CN209105442U - 扬声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种扬声器，包括：盆架；磁路系统；安装于盆架，所述磁路系统具有一磁路间隙；以及振动系统，包括振膜和音圈组件，所述振膜安装于盆架，所述音圈组件包括一端安装于振膜的音圈骨架和音圈部，所述音圈部伸入磁路间隙内，所述音圈部包括间隔设置的第一音圈部和第二音圈部，所述第一音圈部和第二音圈部之间为空置区。本实用新型扬声器，通过将音圈部设置为间隔分布第一音圈部和第二音圈部，可增大音圈部的有效音圈卷幅，从而可改善振动系统振动的对称性和线性，从而可降低谐波失真。

Description

扬声器

技术领域

本实用新型涉及电声技术领域，特别涉及一种扬声器。

背景技术

现有扬声器工作过程中，其音圈部容易脱离磁路间隙，从而容易引起扬声器的非线性失真。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种扬声器，旨在解决现有扬声器容易非线性失真的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种扬声器，包括：

盆架；

磁路系统；安装于所述盆架，所述磁路系统具有一磁路间隙；以及

振动系统，包括振膜和音圈组件，所述振膜安装于所述盆架，所述音圈组件包括一端安装于所述振膜的音圈骨架和音圈部，所述音圈部伸入所述磁路间隙内，所述音圈部包括间隔设置的第一音圈部和第二音圈部，所述第一音圈部和第二音圈部之间为空置区。

可选地，所述磁路间隙包括第一段、及分别连接于所述第一段两端的第二段和第三段，所述第一段对应所述空置区设置，所述第一段的宽度大于所述第二段和第三段的宽度。

可选地，所述第一段的中截面靠近所述空置区的中截面设置。

可选地，所述磁路间隙的内侧面向内凹设形成内环槽，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段；或者，

所述磁路间隙的外侧面向外凹设形成外环槽，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段；或者

所述磁路间隙的内侧面向内凹设形成内环槽，所述磁路间隙的外侧面向外凹设形成外环槽，所述内环槽对应所述外环槽设置，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段。

可选地，所述扬声器还包括中心短路环，所述中心短路环安装于所述内环槽；或者

所述扬声器还包括边短路环，所述边短路环安装于所述外环槽；或者

所述扬声器还包括中心短路环和边短路环，所述中心短路环安装于所述内环槽，所述边短路环安装于所述外环槽。

可选地，所述第一音圈部的长度等于所述第二音圈部的长度。

可选地，所述空置区的长度与所述第一音圈部的长度之间的比值大于或等于0.2，且小于或等于1；和/或

所述空置区的长度大于或等于2毫米，且小于或等于10毫米。

可选地，所述第一音圈部和第二音圈部由同一根绕线绕成；或者

所述第一音圈部和第二音圈部分别由不同的绕线绕成；所述第一音圈部和第二音圈部电连接。

可选地，所述磁路系统包括下夹板，及安装在所述下夹板上的中心磁路和边磁路，所述中心磁路包括设于所述下夹板上表面的中心磁铁，所述边磁路包括设于所述下夹板上表面的边磁铁，所述边磁铁设于所述中心磁铁的周侧；所述中心磁路和边磁路之间形成所述磁路间隙。

可选地，所述中心磁路还包括设于所述中心磁铁上表面的中心华司，所述中心华司与所述边磁铁上端形成所述磁路间隙；或者

所述边磁路还包括设于所述边磁铁上表面的边华司，所述边华司与所述中心磁铁上端形成所述磁路间隙；或者

所述中心磁路还包括设于所述中心磁铁上表面的中心华司，所述边磁路还包括设于所述边磁铁上表面的边华司，所述边华司设于所述中心华司的周侧，以形成所述磁路间隙。

可选地，所述中心华司的外侧面向内凹设形成内环槽；或者

所述边华司的内侧面向外凹设形成外环槽；或者

所述中心华司的外侧面向内凹设形成内环槽，所述边华司的内侧面向外凹设形成外环槽，所述内环槽对应所述外环槽设置。

可选地，所述中心华司包括设于所述中心磁铁上表面的第一子华司和设于所述第一子华司上表面的第二子华司，所述内环槽开设于所述第一子华司的上端，并贯穿所述第一子华司的上表面，所述第二子华司的下表面与所述第一子华司围合成所述内环槽；或者，所述内环槽开设于所述第二子华司的下端，并贯穿所述第二子华司的下表面，所述第一子华司的上表面与所述第二子华司围合成内环槽；或者，所述内环槽包括设于所述第一子华司的上端的第一子槽、及设于所述第一子华司的下端的第二子槽，所述第一子槽和第二子槽配合形成所述内环槽；和/或

所述边华司包括设于所述边磁铁上表面的第三子华司和设于所述第三子华司上表面的第四子华司，所述外环槽开设于所述第三子华司的上端，并贯穿所述第三子华司的上表面，所述第四子华司的下表面与所述第三子华司围合成所述外环槽；或者，所述外环槽开设于所述第四子华司的下端，并贯穿所述第四子华司的下表面，所述第三子华司的上表面与所述第四子华司围合成所述外环槽；或者，所述外环槽包括设于所述第三子华司的上端的第三子槽、及设于所述第四子华司的下端的第四子槽，所述第三子槽和第四子槽配合形成所述内环槽。

可选地，所述磁路系统包括U铁、以及设于所述U铁内的中心磁路，所述中心磁路与所述U铁的侧壁之间形成所述磁路间隙；或者

所述磁路系统包括T铁、及设置于所述T铁的立柱周侧的边磁路，所述T铁的立柱与所述边磁路之间形成所述磁路间隙。

本实用新型扬声器，通过将音圈部设置为间隔分布第一音圈部和第二音圈部，可增大音圈部的有效音圈卷幅，从而可改善振动系统振动的对称性和线性，从而可降低谐波失真。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型扬声器一实施例的侧视图；

图2为图1中扬声器的俯视图；

图3为图2中扬声器的剖面结构示意图；

图4为图3中A处的局部放大图；

图5为图3中A处的局部放大图，其中，未安装中心短路环和边短路环；

图6为图2中扬声器的爆炸结构示意图；

图7为图3中中心华司的结构示意图；

图8为图3中边华司的结构示意图；

图9为图3中盆架的结构示意图；

图10为图3中音圈组件的结构示意图；

图11为图10中音圈组件的剖面结构示意图；

图12为本实用新型扬声器另一实施例的结构示意图；

图13为本实用新型扬声器又一实施例的结构示意图；

图14为本实用新型扬声器再一实施例的结构示意图；

图15为本实用新型扬声器第五实施例的结构示意图；

图16为本实用新型扬声器其他一部分实施例的结构示意图；

图17为本实用新型扬声器其他另一部分实施例的结构示意图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提出一种扬声器。

在本实用新型一实施例中，如图1-5、9和10所示，所述扬声器100包括：

盆架20；

磁路系统；安装于盆架20，所述磁路系统具有一磁路间隙30；以及

振动系统，包括振膜10和音圈组件40，所述振膜10安装于盆架20，所述音圈组件40包括一端安装于振膜10的音圈骨架41和音圈部42，所述音圈部42安装在音圈骨架41上，所述音圈部42伸入所述磁路间隙30内，所述音圈部42包括间隔设置的第一音圈部421和第二音圈部422，所述第一音圈部421和第二音圈部422之间为空置区423。

其中，如图9和10所示，所述第一音圈部421和第二音圈部422在音圈骨架41的长度方向上间隔分布；所述空置区423位于第一音圈部421和第二音圈部422之间，在空置区423未设置音圈部，即是说空置区423将音圈部42间隔为第一音圈部421和第二音圈部422。

具体的，所述磁路间隙30内形成有间隙磁场，以用于驱动音圈部42带动振膜10振动。在图3中，所述音圈组件40悬挂在振膜10的下方。

具体的，所述磁路系统具有一磁路间隙30，所述第一音圈部421和第二音圈部422均在该磁路间隙30内运动。

具体的，在扬声器100工作时，所述振膜10至少可以包括以下振动过程：

1)在图3中，所述振膜10向上振动的过程中，当所述第一音圈部421脱离磁路间隙30后，第二音圈部422仍在磁路间隙30内，并可在间隙磁场的作用下驱动第二音圈部422继续带动振膜10向上运动，如此可增大音圈部42向上运动的峰值，从而可避免音圈部42脱离磁路间隙30而使谐波失真。

2)在图3中，所述振膜10向下振动的过程中，当所述第二音圈部422脱离磁路间隙30后，第一音圈部421仍在磁路间隙30内，并可在间隙磁场的作用下驱动第一音圈部421继续带动振膜10向下运动，如此可增大音圈部42向下运动的峰值，从而可避免音圈部42脱离磁路间隙30而使谐波失真。

可以理解，本实用新型扬声器100，通过将音圈部42设置为间隔分布第一音圈部421和第二音圈部422，可增大音圈部42的有效音圈卷幅，从而可改善振动系统振动的对称性和线性，从而可降低谐波失真。

需要特别说明的是，相关技术中，音圈部42通常设置为一段；这样，若音圈部42过长，则会使音圈组件40的重量较重，从而会影响扬声器100的灵敏度；若音圈部42过短，则在扬声器100在工作过程中，音圈部42容易脱离磁路间隙30，从而容易引起扬声器100的非线性失真。

而本实用新型扬声器100，通过将总长相等的一音圈部42间隔分设为两段音圈部42(即第一音圈部421和第二音圈部422)，可在不增加或基本不增加音圈组件40重量的情况下，增大音圈部42的有效音圈卷幅，从而可在保证扬声器100灵敏度的情况下，有效改善振动系统振动的对称性和线性，以降低谐波失真。

进一步地，如图3-5所示，所述磁路间隙30包括第一段31、及分别连接于第一段31两端的第二段32和第三段33，所述第一段31对应空置区423设置，所述第一段31的宽度大于第二段32和第三段33的宽度。

其中，所述磁路间隙30的宽度是指径向宽度，所述磁路间隙30的长度是指轴向长度。

其中，所述第一音圈部421位于第二段32，所述第二音圈部422位于第三段33。

如此，通过将磁路间隙30中间部分的宽度增大，可增大音圈部42在间隙磁场内运动时在磁路间隙30长度方向上的BL对称性和线性，从而可进一步地改善振动系统振动的对称性和线性，以降低谐波失真。

进一步地，如图3-5所示，所述第一段31的中截面靠近空置区423的中截面设置。即，在振膜10处于自然状态时，所述第一段31的中截面靠近空置区423的中截面设置。

其中，所述第一段31的中截面是指，垂直于第一段31的长度方向(即图3中上下方向)、且过第一段31的长度中点的截面；所述空置区423的中截面是指垂直于空置区423的长度方向(即图3中上下方向)、且过第一段31的长度中点的截面。

如此，可进一步地增大音圈部42在间隙磁场内运动时的BL对称性和线性。

可选地，所述第一段31的中截面与空置区423的中截面共面。

进一步地，如图3-5所示，所述第一音圈部421的长度等于第二音圈部422的长度。如此，不仅可降低扬声器100的设计难度，而且，有利于进一步改善振动系统振动的对称性和线性，以降低谐波失真。

需要指出的是，在实际生产过程中，所述第一音圈部421的长度与第二音圈部422的长度允许存在误差。

进一步地，所述空置区423的长度与第一音圈部421的长度之间的比值大于或等于0.2。如此，可保证本实用新型具有较明显的效果。

可以理解，若空置区423的长度与第一音圈部421的长度之间的比值过小，则会使空置区423的长度过小，则会使音圈部42有效音圈卷幅的增大值不不明显，从而会使得本实用新型的效果不明显。

进一步地，所述空置区423的长度与第一音圈部421的长度之间的比值小于或等于1。

可以理解，所述空置区423的长度与第一音圈部421的长度之间的比值越大，所述空置区423的长度越长，在自然状态时，所述第一音圈部421和第二音圈部422位于磁路间隙30的部分越少，若该比值过大，则会使空置区423的长度过大，则会使第一音圈部421和第二音圈部422位于磁路间隙30的部分过少、甚至没有，则会影响振动系统振动的对称性和线性。

在本实施例中，可选地，所述空置区423的长度与第一音圈部421的长度之间的比值大于或等于0.3，且小于或等于0.8。

在具体实施例中，所述空置区423的长度可根据扬声器100的尺寸、磁路系统的尺寸以及音圈组件40的尺寸等多方面因素来设置或调整。

在本实施例中，根据现有扬声器100的规格，所述空置区423的长度可选为大于或等于2毫米，且小于或等于10毫米。具体的，可根据实际情况或有限次实验而自行调整。

在本实用新型的其他实施例中，所述第一音圈部421的长度与第二音圈部422的长度也可设置不相等。比如，所述第一音圈部421长度与第二音圈部422长度的比值，等于或近似等于磁路间隙30的第二段32长度与第三段33长度的比值。可选地，所述第一段31长度与第二段32长度之间的比值，等于或近似等于控制区长度与第一音圈部421长度的比值。如此，也可增大音圈部42的有效音圈卷幅，并可改善振动系统振动的对称性和线性，从而可降低谐波失真。

在具体实施例中，所述第一音圈部421和第二音圈部422可由同一根绕线绕成；或者，所述第一音圈部421和第二音圈部422可分别由不同的绕线绕成，且所述第一音圈部421和第二音圈部422电连接。

在具体实施例中，如图3-5、12、13所示，将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33的方式有很多，下文进行举例说明。

进一步地，如图3-5所示，所述磁路间隙30的内侧面向内凹设形成内环槽34，所述磁路间隙30的外侧面向外凹设形成外环槽35，所述内环槽34对应外环槽35设置，以使所述磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

如此，可增加间隙磁场的均匀性和对称性。

进一步地，如图3-5所示，所述扬声器100还包括中心短路环36和/或边短路环37，所述中心短路环36安装于内环槽34，和/或，所述边短路环37安装于外环槽35。

如此，通过设置中心短路和/或边短路环37，可降低扬声器100系统的电感，从而可进一步降低谐波失真。而且，通过将中心短路环36设置在内环槽34内，经边短路环37设置在外环槽35内，可使得扬声器100设计巧妙、合理。

在所述磁路间隙30的第二实施例中，如图13所示，所述磁路间隙30的内侧面向内凹设形成内环槽34，以使磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。如此，所述内环槽34可将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

在该实施例中，可选地，如图13所示，所述扬声器100还包括中心短路环36，所述中心短路环36安装于内环槽34。如此，可降低扬声器100系统的电感。

在所述磁路间隙30的第三实施例中，如图12所示，所述磁路间隙30的外侧面向外凹设形成外环槽35，以使磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。如此，所述外环槽35可将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

在该实施例中，可选地，如图12所示，所述扬声器100还包括边短路环37，所述边短路环37安装于外环槽35。如此，可降低扬声器100系统的电感。

在具体实施例中，如图3-5、及12-17所示，所述磁路系统的构形式有很多，下文将结合磁路间隙30的形成方式列举几种进行说明；需要说明的是，所述磁路系统的结构形式包括但不限于以下几种。

进一步地，如图3-6所示，所述磁路系统包括下夹板50，及安装在下夹板50上的中心磁路60和边磁路90，所述中心磁路60包括设于下夹板50上表面的中心磁铁61，所述边磁路90包括设于下夹板50上表面的边磁铁91，所述边磁铁91设于中心磁铁61的周侧；所述中心磁路60和边磁路90之间形成磁路间隙30。

其中，所述中心磁铁61和边磁铁91均为永久磁体，所述中心磁铁61既可以由天然的磁石制成，也可由人造磁钢制成；同样的，所述边磁铁91既可以由天然的磁石制成，也可由人造磁钢制成。

其中，所述下夹板50具有聚磁、导磁作用。可选地，所述下夹板50设置为导磁板。

具体的，所述中心磁铁61和边磁铁91在磁路间隙30形成间隙磁场，以用于驱动音圈组件40带动振膜10振动。

可以理解，本实用新型扬声器100，通过设置中心磁铁61和边磁铁91，以在磁场间隙形成间隙磁场，不仅可以增加间隙磁场的磁通量，以提供更大的驱动力；更为重要的是，还可以降低甚至消除磁路系统自身结构部件对间隙磁场的影响，从而可改善磁路间隙30内间隙磁场的对称性，从而进一步使得扬声器系统电感具有更好的线性，进而可进一步降低谐波失真。

基于上述磁路结构，在具体实施例中，所述磁路间隙30的结构形式有很多，下文将列举几种进行说明；需要说明的是，所述磁路间隙30的结构形式包括但不限于以下几种。

进一步地，如图3-6所示，所述中心磁路60还包括设于中心磁铁61上表面的中心华司62，所述边磁路90还包括设于边磁铁91上表面的边华司92，所述边华司92设于中心华司62的周侧，以形成磁路间隙30。

其中，所述中心华司62和边华司92均具有聚磁、导磁作用，以用于增大间隙磁场的磁通量；所述中心华司62也可称中心导磁板，边华司92也可称边导磁板。

如此，通过设置中心华司62和边华司92，以在中心华司62和边华司92之间形成磁路间隙30，可提高间隙磁场的均匀性和对称性，从而可进一步地降低谐波失真。

进一步地，所述边磁铁91设置为环形。如此，不仅便于安装边磁铁91，还可保证间隙磁场的磁通量。

进一步地，所述边华司92设置为环形。如此，不仅便于安装边华司92，还可保证间隙磁场的磁通量和均匀性。

进一步地，如图3-5所示，所述磁路间隙30的宽度小于边磁铁91与中心磁铁61之间的间距。

其中，所述磁路间隙30的宽度是指径向宽度，所述边磁铁91与中心磁铁61之间的间距是指边磁铁91的内侧面与中心磁铁61的外侧面之间的径向距离。

如此，可有利于提高间隙磁场的均匀性和在上下方向上的对称性。

具体的，如图3-5所示，所述中心华司62的外侧面凸出中心磁铁61的外侧面；同时，所述边华司92的内侧面向内凸出于边磁铁91的外侧面。

进一步地，如图3-5所示，所述边华司92的中截面靠近中心华司62的中截面设置。

其中，所述边华司92的中截面是指，垂直于边华司92的厚度方向(即上下方向)、且过边华司92厚度中点的截面；所述中心华司62的中截面是指，垂直于中心华司62的厚度方向(即上下方向)、且过中心华司62厚度中点的截面。

进一步地，所述边华司92的中截面与中心华司62的中截面共面。在实际操作中，允许存在误差。

进一步地，所述边华司92的厚度与中心华司62的厚度相等，所述中心磁铁61和边磁铁91的厚度也相等；以使边华司92的中截面与中心华司62的中截面共面。

进一步地，如图3-5所示，所述中心华司62的外侧面向内凹设形成内环槽34，所述边华司92的内侧面向外凹设形成外环槽35，所述内环槽34对应外环槽35设置。

其中，所述中心华司62的外侧面即为磁路间隙30的内侧面，所述边华司92的内侧面即为磁路间隙30的外侧面。

如此，所述内环槽34和外环槽35可将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

在具体实施例中，所述中心华司62既可以为一体成型而成，如图17所示；也可以为多个子华司分体组配而成，如图3等所示。

进一步地，为了兼顾所述中心华司62的加工难度与组配便捷性，所述中心华司62可选地由两个子华司组配而成。具体而言，如图3-6、及13、16所示，所述中心华司62包括设于中心磁铁61上表面的第一子华司621和设于第一子华司621上表面的第二子华司622。

进一步地，如图3-5、及7所示，所述内环槽34包括设于第一子华司621的上端的第一子槽341、及设于第一子华司621的下端的第二子槽342，所述第一子槽341和第二子槽342配合形成内环槽34。具体的，所述第一子槽341设于第一子华司621的内侧面、并贯穿第一子华司621的上表面，所述第二子槽342设于第二子华司622的内侧面、并贯穿第二子华司622的下表面。

在所述内环槽34的第二实施例中，如图16所示，所述内环槽34开设于第一子华司621的上端，并贯穿第一子华司621的上表面，所述第二子华司622的下表面与第一子华司621围合成内环槽34。

在所述内环槽34的第三实施例中，所述内环槽34开设于第二子华司622的下端，并贯穿第二子华司622的下表面，所述第一子华司621的上表面与第二子华司622围合成内环槽34。

在具体实施例中，所述边华司92既可以为一体成型而成，如图17所示；也可以为多个子华司分体组配而成，如图3等所示。

进一步地，为了兼顾所述边华司92的加工难度与组配便捷性，所述边华司92可选地由两个子华司组配而成。具体而言，如图3-6、及13、16所示，所述边华司92包括设于边磁铁91上表面的第三子华司921和设于第三子华司921上表面的第四子华司922。

进一步地，如图3-5、及8所示，所述外环槽35包括设于第三子华司921的上端的第三子槽351、及设于第四子华司922的下端的第四子槽352，所述第三子槽351和第四子槽352配合形成内环槽34。具体的，所述第三子槽351设于第三子华司921的内侧面、并贯穿第三子华司921的上表面，所述第四子槽352设于第四子华司922的内侧面、并贯穿第四子华司922的下表面。

在所述外环槽35的第二实施例中，如图16所示，所述外环槽35开设于第三子华司921的上端，并贯穿第三子华司921的上表面，所述第四子华司922的下表面与第三子华司921围合成外环槽35。

在所述外环槽35的第三实施例中，所述外环槽35开设于第四子华司922的下端，并贯穿第四子华司922的下表面，所述第三子华司921的上表面与第四子华司922围合成外环槽35

在本实用新型的另一实施例中，如图12所示，所述边磁路90还包括设于边磁铁91上表面的边华司92，所述边华司92与中心磁铁61上端形成磁路间隙30。

在该实施例中，具体的，所述边华司92的内侧面向外凹设形成外环槽35，所述外环槽35将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

在该实施例中，具体的，所述边华司92的结构可参照以上实施例中的边华司92的结构、或做适应调整，在此不必详述。

在本实用新型的又一实施例中，如图13所示，所述中心磁路60还包括设于中心磁铁61上表面的中心华司62，所述中心华司62与边磁铁91上端形成磁路间隙30。

在该实施例中，具体的，所述中心华司62的外侧面向内凹设形成内环槽34，所述内环槽34将磁路间隙30分成第一段31、第二段32、及第三段33。

在该实施例中，具体的，所述中心华司62的结构可参照以上实施例中的中心华司62的结构、或做适应调整，在此不必详述。

在本实用新型的再一实施例中，如图14所示，所述磁路系统包括U铁66、以及设于U铁66内的中心磁路60，所述中心磁路60与U铁66的侧壁之间形成磁路间隙30。

其中，所述U铁66为导磁件，具有聚磁、导磁的作用。

在该实施例中，可选地，如图14所示，所述中心磁路60包括自下而上依次设置的主磁铁63、第一华司64及副磁铁65；所述第一华司64与U铁66的侧壁之间形成磁路间隙30。具体的，所述主磁铁63安装于U铁66的底壁，第一华司64安装于主磁铁63，副磁铁65安装于第一华司64。

在该实施例中，可选地，所述第一华司64的外侧面可设置内环槽34，其结构形式可参照上述实施例中的中心华司62的结构形式、或做适应调整，在此不必详述。

在该实施例中，可选地，所述U铁66的侧壁内壁面可设置外环槽35，其结构形式可参照上述实施例中的边华司92的结构形式、或做适应调整，在此不必详述。需要说明的是，U铁66的侧壁也可分体设置。

当然，在该实施例中，所述中心磁路60还可以设置为其他结构形式，在此不必一一赘述。

在本实用新型的第五实施例中，如图15所示，所述磁路系统包括T铁901、及设置于T铁901的立柱周侧的边磁路90，所述T铁901的立柱与边磁路90之间形成磁路间隙30。

其中，所述T铁901为导磁件，具有聚磁、导磁的作用。

在该实施例中，可选地，如图15所示，所述边磁路90自下而上依次设置的边磁铁91和边华司92，所述边华司92与T铁901的立柱前端之间形成磁路间隙30。具体而言，所述边磁铁91安装于T铁901的底板上，边华司92安装于边磁铁91上，且边磁铁91的前端安装于盆架20底部。

在该实施例中，可选地，如图15所示，所述边华司92的内侧面可设置外环槽35，其结构形式可参照上述实施例中的边华司92的结构形式、或做适应调整，在此不必详述。

在该实施例中，可选地，如图15所示，所述T铁901的立柱的外侧面可设置内环槽34，其结构形式可参照上述实施例中的中心华司62的结构形式、或做适应调整，在此不必详述。需要说明的是，T铁901的立柱也可分体设置。

在具体实施例中，所述磁路系统既可以安装在盆架20内；又可以安装在盆架20内，或部分安装在盆架20外。

在本实用新型的示例中，如图3、12-17所示，所述磁路系统安装在盆架20内。具体而言，所述磁路系统的下端部件(如下夹板50、T铁901的底板、或U铁66的底壁)安装在盆架20的底部；如此，通过将磁路系统安装在盆架20内，所述盆架20可对磁路系统进行防护，以避免磁路系统以外损伤，从而可利于提高扬声器100的使用寿命。

具体的，如,3和9所示，所述盆架20包括底壁(图未标)、及围设于所述底壁周缘的侧壁(图未标)，所述下夹板50安装在底壁上。可选地，所述磁路系统的下端部件(如下夹板50、T铁901的底板、或U铁66的底壁)可通过螺钉锁附结构、或胶接等方式连接于该底壁。

当所述磁路系统安装在盆架20外时，可选地，所述盆架20底部开设有避让孔(图未示)，所述边磁路90的上端(或U铁66侧壁的上端)连接于盆架20的底部，所述音圈组件40经该避让过孔伸入磁路间隙30内。

进一步地，如图3所示，所述振膜10包括折环11和锥盆12，所述锥盆12的上边缘与折环11的内边缘连接。

具体的，折环11为悬吊连接件，所述折环11的内边缘安装在盆架20上，以将振膜10安装在盆架20上；所述锥盆12为主要的发声装置，所述锥盆12下端缘围成开口，以形成振膜10的开口。所述折环11和锥盆12的结构可参考相关振膜10的结构，在此不必详述。

进一步地，如图3和6等所示，所述扬声器100还可以包括定心支片80。

具体的，如图3和6等所示，所述定心支片80为圆环形、具有弯折起伏的薄片状结构。所述定心支片80安装在所述盆架20内，所述定心支片80的外边缘与盆架20固定连接，其内边缘与音圈骨架41相连。所述定心支片80用于稳定音圈骨架41的振动状态，使音圈骨架41稳定的沿垂直于间隙磁场的方向振动。

根据本实用新型以上公开的内容，本领域技术人员易于想到，可根据实际需求或设计需要，将音圈部42间隔为三部分或更多的部分；比如，所述音圈部42分为三部分，即，所述音圈部42还包括与第一音圈部421间隔设置的第三音圈部(图未示)，所述第三音圈部位于所述第一音圈部421的远离第二音圈部422的一侧，当磁路间隙30包括第一段31、第二段32及第三段33时，所述第一音圈部421可选地对应第一段31设置；如此，也可提高音圈部42的有效音圈卷幅。

需要说明的是，当所述音圈部42间隔为更多部分时，可选地，本领域技术人员可根据实际情况、或有限次实验而将磁路间隙30设置为适合数量的分段。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种扬声器，其特征在于，包括：

盆架；

磁路系统；安装于所述盆架，所述磁路系统具有一磁路间隙；以及

振动系统，包括振膜和音圈组件，所述振膜安装于所述盆架，所述音圈组件包括一端安装于所述振膜的音圈骨架和音圈部，所述音圈部伸入所述磁路间隙内，所述音圈部包括间隔设置的第一音圈部和第二音圈部，所述第一音圈部和第二音圈部之间为空置区。

2.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述磁路间隙包括第一段、及分别连接于所述第一段两端的第二段和第三段，所述第一段对应所述空置区设置，所述第一段的宽度大于所述第二段和第三段的宽度。

3.如权利要求2所述的扬声器，其特征在于，所述第一段的中截面靠近所述空置区的中截面设置。

4.如权利要求2所述的扬声器，其特征在于，所述磁路间隙的内侧面向内凹设形成内环槽，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段；或者，

所述磁路间隙的外侧面向外凹设形成外环槽，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段；或者

所述磁路间隙的内侧面向内凹设形成内环槽，所述磁路间隙的外侧面向外凹设形成外环槽，所述内环槽对应所述外环槽设置，以使所述磁路间隙分成所述第一段、所述第二段、及所述第三段。

5.如权利要求4所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括中心短路环，所述中心短路环安装于所述内环槽；或者

所述扬声器还包括边短路环，所述边短路环安装于所述外环槽；或者

所述扬声器还包括中心短路环和边短路环，所述中心短路环安装于所述内环槽，所述边短路环安装于所述外环槽。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的扬声器，其特征在于，所述第一音圈部的长度等于所述第二音圈部的长度。

7.如权利要求6所述的扬声器，其特征在于，所述空置区的长度与所述第一音圈部的长度之间的比值大于或等于0.2，且小于或等于1；和/或

所述空置区的长度大于或等于2毫米，且小于或等于10毫米。

8.如权利要求1至5中任意一项所述的扬声器，其特征在于，所述第一音圈部和第二音圈部由同一根绕线绕成；或者

所述第一音圈部和第二音圈部分别由不同的绕线绕成；所述第一音圈部和第二音圈部电连接。

9.如权利要求1至5中任意一项所述的扬声器，其特征在于，所述磁路系统包括下夹板，及安装在所述下夹板上的中心磁路和边磁路，所述中心磁路包括设于所述下夹板上表面的中心磁铁，所述边磁路包括设于所述下夹板上表面的边磁铁，所述边磁铁设于所述中心磁铁的周侧；所述中心磁路和边磁路之间形成所述磁路间隙。

10.如权利要求9所述的扬声器，其特征在于，所述中心磁路还包括设于所述中心磁铁上表面的中心华司，所述中心华司与所述边磁铁上端形成所述磁路间隙；或者

所述边磁路还包括设于所述边磁铁上表面的边华司，所述边华司与所述中心磁铁上端形成所述磁路间隙；或者

所述中心磁路还包括设于所述中心磁铁上表面的中心华司，所述边磁路还包括设于所述边磁铁上表面的边华司，所述边华司设于所述中心华司的周侧，以形成所述磁路间隙。

11.如权利要求10所述的扬声器，其特征在于，所述中心华司的外侧面向内凹设形成内环槽；或者

所述边华司的内侧面向外凹设形成外环槽；或者

所述中心华司的外侧面向内凹设形成内环槽，所述边华司的内侧面向外凹设形成外环槽，所述内环槽对应所述外环槽设置。

12.如权利要求11所述的扬声器，其特征在于，所述中心华司包括设于所述中心磁铁上表面的第一子华司和设于所述第一子华司上表面的第二子华司，所述内环槽开设于所述第一子华司的上端，并贯穿所述第一子华司的上表面，所述第二子华司的下表面与所述第一子华司围合成所述内环槽；或者，所述内环槽开设于所述第二子华司的下端，并贯穿所述第二子华司的下表面，所述第一子华司的上表面与所述第二子华司围合成内环槽；或者，所述内环槽包括设于所述第一子华司的上端的第一子槽、及设于所述第一子华司的下端的第二子槽，所述第一子槽和第二子槽配合形成所述内环槽；和/或

所述边华司包括设于所述边磁铁上表面的第三子华司和设于所述第三子华司上表面的第四子华司，所述外环槽开设于所述第三子华司的上端，并贯穿所述第三子华司的上表面，所述第四子华司的下表面与所述第三子华司围合成所述外环槽；或者，所述外环槽开设于所述第四子华司的下端，并贯穿所述第四子华司的下表面，所述第三子华司的上表面与所述第四子华司围合成所述外环槽；或者，所述外环槽包括设于所述第三子华司的上端的第三子槽、及设于所述第四子华司的下端的第四子槽，所述第三子槽和第四子槽配合形成所述内环槽。

13.如权利要求1至5中任意一项所述的扬声器，其特征在于，所述磁路系统包括U铁、以及设于所述U铁内的中心磁路，所述中心磁路与所述U铁的侧壁之间形成所述磁路间隙；或者

所述磁路系统包括T铁、及设置于所述T铁的立柱周侧的边磁路，所述T铁的立柱与所述边磁路之间形成所述磁路间隙。