CN209246454U - 一种金属的半导体制冷片 - Google Patents

一种金属的半导体制冷片 Download PDF

Info

Publication number
CN209246454U
CN209246454U CN201822194883.0U CN201822194883U CN209246454U CN 209246454 U CN209246454 U CN 209246454U CN 201822194883 U CN201822194883 U CN 201822194883U CN 209246454 U CN209246454 U CN 209246454U
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor chilling
chilling plate
heat
cathode
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201822194883.0U
Other languages
English (en)
Inventor
陈文斌
陈洪涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Arctic Ocean Industrial Co Ltd
Original Assignee
Jiangxi Arctic Ocean Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Arctic Ocean Industrial Co Ltd filed Critical Jiangxi Arctic Ocean Industrial Co Ltd
Priority to CN201822194883.0U priority Critical patent/CN209246454U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN209246454U publication Critical patent/CN209246454U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种金属的半导体制冷片,属于放置架技术领域,金属的半导体制冷片包括半导体制冷片、阳极接线、阴极接线、散热片、导冷块以及保护网。本实用新型公开的金属的半导体制冷片其能够提高半导体制冷片的散热以及吸热能力,同时还能提高线路连接的稳定性,提高半导体制冷片的使用效果。

Description

一种金属的半导体制冷片
技术领域
本实用新型涉及半导体制冷片技术领域,特别涉及一种金属的半导体制冷片。
背景技术
半导体制冷片是由半导体所组成的一种冷却装置,于1960年左右才出现,然而其理论基础Peltiereffect可追溯到19世纪。这现象最早是在1821年,由一位德国科学家ThomasSeeback首先发现,不过他当时做了错误的推论,并没有领悟到背后真正的科学原理。到了1834年,一位法国表匠,同时也是兼职研究这现象的物理学家JeanPeltier,才发现背后真正的原因,这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用。
半导体制冷片,也叫热电制冷片,是一种热泵。它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高;
目前的半导体制冷片的散热以及导冷能力还有待提高。
实用新型内容
为了克服现有技术的缺陷,本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种金属的半导体制冷片,其能够提高半导体制冷片的散热以及吸热能力,同时还能提高线路连接的稳定性,提高半导体制冷片的使用效果。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型提供了一种金属的半导体制冷片,包括半导体制冷片、阳极接线以及阴极接线,所述半导体制冷片设有阳极接口以及阴极接口,所述阳极接口与阳极接线相接,所述阴极接口与阴极接线相接,所述半导体制冷片的上表面放出热量,所述半导体制冷片的上表面为放热面,所述半导体制冷片的下表面吸收热量,所述半导体制冷片的下表面为吸热面,
所述半导体制冷片截面为长方体结构,所述放热面以及吸热面呈圆弧状向外凸起设置,所述放热面与散热面对称设置,所述放热面与散热面的弧度相同;
所述放热面上方设置散热片,所述散热片完全覆盖在放热面上方,所述放热面与散热片之间设置第一导热硅脂层,所述吸热面下方设置导冷块,所述导冷块完全覆盖在吸热面下方,所述吸热面与导冷块之间设置第二导热硅脂层;
所述阳极接线与阳极接口相接处设置第一保护环,所述第一保护环环绕设置在阳极接线靠近阳极接口的一端外侧、并与阳极接口外侧相接,所述阴极接线与阴极接口相接处设置第二保护环,所述第二保护环环绕设置在阴极接线靠近阴极接口的一端外侧、并与阴极接口外侧相接;
所述半导体制冷片外侧环绕设置保护网。
在本实用新型较佳地技术方案中,所述第一导热硅脂层厚度为1.5mm。
在本实用新型较佳地技术方案中,所述第二导热硅脂层厚度为1mm。
在本实用新型较佳地技术方案中,所述散热片与放热片相接的一面形状与放热面的形状相对应,使散热片与放热片更加贴合,提高散热效果。
在本实用新型较佳地技术方案中,所述导冷块与吸热片相接的一面形状与吸热面的形状相对应,使导冷块与吸热片更加贴合,提高吸热效果。
本实用新型的有益效果为:
本实用新型提供的金属的半导体制冷片,通过设置圆弧状的放热面以及吸热面,由于弧形的面积比一般的平面面积要大,增大了半导体制冷片的放热的面积以及吸热的面积,从而提高半导体制冷片的散热能力以及吸热能力,提高半导体制冷片的工作效率;
由于导线与半导体制冷片连接处经常发生弯曲或折叠等情况,造成连接的导线容易损坏或折断,通过设置第一保护环以及第二保护环,可以减缓阳极接线以及阴极接线与半导体制冷片相接处的折叠以及弯曲程度,并且能够保护阳极接线以及阴极接线不受外界碰撞损伤,提高阳极接线以及阴极接线与半导体制冷片连接的稳定性;
通过设置保护网,更好保护半导体制冷片的侧壁不受外界的接触磨损,提高半导体制冷片的实用寿命。
附图说明
图1是本实用新型具体实施例提供的金属的半导体制冷片截面的结构示意图;
图2是本实用新型具体实施例提供的金属的半导体制冷片俯视的结构示意图;
图3是本实用新型具体实施例提供的金属的半导体制冷片的侧壁保护网结构示意图。
图中:
1、半导体制冷片;2、阳极接线;3、阴极接线;4、放热面;5、吸热面;6、散热片;7、导冷块;8、第一导热硅脂层;9、第二导热硅脂层;10、第一保护环;11、第二保护环;12、保护网。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图1至图3所示,包括半导体制冷片1、阳极接线2以及阴极接线3,所述半导体制冷片1设有阳极接口以及阴极接口,所述阳极接口与阳极接线2相接,所述阴极接口与阴极接线3相接,所述半导体制冷片1的上表面放出热量,所述半导体制冷片1的上表面为放热面4,所述半导体制冷片1的下表面吸收热量,所述半导体制冷片1的下表面为吸热面5,
所述半导体制冷片1截面为长方体结构,所述放热面4以及吸热面5呈圆弧状向外凸起设置,所述放热面4与散热面对称设置,所述放热面4与散热面的弧度相同;
所述放热面4上方设置散热片6,所述散热片6完全覆盖在放热面4上方,所述放热面4与散热片6之间设置第一导热硅脂层8,所述吸热面5下方设置导冷块7,所述导冷块7完全覆盖在吸热面5下方,所述吸热面5与导冷块7之间设置第二导热硅脂层9;
所述阳极接线2与阳极接口相接处设置第一保护环10,所述第一保护环10环绕设置在阳极接线2靠近阳极接口的一端外侧、并与阳极接口外侧相接,所述阴极接线3与阴极接口相接处设置第二保护环11,所述第二保护环11环绕设置在阴极接线3靠近阴极接口的一端外侧、并与阴极接口外侧相接;
所述半导体制冷片1外侧环绕设置保护网12;
所述第一导热硅脂层8厚度为1.5mm。
所述第二导热硅脂层9厚度为1mm。
所述散热片6与放热片相接的一面形状与放热面4的形状相对应,使散热片6与放热片更加贴合,提高散热效果;
所述导冷块7与吸热片相接的一面形状与吸热面5的形状相对应,使导冷块7与吸热片更加贴合,提高吸热效果;
通过设置圆弧状的放热面4以及吸热面5,由于弧形的面积比一般的平面面积要大,增大了半导体制冷片1的放热的面积以及吸热的面积,从而提高半导体制冷片1的散热能力以及吸热能力,提高半导体制冷片1的工作效率;
由于导线与半导体制冷片1连接处经常发生弯曲或折叠等情况,造成连接的导线容易损坏或折断,通过设置第一保护环10以及第二保护环11,可以减缓阳极接线2以及阴极接线3与半导体制冷片1相接处的折叠以及弯曲程度,并且能够保护阳极接线2以及阴极接线3不受外界碰撞损伤,提高阳极接线2以及阴极接线3与半导体制冷片1连接的稳定性;
通过设置保护网12,更好保护半导体制冷片的侧壁不受外界的接触磨损,提高半导体制冷片的实用寿命。
本实用新型是通过优选实施例进行描述的,本领域技术人员知悉,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制,其他落入本申请的权利要求内的实施例都属于本实用新型保护的范围。

Claims (5)

1.一种金属的半导体制冷片,包括半导体制冷片(1)、阳极接线(2)以及阴极接线(3),所述半导体制冷片(1)设有阳极接口以及阴极接口,所述阳极接口与阳极接线(2)相接,所述阴极接口与阴极接线(3)相接,所述半导体制冷片(1)的上表面为放热面(4),所述半导体制冷片(1)的下表面为吸热面(5),其特征在于:
所述半导体制冷片(1)截面为长方体结构,所述放热面(4)以及吸热面(5)呈圆弧状向外凸起设置,所述放热面(4)与散热面对称设置,所述放热面(4)与散热面的弧度相同;
所述放热面(4)上方设置散热片(6),所述散热片(6)完全覆盖在放热面(4)上方,所述放热面(4)与散热片(6)之间设置第一导热硅脂层(8),所述吸热面(5)下方设置导冷块(7),所述导冷块(7)完全覆盖在吸热面(5)下方,所述吸热面(5)与导冷块(7)之间设置第二导热硅脂层(9);
所述阳极接线(2)与阳极接口相接处设置第一保护环(10),所述第一保护环(10)环绕设置在阳极接线(2)靠近阳极接口的一端外侧、并与阳极接口外侧相接,所述阴极接线(3)与阴极接口相接处设置第二保护环(11),所述第二保护环(11)环绕设置在阴极接线(3)靠近阴极接口的一端外侧、并与阴极接口外侧相接;
所述半导体制冷片(1)外侧环绕设置保护网(12)。
2.根据权利要求1所述的金属的半导体制冷片,其特征在于:
所述第一导热硅脂层(8)厚度为1.5mm。
3.根据权利要求1所述的金属的半导体制冷片,其特征在于:
所述第二导热硅脂层(9)厚度为1mm。
4.根据权利要求1所述的金属的半导体制冷片,其特征在于:
所述散热片(6)与放热片相接的一面形状与放热面(4)的形状相对应。
5.根据权利要求1所述的金属的半导体制冷片,其特征在于:
所述导冷块(7)与吸热片相接的一面形状与吸热面(5)的形状相对应。
CN201822194883.0U 2018-12-25 2018-12-25 一种金属的半导体制冷片 Active CN209246454U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201822194883.0U CN209246454U (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种金属的半导体制冷片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201822194883.0U CN209246454U (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种金属的半导体制冷片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN209246454U true CN209246454U (zh) 2019-08-13

Family

ID=67534691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201822194883.0U Active CN209246454U (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种金属的半导体制冷片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN209246454U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209472014U (zh) 一种热管理电池模组
CN108770295A (zh) 一种电子设备及散热组件
CN108336452A (zh) 缓冲隔热结构、基础单元模块及软包电池模组
CN207729864U (zh) 一种热电制冷模组
CN216015504U (zh) 一种主动散热的大容量电池外壳和大容量电池
CN209246454U (zh) 一种金属的半导体制冷片
CN201892180U (zh) 折面式鳍片模块和热源的结合构造
CN107833747A (zh) 一种组合式超级电容器模块散热结构
CN203322882U (zh) 一种主动散热型大功率led路灯
CN107507811B (zh) 一种平板热管簇与半导体制冷耦合的芯片散热冷却装置
CN210576056U (zh) 一种具有散热功能的电池外壳
CN202721197U (zh) 大功率led封装模块
CN202712234U (zh) 具有散热封装结构的太阳能电池组件
CN206401474U (zh) 一种锂电池电池组散热装置
CN103644551B (zh) 一种led工矿灯
CN219555239U (zh) 一种高导热复合环氧铝板
CN204740554U (zh) 一种cpu散热结构和终端
CN212005245U (zh) 一种热电隔离式led模组
CN220067997U (zh) 一种贴片式电子元器件
CN210900117U (zh) 一种高电压绝缘导热硅胶片
CN216930631U (zh) 一种基于石墨的新型导热装置
CN209693315U (zh) 一种石墨烯高效散热装置
CN216849900U (zh) 一种超薄bt材料封装载板
CN216052884U (zh) 一种采用制冷片降低主板cpu温度的装置
CN214257022U (zh) 用于工控机芯片的节能与散热系统

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant