CN209263402U - 一种热传递方向控制装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公布了一种热传递方向控制装置,包括半导体制热制冷组件、冷源、VOCs吸附解吸管。半导体制热制冷组件包括PN半导体层、热片、冷片、导热片、密封材料。PN半导体层包括P型半导体、N型半导体和导流体。冷源、半导体制热制冷组件和VOCs吸附解吸管紧靠在一起。在VOCs超低温冷冻捕集时,半导体制热制冷组件不接入电流,冷源的温度通过半导体制热制冷组件传导到VOCs吸附解吸管。在热解吸时,VOCs吸附解吸管和半导体制热制冷组件都接入电源,VOCs吸附解吸管和冷源的温度互相不影响。本实用新型实现对VOCs在线监测系统中的冷阱和热解吸装置之间的热传递方向的有效控制,减少能源浪费,提高解析组件的温度均匀性。
Description
技术领域
本实用新型属于环境监测、制冷制热控制技术领域,涉及热传递控制技术,尤其涉及一种采用半导体组件的热传递方向控制装置。
背景技术
半导体制冷技术是基于帕帖尔效应,N型半导体单元和P型半导体单元交替排列,定向通入直流电会将半导体节内的热量持续地向一个方向主动富集,达到同时制热制冷的目的。
在大气挥发性有机物(VOCs)在线监测系统中,采用能够致冷达到-150℃以下的超低温冷阱作为超低温捕集的致冷源。大气中VOCs被超低温冷冻捕集,需要加热解吸出来才能进行分析,为使目标化合物完全迅速进入分析系统,必须将VOCs捕集腔体的温度迅速从-150℃升至100℃,使得捕集腔内化合物迅速气化,快速升温过程需要在1-2秒内完成,因此有必要将加热解吸装置与低温冷阱紧贴在一起,增加热效率进行原位加热,但由于加热相对温度高,产生的热量大,会给超低温冷阱带来较大的工作负荷,使超低温冷阱难以保持良好的运行状态,影响超低温冷阱温度的稳定性和均匀性,在规定时间难以达到要求的温度,同时超低温冷阱也会给加热装置带来较大负荷,造成较大能源浪费。
因此有必要提供一种热传递方向控制装置,可用于控制冷阱和热解吸装置之间的热传递方向。
实用新型内容
为了克服上述现有技术的不足,本实用新型的目的是提供一种热传递方向控制装置,可用于控制VOCs在线监测系统中的冷阱和热解吸装置之间的热传递方向,减少能源浪费,提高解析组件的热传递效率和温度均匀性。
本实用新型的技术方案是:
一种热传递方向控制装置,主要包括半导体制热制冷组件;半导体制热制冷组件包括PN半导体层、热片、冷片、导热片、密封材料(如硅胶)。PN半导体层包括P型半导体、N型半导体和导流体。热片、冷片和导热片均由导热良好但不导电的特殊材料(如陶瓷)制成。
所述PN半导体层中P型半导体和N型半导体交替排列,由导流体连接两个P型半导体和N型半导体,使得一侧电流均由P型半导体流向N型半导体,另一侧电流均由N型半导体流向P型半导体。所述半导体制热制冷组件包括多个PN半导体层、多个热片、多个冷片、多个导热片,所需温差越大,采用的片数越多;多个PN半导体层之间由导热片分隔开,多个PN半导体层的两端分别被冷片和热片紧密贴合。所述PN半导体层最外侧(两端),电流由P型半导体流向N型半导体的一侧为热片,电流由N型半导体流向P型半导体的一侧为冷片。用耐高温材料(密封材料)将各个PN半导体层与冷片、热片、导热片之间密封,即最外圈接触空气的地方密封。多个PN半导体层为并联关系。PN半导体层数量由所需温差决定,具体实施时,4层可使温差达到110度,6层温差可达140度。
利用上述热传递方向控制装置控制VOCs在线监测系统中的冷阱和热解吸装置之间的热传递方向。VOCs在线监测系统中包括冷源、VOCs吸附解吸管。所述冷源、半导体制热制冷组件和VOCs吸附解吸管紧靠在一起,半导体制热制冷组件靠近冷源的一侧为冷片,半导体制热制冷组件靠近VOCs吸附解吸管的一侧为热片,冷源持续工作。
上述热传递方向控制装置工作时,具体地,在VOCs超低温冷冻捕集时,半导体制热制冷组件不通电(不接入电源),使得冷源的温度通过导热良好的半导体制热制冷组件传导到VOCs吸附解吸管,此时VOCs吸附解吸管不加热,管内达到冷源温度,VOCs捕集吸附在管内。在热解吸时,VOCs吸附解吸管和半导体制热制冷组件都接入电源工作,VOCs吸附解吸管被加热到设定高温,半导体制热制冷组件接入电源后靠近VOCs吸附解吸管的一侧为热片,产生热量温度升高,靠近冷源的一侧为冷片,吸收热量温度降低。从而使得VOCs吸附解吸管和冷源的温度的互相影响降到最低。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1、本实用新型由于采用多个PN半导体层,逐级制冷制热,上一级的冷端作为下一级的热端,使得每下一级的温度都更低,由此提高了半导体制冷制热组件的冷热温差。
2、本实用新型由于半导体制冷制热组件采用导热良好的材料,使得半导体制冷制热组件不工作时能够快速传导温度,将VOCs吸附解吸管快速降低到冷源温度。
3、本实用新型由于采用半导体制冷制热组件分隔冷源和VOCs吸附解吸管,VOCs吸附解吸管加热解吸时,半导体制冷制热组件工作,热片保持高温,冷片保持低温,使得VOCs吸附解吸管加热的温度不会传导到冷源,冷源的低温也不会影响VOCs吸附解吸管,大大降低了冷源和VOCs吸附解吸管的工作负荷,降低了VOCs吸附解吸管的加热时间,使得VOCs吸附解吸管温度均匀,不会出现靠近致冷源的一侧温度低于VOCs吸附解吸管整体温度的情况,使得管内吸附的VOCs能够同时解吸。
4、本实用新型由于采用密封材料将半导体制冷制热组件的PN半导体层密封在冷片、热片和导热片中,使得制冷时PN半导体层中不会因为接触空气中的水气而结露从而烧毁PN半导体元件。
本实用新型由于采取以上技术方案,可通过设置热传递方向控制装置控制VOCs在线监测系统中的冷阱和热解吸装置之间的热传递方向,从而减少能源浪费,提高解析组件的温度均匀性。
附图说明
图1是本实用新型提供的热传递方向控制装置的结构示意图;
其中,1为冷源,2为半导体制冷制热组件,3为VOCs吸附解吸管。
图2是本实用新型实施例提供的半导体制热制冷组件的结构示意图;
其中,21为PN半导体层;22为冷片;23为热片;24为导热片;25为密封材料;211为P型半导体;212为N型半导体;213为导流体。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细地描述,但不以任何方式限制本实用新型的范围。
本实用新型实施例中,如图1所示,一种热传递方向控制装置主要包括冷源1、半导体制热制冷组件2、VOCs吸附解吸管3。
如图2所示,半导体制热制冷组件2包括PN半导体层21、冷片22、热片23、导热片24、密封材料25。PN半导体层21包括P型半导体211、N型半导体212和导流体213。热片23、冷片22和导热片24均由导热良好但不导电的特殊材料制成。
所述PN半导体层21中P型半导体211和N型半导体212交替排列,由导流体213连接两个P型半导体211和N型半导体212,使得一侧电流均由P型半导体211流向N型半导体212,另一侧电流均由N型半导体212流向P型半导体211。所述半导体制热制冷组件2包括多个PN半导体层21、热片23、冷片22、导热片24,多个PN半导体层21之间由导热片24分隔开,多个PN半导体层21两端被冷片22和热片23紧密贴合。所述PN半导体层21最外侧,电流由P型半导体211流向N型半导体212的一侧为热片23,电流由N型半导体212流向P型半导体211的一侧为冷片22。用耐高温密封材料25将各个PN半导体层21与冷片22、热片、导热片24之间密封。多个PN半导体层21为并联关系。PN半导体层21数量由所需温差决定。
所述冷源1、半导体制热制冷组件2和VOCs吸附解吸管3依次紧靠在一起,半导体制热制冷组件2靠近冷源的一侧为冷片22,半导体制热制冷组件2靠近VOCs吸附解吸管3的一侧为热片23,冷源1持续工作。在VOCs超低温冷冻捕集时,半导体制热制冷组件2不接入电流,冷源1的温度通过导热良好的半导体制热制冷组件2传导到VOCs吸附解吸管3,此时VOCs吸附解吸管3不加热,管内达到冷源温度,VOCs捕集吸附在管内。在热解吸时,VOCs吸附解吸管3和半导体制热制冷组件2都接入电源工作,VOCs吸附解吸管3被加热到设定高温,半导体制热制冷组件2接入电源后靠近VOCs吸附解吸管3的一侧为热片23,产生热量温度升高,靠近冷源1的一侧为冷片22,吸收热量温度降低。从而使得VOCs吸附解吸管3和冷源2的温度不会互相影响。
需要注意的是,公布实施例的目的在于帮助进一步理解本实用新型,但是本领域的技术人员可以理解:在不脱离本实用新型及所附权利要求的精神和范围内,各种替换和修改都是可能的。因此,本实用新型不应局限于实施例所公开的内容,本实用新型要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种热传递方向控制装置,其特征是,包括半导体制热制冷组件;
所述半导体制热制冷组件包括PN半导体层、热片、冷片、导热片、密封材料;
PN半导体层包括P型半导体、N型半导体和导流体;P型半导体和N型半导体交替排列;由导流体连接P型半导体和N型半导体,使得一侧电流均由P型半导体流向N型半导体,另一侧电流均由N型半导体流向P型半导体;电流由P型半导体流向N型半导体的一侧为热片,电流由N型半导体流向P型半导体的一侧为冷片;
热片、冷片和导热片均由导热良好但不导电的材料制成。
2.如权利要求1所述热传递方向控制装置,其特征是,所述半导体制热制冷组件的两侧分别与VOCs在线监测系统中的冷源和VOCs吸附解吸管紧靠;所述半导体制热制冷组件靠近冷源的一侧为冷片;半导体制热制冷组件靠近VOCs吸附解吸管的一侧为热片。
3.如权利要求1所述热传递方向控制装置,其特征是,所述半导体制热制冷组件中的PN半导体层、热片、冷片和导热片均为多个;多个PN半导体层之间由导热片分隔开;多个PN半导体层的两端分别被冷片和热片紧密贴合。
4.如权利要求3所述热传递方向控制装置,其特征是,多个PN半导体层为并联连接;PN半导体层的数量根据所需温差确定。
5.如权利要求1所述热传递方向控制装置,其特征是,PN半导体层与冷片、热片、导热片之间均采用密封材料进行密封。
6.如权利要求5所述热传递方向控制装置,其特征是,密封材料采用耐高温材料。
7.如权利要求1所述热传递方向控制装置,其特征是,密封材料采用硅胶。
8.如权利要求1所述热传递方向控制装置,其特征是,热片、冷片和导热片均采用导热良好但不导电的陶瓷材料。
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