CN209642323U - 一种直流电流防逆流电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及新能源行业锂电池电压检测技术领域,具体涉及一种直流电流防逆流电路,包括MOS驱动器U1、MOSFET管Q1和Q2、比较器U2和若干个电阻,U1包括有6个引脚,其中引脚1分别与R1电阻的一端和D1二极管的正极端连接,R1电阻的另一端连接入电源VCC端,U1的引脚4分别与Q1的源极和Q2的源极连接,U1的引脚5分别与R2电阻的一端、R3电阻的一端连接,R2电阻的另一端与Q1的栅极连接,R3电阻的另一端与Q2的栅极连接,本实用新型提供结合BMS充放电控制电路组成的防逆流电路,可以防止反接和电流逆流,根据不同的器件配置,可以通过几十A到数百A的电流,满足了大功率大电流的需要,且价格低廉,具有很强的实用性,值得大力推广使用。

Description

一种直流电流防逆流电路
技术领域
本实用新型涉及新能源行业锂电池电压检测技术领域,具体涉及一种直流电流防逆流电路。
背景技术
在新能源行业,电池通过BMS或保护板进行电池能量的输出控制,由于电池内阻很低,如果外部接线错误,会对电池、负载和造成无法挽回的损坏。
目前市场上的产品存在电流小,价格贵的问题,不能满足大功率大电流的需要,因此,急需设计一种可以防止反接和电流逆流,根据不同的器件配置,可以通过几十A到数百A的电流的电路。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型公开了一种直流电流防逆流电路,用以提供结合BMS充放电控制电路组成的防逆流电路,可以防止反接和电流逆流,根据不同的器件配置,可以通过几十A到数百A的电流。
具体技术方案如下:
一种直流电流防逆流电路,包括MOS驱动器U1、MOSFET管Q1和Q2、比较器U2和若干个电阻,所述U1包括有6个引脚,其中引脚1分别与R1电阻的一端和D1二极管的正极端连接,所述R1电阻的另一端连接入电源VCC端,所述U1的引脚4分别与Q1的源极和Q2的源极连接,所述U1的引脚5分别与R2电阻的一端、R3电阻的一端连接,所述R2电阻的另一端与Q1的栅极连接,所述R3电阻的另一端与Q2的栅极连接,所述Q1的漏极分别连接至O端口和R4电阻的一端,所述Q2的漏极分别连接至I端口和R6电阻的一端,所述R4电阻的另一端分别与U2的反相输入端“-”端和R5电阻的一端连接,所述R6电阻的另一端分别与U2的同向输入端“+”端和R7电阻的一端连接,所述U2的接地端与R5电阻的另一端共同接地,所述R7电阻的另一端接地,所述U2的输出端与D1二极管的负极端连接;
优选的,所述U1的引脚3通有控制信号;
优选的,所述U1的引脚6连接有15V电压;
优选的,所述U2的V+端连接有15V电压;
优选的,所述Q1和Q2均为N沟道型MOSFET管。
有益效果:
本实用新型提供结合BMS充放电控制电路组成的防逆流电路,可以防止反接和电流逆流,根据不同的器件配置,可以通过几十A到数百A的电流,满足了大功率大电流的需要,且价格低廉,值得大力推广使用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1:本实用新型电路原理图;
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参看图1:一种直流电流防逆流电路,包括MOS驱动器U1、MOSFET管Q1和Q2、比较器U2和若干个电阻,U1包括有6个引脚,其中引脚1分别与R1电阻的一端和D1二极管的正极端连接,R1电阻的另一端连接入电源VCC端,U1的引脚4分别与Q1的源极和Q2的源极连接,U1的引脚5分别与R2电阻的一端、R3电阻的一端连接,R2电阻的另一端与Q1的栅极连接,R3电阻的另一端与Q2的栅极连接,Q1的漏极分别连接至O端口和R4电阻的一端,Q2的漏极分别连接至I端口和R6电阻的一端,R4电阻的另一端分别与U2的反相输入端“-”端和R5电阻的一端连接,R6电阻的另一端分别与U2的同向输入端“+”端和R7电阻的一端连接,U2的接地端与R5电阻的另一端共同接地,R7电阻的另一端接地,U2的输出端与D1二极管的负极端连接。
具体的,U1的引脚3通有控制信号,U1的引脚6连接有15V电压,U2的V+端连接有15V电压,Q1和Q2均为N沟道型MOSFET管。
工作原理:比较器U2通过R4、R5和R6、R7同时采集I、O两端的电压,如果I端电压大于O端,比价器U2输出端输出高电平,VCC通过电阻R1给U1初级供电U1引脚1为高电平,如果O端电压大于I端,U2输出端输出低电平,VCC电流通过R1、D1流向U2输出端,U1引脚1为低电平;
“控制信号”低电平有效,信号通过MOS驱动器控制Q1、Q2导通与截止,VCC通过电阻R1给U1初级供电;
如果I、O端接线正确,V-I>V-O,U1引脚1为高电平,“控制信号”变为0,U1引脚5输出15V驱动对管Q1、Q2导通,电流可以从I流向O;
如V-I<V-O,U1pin1低电平,U1pin5输出低电平,MOS Q1、Q2截止,电流无法通过。
本实用新型提供结合BMS充放电控制电路组成的防逆流电路,可以防止反接和电流逆流,根据不同的器件配置,可以通过几十A到数百A的电流,满足了大功率大电流的需要,且价格低廉,具有很强的实用性,值得大力推广使用。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种直流电流防逆流电路,其特征在于:包括MOS驱动器U1、MOSFET管Q1和Q2、比较器U2和若干个电阻,所述U1包括有6个引脚,其中引脚1分别与R1电阻的一端和D1二极管的正极端连接,所述R1电阻的另一端连接入电源VCC端,所述U1的引脚4分别与Q1的源极和Q2的源极连接,所述U1的引脚5分别与R2电阻的一端、R3电阻的一端连接,所述R2电阻的另一端与Q1的栅极连接,所述R3电阻的另一端与Q2的栅极连接,所述Q1的漏极分别连接至O端口和R4电阻的一端,所述Q2的漏极分别连接至I端口和R6电阻的一端,所述R4电阻的另一端分别与U2的反相输入端“-”端和R5电阻的一端连接,所述R6电阻的另一端分别与U2的同向输入端“+”端和R7电阻的一端连接,所述U2的接地端与R5电阻的另一端共同接地,所述R7电阻的另一端接地,所述U2的输出端与D1二极管的负极端连接。
2.根据权利要求1所述的直流电流防逆流电路,其特征在于:所述U1的引脚3通有控制信号。
3.根据权利要求1所述的直流电流防逆流电路,其特征在于:所述U1的引脚6连接有15V电压。
4.根据权利要求1所述的直流电流防逆流电路,其特征在于:所述U2的V+端连接有15V电压。
5.根据权利要求1所述的直流电流防逆流电路,其特征在于:所述Q1和Q2均为N沟道型MOSFET管。
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