CN209358503U - 一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器 - Google Patents
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Abstract
一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，晶体管和反馈网络及分配网络，所述晶体管由半导体材料制成，反馈网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，分配网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。本实用新型微波多路径反馈宽带低噪声放大器由晶体管和反馈网络及分配网络使用微波单片集成技术制作，实现了小面积、宽带低噪声放大功能。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，具体地，涉及一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器。
背景技术
微波宽带低噪声放大器用于在射频范围(10KHz-300GHz)内的工作频率大于一个倍频程以上的做微弱信号放大且自身产生的噪声较低的放大器，在微波电子技术行业起到重要作用。但要实现较宽的工作带宽和较低的噪声系数这两者之间是较难同时实现的。
因此，需要一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，本装置包括晶体管和反馈网络及分配网络，所述晶体管由半导体材料制成，反馈网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，图1为几种典型的由电阻、电感和电容组成反馈网络的电路拓扑结构图，分配网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，本实用新型微波多路径反馈宽带低噪声放大器由晶体管和反馈网络及分配网络使用微波单片集成技术制作，实现了小面积、宽带低噪声放大功能。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是：
一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，可降低低频段输入端口的反射系数，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构，可使设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口和输出端口反射系数的作用。
进一步的，还包括第三反馈网络Z3,所述第三反馈网络Z3与所述第一晶体管Q1构成串联反馈放大结构，可使在设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口反射系数的作用。
进一步的，还包括第四反馈网络Z4，所述第四反馈网络Z4与所述第二晶体管Q2构成第二并联反馈放大结构。
进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第三分配网络T3，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第一分配网络T1和所述第三分配网络T3形成的并联结构串联。
进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第四分配网络T4，其中所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第二分配网络T2和所述第四分配网络T4形成的并联结构串联。
进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2、第三分配网络T3和第四分配网络T4，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成第一并联结构，所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成第二并联结构，所述第一并联结构与所述第二并联结构串联，由T1、T2、T3、T4构成分配网络可使设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口和输出端口反射系数的作用。
进一步的，所述第一反馈网络Z1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二反馈网络Z2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三反馈网络Z3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四反馈网络Z4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
进一步的，所述第一分配网络T1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二分配网络T2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三分配网络T3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四分配网络T4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
综上，本实用新型的有益效果是：
本装置包括晶体管和反馈网络及分配网络，所述晶体管由半导体材料制成，反馈网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，分配网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，本实用新型微波多路径反馈宽带低噪声放大器由晶体管和反馈网络及分配网络使用微波单片集成技术制作，实现了小面积、宽带低噪声放大功能。
附图说明
图1是传统的反馈网络的电路拓扑结构图。
图2是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
图3是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
图4是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
图5是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
图6是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
图7是本实用新型的其中一个实施例电路拓扑结构图。
具体实施方式
为了解决现有技术中，微波宽带低噪声放大器用于在射频范围(10KHz-300GHz)内的工作频率大于一个倍频程以上的做微弱信号放大且自身产生的噪声较低的放大器，在微波电子技术行业起到重要作用，但要实现较宽的工作带宽和较低的噪声系数这两者之间是较难同时实现的的情况；本实用新型包括晶体管和反馈网络及分配网络，所述晶体管由半导体材料制成，反馈网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，图1为几种典型的由电阻、电感和电容组成反馈网络的电路拓扑结构图，分配网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，本实用新型微波多路径反馈宽带低噪声放大器由晶体管和反馈网络及分配网络使用微波单片集成技术制作，实现了小面积、宽带低噪声放大功能。下面结合实施例及附图，对本实用新型作进一步地的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此，图中的只是本实用新型应用的一个示例，对本实用新型的原理没有本质性的约束。
实施例1：
如图2所示，一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，可降低低频段输入端口的反射系数，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构，可使设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口和输出端口反射系数的作用。
实施例2：
如图3-图7所示，在实施例1的基础上进一步的，进一步的，还包括第三反馈网络Z3,所述第三反馈网络Z3与所述第一晶体管Q1构成串联反馈放大结构，可使在设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口反射系数的作用。
在本实施例中进一步的，还包括第四反馈网络Z4，所述第四反馈网络Z4与所述第二晶体管Q2构成第二并联反馈放大结构。
在本实施例中进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第三分配网络T3，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第一分配网络T1和所述第三分配网络T3形成的并联结构串联。
在本实施例中进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第四分配网络T4，其中所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第二分配网络T2和所述第四分配网络T4形成的并联结构串联。
在本实施例中进一步的，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2、第三分配网络T3和第四分配网络T4，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成第一并联结构，所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成第二并联结构，所述第一并联结构与所述第二并联结构串联，由T1、T2、T3、T4构成分配网络可使设计工作带宽内增益平坦化，同时可起到降低输入端口和输出端口反射系数的作用。
在本实施例中进一步的，所述第一反馈网络Z1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二反馈网络Z2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三反馈网络Z3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四反馈网络Z4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
在本实施例中进一步的，所述第一分配网络T1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二分配网络T2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三分配网络T3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四分配网络T4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
以上仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，应视为本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构。
2.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第三反馈网络Z3,所述第三反馈网络Z3与所述第一晶体管Q1构成串联反馈放大结构。
3.根据权利要求2所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第四反馈网络Z4，所述第四反馈网络Z4与所述第二晶体管Q2构成第二并联反馈放大结构。
4.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第三分配网络T3，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第一分配网络T1和所述第三分配网络T3形成的并联结构串联。
5.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第四分配网络T4，其中所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第二分配网络T2和所述第四分配网络T4形成的并联结构串联。
6.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2、第三分配网络T3和第四分配网络T4，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成第一并联结构，所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成第二并联结构，所述第一并联结构与所述第二并联结构串联。
7.根据权利要求3所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一反馈网络Z1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二反馈网络Z2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三反馈网络Z3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四反馈网络Z4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
8.根据权利要求6所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一分配网络T1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二分配网络T2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三分配网络T3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四分配网络T4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
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|---|---|---|---|---|
| CN117118363A (zh) * | 2023-10-24 | 2023-11-24 | 中科海高(成都)电子技术有限公司 | 一种高谐波抑制的有源二倍频电路 |
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