉12和/或介质模块20上。上述结构中光学透镜组件16的设置可以使激光的聚散更加容易控制。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，光学透镜组件16包括快轴准直镜161和慢轴准直镜162。快轴准直镜161设置在靠近LD芯片15的位置。慢轴准直镜162设置在远离LD芯片15的位置。慢轴准直镜162设置在远离LD芯片15的位置，快轴准直镜161和慢轴准直镜162间隔设置。上述结构为本实施例的优选方案，也可以根据实际需要设置其他结构的透镜，也可以设置更多透镜，透镜的类型根据实际需要进行选定。进一步地，可以将快轴准直镜161、慢轴准直镜162安装在第一热沉12上，或者安装在第二TEC21上。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，介质结构23为激光增益介质和饱和吸收体的复合介质。上述结构可以使介质结构23的激光传导性更加优良。复合介质可以为Nd:YAG和Cr:YAG复合晶体，或者Yb:YAG和Cr:YAG的复合晶体，Er玻璃和尖晶石的复合介质，在此不作限定。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，固体激光器还包括底板，LD模块10与介质模块20设置在底板上并处于底板的同一侧。上述结构中底板的设置可以使LD模块10与介质模块20更加稳定可靠。进一步地，LD芯片15的安装通过激光器夹具安装，介质结构23通过晶体夹具安装。进一步地，底板远离LD模块10与介质模块20的一侧设置有风扇，以进一步提高固体激光器散热效率。

如图1所示，在本实施例的技术方案中，固体激光器还包括二极管30，二极管30和第二TEC21并联。上述结构中二极管30用于降低上述两个TEC的匹配精度，提高对介质结构23的控温效果。

在本实用新型中，温度传感器14可以探测LD模块10中第一热沉12的温度，进而将温度信号传递给PID控制器，PID控制器根据设定的LD芯片15工作的目标温度进行PID反馈算法以设定TEC需要的电流值，并进行实时的反馈和调节，使得LD模块10中第一热沉12的温度精确的控制在目标温度，维持LD芯片15的稳定输出。本申请中的固体激光器可以设为微片固体激光器，也可以根据需要设置其他规格的激光器。

在本实用新型中，第一TEC11和第二TEC21的匹配参数根据实际进行调节，具体参照热沉的散热效率、LD芯片15的发热情况以及介质结构23的发热情况进行匹配参数，第一TEC11和第二TEC21的具体参数可以相同也可以不同，具体根据LD芯片15和介质结构23工作温度以及散热效率的进行设置。

本实用新型中的技术方案的有益效果还包括：

1)、可工作于较宽的温度范围内，实现泵浦激光系统的稳定输出。

2)控温系统结构简单，只通过一个温度控制组件实现分别对LD模块10和介质模块20的控温，成本低，易于在市场上推广。

从以上的描述中，可以看出，本实用新型上述的实施例实现了如下技术效果：主控TEC和从属TEC的设置可以实现仅设置与主控TEC连接的控制结构来控制多个TEC，这样可以简化温度控制组件的控制方式，降低温度控制组件所在设备的复杂程度和控制难度。具体地，从属TEC的控制是通过主控TEC来进行的，它属于被动控制的方式，不需要增加额外的控制器，这样就可以通过一个控制器来控制多个TEC。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种温度控制组件，其特征在于，包括控制结构和至少两个TEC，所述TEC是指热电制冷器，多个所述TEC上分别设置有热负载；

其中，多个所述TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，所述主控TEC直接与所述控制结构电连接，所述从属TEC与所述主控TEC电连接，以使所述主控TEC在所述控制结构控制下被动控制所述从属TEC。

2.根据权利要求1所述的温度控制组件，其特征在于，所述主控TEC与所述从属TEC串联或并联，所述主控TEC与所述从属TEC的电流或电压大小相同。

3.根据权利要求1所述的温度控制组件，其特征在于，所述控制结构包括：

温度传感器(14)，所述温度传感器(14)设置在所述主控TEC的热负载上，以检测所述主控TEC上负载的工作温度；

PID控制器，所述PID控制器与所述温度传感器(14)电连接，所述PID控制器控制所述主控TEC所在电路上的电流或电压大小。

4.一种固体激光器，其特征在于，包括：

LD模块(10)，所述LD模块(10)包括LD芯片(15)，所述LD是指半导体激光器；

介质模块(20)，所述介质模块(20)包括介质结构(23)，所述介质结构(23)与所述LD芯片(15)相对设置；

温度控制组件，所述温度控制组件为权利要求1至权利要求3中任一项所述的温度控制组件；

其中，所述TEC设置为两个，包括第一TEC(11)和第二TEC(21)，所述第一TEC(11)设置在所述LD模块(10)上，所述第二TEC(21)设置在所述介质模块(20)上。

5.根据权利要求4所述的固体激光器，其特征在于，所述第一TEC(11)为主控TEC，所述第二TEC(21)为从属TEC，所述第一TEC(11)与所述第二TEC(21)相匹配，所述第二TEC(21)在所述第一TEC(11)的控制下被动控制。

6.根据权利要求5所述的固体激光器，其特征在于，温度传感器(14)设置在所述LD模块(10)上，所述温度传感器(14)与所述第一TEC(11)配合设置，所述温度传感器(14)与PID控制器配合下控制经过所述第一TEC(11)的电流或电压大小，以控制所述第一TEC(11)的温度；

所述主控TEC与所述从属TEC串联时，与所述第一TEC(11)串联的所述第二TEC(21)的电流大小发生改变，以使所述第二TEC(21)的温度改变；

所述主控TEC与所述从属TEC并联时，与所述第一TEC(11)并联的所述第二TEC(21)的电压大小发生改变，以使所述第二TEC(21)的温度改变；

其中，所述温度传感器(14)为权利要求3中所述的温度传感器(14)，所述PID控制器为权利要求3中所述的PID控制器。

7.根据权利要求4所述的固体激光器，其特征在于，所述LD模块(10)还包括：

第一热沉(12)，所述第一热沉(12)设置在所述第一TEC(11)与所述LD芯片(15)之间，温度传感器(14)设置在所述第一热沉(12)上，所述温度传感器(14)为权利要求3中所述的温度传感器(14)；

第二热沉(13)，所述第二热沉(13)设置在所述第一TEC(11)远离所述LD芯片(15)的一侧。

8.根据权利要求7所述的固体激光器，其特征在于，所述介质模块(20)还包括第三热沉(22)，所述第三热沉(22)设置在所述第二TEC(21)远离所述介质结构(23)的一侧，所述介质结构(23)、所述第二TEC(21)和所述第三热沉(22)依次贴合。

9.根据权利要求7所述的固体激光器，其特征在于，所述介质结构(23)与所述LD芯片(15)之间设置有光学透镜组件(16)，所述光学透镜组件(16)安装在所述第一热沉(12)和/或所述介质模块(20)上。

10.根据权利要求4所述的固体激光器，其特征在于，所述固体激光器还包括二极管(30)，所述二极管(30)和所述第二TEC(21)并联。