CN208820752U - 一种超低开通压降单向开关电路 - Google Patents
一种超低开通压降单向开关电路 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种超低开通压降单向开关电路，包括一个等效二极管、比较驱动电路，在等效二极管的两侧形成一个第一节点以及一个第二节点，通过比较驱动电路比较第一节点以及第二节点的电压差来开关MOSFET，比较驱动电路一路信号输入连接第一节点，另一路信号输入连接第二节点，第一、第二节点设置于等效二极管的两侧，比较驱动电路一路输出连接等效二极管。本实用新型可同时克服普通二极管的高热损耗以及同步整流电路的弱兼容性，同时具有低压降高效能及超强应用兼容性，应用如同普通二极管可任意组建不同形式的整流电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种超低开通压降单向开关电路。
背景技术
当前技术应对大电流整流时一般采用普通整流二极管直接整流或部分领域可使用同步整流技术。
普通二极管整流：电流较大时热损耗严重，保守估计常用桥式整流电路在电流达1A时热损耗就有1.4W，因此这个问题严重影响了整机工作温升；
同步整流：同步整流可大幅提高整流效率但应用兼容性较弱：1.只可用于矩形波电流信号的整流其他波形的电流信号整流效果不好；2.不能灵活组建不同形式的整流电路如桥式全波整流电路。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种超低开通压降单向开关电路，可同时克服普通二极管的高热损耗以及同步整流电路的弱兼容性，同时具有低压降高效能及超强应用兼容性，应用如同普通二极管可任意组建不同形式的整流电路，解决现有技术中的不足。
本实用新型是通过以下技术方案来实现的：一种超低开通压降单向开关电路，包括一个等效二极管、比较驱动电路，在等效二极管的两侧形成一个第一节点以及一个第二节点，通过比较驱动电路比较第一节点以及第二节点的电压差来开关MOSFET，比较驱动电路一路信号输入连接第一节点，另一路信号输入连接第二节点，第一、第二节点设置于等效二极管的两侧，比较驱动电路一路输出连接等效二极管。
作为优选的技术方案，比较第一节点与第二节点的电压差，当正压差时输出驱动信号打开MOSFET，当输入与输出节点呈现负压差时比较驱动电路输出关闭信号以关闭MOSFET。
作为优选的技术方案，第一、第二节点处于负压差期间时，利用负压给比较驱动电路供电。
作为优选的技术方案，所述比较驱动电路采用一U1A比较器。
本实用新型的有益效果是：本实用新型具有结构简单、所使用的元件均为常用类型、自带供电电路，方便实用。本发明电路具有的超低导通压降，当应用于大电流交流整流时可大幅提高电路能效减少热损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的工作原理图；
图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
如图1所示，包括一个等效二极管、比较驱动电路，在等效二极管的两侧形成一个第一节点以及一个第二节点，通过比较驱动电路比较第一节点以及第二节点的电压差来开关MOSFET，比较驱动电路一路信号输入连接第一节点，另一路信号输入连接第二节点，第一、第二节点设置于等效二极管的两侧，比较驱动电路一路输出连接等效二极管。
其中，比较第一节点与第二节点的电压差，当正压差时输出驱动信号打开MOSFET，当输入与输出节点呈现负压差时比较驱动电路输出关闭信号以关闭 MOSFET，第一、第二节点处于负压差期间时，利用负压给比较驱动电路供电，比较驱动电路采用一U1A比较器。
如图2所示，当K节点电压高于A节点时反向电流流过R1,D1给C1充电D2 箍位Vdd电压防止电压过高损坏相关电路，此时U1A的反相端电位高于同向端比较器输出低电平Q1截止关闭此时整流电路关闭没有电流流过。当A节点电压高于K节点时，U1A比较器与R4输出高电平Q1导通此时可实现低压降整流。
本实用新型的有益效果是：本实用新型具有结构简单、所使用的元件均为常用类型、自带供电电路，方便实用。本发明电路具有的超低导通压降，当应用于大电流交流整流时可大幅提高电路能效减少热损耗。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种超低开通压降单向开关电路，其特征在于：包括一个等效二极管、比较驱动电路，在等效二极管的两侧形成一个第一节点以及一个第二节点，通过比较驱动电路比较第一节点以及第二节点的电压差来开关MOSFET，比较驱动电路一路信号输入连接第一节点，另一路信号输入连接第二节点，第一、第二节点设置于等效二极管的两侧，比较驱动电路一路输出连接等效二极管。
2.如权利要求1所述的超低开通压降单向开关电路，其特征在于：比较第一节点与第二节点的电压差，当正压差时输出驱动信号打开MOSFET，当输入与输出节点呈现负压差时比较驱动电路输出关闭信号以关闭MOSFET。
3.如权利要求1所述的超低开通压降单向开关电路，其特征在于：第一、第二节点处于负压差期间时，利用负压给比较驱动电路供电。
4.如权利要求1所述的超低开通压降单向开关电路，其特征在于：所述比较驱动电路采用一U1A比较器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201821668932.3U CN208820752U (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种超低开通压降单向开关电路 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201821668932.3U CN208820752U (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种超低开通压降单向开关电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208820752U true CN208820752U (zh) | 2019-05-03 |
Family
ID=66279746
Family Applications (1)
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| CN201821668932.3U Active CN208820752U (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种超低开通压降单向开关电路 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021068792A1 (en) * | 2019-10-10 | 2021-04-15 | Steifpower technology Company Limited | Field-effect transistor (fet) based synchronous rectifier for emulating diode |
| CN113325898A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-08-31 | 深圳市白光电子科技有限公司 | 一种热敏控温器的启动保护电路 |
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2018
- 2018-10-15 CN CN201821668932.3U patent/CN208820752U/zh active Active
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