CN209282227U - 硅片制绒系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,提供一种硅片制绒系统。该硅片制绒系统可以包括清洗装置、承载装置、加热装置、传输装置和制绒装置。清洗装置用于去除硅片表面污染;承载装置用于承载硅片;加热装置用于对硅片进行加热;传输装置与加热装置连通,承载装置放置于传输装置,在需要对需加热器件加热时用于将承载装置送入加热装置,在加热结束后,用于将承载装置取出加热装置;制绒装置用于对经过加热后的硅片进行制绒。该硅片制绒系统得到的制绒后硅片表面的残留很少,几乎没有,相较于现有技术,提升了产品的品质。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种硅片制绒系统。
背景技术
太阳能电池的使用越来越广泛,在制作太阳能电池时均会用到硅片制绒系统。
现有技术中的硅片制绒系统,在制绒结束后出现白斑、手指印等多种残留,导致产品质量较低。
因此有必要设计一种新的硅片制绒系统。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的产品质量较低的不足,提供一种制绒后无残留且产品质量较高的硅片制绒系统。
本实用新型的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本实用新型的实践而习得。
根据本实用新型的一个方面,一种硅片制绒系统,包括:
清洗装置,用于去除硅片表面污染;
承载装置,用于承载硅片;
加热装置,用于对硅片进行加热;
传输装置,与加热装置连通,所述承载装置放置于所述传输装置,在需要对需加热器件加热时用于将承载装置送入加热装置,在加热结束后,用于将承载装置取出加热装置;
制绒装置,用于对经过加热后的硅片进行制绒。
在本公开的一种示例性实施例中,所述清洗装置包括:
混合酸溶液,包括盐酸和氢氟酸,用于清洗硅片表面的污染。
在本公开的一种示例性实施例中,所述承载装置包括:
腔体;
支撑架,包括第一支撑板与第二支撑板,所述第一支撑板与所述第二支撑板垂直连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述腔体为长方体空腔,具有一个开口,所述腔体包括:
第一底板;
第二底板,与所述第一底板相对设置;
第一侧板,与所述开口相对设置,且与所述第一底板以及第二底板垂直连接;
两个第二侧板,与所述第一侧板、第一底板以及第二底板垂直连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一支撑板以及所述第二支撑板设于所述两个第二侧板之间,且与所述第二侧板垂直设置;所述第一支撑板与所述第一侧板之间具有第一预设角度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热装置包括:
石英管;
加热器,设于所述石英管外部,用于对所述石英管加热;
第一温度控制器,与所述加热器连接以及所述石英管连接,用于控制加热器使得石英管内部温度在温度误差范围内处于恒温;
氮气保护结构,与所述石英管连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述温度误差范围为±2摄氏度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述传输装置包括:
传输带;穿设于所述石英管;
传输电机;与所述传输带连接,用于驱动所述传输带;
传输控制器,与所述传输电机连接,用于控制传输电机的启停。
在本公开的一种示例性实施例中,所述传输装置包括:
反应容器;
第二温度控制器,与所述反应容器连接,用于将所述反应容器内的温度控制在第一预设温度范围;
制绒液,设于所述反应容器内,用于与所述硅片进行反应,完成制绒。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二预设温度范围为大于等于60摄氏度小于等于80摄氏度。
由上述技术方案可知,本实用新型具备以下优点和积极效果中的至少之一:
本实用新型硅片制绒系统,清洗装置对硅片进行清洗,之后将清洗后的硅片放置于硅片承载装置,传输装置将装有硅片的承载装置送入加热装置,在加热结束后,传输装置将装有硅片的承载装置取出加热装置,将硅片取出承载装置,在制绒装置中完成制绒,经过加热装置后,硅片表面不易产生残留,在制绒之后,硅片表面的残留很少,几乎没有,相较于现有技术,提升了产品的品质。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式,本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本实用新型硅片制绒系统的结构示意图;
图2是承载装置的简化结构示意图;
图3是承载装置的结构示意图;
图中主要元件附图标记说明如下:
1、清洗装置;
2、承载装置;21、支撑架;211、第一支承板;212第二支撑板;
3、加热装置;31、加热器;32、石英管;33、第一温度控制器;34、氮气保护结构;
41、传输带;42、传输电机;43、传输控制器;
5、制绒装置。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
硅片在切片清洗时未清洗干净的残留物及清洗后再次污染的残留物中的一部分残留物可以通过制绒时双氧水与氢氧化钠溶液高温下清洗干净,一部分严重残留物则处理效果不理想,制绒后出现白斑、手指印等,导致铲平质量较低。
本实用新型提供一种硅片制绒系统,参照图1所示,该硅片制绒系统可以包括清洗装置1、承载装置2、加热装置3、传输装置和制绒装置5。清洗装置1用于去除硅片表面污染;承载装置2用于承载硅片;加热装置3用于对硅片进行加热;传输装置与加热装置3连通,承载装置2放置于传输装置,在需要对需加热器31件加热时,传输装置用于将承载装置2送入加热装置3,在加热结束后,传输装置用于将承载装置2取出加热装置3;制绒装置5用于对经过加热后的硅片进行制绒。
清洗装置对硅片进行清洗,之后将清洗后的硅片放置于硅片承载装置2,传输装置将装有硅片的承载装置2送入加热装置3,在加热结束后,传输装置将装有硅片的承载装置2取出加热装置,将硅片取出承载装置2,在制绒装置5中完成制绒,进过加热装置3后,硅片表面不易产生残留,在制绒之后,硅片表面的残留很少,几乎没有,相较于现有技术,提升了产品的品质。
清洗装置1用于清洗硅片,去除硅片表面的金属氧化物以及污染,清洗装置1可以包括酸洗结构与水洗结构,酸洗结构中可以包括混合酸溶液,混合酸溶液可以包括盐酸和氢氟酸,利用盐酸和氢氟酸的强酸性处理清洗硅片表面的金属氧化物以及污染。之后再使用水洗结构将硅片表面的混合酸溶液清理干净。
参照图2所示,承载装置2用于承载硅片,可以包括腔体与支撑架21。腔体可以为长方体腔体,可以包括开口,第一底板、第二底板、第一侧板和两个第二侧板;第二底板与第一底板相对设置,第一底板和第二底板为图中的x轴方向的把两个板;开口方向为y轴正方向,第一侧板与所述开口相对设置,且与第一底板以及第二底板垂直连接;两个第二侧板与第一侧板、第一底板以及第二底板垂直连接,两个第二侧板为z轴方向上的两个。承载装置2的材质可以是石英,具有良好的耐高温特性,也可以是其他耐高温且性质稳定的材质。
参照图2和图3所示,支撑架21可以包括第一支撑板211和第二支撑板212,第一支撑板211与第二支撑板212垂直连接,支撑架21位于腔体内且与两个第二侧板垂直设置,第一支撑板211与上述第一侧板之间具有第一预设角度,第一预设角度大约可以为45度,也可以是大于等于30度小于等于70度任一角度,这样可以在增加硅片承载装置2能够承载硅片的数量。腔体内支撑架21的数量可以为19个,也可以为大于等于10个小于等于25个的任意数量。
参照图1所示,传输装置与加热装置3连通,承载装置2放置于所述传输装置,在需要对需加热器31件加热时用于将承载装置2送入加热装置3,在加热结束后,用于将承载装置2取出加热装置3。传输装置可以包括传输带41、传输电机42和传输控制器43、传输带41用于传输承载装置2,且与传输电机42连接,传输带的材质为耐高温材质;传输电机42用于驱动传输带41运动,传输控制器43与传输电机连接,用于控制传输电机42的启停。
参照图1所示,加热装置3用于对硅片进行加热,加热装置3可以包括石英管32、加热器31、第一温度控制器33,氮气保护结构34。传输装置穿过石英管32,加热器31与石英管32连接,用于对石英管32加热;第一温度控制器33与石英管32以及加热器31连接,使得石英管32内的温度控制在设定温度的温度误差范围内,温度误差范围可以为±2摄氏度;设定温度可以是700摄氏度。也可以是可以大于等于600摄氏度小于等于900摄氏度的任意温度。
参照图1所示,氮气保护结构34与石英管32连接,用于保护石英管32内的承载装置2上放置的硅片,防止在高温下硅片与其他气体发生反应,导致硅片产品质量下降。
参照图1所示,制绒装置5可以包括反应容器、第二温度控制器以及制绒液,第二温度控制器用于将反应容器内的温度控制在预设温度范围内,预设温度范围可以为大于等于60摄氏度小于等于80摄氏度,制绒液设于反应容器内,用于与硅片发生反应完成制绒工艺,制绒液可以包括双氧水与氢氧化钠溶液。
上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中,如有可能,各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本实用新型的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本实用新型的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本实用新型的各方面。
本说明书中使用“约”“大约”的用语通常表示在一给定值或范围的20%之内,较佳是10%之内,且更佳是5%之内。在此给定的数量为大约的数量,意即在没有特定说明的情况下,仍可隐含“约”“大约”“大致”“大概”的含义。
当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
本说明书中,用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
应可理解的是,本实用新型不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本实用新型能够具有其他实施方式,并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本实用新型的范围内。应可理解的是,本说明书公开和限定的本实用新型延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本实用新型的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本实用新型的最佳方式,并且将使本领域技术人员能够利用本实用新型。
Claims (10)
1.一种硅片制绒系统,其特征在于,包括:
清洗装置,用于去除硅片表面污染;
承载装置,用于承载所述硅片;
加热装置,用于对所述硅片进行加热;
传输装置,与加热装置连通,所述承载装置放置于所述传输装置,在需要对所述硅片加热时用于将所述承载装置送入所述加热装置,在加热结束后,用于将所述承载装置取出加热装置;
制绒装置,用于对经过加热后的所述硅片进行制绒。
2.根据权利要求1所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述清洗装置包括:
混合酸溶液,包括盐酸和氢氟酸,用于清洗所述硅片表面的污染。
3.根据权利要求1所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述承载装置包括:
腔体;
支撑架,包括第一支撑板与第二支撑板,所述第一支撑板与所述第二支撑板垂直连接。
4.根据权利要求3所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述腔体为长方体空腔,具有一个开口,所述腔体包括:
第一底板;
第二底板,与所述第一底板相对设置;
第一侧板,与所述开口相对设置,且与所述第一底板以及第二底板垂直连接;
两个第二侧板,与所述第一侧板、第一底板以及第二底板垂直连接。
5.根据权利要求4所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述第一支撑板以及所述第二支撑板设于所述两个第二侧板之间,且与所述第二侧板垂直设置;所述第一支撑板与所述第一侧板之间具有第一预设角度。
6.根据权利要求1所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述加热装置包括:
石英管;
加热器,设于所述石英管外部,用于对所述石英管加热;
第一温度控制器,与所述加热器连接以及所述石英管连接,用于控制加热器使得石英管内部温度在误差范围内处于恒温;
氮气保护结构,与所述石英管连接。
7.根据权利要求6所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述温度误差范围为±2摄氏度。
8.根据权利要求6所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述传输装置包括:
传输带;穿过所述石英管;
传输电机;与所述传输带连接,用于驱动所述传输带;
传输控制器,与所述传输电机连接,用于控制传输电机的启停。
9.根据权利要求1所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述制绒装置包括:
反应容器;
第二温度控制器,与所述反应容器连接,用于将所述反应容器内的温度控制在预设温度范围;
制绒液,设于所述反应容器内,用于与所述硅片进行反应,完成制绒。
10.根据权利要求9所述的硅片制绒系统,其特征在于,所述预设温度范围为大于等于60摄氏度小于等于80摄氏度。
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