CN209292479U - 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 - Google Patents
一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209292479U CN209292479U CN201821952594.6U CN201821952594U CN209292479U CN 209292479 U CN209292479 U CN 209292479U CN 201821952594 U CN201821952594 U CN 201821952594U CN 209292479 U CN209292479 U CN 209292479U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- atomization
- atomization tank
- reaction chamber
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000026683 transduction Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010361 transduction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Special Spraying Apparatus (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,包括超声雾化系统和反应系统,所述超声雾化系统包括雾化罐进气管道、超声雾化仪、雾化罐和雾化罐排气管道,所述超声雾化仪与雾化罐底部连接,所述雾化罐顶部设有前驱体溶液注入孔。本实用新型不需要提供特殊气氛范围,设备简单,在成膜过程中借助超声雾化仪对前驱体溶液进行雾化,雾化产生的前驱体溶液雾化气通过载气输送到反应室的压电换能单元辐射面与衬底之间的间隙空间,利用压电换能单元辐射面与衬底之间所产生超声场中的声辐射力和声学流等非线性效应,将间隙中的气溶胶驱动并输送到加热衬底上进行成膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及纳米材料技术领域,具体涉及一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置。
背景技术
纳米薄膜是指由尺寸为纳米数量级(1~100nm)的组元连接生长于基体所形成的薄膜材料,包括纳米尺寸量级的敏感功能材料(如半导体材料、导电聚合物等)构成的薄膜,将纳米晶粒镶嵌于薄膜之中构成的复合薄膜,以及每层厚度在纳米量级的单层膜或多层复合薄膜等,其组元一般为1~100nm的零维或一维纳米材料。由于纳米材料在其薄膜化过程的特殊性而出现的特异性结构和形状效应,它的载流子运输行为、机械性能、磁性、光学和热学性质均发生了较大的改变。纳米敏感薄膜的性能强烈依赖于组元的粒径、膜厚、表面形貌及内部结构等。同传统宏观尺寸的薄膜相比,纳米敏感薄膜具有超电导、巨霍尔效应、可见光区发射等独特性能。现有的纳米敏感薄膜制备方法主要分为物理方法(真空蒸发法、溅射沉积法等)和化学方法(化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、电化学法等)。
在现有的纳米敏感薄膜制作过程中,传统的物理和化学制备方法对敏感纳米材料的沉积或生长环境(高温或特殊气氛环境)有极为苛刻的要求,存在设备工艺复杂、能耗高、耗时长等缺点;同时,在制备过程中纳米薄膜的厚度较难控制。较高的生产成本和复杂的制备工艺限制了纳米敏感薄膜技术的推广。
实用新型内容
实用新型目的:为了克服上述现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,设备简单、能耗低且制备过程中纳米薄膜的厚度易于控制。
技术方案:本实用新型一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,包括超声雾化系统和反应系统,所述超声雾化系统包括雾化罐进气管道、超声雾化仪、雾化罐和雾化罐排气管道,所述超声雾化仪与雾化罐底部连接,所述雾化罐顶部设有前驱体溶液注入孔,所述雾化罐一侧与雾化罐进气管道相连通,另一侧通过雾化罐排气管道与反应系统连接;所述反应系统包括压电换能单元、反应室排气管道、反应室、衬底、加热器和弹性元件,所述反应室底部与加热器连接,所述加热器上端面且位于反应室内设有衬底,所述反应室顶部通过弹性元件与压电换能单元连接,所述压电换能单元辐射面与衬底平行且形成间隙空间,所述反应室排气管道与反应室相连,用于反应废气的排出;所述雾化罐排气管道与反应室相连,并伸入到压电换能单元辐射面与衬底形成的间隙空间处。
进一步的,所述雾化罐进气管道和雾化罐排气管道分别设有雾化罐进气管道控制阀门和雾化罐排气管道控制阀门,用于控制前驱体溶液雾气进入反应室的流量与流速。
进一步的,所述加热器对衬底的加热温度可调节,其调整范围为25~700℃。
进一步的,所述压电换能单元采用单层压电片、压电叠堆或夹心式超声换能器中的一种。
进一步的,所述压电换能单元的共振频率可调节,其调整范围是10~ 100kHz。
进一步的,所述弹性元件为弹簧。
有益效果:本实用新型的制备装置不需要提供特殊气氛范围,设备简单,在成膜过程中依靠压电换能单元辐射面与衬底之间的超声场所产生的声辐射力和声学流等非线性效应,直接从前驱体溶液雾化气中摄取雾气小液滴并输送到加热衬底之上,一方面降低了前驱体溶液雾化气直接喷涂在衬底表面所引起的衬底温度变化幅度,也避免了雾化气凝结成小液滴滴落破坏薄膜完整性的问题;另一方面压电换能单元所产生的超声场分布均匀,保证了超声场所摄取的雾化气液滴在输送到衬底过程中雾化气液滴沉积速度、流量的稳定性,使得雾化气液滴在衬底表面固化成膜时可以保持较高的均匀性与一致性,并且也易实现薄膜的重复性制备;用于制备半导体纳米敏感材料、金属纳米敏感材料、导电聚合物纳米敏感材料等纳米敏感薄膜或复合薄膜,应用领域广,操作简单、效果优良;同时本实用新型具有无噪音、可靠性好、可小型化、成本低等优点,具有一定的推广价值。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步描述:
如图1所示,本实用新型的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,包括超声雾化系统和反应系统,超声雾化系统包括雾化罐进气管道1、超声雾化仪3、雾化罐5和雾化罐排气管道6,超声雾化仪3与雾化罐5底部连接,雾化罐5放置于超声雾化仪3内,并借助超声雾化仪3作用产生前驱体溶液雾化气,雾化罐 5顶部设有前驱体溶液注入孔4,雾化罐5一端与雾化罐进气管道1相连通,雾化罐进气管道1尾端伸入到雾化罐5内前驱体溶液的液面以下;雾化罐5另一端通过雾化罐排气管道6与反应系统一侧连接,即雾化罐排气管道6始端与雾化罐 5相连,雾化罐排气管道6与雾化罐5相连的一端处于前驱体溶液的液面以上;其中雾化罐进气管道1和雾化罐排气管道6分别设有雾化罐进气管道控制阀门2 和雾化罐排气管道控制阀门7,用于控制前驱体溶液雾气进入反应室10的流量与流速。
反应系统包括压电换能单元8、反应室排气管道9、反应室10、衬底11、加热器12和弹性元件13,反应室10底部与加热器12连接,加热器12对衬底11 的加热温度可调节,其调整范围为25~700℃;加热器12上端面且位于反应室 10内设有衬底11,反应室10顶部通过弹性元件13与压电换能单元8连接,弹性元件13为弹簧,压电换能单元8采用单层压电片、压电叠堆或夹心式超声换能器中的一种即可,同时压电换能单元8的共振频率可调节,其调整范围是10~ 100kHz;压电换能单元8辐射面与衬底11平行且形成间隙空间,雾化罐排气管道6尾端与反应室10相连,并伸入到压电换能单元8辐射面与衬底11形成的间隙空间处,反应室排气管道9与反应室10相连,并置于反应室10进气一侧的相反方向,用于反应废气的排出。
本实用新型原理为:前驱体溶液经雾化罐5前驱体溶液注入孔4注入到雾化罐5中,前驱体溶液经超声雾化仪3作用,由液体雾化成微米级气态雾化气,这些雾化气在载气的作用下被输入到压电换能单元8辐射面与衬底11之间的间隙空间;通过对压电换能单元8施加激励电压,压电换能单元8产生振动,并在压电换能单元8辐射面与加热器12之间的间隙空间产生超声场,压电换能单元8 辐射面与加热器12之间所产生超声场会产生声辐射力和声学流等非线性效应,此时超声场中的非线性效应会驱动前驱体溶液雾化气,并将其输送到加热的衬底 11之上,一方面降低了前驱体溶液雾化气直接喷涂在衬底11表面所引起的衬底 11温度变化幅度,也避免了前驱体溶液雾化气凝结成小液滴滴落破坏薄膜完整性的问题;另一方面压电换能单元8所产生的超声场分布均匀,保证了超声场所摄取的前驱体溶液雾化气液滴在输送到衬底11过程中前驱体溶液雾化气液滴沉积速度、流量的稳定性,使得前驱体溶液雾化气液滴在衬底11表面固化成膜时可以保持较高的均匀性与一致性,并且也易实现薄膜的重复性制备;然后衬底 11表面沉积的前驱体溶液雾化气液滴在加热器12作用下,经过溶剂的蒸发和溶质热分解反应过程,最终在衬底11上形成固体纳米敏感薄膜,而固体纳米敏感薄膜的厚度可通过调节前驱体溶液雾化气液滴的沉积时间和压电换能单元8的共振频率共同调整。
本实用新型一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置不需要提供特殊气氛范围,设备工艺简单,在成膜过程中主要依靠压电换能单元8辐射面与衬底11之间的超声场所产生的声辐射力和声学流等非线性效应,将间隙中的前驱体溶液雾化气驱动并输送到加热衬底11上进行成膜,可以广泛应用于半导体纳米敏感材料制备领域。
Claims (6)
1.一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,包括超声雾化系统和反应系统,其特征在于:
所述超声雾化系统包括雾化罐进气管道、超声雾化仪、雾化罐和雾化罐排气管道,所述超声雾化仪与雾化罐底部连接,所述雾化罐顶部设有前驱体溶液注入孔,所述雾化罐一侧与雾化罐进气管道相连通,另一侧通过雾化罐排气管道与反应系统连接;
所述反应系统包括压电换能单元、反应室排气管道、反应室、衬底、加热器和弹性元件,所述反应室底部与加热器连接,所述加热器上端面且位于反应室内设有衬底,所述反应室顶部通过弹性元件与压电换能单元连接,所述压电换能单元辐射面与衬底平行且形成间隙空间,所述反应室排气管道与反应室相连,用于反应废气的排出;
所述雾化罐排气管道与反应室相连,并伸入到压电换能单元辐射面与衬底形成的间隙空间处。
2.根据权利要求1所述的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,其特征在于:所述雾化罐进气管道和雾化罐排气管道分别设有雾化罐进气管道控制阀门和雾化罐排气管道控制阀门。
3.根据权利要求1所述的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,其特征在于:所述加热器对衬底的加热温度可调节,其调整范围为25~700℃。
4.根据权利要求1所述的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,其特征在于:所述压电换能单元采用单层压电片、压电叠堆或夹心式超声换能器中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,其特征在于:所述压电换能单元的共振频率可调节,其调整范围是10~100kHz。
6.根据权利要求1所述的一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置,其特征在于:所述弹性元件为弹簧。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821952594.6U CN209292479U (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821952594.6U CN209292479U (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209292479U true CN209292479U (zh) | 2019-08-23 |
Family
ID=67646187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201821952594.6U Active CN209292479U (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209292479U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109306477A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-05 | 南京航空航天大学 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置及制备方法 |
-
2018
- 2018-11-26 CN CN201821952594.6U patent/CN209292479U/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109306477A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-05 | 南京航空航天大学 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置及制备方法 |
CN109306477B (zh) * | 2018-11-26 | 2023-09-26 | 南京航空航天大学 | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置及制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hong et al. | High-sensitivity humidity sensors with ZnO nanorods based two-port surface acoustic wave delay line | |
US8840985B2 (en) | Composition for forming inorganic pattern and method for forming inorganic pattern using the same | |
CN103382625B (zh) | 纳米薄膜的制备方法 | |
Flewitt et al. | ZnO based SAW and FBAR devices for bio-sensing applications | |
Zhou et al. | Nebulization using ZnO/Si surface acoustic wave devices with focused interdigitated transducers | |
Zhou et al. | Discrete microfluidics based on aluminum nitride surface acoustic wave devices | |
Le et al. | Humidity sensors based on AlN microcantilevers excited at high-order resonant modes and sensing layers of uniform graphene oxide | |
JP2008535752A5 (zh) | ||
Zhou et al. | Characterisation of aluminium nitride films and surface acoustic wave devices for microfluidic applications | |
CN209292479U (zh) | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置 | |
CN111659478B (zh) | 一种用于微粒子分离的超声表面驻波微流控芯片和应用 | |
CN103043601B (zh) | 一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置 | |
CN101660158A (zh) | 一种薄膜制备装置 | |
CN101847459A (zh) | 一种复合型碳纳米管导电薄膜及其制备方法和制备装置 | |
CN109306477A (zh) | 一种超声辅助的纳米敏感薄膜制备装置及制备方法 | |
Cui et al. | Mechanics of 2D material bubbles | |
Yang et al. | Dynamic mitigation mechanisms of rime icing with propagating surface acoustic waves | |
CN107385394B (zh) | ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用 | |
US20120196053A1 (en) | Methods for creating an electrically conductive transparent structure | |
Shan et al. | Spray characteristics of an ultrasonic microdroplet generator with a continuously variable operating frequency | |
WO2019124151A1 (ja) | 成膜方法 | |
Shi et al. | Anti‐icing polyimide thin film with microcolumns fabricated by RIE with cooling and PCVD | |
US20170130325A1 (en) | Vacuum evaporation method | |
KR20200034926A (ko) | 층상 구조 물질의 무화식 박막 증착 방법 및 그 장치 | |
Wang et al. | Acoustofluidic Behaviors of Zno/Al Plate/Sheet Acoustic Wave Devices Using Hybrid Modes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |