CN104167375A - 一种量测宽度的方法 - Google Patents
一种量测宽度的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104167375A CN104167375A CN201410400727.9A CN201410400727A CN104167375A CN 104167375 A CN104167375 A CN 104167375A CN 201410400727 A CN201410400727 A CN 201410400727A CN 104167375 A CN104167375 A CN 104167375A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- measurement
- region
- ebr
- wee
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法，该方法应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，首先在EBR/WEE交界区域选取若干厚度量测点，然后对这些厚度量测点进行测量，由第一个厚度达到正常值的位置坐标计算出该量测点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在所选区域的量测值。该方法操作简单，操作性低，两侧结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。
Description
技术领域
本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法。
背景技术
在半导体微影制程中，Track机台的EBR和WEE的宽度是关键工艺参数，通常情况下，我们采用人工在显微镜下通过机器标尺的方式得出量测值，这种方式量测方式较为复杂，需要人为确定在显微镜机台确认晶边量测位置，且受限于量测标尺的方向性，只能量测3,9,12点钟方向的宽度值，由于人工定义量测起始位置，受晶圆边界灰度判断误差较大，量测结果往往误差较大，且人为读值的数据，无法自动上传系统，无法达到SPC管制的目的。
中国专利(CN103307983A)记载了一种晶圆边缘曝光的工艺的检测方法，在测试晶圆表面邻近边缘处设置有至少一个定位图标群组，在测试晶圆表面涂覆光刻胶，并进行晶圆边缘曝光工艺，利用掩膜版非测试晶圆表面的光刻胶进行全面图形曝光，对光刻胶进行显影，根据图案化的光刻胶的边界位置与定位图标群组的位置关系确定晶圆边缘光刻胶的去除宽度是否符合工艺要求，根据图案化的光刻胶的边界外是否有残留的光刻胶确定晶圆边缘曝光工艺的曝光强度是否符合工艺要求。
上述专利未记载有关对EBR/WEE宽度进行测量的的技术特征。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供一种量测宽度的方法。
一种量测宽度的方法，其特征在于，应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，包括以下步骤：
步骤S1，提供一设置有器件区的半导体衬底，于所述半导体衬底上旋涂光刻胶后，采用EBR/WEE去除所述半导体衬底边缘多余的光刻胶，以形成环绕所述器件区的EBR/WEE区域；
步骤S2，沿所述半导体衬底的中心点向外散射的方向上设置一量测区域，该量测区域从所述器件区延伸至所述EBR/WEE区域；
步骤S3，采用打点的方法在所述量测区域形成若干量测点，对位于所述若干量测点下方的半导体衬底的厚度进行量测；
步骤S4，将量测所得的厚度结果进行分析，得出若干跳跃值，并获取若干跳跃值所对应的量测点中距离半导体衬底边缘最近的量测点，则该量测点与所述半导体衬底边缘的最短距离为量测宽度值；
步骤S5，将量测宽度值结果上传至统计过程控制程序进行管控。
上述的方法，其中，所述量测区域为一条直线。
上述的方法，其中，所述量测点于所述直线上均匀分布。
上述的方法，其中，在光阻厚度量测机台中进行所述步骤S2-S4。
上述的方法，其中，于所述半导体衬底上选取若干量测区域量测，并依次进行步骤S2-S4计算出量测结果，得到整个半导体衬底的EBR/WEE状况。
上述的方法，其中，所述跳跃值为2500-2700埃。
上述的方法，其中，所述跳跃值与所述器件区任一点厚度的吻合度大于0.98。
通过上述方法，选择一晶圆晶边EBR/WEE交界区域，在该区域均匀设置若干量测点，对这些量测点进行测量并计算出EBR/WEE在选定区域中的量测宽度值，该量测方法原理简单，量测结果重复性高，减少了人工操作的误差，且可由厚度机台自动上传统计过程控制系统进行数据管控。
附图说明
图1是本发明宽度量测示意图；
图2是量测结果表格示意图
图3是量测结果坐标示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
本发明提供一种量测宽度的方法，且该方法是在光阻厚度量测因为EBR和WEE的宽度在半导体微影制程中是关键的工艺参数，WEE(wafer edge exposure)也就是在曝光那一步用曝光光线把边缘多余的PR(正胶)曝光，然后再development(显影)把边缘的PR显影掉，正胶曝光后产生酸性的物质，与碱性的显影液反应去除，大约2MM长度，而EBR(edge bead removal)是在coater(涂层器)处，上PR的时候，用nozzle(喷嘴)洗掉的，洗边的好处在于，一般的情况都是wafer边缘的PR厚度会胶厚，也就是边缘的CD(扩散电容)不会很好，而且边缘的PR容易剥落产生赃物。
利用EBR/WEE区域两侧厚度和GOF(goodness of fit)在清洗过后都是比较低的特性，在一有器件区的半导体衬底表面上旋涂光刻胶，采用EBR和/或WEE去除半导体衬底边缘多余的光刻胶，以形成环绕器件区的EBR/WEE区域，然后沿着该半导体衬底的中心点向外散射的方向上设置一量测区域，量测区域可以设置为一长方形区域，优选的为一直线，在该量测区域中采用打点的方式设置若干量测点，且这些量测点均匀的设置于一条直线上，该量测区域从器件区延伸至EBR/WEE区域，对该量测区域中的半导体衬底进行厚度量测，可以看出这些厚度值会有一个明显的跳跃，量取跳跃后的量测点到半导体衬底边缘的距离，其中距离值最小的为本发明所需要量测的宽度值，其中，为了得到更精确的数值，跳跃后的量测点厚度与器件区任一点厚度的吻合度要大于0.98。
为了更好的量测整个晶圆的EBR/WEE的状况，可以在晶圆上均匀的选取若干区域进行量测，然后重复以上的步骤得出量测值，并将量测的结果上传至统计过程控制系统管控，这样就减少了人工操作带来的误差。
优选的，在厚度值跳跃阶段也可以使用该方法进行更精确的测量，从而得到更精确的EBR/WEE的状况。
下面结合实例进行详解
如图1所示，在光阻厚度两侧机台中于半导体衬底边缘EBR/WEE区域上选取若干个厚度量测点(MP1、MP2、MP3、MP4、MP4、MP5、MP6…)，并以半导体衬底上的中心点为原点建立坐标轴，这些量测点位于轴线上。
如图2和图3所示，然后量测这些量测点的厚度数据，因为在清洗过的EBR/WEE区域量测厚度和吻合度都是比较低的，所以量测的厚度数据中会有一个跳跃，如MP4和MP5之间的差距很明显，则可以判断在测量中从MP5开始量测厚度和吻合度达到了正常值，由于MP5为第一个厚度和吻合度达到正常值的位置坐标，也就是厚度值达到了2500-2700埃且吻合度大于0.98，所以可以判断EBR/WEE的清洗边界就是发生在这个位置，借由这个点的位置坐标，可以计算出这个点距离半导体衬底边缘的距离为1.0，也就是说EBR/WEE的清洗宽度为1.0mm，则就计算该点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在选定的区域中的量测值。最后将这些量测结果上传至统计过程控制系统管控。
通过以上的方法，可以减少人工操作产生的误差，且操作简单，量测结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (7)
1.一种量测宽度的方法，其特征在于，应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，包括以下步骤：
步骤S1，提供一设置有器件区的半导体衬底，于所述半导体衬底上旋涂光刻胶后，采用EBR/WEE去除所述半导体衬底边缘多余的光刻胶，以形成环绕所述器件区的EBR/WEE区域；
步骤S2，沿所述半导体衬底的中心点向外散射的方向上设置一量测区域，该量测区域从所述器件区延伸至所述EBR/WEE区域；
步骤S3，采用打点的方法在所述量测区域形成若干量测点，对位于所述若干量测点下方的半导体衬底的厚度进行量测；
步骤S4，将量测所得的厚度结果进行分析，得出若干跳跃值，并获取若干跳跃值所对应的量测点中距离半导体衬底边缘最近的量测点，则该量测点与所述半导体衬底边缘的最短距离为量测宽度值；
步骤S5，将量测宽度值结果上传至统计过程控制程序进行管控。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量测区域为一条直线。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述量测点于所述直线上均匀分布。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在光阻厚度量测机台中进行所述步骤S2-S4。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述半导体衬底上选取若干量测区域量测，并依次进行步骤S2-S4计算出量测结果，得到整个半导体衬底的EBR/WEE状况。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述跳跃值为2500-2700埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述跳跃值与所述器件区任一点厚度的吻合度大于0.98。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410400727.9A CN104167375A (zh) | 2014-08-14 | 2014-08-14 | 一种量测宽度的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410400727.9A CN104167375A (zh) | 2014-08-14 | 2014-08-14 | 一种量测宽度的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104167375A true CN104167375A (zh) | 2014-11-26 |
Family
ID=51911140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410400727.9A Pending CN104167375A (zh) | 2014-08-14 | 2014-08-14 | 一种量测宽度的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104167375A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106556976A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-04-05 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于量测光阻膜厚监控光阻洗边精度的方法及系统 |
| CN106643598A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-05-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测淀积APF设备阴影shadowring位偏及解决方法 |
| CN110767566A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-02-07 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆膜层厚度检测方法及洗边边界检测方法 |
-
2014
- 2014-08-14 CN CN201410400727.9A patent/CN104167375A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106643598A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-05-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测淀积APF设备阴影shadowring位偏及解决方法 |
| CN106556976A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-04-05 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于量测光阻膜厚监控光阻洗边精度的方法及系统 |
| CN106556976B (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-12 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于量测光阻膜厚监控光阻洗边精度的方法及系统 |
| CN110767566A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-02-07 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆膜层厚度检测方法及洗边边界检测方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI591326B (zh) | 檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵 | |
| US10249523B2 (en) | Overlay and semiconductor process control using a wafer geometry metric | |
| CN107148597B (zh) | 度量方法、目标和衬底 | |
| CN106158679B (zh) | 结合晶圆实体测量与数位模拟以改善半导体元件制程方法 | |
| JP2013535819A5 (zh) | ||
| JP2006287232A (ja) | Ｃｄを動態制御する整合式光学計測およびリソグラフィ工程のシステム | |
| CN100587934C (zh) | 光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法 | |
| US9558545B2 (en) | Predicting and controlling critical dimension issues and pattern defectivity in wafers using interferometry | |
| CN104167375A (zh) | 一种量测宽度的方法 | |
| TW200947232A (en) | Information processing apparatus, information processing method, and memory medium | |
| US20050188342A1 (en) | Method of determining the overlay accuracy of multiple patterns formed on a semiconductor wafer | |
| KR102563127B1 (ko) | 반도체 제조 프로세스의 이벤트의 근본 원인을 결정하고 반도체 제조 프로세스를 모니터링하기 위한 방법 | |
| US10955359B2 (en) | Method for quantification of process non uniformity using model-based metrology | |
| US20130282343A1 (en) | Method and system for use in measuring in complex patterned structures | |
| JP2006319217A (ja) | 塗布検査方法及び液浸露光方法 | |
| CN109491197A (zh) | 一种掩膜版及镜头照明均一性的检测方法 | |
| CN111426701B (zh) | 一种晶圆缺陷检测方法及其装置 | |
| CN107748484A (zh) | 一种最小曝光能量的测量方法 | |
| JP2009514191A (ja) | 撮像されたウェハの画像の評価方法 | |
| CN105278252B (zh) | 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 | |
| JPH05102031A (ja) | 感光性被膜の感度測定法及び耐蝕性被膜の形成法 | |
| CN102508413B (zh) | 获取光阻厚度变化和监控光阻厚度对图形尺寸影响的方法 | |
| CN101211115A (zh) | 评估显影能力的方法 | |
| CN116952545B (zh) | 光刻机焦距偏移监测方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| CN106323181B (zh) | 光刻胶厚度的确定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20141126 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |