CN209418549U - 一种cob光源结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种COB光源结构,其可省略传统封装技术中的荧光粉,保证出光均匀,热稳定性好,可解决传统封装材料的老化问题,提高使用寿命,并可实现色温可控,应用范围广;其包括基板,所述基板上围有挡墙,位于所述挡墙的包围区域内的所述基板上排布连接有晶片,所述晶片与所述晶片之间串联和/或并联连接,每个所述晶片上均覆有独立的荧光陶瓷片,所述包围区域内填充有第一硅胶,所述第一硅胶浸没覆盖所述荧光陶瓷片和所述晶片。
Description
技术领域
本实用新型涉及照明技术领域,具体为一种COB光源结构。
背景技术
COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术,其在LED封装技术领域中得到了广泛应用,在现有的COB光源灯具中,COB的不同色温的显示是通过不同荧光粉类型和配置荧光粉的比例来控制,之后和硅胶匀胶后进行点粉盖住晶片,但是随着亮度和功率的需求不断提高,采用的该制作工艺和树脂封装材料,会存在几个问题:很可能会由于封装工艺中荧光粉的沉降造成光输出分档问题,难以保证出光均匀性,且封装材料易老化,耐热性差,在高温和短波光照下易变色等缺陷,另外,这种制作工艺只能显示一种色温,无法在同一个COB里面进行两种色温的转换,无法满足某些场景应用的需求,而且单色温的COB光源也给COB光源灯具的应用带来了一定的局限性。
发明内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种COB光源结构,其可省略传统封装技术中的荧光粉,保证出光均匀,热稳定性好,可解决传统封装材料的老化问题,提高使用寿命,并可实现色温可控,应用范围广。
其技术方案是这样的:其包括基板,所述基板上围有挡墙,位于所述挡墙的包围区域内的所述基板上排布连接有晶片,所述晶片与所述晶片之间串联和/或并联连接,其特征在于:每个所述晶片上均覆有独立的荧光陶瓷片,所述包围区域内填充有第一硅胶,所述第一硅胶浸没覆盖所述荧光陶瓷片和所述晶片。
其进一步特征在于:
所述基板采用铝基板,所述基板与所述晶片之间采用回流焊锡连接;所述晶片与其上对应的所述荧光陶瓷片之间通过第二硅胶黏连,所述第一硅胶、第二硅胶均采用高折射率硅胶材料;
所述基板上围有正方形的所述挡墙,所述挡墙的高度高于所述荧光陶瓷片的安装高度,且低于所述第一硅胶的上表面高度,所述第一硅胶的上表面呈弧形;
所述荧光陶瓷片的厚度为0.2mm~0.4mm;
所述基板上的所述晶片呈10*10阵列排布,所述基板呈正方形,所述晶片采用长方形晶片;
所述基板底面与所述第一硅胶的上表面之间的高度为5mm~6mm,所述基板的厚度为1mm~3mm。
本实用新型的有益效果是,通过在每个晶片上均覆有独立的荧光陶瓷片,则可控制单颗晶片的色温,实现在同一个COB里面进行不同色温的转换,可扩展应用范围,并且采用第一硅胶封装所有晶片和荧光陶瓷片,省略了传统封装技术中的荧光粉,可有助于减少整个COB光源的光衰,提高了发光效率,也可保证出光均匀,以及热稳定性好,解决了传统封装材料的老化问题,提高了使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型的主视结构示意图;
图2是本实用新型的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
如图1、图2所示,本实用新型包括基板1,基板1上围有挡墙2,位于挡墙2的包围区域内的基板1上连接有呈10*10阵列排布的晶片3,晶片3与晶片3之间串联和/或并联连接,每个晶片3发光表面上按照其平面尺寸均覆有独立的荧光陶瓷片4,荧光陶瓷片4的厚度为0.3mm;包围区域内填充有第一硅胶5,第一硅胶5浸没覆盖荧光陶瓷片4和晶片3。
基板1采用铝基板1,也可采用铜材质基板或陶瓷基板,基板1与晶片3之间采用回流焊锡连接;晶片3与其上对应的荧光陶瓷片4之间通过第二硅胶6黏连,第一硅胶5、第二硅胶6均采用高折射率硅胶材料,具有较强的抗腐蚀、抗氧化能力。
基板1上围有正方形的挡墙2,挡墙2的包围区域可根据实际情况设置,可围成条形、圆形、长方形等形状,以形成不同形状的光源,挡墙2的高度高于荧光陶瓷片4的安装高度,且低于第一硅胶5的上表面高度,第一硅胶5的上表面呈弧形;基板1呈正方形,晶片3采用长方形晶片3;基板1底面与第一硅胶5的上表面之间的高度为6mm,基板1的厚度为3mm。
与传统的采用环氧树脂和荧光粉封装工艺相比,本实用新型简化了封装工艺,采用荧光陶瓷片后,出光均匀性好,解决了传统工艺中荧光粉的沉降造成的光输出分档我问题;具有高导热性,解决了散热问题,易于实现高功率;热稳定性好,解决了树脂材料的老化光衰问题,延长了使用寿命。
Claims (6)
1.一种COB光源结构,其包括基板,所述基板上围有挡墙,位于所述挡墙的包围区域内的所述基板上排布连接有晶片,所述晶片与所述晶片之间串联和/或并联连接,其特征在于:每个所述晶片上均覆有独立的荧光陶瓷片,所述包围区域内填充有第一硅胶,所述第一硅胶浸没覆盖所述荧光陶瓷片和所述晶片。
2.根据权利要求1所述的一种COB光源结构,其特征在于:所述基板采用铝基板,所述基板与所述晶片之间采用回流焊锡连接;所述晶片与其上对应的所述荧光陶瓷片之间通过第二硅胶黏连,所述第一硅胶、第二硅胶均采用高折射率硅胶材料。
3.根据权利要求1所述的一种COB光源结构,其特征在于:所述基板上围有正方形的所述挡墙,所述挡墙的高度高于所述荧光陶瓷片的安装高度,且低于所述第一硅胶的上表面高度,所述第一硅胶的上表面呈弧形。
4.根据权利要求1所述的一种COB光源结构,其特征在于:所述荧光陶瓷片的厚度为0.2mm~0.4mm。
5.根据权利要求1所述的一种COB光源结构,其特征在于:所述基板上的所述晶片呈10*10阵列排布,所述基板呈正方形,所述晶片采用长方形晶片。
6.根据权利要求1所述的一种COB光源结构,其特征在于:所述基板底面与所述第一硅胶的上表面之间的高度为5mm~6mm,所述基板的厚度为1mm~3mm。
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2019
- 2019-04-01 CN CN201920435040.7U patent/CN209418549U/zh active Active
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