CN209071340U - 一种se-perc单晶硅太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种SE‑PERC单晶硅太阳能电池，包括SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体，SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体的正面具有相互垂直的主栅线槽和副栅线槽，在SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体的两端开设有缺口状的镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上。太阳能电池上的主栅线与焊接点为焊带在电池片上的焊接区域，为了降低组件端层压时的碎片风险，在现有技术中，最外侧的2～6条副栅线不与焊带焊接，本实用新型在电池片的两端设置镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种SE-PERC单晶硅太阳能电池。
背景技术
太阳能电池的发展方向是低成本、高效率，选择性发射极技术(selectiveemitter，SE)是晶硅太阳电池生产工艺中有望实现高效率的方法之一。SE太阳能电池是指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样的结构既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。
高效PERC电池片制造中引入选择性发射极技术，采用激光掺杂技术形成选择性PN结，SE技术与PERC技术完美结合，增强了电池对太阳光中紫外光和红外光的吸收，可提升约0.3％电池的光电转换效率。降低扩散薄层的横向电流损失是提升电池光电转换效率的必要条件。增加主栅及副栅数量可以减少扩散薄层光生电荷的传输距离，进而可以降低横向电流损失。而激光刻蚀主栅线槽和副栅线槽虽能降低金属栅线和硅片的接触电阻，但亦会造成硅片表面损伤，形成复合中心，且副栅外四根之间的区域的激光刻蚀亦不符合降本提效的原则。
因此，如何在不增加生产成本的前提下权衡以上矛盾从而进一步提升电池光电转换效率在SE-PERC单晶硅电池生产中显得尤为关键。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、可改善电池片外观、降低生产成本的SE-PERC单晶硅太阳能电池。
本实用新型的目的通过如下的技术方案来实现：一种SE-PERC单晶硅太阳能电池，包括SE-PERC单晶硅太阳能电池本体，所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的正面具有相互垂直的主栅线槽和副栅线槽，在所述主栅线槽上印刷有主栅线，在所述副栅线槽上印刷有副栅线，其特征在于：在所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的两端开设有缺口状的镂空槽，所述镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且所述镂空槽处于主栅线槽的位置上。
太阳能电池上的主栅线与焊接点为焊带在电池片上的焊接区域，为了降低组件端层压时的碎片风险，在现有技术中，最外侧的2～6条副栅线不与焊带焊接，本实用新型在电池片的两端设置镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。
作为本实用新型的一种改进，所述主栅线槽为12条，所述副栅线槽为110条，所述主栅线槽、副栅线槽和镂空槽采用激光一体刻蚀而成。本实用新型将主栅线槽增加至12条，减少主栅线的间距，缩短光生电荷的传输距离，进而减小扩散薄层的横向电流损失，可极大地改善光生电荷的收集效率，综合考虑了激光刻槽导致的表面损伤复合及SE重掺杂优势，因此，本实用新型在不增加生产成本的前提下，大大提升了电池的光电转换效率。本实用新型采用12BB(12根主栅)激光图形设计，主栅线槽、副栅线槽和镂空槽一体刻蚀而成，可以极大地降低电池片的串联电阻，获得较大填充，提高光生电荷的收集效率，有利于太阳能电池片电性能的改善。
作为本实用新型的一种实施方式，激光光斑为120μm的正方形，激光能量为26～29W。
作为本实用新型的一种优选实施方式，所述主栅线槽和副栅线槽分别均匀排布。
作为本实用新型的一种优选实施方式，所述镂空槽为U形，所述镂空槽的宽度为1～3mm，长度为2～7mm。
作为本实用新型的一种实施方式，所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体为单面太阳能电池。
作为本实用新型的另一种实施方式，所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体为双面太阳能电池。
与现有技术相比，本实用新型具有如下显著的效果：
⑴本实用新型在电池片的两端设置镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。
⑵本实用新型将主栅线槽增加至12条，减少主栅线的间距，缩短光生电荷的传输距离，进而减小扩散薄层的横向电流损失，可极大地改善光生电荷的收集效率，综合考虑了激光刻槽导致的表面损伤复合及SE重掺杂优势，因此，本实用新型在不增加生产成本的前提下，大大提升了电池的光电转换效率。
⑶本实用新型通过12BB激光图形设计，主栅线槽、副栅线槽和镂空槽一体刻蚀而成，可以极大地降低电池片的串联电阻，获得较大填充，提高光生电荷的收集效率，有利于太阳能电池片电性能的改善。
⑷本实用新型结构简单、实用性强，适于广泛推广和适用。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，是本实用新型一种SE-PERC单晶硅太阳能电池，包括SE-PERC单晶硅太阳能电池本体，SE-PERC单晶硅太阳能电池本体是现有技术，既可以是单面太阳能电池，也可以是双面太阳能电池。在本实施例中，SE-PERC单晶硅太阳能电池本体为单面太阳能电池，它包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场、背面钝化膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极，在背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，全铝背场通过开槽与P型硅相连。
正银电极包括分别均匀排布的主栅线和副栅线，主栅线槽和副栅线槽相互垂直，主栅线1印刷在主栅线槽上，副栅线2印刷在副栅线槽上，主栅线槽为12条，副栅线槽为110条。在SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的两端均匀开设有缺口状的U形镂空槽3，在本实施例中，U形镂空槽3截断位于最外侧的4条副栅线槽，且U形镂空槽3处于主栅线槽的位置上，U形镂空槽3的宽度为1mm，长度为5mm。在现有技术中，为了降低组件端层压时的碎片风险，最外侧的2～6条副栅线不与焊带焊接，而本实用新型在这个区域上开设U形镂空槽3，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。将主栅线槽增加至12条，减少主栅线的间距，缩短光生电荷的传输距离，进而减小扩散薄层的横向电流损失，可极大地改善光生电荷的收集效率，综合考虑了激光刻槽导致的表面损伤复合及SE重掺杂优势，因此，本实用新型在不增加生产成本的前提下，大大提升了电池的光电转换效率。
主栅线槽、副栅线槽和U形镂空槽3采用激光一体刻蚀而成，激光光斑为120μm的正方形，激光能量为26～29W，激光光源的波长为532nm。以下是本实用新型采用12BB激光刻槽与5BB激光未刻槽电性能比较列表：
| output | Voc(mV) | Isc(A) | Rs(mΩ) | Rsh(Ω) | FF(％) | Eta(％) | Irev2(A) | |
| 12BB激光刻槽 | 952 | 667.6 | 9.815 | 1.70 | 677 | 81.50 | 21.79％ | 0.033 |
| 5BB激光刻槽 | 1000 | 666.2 | 9.771 | 1.95 | 620 | 80.91 | 21.56％ | 0.031 |
(表1)
通过12BB激光图形设计，主栅线槽、副栅线槽和镂空槽一体刻蚀而成，可以极大地降低电池片的串联电阻，获得较大填充，提高光生电荷的收集效率，有利于太阳能电池片电性能的改善。
在其它实施例中，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽；镂空槽除了为U形，也可以为其它形状，例如V形；镂空槽的宽度为1～3mm，长度为2～7mm；SE-PERC单晶硅太阳能电池本体还可以是双面太阳能电池。
本实用新型的实施方式不限于此，根据本实用新型的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本实用新型上述基本技术思想前提下，本实用新型还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更，均落在本实用新型权利保护范围之内。
Claims (8)
1.一种SE-PERC单晶硅太阳能电池，包括SE-PERC单晶硅太阳能电池本体，所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的正面具有相互垂直的主栅线槽和副栅线槽，在所述主栅线槽上印刷有主栅线，在所述副栅线槽上印刷有副栅线，其特征在于：在所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的两端开设有缺口状的镂空槽，所述镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且所述镂空槽处于主栅线槽的位置上。
2.根据权利要求1所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述主栅线槽为12条，所述主栅线槽、副栅线槽和镂空槽采用激光一体刻蚀而成。
3.根据权利要求2所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：激光光斑为120μm的正方形，激光能量为26～29W。
4.根据权利要求3所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述副栅线槽为110条。
5.根据权利要求4所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述主栅线槽和副栅线槽分别均匀排布。
6.根据权利要求5所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述镂空槽为U形，所述镂空槽的宽度为1～3mm，长度为2～7mm。
7.根据权利要求1～6任一项所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体为单面太阳能电池。
8.根据权利要求1～6任一项所述的SE-PERC单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体为双面太阳能电池。
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|---|---|---|---|---|
| CN113192857A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-30 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种判断晶硅太阳能电池片失效的方法 |
| CN113410327A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-09-17 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种采用mbb主栅结构的se双面perc电池及其制备方法 |
| CN113782425A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-12-10 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池 |
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