CN209199905U - 承载基板的载盘 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种承载基板的载盘，载盘具有支撑盘，支撑盘配置有多个容置空间，每一容置空间的边缘设置有多个肋条，每一肋条用于承载基板。每一肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使基板与肋条的接触面积为2平方厘米以下。

Description

承载基板的载盘

技术领域

本实用新型为提供一种承载基板的载盘，特别是运用于有机金属化学气相沉积工艺中，承载基板的载盘。

背景技术

有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术目前普遍使用在半导体Ⅲ-Ⅴ族外延生长工艺上。

请参考图1，图1是传统载盘设置在MOCVD设备的示意图。如图1所示，先利用汽化器20使金属前驱物汽化，再以气体管线(未图示)输送至注入喷头21，并精确地控制气体流量与反应气体量，通过反应气体与置于载盘9上的基板W表面产生化学反应，以成长例如磷砷化镓等等外延层。MOCVD工艺的反应温度高达400℃至1200℃的范围，因此反应腔2须连接冷却系统22供以冷却。

继续参考图2，图2是传统载盘在第一平面上的局部视图。如图2所示，载盘9具有盘体90，盘体90的圆周方向配置有多个圆形的凹陷部91，利用凹陷部91来固定基板W，凹陷部91的边缘设有环形部92，环形部92用以将基板W撑起，且基板W与凹陷部91的底面留有空隙。

继续参考图3，图3是图2传统载盘在AA’沿线断面的局部视图。如图3所示，基板W被置放于载盘9上盘体90的凹陷部91时,基板W边缘会被位于凹陷部91边缘处的环形部92撑起,造成基板W边缘受热不均匀，进而导致基板W边缘成膜质量的差异性，外延层表面会不均匀。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种承载基板的载盘，藉此用于有机金属化学气相沉积工艺，可以减少晶圆边缘热的不均匀分布,来获得较佳的外延层表面均匀性。

为达上述目的，本实用新型的承载基板的载盘具有支撑盘，支撑盘配置有多个容置空间，每一容置空间的边缘设置有多个肋条，每一肋条用于承载基板。每一肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使基板与肋条的接触面积不超过2平方厘米。

基于上述，本实用新型的载盘设计将撑起基板的肋条小型化，以期减小基板与载盘间的热传导，进而改善基板边缘的热分布差异性与气流差异性。

附图说明

图1是传统载盘设置在MOCVD设备的示意图；

图2是传统载盘在第一平面的局部视图；

图3是图2的传统载盘在AA’沿线断面的局部视图；

图4是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示载盘在第一平面的局部视图；以及

图5是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示图4的载盘在BB’沿线断面的示意图；

图6是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示一较佳实施例的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。

在本实用新型中，所述的X轴、Y轴与Z轴系采用右旋的笛卡尔坐标系(Cartesiancoordinate system)。定义X轴与Y轴所构成的平面为第一平面，X轴与Z轴所构成的平面为第二平面，Y轴与Z轴所构成的平面为第三平面。

首先请参照图4，图4是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示载盘在第一平面上的局部视图。如图4所示，本实用新型的承载基板的载盘具有支撑盘10，支撑盘10的圆周方向上配置有多个容置空间11，每一容置空间11的边缘设置有多个肋条12，每一肋条12用于承载基板S。每一肋条12在第一平面(俯视面)上的投影形状是弧形，藉此，使基板S与肋条12的接触面积为2平方厘米以下，优选为1平方厘米。

在一实施例中，支撑盘10在第一平面(俯视面)上的投影形状是圆形，支撑盘10的直径是于500厘米至900厘米的范围，但不在此限。配置于支撑盘10的圆周方向上的每一容置空间11与支撑盘10的圆心对称。较优选地，多个容置空间11在第一平面(俯视面)上的投影形状是多个圆形，每一容置空间11的直径是于75厘米至350厘米的范围，每一容置空间11是用以容置直径为75厘米至350厘米范围的基板S，可对3吋、4吋、6吋、8吋、12吋的基板表面进行MOCVD成长外延层，基板可以是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板等，但不在此限。

在一实施例中，较优选地容置空间11容纳3个肋条12，每个肋条12的形状为弧形，与容置空间11的圆心在第一平面(俯视面)上中心对称，分别配置于容置空间11的边缘。

继续参考图5，图5是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示图4的载盘在BB’沿线断面的示意图。如图5所示，基板SS被置于支撑盘10的容置空间11时，基板S边缘会被位于容置空间11边缘处的肋条12撑起，且与容置空间11的底面留有空隙。较优选地，每一肋条12在第二平面(图4中BB’沿线断面)上的投影形状可以是长L为0.1厘米、宽T为0.4厘米的长方形，部以此为限，以达到小型化肋条12的效果。藉此，使基板S与肋条12的接触面积为2平方厘米以下，以减小基板S与载盘间的热传导。

以下提供本实用新型不同实施例的详细内容，以更加明确说明本实用新型，然而本实用新型并不受限于下述实施例。

请参考图6，图6是根据本实用新型所述的技术是根据本实用新型所提供的技术，表示一较佳实施例的示意图。如图6所示，先利用汽化器20使金属前驱物汽化，再以气体管线(未图示)输送至注入喷头21，并精确地控制气体流量与反应气体量，通过反应气体与置于支撑盘10上的基板S表面产生化学反应，以成长例如磷砷化镓等等外延层。MOCVD工艺的反应温度高达400℃至1200℃的范围，因此反应腔2须连接冷却系统22供以冷却。基板S被置于支撑盘10的容置空间11时，基板S边缘会被位于容置空间11边缘处的3个肋条12撑起，且基板S与容置空间11的底面留有空隙，每个肋条12与基板S的接触面积为2平方厘米以下，优选为1平方厘米，可最小化基板与载盘间的热传导。对于6吋或8吋的基板，可以提升基板边缘5厘米范围内的量率,获得10％～13％质量提升的晶粒。

以上所述仅为本实用新型之较佳实施例，并非用以限定本实用新型之权利范围；同时以上的描述，对于相关技术领域之专门人士应可明了及实施，因此其他未脱离本实用新型所揭示之精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。

Claims (9)

1.一种承载基板的载盘，其特征在于，所述载盘具有支撑盘，所述支撑盘配置有多个容置空间，每一所述容置空间的边缘设置有多个肋条，每一所述肋条用于承载所述基板；其中，

每一所述肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使所述基板与所述肋条的接触面积为2平方厘米以下。

2.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述支撑盘在所述第一平面上的投影形状是圆形。

3.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，每一所述容置空间是用以容置直径为75厘米至350厘米范围的基板。

4.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述多个容置空间在所述第一平面上的投影形状是多个圆形。

5.如权利要求4所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述弧形与所述容置空间的圆心在所述第一平面上中心对称。

6.如权利要求4所述的承载基板的载盘，其特征在于，每一所述容置空间的直径是于75厘米至350厘米的范围。

7.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，每一所述容置空间容纳3个所述肋条。

8.如权利要求2所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述支撑盘的直径是于500厘米至900厘米的范围。

9.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述肋条在第二平面上的投影形状是长为0.1厘米、宽为0.4厘米的长方形。