CN209419505U - 改进型全桥驱动电路 - Google Patents
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Abstract
一种改进型全桥驱动电路，包括全桥电路，以及驱动全桥电路工作的第一驱动电路和第二驱动电路，其特征在于：第一驱动电路的信号输入端与控制信号连通，第二驱动电路的信号输入端与第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接。本实用新型采用了将第一驱动电路的信号输入端与控制信号连通，第二驱动电路的信号输入端与第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接，利用第一驱动电路输出相对于控制信号的反相信号作为第二驱动电路的输入信号，整个改进型全桥驱动电路只采用了一个控制信号，通过一个控制信号就可以驱动改进型全桥驱动电路工作，节省了主控芯片的PWM信号资源，具有结构简单、不会占用主控资源、控制逻辑更为简单和控制逻辑更为有效等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及全桥驱动电路技术领域，尤其是涉及一种改进型全桥驱动电路。
背景技术
全桥电路(也称为全桥变换器)在PWM电机控制、AC-DC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。其中，包括两组串联呈桥臂的功率开关管，在两组对角开关管给互为反相的控制信号，当一组功率管开时，另一组关断，利用两组功率管的交替导通，通过全桥电路中的主变压器内的原边绕组进行能量交换，完成电压输入到输出的转换。在现有技术中，全桥驱动电路会使用到两个驱动电路，两个驱动电路分别与由主控芯片发出的两个控制信号连接，并且这两个控制信号相互反相，这样就会占用主控资源，增加了主控资源负担，并且需要输入不同源控制逻辑，使其更加复杂。
实用新型内容
为了克服上述问题，本实用新型提供一种结构简单和不会占用主控资源的改进型全桥驱动电路。
本实用新型的技术方案是：提供一种改进型全桥驱动电路，包括全桥电路，以及驱动所述全桥电路工作的第一驱动电路和第二驱动电路，所述第一驱动电路的信号输入端与控制信号连通，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述控制信号为高频信号时，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路的低信号输出端电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述控制信号为低频信号时，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路的高信号输出端电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述全桥电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和负载，所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极分别与电源电性连接，所述第一MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极电性连接，所述第二MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极电性连接，所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极分别接地，所述负载的一端连接在所述第一MOS管的源极和所述第三MOS管的漏极之间，所述负载的另一端连接在所述第二MOS管的源极和所述第四MOS管的漏极之间。
作为对本实用新型的改进，所述第一驱动电路的高信号输出端与所述第一MOS管的栅极电性连接，所述第一驱动电路的低信号输出端与所述第三MOS管的栅极电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述第二驱动电路的高信号输出端与所述第四MOS管的栅极电性连接，所述第二驱动电路的低信号输出端与所述第二MOS管的栅极电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述第一驱动电路的高信号输出端与所述第四MOS管的栅极电性连接，所述第一驱动电路的低信号输出端与所述第二MOS管的栅极电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述第二驱动电路的高信号输出端与所述第一MOS管的栅极电性连接，所述第二驱动电路的低信号输出端与所述第三MOS管的栅极电性连接。
作为对本实用新型的改进，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管分别是NMOS管。
作为对本实用新型的改进，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管分别是PMOS管。
本实用新型采用了将第一驱动电路的信号输入端与控制信号连通，第二驱动电路的信号输入端与第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接，利用第一驱动电路输出相对于控制信号的反相信号作为第二驱动电路的输入信号，整个改进型全桥驱动电路只采用了一个控制信号，通过一个控制信号就可以驱动改进型全桥驱动电路工作，节省了主控芯片的PWM信号资源，具有结构简单、不会占用主控资源、控制逻辑更为简单和控制逻辑更为有效等优点。
附图说明
图1是本实用新型的一种实施例的电路原理结构示意图。
图2是本实用新型的另一种实施例的电路原理结构示意图。
其中：1、第一驱动电路；2、第二驱动电路。
具体实施方式
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型的具体含义。
请参见图1，图1所揭示的是改进型全桥驱动电路的一种实施例，所述改进型全桥驱动电路包括全桥电路(未标识)，以及驱动所述全桥电路工作的第一驱动电路1和第二驱动电路2，所述第一驱动电路1的信号输入端与控制信号PWM连通，所述第二驱动电路2的信号输入端与所述第一驱动电路1输出反相信号的信号输出端电性连接。需要说明的是，所述第一驱动电路1和所述第二驱动电路2是现有技术，在市场上都可以买到，本领域的技术人员都知道其具体结构，因此在这里不在对其结构进行详细的解释说明。
本实施例中，所述控制信号PWM为高频信号时，所述第二驱动电路2的信号输入端与所述第一驱动电路1的低信号输出端10电性连接，所述控制信号PWM是由主控芯片（未画图）发出的。
本实施例中，所述全桥电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4和负载(未标识)，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2的漏极分别与电源VCC电性连接，所述第一MOS管Q1的源极与所述第三MOS管Q3的漏极电性连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述第四MOS管Q4的漏极电性连接，所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4的源极分别接地，所述负载的一端连接在所述第一MOS管Q1的源极和所述第三MOS管Q3的漏极之间，所述负载的另一端连接在所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的漏极之间。
本实施例中，所述负载包括电容C和电感L，所述电容C和所述电感L电性连接，所述电容C的一端连接在所述第一MOS管Q1的源极和所述第三MOS管Q3的漏极之间，所述电容C的另一端与所述电感L的一端电性连接，所述电感L的另一端连接在所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的漏极之间。需要说明的是，所述负载的结构可以是各种结构，不限于上述结构，上述结构只是举例说明。
本实施例中，所述第一驱动电路1的高信号输出端11与所述第一MOS管Q1的栅极电性连接，所述第一驱动电路1的低信号输出端10与所述第三MOS管Q3的栅极电性连接。所述第二驱动电路2的高信号输出端21与所述第四MOS管Q4的栅极电性连接，所述第二驱动电路2的低信号输出端20与所述第二MOS管Q2的栅极电性连接。
本实施例中，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4分别是NMOS管；或者，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4分别是PMOS管(未画图)。
本实施例的工作原理是：所述控制信号PWM为高频信号时，所述第一驱动电路1的高信号输出端11控制所述第一MOS管Q1导通，所述第一驱动电路1的低信号输出端10控制所述第三MOS管Q3截止，所述第一驱动电路1的低信号输出端10输出与高频信号相反的低信号给所述第二驱动电路2；所述第二驱动电路2的高信号输出端21控制所述第四MOS管Q4导通，所述第二驱动电路2的低信号输出端20控制所述第二MOS管Q2截止。从而使得所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4导通，所述第三MOS管Q3和所述第二MOS管Q2截止。
当所述控制信号PWM为低频信号时，所述第一驱动电路1的高信号输出端11控制所述第一MOS管Q1截止，所述第一驱动电路1的低信号输出端10控制所述第三MOS管Q3导通，所述第一驱动电路1的低信号输出端10输出与低频信号相反的高信号给所述第二驱动电路2；所述第二驱动电路2的高信号输出端21控制所述第四MOS管Q4截止，所述第二驱动电路2的低信号输出端20控制所述第二MOS管Q2导通。从而使得所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4截止，所述第三MOS管Q3和所述第二MOS管Q2导通。
请参见图2，图2所揭示的是改进型全桥驱动电路的另一种实施例，所述改进型全桥驱动电路包括全桥电路(未标识)，以及驱动所述全桥电路工作的第一驱动电路1和第二驱动电路2，所述第一驱动电路1的信号输入端与控制信号PWM连通，所述第二驱动电路2的信号输入端与所述第一驱动电路1输出反相信号的信号输出端电性连接。需要说明的是，所述第一驱动电路1和所述第二驱动电路2是现有技术，在市场上都可以买到，本领域的技术人员都知道其具体结构，因此在这里不在对其结构进行详细的解释说明。
本实施例中，所述控制信号PWM为低频信号时，所述第二驱动电路2的信号输入端与所述第一驱动电路1的高信号输出端11电性连接，所述控制信号PWM是由主控芯片（未画图）发出的。
本实施例中，所述全桥电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4和负载(未标识)，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2的漏极分别与电源VCC电性连接，所述第一MOS管Q1的源极与所述第三MOS管Q3的漏极电性连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述第四MOS管Q4的漏极电性连接，所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4的源极分别接地，所述负载的一端连接在所述第一MOS管Q1的源极和所述第三MOS管Q3的漏极之间，所述负载的另一端连接在所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的漏极之间。
本实施例中，所述负载包括电容C和电感L，所述电容C和所述电感L电性连接，所述电容C的一端连接在所述第一MOS管Q1的源极和所述第三MOS管Q3的漏极之间，所述电容C的另一端与所述电感L的一端电性连接，所述电感L的另一端连接在所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的漏极之间。需要说明的是，所述负载的结构可以是各种结构，不限于上述结构，上述结构只是举例说明。
本实施例中，所述第一驱动电路1的高信号输出端11与所述第四MOS管Q4的栅极电性连接，所述第一驱动电路1的低信号输出端10与所述第二MOS管Q2的栅极电性连接。所述第二驱动电路2的高信号输出端21与所述第一MOS管Q1的栅极电性连接，所述第二驱动电路2的低信号输出端20与所述第三MOS管Q3的栅极电性连接。
本实施例中，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4分别是NMOS管；或者，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述第四MOS管Q4分别是PMOS管(未画图)。
本实施例的工作原理是：所述控制信号PWM为低频信号时，所述第一驱动电路1的低信号输出端10控制所述第二MOS管Q2截止，所述第一驱动电路1的高信号输出端11控制所述第四MOS管Q4导通，所述第一驱动电路1的高信号输出端11输出与低频信号相反的高信号给所述第二驱动电路2；所述第二驱动电路2的高信号输出端21控制所述第一MOS管Q1导通，所述第二驱动电路2的低信号输出端20控制所述第三MOS管Q3截止。从而使得所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4导通，所述第三MOS管Q3和所述第二MOS管Q2截止。
所述控制信号PWM为高频信号时，所述第一驱动电路1的低信号输出端10控制所述第二MOS管Q2导通，所述第一驱动电路1的高信号输出端11控制所述第四MOS管Q4截止，所述第一驱动电路1的高信号输出端11输出与高频信号相反的低信号给所述第二驱动电路2；所述第二驱动电路2的高信号输出端21控制所述第一MOS管Q1截止，所述第二驱动电路2的低信号输出端20控制所述第三MOS管Q3导通。从而使得所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4截止，所述第三MOS管Q3和所述第二MOS管Q2导通。
本实用新型采用了将所述第一驱动电路的信号输入端与所述控制信号连通，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接，利用所述第一驱动电路输出相对于所述控制信号的反相信号作为所述第二驱动电路的输入信号，整个所述改进型全桥驱动电路只采用了一个所述控制信号，通过一个所述控制信号就可以驱动所述改进型全桥驱动电路工作，节省了主控芯片的PWM信号资源，具有结构简单、不会占用主控资源、控制逻辑更为简单和控制逻辑更为有效等优点。
需要说明的是，针对上述各实施方式的详细解释，其目的仅在于对本实用新型进行解释，以便于能够更好地解释本实用新型，但是，这些描述不能以任何理由解释成是对本实用新型的限制，特别是，在不同的实施方式中描述的各个特征也可以相互任意组合，从而组成其他实施方式，除了有明确相反的描述，这些特征应被理解为能够应用于任何一个实施方式中，而并不仅局限于所描述的实施方式。
Claims (10)
1.一种改进型全桥驱动电路，包括全桥电路，以及驱动所述全桥电路工作的第一驱动电路和第二驱动电路，其特征在于：所述第一驱动电路的信号输入端与控制信号连通，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路输出反相信号的信号输出端电性连接。
2.根据权利要求1所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述控制信号为高频信号时，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路的低信号输出端电性连接。
3.根据权利要求1所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述控制信号为低频信号时，所述第二驱动电路的信号输入端与所述第一驱动电路的高信号输出端电性连接。
4.根据权利要求1、2或3所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述全桥电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和负载，所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极分别与电源电性连接，所述第一MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极电性连接，所述第二MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极电性连接，所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极分别接地，所述负载的一端连接在所述第一MOS管的源极和所述第三MOS管的漏极之间，所述负载的另一端连接在所述第二MOS管的源极和所述第四MOS管的漏极之间。
5.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第一驱动电路的高信号输出端与所述第一MOS管的栅极电性连接，所述第一驱动电路的低信号输出端与所述第三MOS管的栅极电性连接。
6.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第二驱动电路的高信号输出端与所述第四MOS管的栅极电性连接，所述第二驱动电路的低信号输出端与所述第二MOS管的栅极电性连接。
7.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第一驱动电路的高信号输出端与所述第四MOS管的栅极电性连接，所述第一驱动电路的低信号输出端与所述第二MOS管的栅极电性连接。
8.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第二驱动电路的高信号输出端与所述第一MOS管的栅极电性连接，所述第二驱动电路的低信号输出端与所述第三MOS管的栅极电性连接。
9.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管分别是NMOS管。
10.根据权利要求4所述的改进型全桥驱动电路，其特征在于：所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管分别是PMOS管。
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| CN201821908015.8U CN209419505U (zh) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 改进型全桥驱动电路 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111749547A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-10-09 | 东风汽车有限公司 | 一种充电枪的电子锁控制装置及充电枪 |
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2018
- 2018-11-20 CN CN201821908015.8U patent/CN209419505U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111749547A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-10-09 | 东风汽车有限公司 | 一种充电枪的电子锁控制装置及充电枪 |
| CN111749547B (zh) * | 2020-05-19 | 2022-07-01 | 东风汽车有限公司 | 一种充电枪的电子锁控制装置、充电桩及汽车 |
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