CN209248207U - 一种液晶移相器及基于其的电磁波调控透镜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种液晶移相器及基于其的电磁波调控透镜，所述液晶移相器包括n个液晶移相单元，液晶移相单元包括第一介质层、液晶层和第二介质层，其中：第一介质层、液晶层和第二介质层自上而下设置；第一介质层的下表面设有电极，电极与第一外部驱动电压输出端口相连；第二介质层的上表面设有金属贴片，金属贴片上设有缝隙，金属贴片与第二外部驱动电压输出端口相连。利用液晶作为调谐媒质，本实用新型通过改变加载在电极和金属贴片上的偏置电压来调控透射电磁波的幅度和相位，实现可调液晶移相器，具有用途广泛、响应速度快、损耗低、移相范围大、结构简单、容易加工等突出优点，可以广泛应用于微波、毫米波和太赫兹天线及天线阵领域。

Description

一种液晶移相器及基于其的电磁波调控透镜

技术领域

本实用新型属于微波器件领域，具体涉及一种液晶移相器及基于其的电磁波调控透镜。

背景技术

移相器是微波射频领域的一种重要器件，是相控阵天线的核心部件。目前，移相器主要分为有源移相器和无源移相器。有源移相器虽然具有封装体积小，易于集成等优点，但是其不可避免的额外功耗限制了它的应用范围。无源移相器主要包括基于MEMS、PIN 二极管等的开关形式移相器和基于变容二极管、铁氧体等的连续调控移相器。其中，开关形式的移相器只能提供二种或数种既定输出相位，难以满足现代微波应用的需要；基于变容二极管的移相器受二极管的封装性能影响，通常只能工作在10GHz以下，难以满足 KU/KA卫星通信、5G通信等高频应用的需求；基于铁氧体的移相器则因控制设备体积庞大，不能满足现代天线系统的要求。

基于液晶材料的可调移相器是近年来提出的一种新方案。液晶是一种介电常数可以通过偏置电场或磁场控制的材料，随着偏置电压的变化，液晶介电常数也随之连续改变，实现连续的相位调控。液晶移相器主要分为二种，加载线形式液晶移相器和空间馈电形式液晶移相器。加载线形式液晶移相器是利用液晶代替传统微波传输线中的部分或全部介质，实现可调移相器。空间馈电形式液晶移相器包括反射式液晶移相器和透射式液晶移相器，这种移相器通过对照射到移相器上的电磁波进行控制，改变反射或透射电磁波的相位。其中，透射式液晶移相器在产生可调相移的同时，还可以对电磁波的幅度、极化方式和折射方向进行控制，实现具有模式转换，波束汇聚，波束偏转，极化变换等功能电磁波调控透镜，具有广阔的应用前景。然而，目前透射式液晶移相器通常仅利用液晶本身的材料特性，即利用电磁波穿透一定厚度的液晶层形成的可调波程差来实现移相作用，因此需要较厚的液晶层来得到合适的移相量，导致液晶响应速度很慢。专利CN106773341A针对传统透射型液晶移相器响应速度慢的问题进行了改进，采用多层较薄的液晶层叠加的方案提升了液晶反应速度，但是这种方案引入了多层额外的基板，增加了移相器的总厚度和损耗；此外，这种方案只能单纯实现移相的作用，不能实现对电磁波的调控作用。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的缺陷，本实用新型提出一种液晶移相器及基于其的电磁波调控透镜。本实用新型液晶移相器由多个液晶移相单元组成，通过控制外部偏置电压来改变各个移相单元的移相量，使得在不同移相单元处穿透本实用新型的电磁波可以各自独立地受到相同或不同形式的调控，进而既可以实现经典的可调液晶移相器，又可以实现基于该透射型液晶移相器的电磁波调控透镜。

根据本实用新型的一方面，提出一种液晶移相器，所述液晶移相器包括介质结构和液晶结构，其中：

所述介质结构用于承载所述液晶结构；

所述液晶结构用于通过控制液晶的介电常数来控制透过所述液晶移相器的电磁波的相位。

可选地，所述介质结构包括第一介质层和第二介质层，所述液晶结构置于所述第一介质层与第二介质层之间。

可选地，所述第一介质层的下表面设有电极，所述电极与第一外部驱动电压输出端口相连。

可选地，所述电极呈矩形、圆形或椭圆形。

可选地，所述电极的制作材料为铜、金、铝或ITO。

可选地，所述电极采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第一介质层上。

可选地，所述第二介质层的上表面设有金属贴片，所述金属贴片上设有缝隙，所述金属贴片与第二外部驱动电压输出端口相连。

可选地，所述金属贴片与所述缝隙之间的关系为，所述缝隙使得金属贴片呈对称关系或金属贴片的主要部分呈对称关系。

可选地，所述金属贴片为矩形、缺角矩形、平行四边形、圆形、椭圆形或梯形。

可选地，所述金属贴片的制作材料为铜、金或铝。

可选地，所述金属贴片采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第二介质层上。

可选地，所述缝隙为矩形、环形、回字形、哑铃型、十字形、曲形、沙漏形或不规则形状。

可选地，所述缝隙的数量为1个、2个或者更多。

可选地，当所述缝隙为1个时，所述缝隙位于金属贴片的中心或偏离金属贴片的中心；当所述缝隙为2个或多个时，所述缝隙之间相对排列或错开预设距离排列。

可选地，所述缝隙的数量与所述电极的数量是一一对应、一对多、多对一或以上对应方式的组合。

可选地，所述第一介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

可选地，所述第二介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

可选地，所述金属贴片沿垂直方向上的投影与所述缝隙存在重叠的部分。

可选地，所述缝隙与所述金属贴片的一侧边缘平行，或与之呈一定的夹角。

可选地，所述介质结构还包括一个或多个第三介质层，所述第三介质层置于所述第一介质层和第二介质层之间，所述液晶结构置于两两介质层之间。

可选地，所述液晶层与电极和金属贴片的接触面上设有配向层。

可选地，所述配向层的材料为聚酰亚胺。

根据本实用新型的另一方面，提出一种液晶移相器，所述液晶移相器包括n个液晶移相单元，所述液晶移相单元包括第一介质层、液晶层和第二介质层，其中：

所述第一介质层、液晶层和第二介质层自上而下设置；

所述第一介质层的下表面设有电极，所述电极与第一外部驱动电压输出端口相连；

所述第二介质层的上表面设有金属贴片，所述金属贴片上设有缝隙，所述金属贴片与第二外部驱动电压输出端口相连。

可选地，所述第一介质层、液晶层和第二介质层紧密结合。

可选地，所述移相单元呈横向、纵向和/或斜向对齐的排列方式。

可选地，所述电极呈矩形、圆形或椭圆形。

可选地，所述电极的制作材料为铜、金、铝或ITO。

可选地，所述电极采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第一介质层上。

可选地，所述金属贴片与所述缝隙之间的关系为，所述缝隙使得金属贴片呈对称关系或金属贴片的主要部分呈对称关系。

可选地，所述金属贴片为矩形、缺角矩形、平行四边形、圆形、椭圆形或梯形。

可选地，所述金属贴片的制作材料为铜、金或铝。

可选地，所述金属贴片采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第二介质层上。

可选地，所述缝隙为矩形、环形、回字形、哑铃型、十字形、曲形、沙漏形或不规则形状。

可选地，所述缝隙的数量为1个、2个或者更多。

可选地，当所述缝隙为1个时，所述缝隙位于金属贴片的中心或偏离金属贴片的中心；当所述缝隙为2个或多个时，所述缝隙之间相对排列或错开预设距离排列。

可选地，所述缝隙的数量与所述电极的数量是一一对应、一对多、多对一或以上对应方式的组合。

可选地，所述第一介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

可选地，所述第二介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

可选地，所述金属贴片沿垂直方向上的投影与所述缝隙存在重叠的部分。

可选地，所述缝隙与所述金属贴片的一侧边缘平行，或与之呈一定的夹角。

可选地，所述液晶移相单元还包括一个或多个第三介质层，所述第三介质层置于所述第一介质层和第二介质层之间，所述液晶层置于两两介质层之间。

可选地，所述液晶层与电极和金属贴片的接触面上设有配向层。

可选地，所述配向层的材料为聚酰亚胺。

根据本实用新型的再一方面，提出一种电磁波调控透镜，所述电磁波调控透镜包括任一上述液晶移相器。

本实用新型利用基于液晶的谐振频率和谐振模式可调的新颖结构来实现对电磁波相位和幅度的调控，而不是依赖液晶层的厚度来提供可调波程差、实现移相作用，因此本实用新型可以利用很薄的液晶层来实现较大范围的移相作用，在响应速度、损耗和厚度上相比于传统透射式可调液晶移相器具有明显的优势。不仅如此，由于本实用新型中，各个移相单元是独立可控的，通过改变各个移相单元上的控制电压，本实用新型可以独立地调控照射到移相器上不同移相单元处电磁波的幅度和相位，实现模式转换、波束汇聚、波束偏转、极化变换、幅度调控等功能。

因此，本实用新型除了作为一种可调液晶移相器外，还具有将透射电磁波由球面波转化为平面波、提高天线增益、代替TR组件实现低成本波束扫描、改变发射/收信号极化方式以适应对方接收/发射系统的极化特性、调控天线口径上电磁波幅度、相位分布以降低副瓣电平或改变辐射远场分布等诸多用途。本实用新型作为一种用途广泛、响应速度快、损耗低、移相范围大、结构简单、容易加工的可调微波器件，可以广泛应用在微波、毫米波和太赫兹天线及天线阵领域。

附图说明

通过参照附图详细描述各示例性实施例，以上及其他特征和优点对于本领域普通技术人员而言将变得更为明显，在附图中：

图1示出了根据本实用新型一实施例的液晶移相器的俯视图；

图2示出了根据本实用新型一实施例的液晶移相器的移相单元分层结构图；

图3示出了根据本实用新型一实施例的液晶移相器的单个单元沿yoz平面的界面示意图；

图4(a)-(d)示出了电极形状示意图；

图5(a)-(b)示出了缝隙数量及位置示意图；

图6(a)-(b)示出了缝隙形状示意图；

图7(a)-(b)示出了金属贴片形状示意图；

图8(a)-(b)示出了缝隙与金属贴片相对位置示意图；

图9示出了根据本实用新型另一实施例的液晶移相器的移相单元分层结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

本实用新型提出的液晶移相器，是由n个液晶移相单元(n≥2)组成的，所述液晶移相单元可以是横向和纵向对齐的方式，也可以是错开预设间距的排列方式。

图1示出了根据本实用新型一实施例的液晶移相器的俯视图，该实施例是一个5×4 的液晶移相单元阵列；图2示出了本实施例的液晶移相器的液晶移相单元的分层结构图；图3示出了本实施例的液晶移相器的单个液晶移相单元沿yoz平面的界面示意图。

根据图1、图2和图3，所述液晶移相单元自上而下设有第一介质层1、液晶层3和第二介质层2，所述第一介质层1、液晶层3和第二介质层2紧密结合，其中：

所述第一介质层1是一层介质基板，可选地，所述介质基板可以是低损耗的玻璃基板、树脂基板、陶瓷基板等；所述第一介质层1的下表面设有电极11，所述电极11与外部驱动电压输出端口相连。可选地，所述电极11的材料可以是电导率较高的铜、金、铝等金属材料，也可以是ITO(Indium Tin Oxides)。其中，所述电极11可呈矩形、圆形、椭圆形或其他形状，如图4所示。可选地，所述电极采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第一介质层上。

所述第二介质层2是一层介质基板，其可选材料与所述第一介质层1相同，两者使用的制作材料可以相同也可以不相同。所述第二介质层2的上表面设有金属贴片21，所述金属贴片21上设有缝隙22，所述金属贴片21的材料比如可以为电导率较高的铜、金、铝等金属材料，所述金属贴片21与另一外部驱动电压输出端口相连。所述金属贴片21 与所述缝隙22之间的关系为，所述缝隙使得金属贴片呈对称关系或金属贴片的主要部分呈对称关系。可选地，所述金属贴片采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第二介质层上。

可选地，所述第一介质层1和第二介质层2的加工可以采用PCB工艺，也可以采用液晶面板玻璃等工艺。

所述缝隙22的数量可以是1个、2个或者更多，如图5所示，相应的，所述电极11 的数量可以为1个、2个或者更多，具体数量可根据实际应用的需要来设置。当所述缝隙 22为单缝时，其可以位于所述金属贴片21的中心，也可以偏离所述金属贴片21的中心，如图5(a)所示；当所述缝隙22为多缝时，缝隙之间相互可以相对排列，也可以相互错开预设距离，如图5(b)所示；所述缝隙22的形状，可以为矩形、哑铃形、回字形、环形、曲形、十字形、沙漏形等多种形状，如图5和图6所示。

在本实用新型一实施例中，所述金属贴片21沿垂直方向上的投影与所述缝隙22存在重叠的部分。

其中，所述电极与所述缝隙之间的位置关系可以有多种实现方式，每个缝隙可以分别对应一个电极，也可以多个缝隙仅对应一个电极，也可以是这两种对应方式的组合。对于环状缝隙来说，其可以仅对应一个电极，也可以对应多个电极。其中，所述金属贴片 21可以为矩形、切角矩形、平行四边形、梯形(交错排列)、圆形、椭圆形、梯形等规则或不规则形状，如图5、图6和图7所示，所述金属贴片形状不同，电磁波穿过本实用新型时的相移也有所不同，本领域技术人员人员依照本实用新型进行设计时，可以自行选择形状。

其中，所述缝隙22可与所述金属贴片21的一侧边缘平行，也可以与之呈一定的夹角，如图8(a)所示，角度不同，电磁波穿过本实用新型时的相移也有所不同，本领域技术人员人员依照本实用新型进行设计时，可以自行选择角度的值。所述缝隙22的夹角设置可以与所述金属贴片21的上述形状组合采用，以获得所需的移相范围，如图8(b) 所示。

其中，所述液晶层3位于第一介质层和第二介质层之间，其边缘采用边框胶密封，所述液晶层3与电极11和金属贴片21的接触面上设有配向层，可选地，所述配向层的材料可以是聚酰亚胺等材料，配向方向可以是平行于图1中的y方向或者是XOY平面的任何方向。所述电极11和金属贴片21之间的驱动电压改变时，液晶介电常数发生变化，使得透过本实用新型的电磁波的相位发生相应的变化，从而实现可调液晶移相器。

在本实用新型一实施例中，还可以通过引入一个或多个第三介质层4来增加移相量，如图9所示，其中，所述第三介质层4置于所述第一介质层1和第二介质层2之间，所述液晶层3置于两两介质层之间。

其中，所述第一介质层1和第二介质层2可看作所述液晶移相器的介质结构，而所述液晶层3可看作所述液晶移相器的液晶结构，从这个角度上来说，所述液晶移相器可以包括介质结构和液晶结构，其中：

所述介质结构用于承载所述液晶结构；

所述液晶结构用于通过控制液晶的介电常数来控制透过所述液晶移相器的电磁波的相位。

其中，所述介质结构包括第一介质层1和第二介质层2，所述液晶结构置于所述第一介质层1与第二介质层2之间。

所述第一介质层1、第二介质层2和液晶层3的结构特征与上文描述相同，具体可参见上文描述，本实用新型在此不再赘述。

作为液晶移相器工作时，电磁波可以从本实用新型的上表面或下表面入射，通过改变各个移相单元上的驱动电压，各个移相单元中的液晶介电常数会发生相应的变化，从而产生可调控的相位偏移量。本实用新型利用基于液晶的谐振频率和谐振模式可调的新颖结构来实现对电磁波相位和幅度的调控，而不是依赖液晶层的厚度来提供可调波程差、实现移相作用，因此本实用新型可以利用很薄的液晶层来实现较大范围的移相作用。本实用新型的液晶层厚度可以是加工工艺允许的最小值，如4～6微米，使得本实用新型在响应速度、损耗和厚度上相比于传统透射式可调液晶移相器具有明显的优势。

不仅如此，在本实用新型中，每个移相单元的工作状态都可以通过施加在其上的独立驱动电压进行控制，因此本实用新型可以对从不同移相单元处穿透的电磁波的相位和幅度进行独立控制，实现具有多种功能的电磁波调控透镜。本实用新型可以实现波束汇聚、波束偏转、极化变换、幅度调控等功能。这些电磁波调控功能可以用于球面波-平面波模式转换、提高天线增益、代替TR组件实现低成本波束扫描、改变发射/收信号极化方式以适应对方接收/发射系统的极化特性、调控天线口径上电磁波幅度、相位分布以降低副瓣电平或改变辐射远场分布等应用。本实用新型作为一种用途广泛，响应速度快，损耗低，移相范围大、结构简单、容易加工的可调微波器件，可以广泛应用微波、毫米波和太赫兹天线及天线阵领域。

以上描述仅为本实用新型的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本实用新型中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本实用新型中公开的(但不限于) 具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (44)

1.一种液晶移相器，其特征在于，所述液晶移相器包括介质结构和液晶结构，其中：

所述介质结构用于承载所述液晶结构；

所述液晶结构用于通过控制液晶的介电常数来控制透过所述液晶移相器的电磁波的相位。

2.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述介质结构包括第一介质层和第二介质层，所述液晶结构置于所述第一介质层与第二介质层之间。

3.根据权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一介质层的下表面设有电极，所述电极与第一外部驱动电压输出端口相连。

4.根据权利要求3所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极呈矩形、圆形或椭圆形。

5.根据权利要求3或4所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极的制作材料为铜、金、铝或ITO。

6.根据权利要求3或4所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第一介质层上。

7.根据权利要求3-4任一所述的液晶移相器，其特征在于，所述第二介质层的上表面设有金属贴片，所述金属贴片上设有缝隙，所述金属贴片与第二外部驱动电压输出端口相连。

8.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片与所述缝隙之间的关系为，所述缝隙使得金属贴片呈对称关系或金属贴片的主要部分呈对称关系。

9.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片为矩形、缺角矩形、平行四边形、圆形、椭圆形或梯形。

10.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片的制作材料为铜、金或铝。

11.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第二介质层上。

12.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙为矩形、环形、回字形、哑铃型、十字形、曲形或沙漏形。

13.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙的数量为1个、2个或者更多。

14.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，当所述缝隙为1个时，所述缝隙位于金属贴片的中心或偏离金属贴片的中心；当所述缝隙为2个或多个时，所述缝隙之间相对排列或错开预设距离排列。

15.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙的数量与所述电极的数量是一一对应、一对多、多对一或以上对应方式的组合。

16.根据权利要求2-4、8-15任一所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

17.根据权利要求2-4、8-15任一所述的液晶移相器，其特征在于，所述第二介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

18.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片沿垂直方向上的投影与所述缝隙存在重叠的部分。

19.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙与所述金属贴片的一侧边缘平行，或与之呈夹角。

20.根据权利要求2-4、8-15、18、19任一所述的液晶移相器，其特征在于，所述介质结构还包括一个或多个第三介质层，所述第三介质层置于所述第一介质层和第二介质层之间，所述液晶结构置于两两介质层之间。

21.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述液晶结构与电极和金属贴片的接触面上设有配向层。

22.根据权利要求21所述的液晶移相器，其特征在于，所述配向层的材料为聚酰亚胺。

23.一种液晶移相器，其特征在于，所述液晶移相器包括n个液晶移相单元，所述液晶移相单元包括第一介质层、液晶层和第二介质层，其中：

所述第一介质层、液晶层和第二介质层自上而下设置；

所述第一介质层的下表面设有电极，所述电极与第一外部驱动电压输出端口相连；

所述第二介质层的上表面设有金属贴片，所述金属贴片上设有缝隙，所述金属贴片与第二外部驱动电压输出端口相连。

24.根据权利要求23所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一介质层、液晶层和第二介质层紧密结合。

25.根据权利要求23或24所述的液晶移相器，其特征在于，所述移相单元呈横向、纵向和/或斜向对齐的排列方式。

26.根据权利要求23所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极呈矩形、圆形或椭圆形。

27.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极的制作材料为铜、金、铝或ITO。

28.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述电极采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第一介质层上。

29.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片与所述缝隙之间的关系为，所述缝隙使得金属贴片呈对称关系或金属贴片的主要部分呈对称关系。

30.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片为矩形、缺角矩形、平行四边形、圆形、椭圆形或梯形。

31.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片的制作材料为铜、金或铝。

32.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片采用PCB板、液晶面板工艺或半导体工艺设置于所述第二介质层上。

33.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙为矩形、环形、回字形、哑铃型、十字形、曲形或沙漏形。

34.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙的数量为1个、2个或者更多。

35.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，当所述缝隙为1个时，所述缝隙位于金属贴片的中心或偏离金属贴片的中心；当所述缝隙为2个或多个时，所述缝隙之间相对排列或错开预设距离排列。

36.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙的数量与所述电极的数量是一一对应、一对多、多对一或以上对应方式的组合。

37.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

38.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述第二介质层为玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。

39.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述金属贴片沿垂直方向上的投影与所述缝隙存在重叠的部分。

40.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述缝隙与所述金属贴片的一侧边缘平行，或与之呈夹角。

41.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述液晶移相单元还包括一个或多个第三介质层，所述第三介质层置于所述第一介质层和第二介质层之间，所述液晶层置于两两介质层之间。

42.根据权利要求23或26所述的液晶移相器，其特征在于，所述液晶层与电极和金属贴片的接触面上设有配向层。

43.根据权利要求42所述的液晶移相器，其特征在于，所述配向层的材料为聚酰亚胺。

44.一种电磁波调控透镜，其特征在于，所述电磁波调控透镜包括权利要求1-43任一所述的液晶移相器。