CN209400853U - 一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板 - Google Patents

一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板,涉及尼康光刻机镜头维护领域。尼康光刻机底部镜头实际受雾化散光影响主要集中在扫描曝光的X方向,本实用新型通过在扫描曝光的X方向放置多列图形组合,其中,每列图形组合中包括多类不同形状的图形,每类图形的线宽尺寸兼容各类光刻机的最小及最大曝光尺寸标准。该掩膜板经曝光后通过扫描电子显微镜自动测量晶圆不同形状、不同线宽尺寸的图形的变化量,表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。本实用新型有效监控光刻机漏光性能稳定性,确保产品品质安全;同时,镜头周期使用率得到最大化,有利于机台保养整体规划。

Description

一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板
技术领域
本实用新型涉及光刻机镜头维护领域,尤其涉及一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板。
背景技术
监控光刻机镜头的雾化散光程度的原理是在镜头开口或形状达到最大前提下,激光透过掩膜板后,漏出的散射光会激活主图形区域周围光刻胶,导致周围光刻胶变形甚至过曝光消失,根据不同尺寸图形,通过电子显微镜目检人为判断行变量并计算获得散射率。
尼康光刻机是利用球形镜头中央最窄最长的一段,进行Y方向扫描曝光。因此底部镜头实际受雾化散光影响在Y方向上几乎可以忽略不计,只有在X方向会受到影响。然而现有技术中,镜头区域在X方向上实际仅3个监控点,只能测定总体雾化散光率,无法测定镜头雾化散光分布趋势,且光刻胶形变是通过人为判断后计算,测量误差较大,对最终进行机台性能判断产生影响。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型提出一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板,包括沿扫描曝光的X方向放置的多列图形组合,每列所述图形组合中包括多类不同形状的图形;
每列所述图形对应于一个透光率;
所述掩模板经曝光后测量晶圆上所述不同形状图形的变化量,表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。
优选的,所述掩模板上包括3列所述图形组合。
优选的,每列所述图形组合中包括4类不同形状的所述图形。
优选的,每类所述图形的线宽尺寸设计兼容各类光刻机的最小及最大的曝光尺寸标准。
优选的,所述掩膜板适用于硅片尺寸为200mm、300mm及450mm的所有尼康光刻机。
优选的,所述掩膜板的版图及所述尼康光刻机的底部镜头不限于特有设计及特有尺寸大小。
本实用新型的有益效果是:通过实时有效监控尼康光刻机漏光性能稳定性,确保产品品质安全的同时,镜头周期使用率达到最大化,有利于机台保养整体规划。
附图说明
图1是本实用新型的较佳实施例中,所述尼康光刻机底部球形镜头扫描曝光示意图;
图2是本实用新型的较佳实施例中,所述掩膜板版图示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。本实用新型并不限定于该实施方式,只要符合本实用新型的主旨,则其他实施方式也可以属于本实用新型的范畴。
如图1所示,尼康光刻机是利用底部球形镜头中央最窄最长的一段,进行Y方向的扫描曝光。
本实用新型的较佳实施例中,提供一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板,包括沿扫描曝光的X方向放置的多列图形组合,每列图形组合中包括多类不同形状的图形;
每列图形对应于一个透光率;
掩模板经曝光后测量晶圆上不同形状图形的变化量,表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。
具体地,本实施例中,如图2所示,每列透光率在扫描曝光的X方向上都放置了100组相同图形组合,控制镜头雾化散光分布精度在250微米。
本实施例中,尼康光刻机的镜头出现雾化散光后,掩模板经曝光后反映到晶圆上,不同形状及不同线宽尺寸的图形,变化量的差异性被突显,镜头区域内线宽尺寸分布趋势差异性被突显,因此,可通过测量晶圆上不同形状及不同线宽尺寸的图形的变化量,表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。
其中,掩模板曝光后,晶圆上不同形状的图形的变化量使用扫描电子显微镜自动测量,排除人为判断的误差因素,使测量结果更加精准。
本实用新型的较佳实施例中,如图2所示,掩模板上包括3列图形组合。
具体地,本实施例中,掩膜板局部透光率会间接造成镜头漏光量差异,为更贴切地反应不同工艺层对于镜头雾化散光敏感度,整块掩膜板根据不同工艺层实际掩膜板透光率,分别选取3列透光率作为本实用新型的较佳实施例。
本实用新型的较佳实施例中,如图2所示,每列图形组合中包括4类不同形状的图形。
本实用新型的较佳实施例中,每类图形的线宽尺寸设计兼容各类光刻机的最小及最大的曝光尺寸标准。
具体地,本实施例中,4类不同形状的图形的线宽尺寸设计兼容各类光刻机的最小及最大的曝光尺寸标准,监控镜头雾化散光对于不同图形的变化量的差异性。
本实用新型的较佳实施例中,掩膜板适用于硅片尺寸为200mm、300mm及450mm的所有尼康光刻机。
本实用新型的较佳实施例中,掩膜板的版图及尼康光刻机的底部镜头不限于特有设计及特有尺寸大小。
以上所述仅为本实用新型较佳的实施例,并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (6)

1.一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板,其特征在于,包括沿扫描曝光的X方向放置的多列图形组合,每列所述图形组合中包括多类不同形状的图形;
每列所述图形对应于一个透光率;
所述掩膜板经曝光后测量晶圆上所述不同形状图形的变化量,表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板上包括3列所述图形组合。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,每列所述图形组合中包括4类不同形状的所述图形。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,每类所述图形的线宽尺寸设计兼容各类光刻机的最小及最大的曝光尺寸标准。
5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板适用于硅片尺寸为200mm、300mm及450mm的所有尼康光刻机。
6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的版图及所述尼康光刻机的底部镜头不限于特有设计及特有尺寸大小。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113504711A (zh) * 2021-06-28 2021-10-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻显影的检测方法
CN114077166A (zh) * 2021-11-25 2022-02-22 上海华力集成电路制造有限公司 获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113504711A (zh) * 2021-06-28 2021-10-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻显影的检测方法
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