CN209276631U - 一种原子层沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种原子层沉积设备，涉及原子层沉积技术领域；包括主体，所述主体内部设置有用于容置放置盒和喷气组件空腔，所述放置盒为多层结构，所述放置盒外侧设置有多组喷气组件；所述喷气组件上设置有与放置盒上每层晶圆对应设置的喷嘴，所述放置盒上端设置有电动升降装置，所述电动升降装置设置有调速装置。本实用新型运行平稳，保证了晶圆的原子层沉积质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积技术领域，具体是一种原子层沉积设备。
背景技术
原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。
现有的原子层沉积设备顶部升降机构均为双气缸运动机构，最多只能提供四个高度位置，而且速度是通过气动节流阀门来控制：除了调节时间较长，不方便；速度不可控，会导致要么太快要么太慢，不可能提供变速来提高运行效率。例如：行程刚刚开始时，为了避免惯性引起的晶圆或载体振动，需要很慢的速度，此时气缸必须调得很慢才行，但后面的行程，由于节流阀速度的设定，就会变的一直很慢，到了行程快结束，由于部件套合，需要一个缓冲来减少振动，但由于无法调速，只能采取机械吸震的方法，这种方法有时会导致各路气体喷嘴和导套在套合时容易出现误差，无法确保稳定性，从而引起气体导入出现泄露，工艺的重复性较差。另外气缸的寿命较短，维护周期较长。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种原子层沉积设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种原子层沉积设备，包括主体，所述主体内部设置有用于容置放置盒和喷气组件的空腔，所述放置盒为多层结构，所述放置盒外侧设置有多组喷气组件；
所述喷气组件上设置有与放置盒上每层晶圆对应设置的喷嘴，所述放置盒上端设置有电动升降装置，所述电动升降装置设置有调速装置。
作为本实用新型进一步的方案：所述喷气组件至多为六组。
作为本实用新型再进一步的方案：所述主体上设置有进出料口。
作为本实用新型再进一步的方案：所述电动升降装置包括步进电机。
作为本实用新型再进一步的方案：所述调速装置为变频器。
作为本实用新型再进一步的方案：所述喷嘴内部设置有流道，所述喷嘴向外喷气开口处设置有封盖，所述封盖通过弹簧安装在流道内部。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：电动升降装置在电机的控制下运行平稳，避免晶圆或载体晃动而引起的晶圆和承载物之间的滑动，进而引起颗粒过高或者晶圆和槽边的摩擦导致晶圆损伤；保证各路气体都能准确的对准晶圆；设置封盖，在不进行喷气时封盖将喷嘴开口处关闭，防止沉积液进入至喷嘴中，影响下次原子层沉积。本实用新型保证了晶圆的沉积质量。
附图说明
图1为原子层沉积设备的结构示意图。
图2为图1中A-A向视图。
图3为原子层沉积设备中喷嘴的结构示意图。
图中：主体-1、进出料口-2、电动升降装置-3、电机-4、调速装置-5、放置盒-6、喷气组件-7、喷嘴-8、流道-81、封盖-82、弹簧-83。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1～2，本实用新型实施例1中，一种原子层沉积设备，包括主体1，所述主体1内部设置有用于容置放置盒6和喷气组件7的空腔，所述放置盒6为多层结构便于放置多层晶圆，所述放置盒6外侧设置有多组喷气组件7，所述喷气组件7上设置有与放置盒6上每层晶圆对应设置的喷嘴8，该设置保证每层晶圆均能够收到喷嘴8吹气。
所述喷气组件7至多为六组。
所述放置盒6上端设置有电动升降装置3，所述电动升降装置3设置有调速装置5，所述电动升降装置3包括步进电机4，所述调速装置5便于调整的电动升降装置3的运动速度，保证放置盒6运行的平稳性，所述调速装置5为变频器。
所述主体1上还设置有进出料口2。
实施例2
请参阅图3，本实施例2与实施例1的主要区别在于所述喷嘴8内部设置有流道81，所述喷嘴8向外喷气开口处设置有封盖82，所述封盖82通过弹簧83安装在流道81内部，在不进行喷气时封盖82将喷嘴8开口处关闭，防止沉积液进入至喷嘴8中，影响下次原子层沉积。
本实用新型的工作原理是：
电动升降装置3在电机4的控制下运行平稳，避免晶圆或载体晃动而引起的晶圆和承载物之间的滑动，进而引起颗粒过高或者晶圆和槽边的摩擦导致晶圆损伤；保证各路气体都能准确的对准晶圆；设置封盖82，在不进行喷气时封盖82将喷嘴8开口处关闭，防止沉积液进入至喷嘴8中，影响下次原子层沉积。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种原子层沉积设备，包括主体（1），所述主体（1）内部设置有用于容置放置盒（6）和喷气组件（7）的空腔，所述放置盒（6）内部为多层结构，所述放置盒（6）外侧设置有多组喷气组件（7）；
其特征在于，所述喷气组件（7）上设置有与放置盒（6）上每层晶圆对应设置的喷嘴（8），所述放置盒（6）上端设置有电动升降装置（3），所述电动升降装置（3）设置有调速装置（5）。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述喷气组件（7）至多为六组。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述主体（1）上设置有进出料口（2）。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述电动升降装置（3）包括步进电机（4）。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述调速装置（5）为变频器。
6.根据权利要求1-5任一所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述喷嘴（8）内部设置有流道（81），所述喷嘴（8）向外喷气开口处设置有封盖（82），所述封盖（82）通过弹簧（83）安装在流道（81）内部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SG10201805699P | 2018-07-02 | ||
| SG10201805699P | 2018-07-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209276631U true CN209276631U (zh) | 2019-08-20 |
Family
ID=65799330
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910036498.XA Active CN109518165B (zh) | 2018-07-02 | 2019-01-15 | 一种原子层沉积批量生产设备 |
| CN201920063129.5U Active CN209276631U (zh) | 2018-07-02 | 2019-01-15 | 一种原子层沉积设备 |
| CN201920063121.9U Active CN209276630U (zh) | 2018-07-02 | 2019-01-15 | 一种原子层沉积设备用金属盒及原子层沉积设备 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910036498.XA Active CN109518165B (zh) | 2018-07-02 | 2019-01-15 | 一种原子层沉积批量生产设备 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920063121.9U Active CN209276630U (zh) | 2018-07-02 | 2019-01-15 | 一种原子层沉积设备用金属盒及原子层沉积设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (3) | CN109518165B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112481604B (zh) * | 2020-12-03 | 2023-09-08 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 一种ald加工设备以及加工方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916374B2 (en) * | 2002-10-08 | 2005-07-12 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools |
| KR20070089197A (ko) * | 2004-11-22 | 2007-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배치 처리 챔버를 사용한 기판 처리 기기 |
| US7833351B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-11-16 | Applied Materials, Inc. | Batch processing platform for ALD and CVD |
| JP2009203533A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Nec Electronics Corp | 原子層成長装置 |
| CN102312221A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-01-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 |
-
2019
- 2019-01-15 CN CN201910036498.XA patent/CN109518165B/zh active Active
- 2019-01-15 CN CN201920063129.5U patent/CN209276631U/zh active Active
- 2019-01-15 CN CN201920063121.9U patent/CN209276630U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109518165B (zh) | 2021-06-04 |
| CN109518165A (zh) | 2019-03-26 |
| CN209276630U (zh) | 2019-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |