CN104638047A - 背接触式太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

一种背接触式太阳能电池包含太阳能电池基板、本征层、第二型半导体层以及电极层。太阳能电池基板包含半导体基板本体与多个第一型半导体掺杂区。半导体基板本体掺杂有第一型半导体材料；第一型半导体掺杂区形成于半导体基板本体的背光面。本征层形成于背光面上，并设有多个露出第一型半导体掺杂区的第一开口。第二型半导体层沉积于本征层上，并具有多个对应于第一开口的第二开口。本发明的背接触式太阳能电池可避免当本征层及开口面积过大，会导致本征层的钝化效果降低，以及开口面积过小所导致的电阻过高的问题，故能使背接触式太阳能电池获得良好的钝化效果与效率。

Description

背接触式太阳能电池
技术领域
本发明涉及一种背接触式太阳能电池，具体为一种在掺杂有第一型半导体材料的半导体基板本体上沉积本征层与第二型半导体层的背接触式太阳能电池。
背景技术
在石油危机与温室效应的前提下，太阳能是最不会产生污染且能永续利用的能源，也因此太阳能电池的发展便蓬勃而起。一般来说，太阳能电池的构造主要是在硅晶片中掺杂P型半导体与N型半导体来形成PN接面，并在太阳能电池受光照射而产生电子空穴对时，利用PN接面所产生的内建电场来将电子与空穴分离，接着再通过电极所形成的回路来将电子与空穴导引出。
然而，由于现有的太阳能电池通常是将两电极分别设置于太阳能电池的受光面与背光面，因此设置于受光面的电极会遮蔽住太阳能电池的受光面积，导致太阳能电池无法有效地吸收光线，进而使太阳能电池的光电转换效率受到影响。为了解决太阳能电池的受光面被电极遮蔽的问题，背接触式太阳能电池也就顺应而生。
请参阅图1与图2，图1为现有技术的背接触式太阳能电池的剖面示意图，图2为现有技术的具有异质接面的背接触式太阳能电池的剖面示意图。如图所示，现有的背接触式太阳能电池PA100的结构主要包含一太阳能电池本体PA1、多个第一电极PA2以及多个第二电极PA3，且太阳能电池本体PA1于一背光面PA11处设有多个交错排列的第一型半导体掺杂区PA12与第二型半导体掺杂区PA13，而第一电极PA2与第二电极PA3则是分别电性连结于第一型半导体掺杂区PA12与第二型半导体掺杂区PA13，且第一电极PA2与第二电极PA3之间皆设有一介电层PA4。依靠此结构即可使太阳能电池本体PA1的受光面不会被第一电极PA2与第二电极PA3所遮蔽，有效地增加光的吸收量。
然而，在背接触式太阳能电池中，为了能进一步减少电子空穴于P-N接面的再结合、降低表面复合速率与增加开路电压等，已有前案揭露一种具有异质接面的背接触式太阳能电池，例如台湾专利公开号第201322465号专利文件，其揭露了一太阳能电池PA200具有一第二导电型掺杂区PA112，第二导电型掺杂区PA112位于第二导电型半导体层PA110下方的第一导电型硅基板PA102内，第一导电型硅基板PA102表面具有一本征半导体层PA106，而第二导电型半导体层PA110位在本征半导体层PA106上，通过在第一导电型硅基板PA102内掺杂第二导电型掺杂区PA112直接形成一异质接面；其中，由于此前案的本征半导体层PA106为一非晶半导体层，其电阻仍比金属高，且作为背面电场(Back Surface Field，BSF)的第一导电型半导体层PA108是设置于本征半导体层PA106上，因此其抑制表面复合的能力较差；此外，由于第一导电型硅基板PA102与第二导电型掺杂区PA112是直接接触，使得缺陷的产生过多，会导致太阳能电池效率不佳。
发明内容
由现有技术可知，现有的背接触式太阳能电池是利用非晶的本征半导体层的设置来解决减少电子电洞于P-N接面的再结合、降低表面复合速率以及增加开路电压，但由于作为背面电场的第一导电型半导体层是设置于本征半导体层上，因此会使抑制表面复合的能力受到影响；此外，由于第一导电型硅基板与第二导电型掺杂区是直接接触，因此会产生缺陷过多的问题，进而导致太阳能电池的效率不佳。
承上所述，本发明为解决现有技术的问题所采用的必要技术手段是提供一种背接触式太阳能电池，其包含一太阳能电池基板、一本征层、一第二型半导体层以及一电极层。太阳能电池基板包含一半导体基板本体与多个第一型半导体掺杂区。半导体基板本体具有一受光面以及一与受光面相对设置的背光面，且半导体基板本体具有一浓度为第一掺杂浓度的第一型半导体材料；多个第一型半导体掺杂区间隔地形成于背光面，且第一型半导体掺杂区各具有一浓度为第二掺杂浓度的第一型半导体材料，而第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。
本征层设置于背光面上，且本征层具有多个第一开口，各第一型半导体掺杂区分别自第一开口露出。
第二型半导体层设置于本征层上，且第二型半导体层具有多个对应于第一开口的第二开口，第二开口的宽度不小于第一开口的宽度。
电极层包含多个第一电极区与多个第二电极区。多个第一电极区分别经由第一开口电性接触地设置于第一型半导体掺杂区上且不与第二型半导体层接触。第二电极区分别间隔地设置于第二型半导体层上，并与第一电极区彼此相隔。
由以上叙述可知，相较于现有技术的背接触式太阳能电池的p-n接面是形成在导电型硅基板内，而本征层仅作为钝化层使用，本发明不仅利用本征层钝化半导体基板本体的背光面，更在本征层上形成一第二型半导体层，使得第二型半导体层透过本征层与具有第一型半导体材料的半导体基板本体形成p-i-n形式的异质接面，由此，可以有效地避免因p-n接面的形成而产生过多的缺陷。
此外，本发明更通过本征层的第一开口，使第一电极区可经由第一开口直接电性连结第一型半导体掺杂区，有效地降低两者之间的电阻值。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一开口的面积不大于第一型半导体掺杂区的面积，其中，该第一开口的面积占该第一型半导体掺杂区面积的比例为0.2%至100%。较佳者，第一开口的面积占第一型半导体掺杂区面积的比例为0.35%至70%。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，各第一开口的面积分别大于第一型半导体掺杂区之面积。较佳者，背接触式太阳能电池更包含多个钝化层，钝化层分别设置于第一开口内，且钝化层各具有一第三开口，第一电极区分别经由第三开口电性接触第一型半导体掺杂区，且第三开口的面积不大于第一型半导体掺杂区的面积；更进一步地，钝化层分别部份地覆盖第一型半导体掺杂区，使第一型半导体掺杂区分别自钝化层的第三开口部份地暴露出，进而使第一电极区经由第三开口电性接触第一型半导体掺杂区。其中，第三开口的面积占该第一型半导体掺杂区面积的比例为0.2%至100%。较佳地，第三开口的面积占第一型半导体掺杂区面积的比例为0.35%至70%。此外，在其他实施例中，第一电极区与本征层之间分别以一间隙间隔地设置，且背接触式太阳能电池更包含多个钝化层，钝化层分别沉积形成于第一电极区与本征层间的间隙中。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第三开口为圆型开口、线型开口或其组合。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，太阳能电池基板更包含一前表面电场层，其形成于受光面。较佳者，前表面电场层以一大于第一掺杂浓度的第三掺杂浓度掺杂有第一型半导体材料；此外，背接触式太阳能电池更包含一抗反射涂层，其设置于前表面电场层上。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，半导体基板本体具有一粗糙表面，其设置于受光面。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一开口为圆型开口、线型开口或其组合。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第二开口为线型开口。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，本征层为一非晶硅本征层与一微晶硅本征层的其中之一。
由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第二型半导体层为一非晶硅第二型半导体层与一微晶硅第二型半导体层的其中之一。
本发明所采用的具体实施例，将通过以下实施例及图式作进一步说明。
附图说明
图1为现有技术的背接触式太阳能电池的剖面示意图；
图2为现有技术的具有异质接面的背接触式太阳能电池的剖面示意图；
图3为本发明第一较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图；
图4为本发明第一较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的立体剖面示意图；
图5为本发明第二较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的立体剖面示意图；
图6为本发明第三较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图；
图7为本发明的背接触式太阳能电池的效率与开口比率的关系示意图；以及
图8为本发明的背接触式太阳能电池在开口百分率介于0.1%至10%时，背接触式太阳能电池的效率与开口百分率的关系示意图。
其中，附图标记说明如下：
PA100                  背接触式太阳能电池
PA1                    太阳能电池本体
PA11                   背光面
PA12                   第一型半导体掺杂区
PA13                   第二型半导体掺杂区
PA2                    第一电极
PA3                    第二电极
PA4                    介电层
PA102                  第二导电型掺杂区
PA106                  本征半导体层
PA108                  第一导电型半导体层
PA110                  第二导电型半导体层
PA112                  第二导电型掺杂区
PA200                  太阳能电池
100、100a、100b        背接触式太阳能电池
1                      太阳能电池基板
11                     半导体基板本体
111                    受光面
112                    背光面
113                    粗糙表面
12、12b                第一型半导体掺杂区
13                     前表面电场层
14                     抗反射涂层
2、2b                  本征层
21、21a                第一开口
3、3b                  第二型半导体层
31、31a                第二开口
4                      电极层
41、41a、41b           第一电极区
42、42a、42b           第二电极区
5                      钝化层
51                     第三开口
D                      间隙
具体实施方式
请参阅图3，图3为本发明第一较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图。
如图所示，一种背接触式太阳能电池100包含一太阳能电池基板1、一本征层2、一第二型半导体层3以及一电极层4。
太阳能电池基板1包含一半导体基板本体11、多个第一型半导体掺杂区12、一前表面电场层13以及一抗反射涂层14。
半导体基板本体11具有一受光面111、一背光面112以及一粗糙表面113。背光面112与受光面111相对地设置，而粗糙表面113设置于受光面111。其中，半导体基板本体11例如为一硅晶圆，且半导体基板本体11具有一第一掺杂浓度的第一型半导体材料，而第一型半导体材料例如是属于周期表中IIA或IIIA族元素的P型半导体或是属于周期表中VA或VIA族元素的N型半导体；意即，半导体基板本体11为P型硅晶圆或N型硅晶圆，而在本较佳实施例中，半导体基板本体11为N型硅晶圆。此外，粗糙表面113是利用雷射划槽、机械表面划槽(Mechanical Suface Grooving)或化学蚀刻等工艺对半导体基板本体11的受光面111加工所形成。
第一型半导体掺杂区12间隔地形成于背光面112，且第一型半导体掺杂区12各具有一第二掺杂浓度的第一型半导体材料。其中，第一型半导体掺杂区12是利用高温扩散法或离子布植法等工艺使第一型半导体材料进入半导体基板本体11的背光面112后所形成。
前表面电场层13形成于受光面111，且前表面电场层13以一大于第一掺杂浓度的第三掺杂浓度掺杂有第一型半导体材料。其中，前表面电场层13是利用高温扩散法或离子布植法等工艺使第一型半导体材料进入半导体基板本体11的受光面111后所形成。此外，由于受光面111设有粗糙表面113，因此在前表面电场层13形成后，粗糙表面113即相对地位于前表面电场层13上。
抗反射涂层14设置于前表面电场层13上。其中，抗反射涂层14是以真空镀膜、化学气相沉积、溶胶凝胶法等工艺将氮化硅(SiN)或二氧化钛(TiO2)等材料形成于前表面电场层13上，用以降光线的反射率。
本征层2为将一本征型半导体材料沉积于背光面112上所形成，并具有多个第一开口21，多个第一型半导体掺杂区12分别自第一开口21露出，且各第一开口21的面积分别小于第一型半导体掺杂区12的面积，即本征层2仅覆盖了第一型半导体掺杂区12的周围部分，而第一型半导体掺杂区12的中心部份则自第一开口21露出。其中，本征层2为一非晶硅本征层与一微晶硅本征层的其中之一，而在本实施例中，本征层2是利用一化学气相沉积工艺(chemical vapor deposition,CVD)在背光面112上沉积出非晶硅(a-Si:H)结构的非晶硅本征层；然而，在其他实施例中，亦可利用化学气相沉积工艺透过工艺条件的改变而沉积出微晶硅(μc-Si)结构的微晶硅本征层。此外，第一开口21是在本征层2沉积形成后，利用蚀刻或雷射切割等工艺所形成。
第二型半导体层3为将本征型半导体材料与一第二型半导体材料沉积于本征层2上所形成，因此第二型半导体层3与第一型半导体掺杂区12之间具有一本征层2。在本实施例中，第一型半导体掺杂区12为n型掺杂区，第二型半导体层3为p型半导体层，故本征层2与其两侧的第一型半导体掺杂区12及第二型半导体层3形成p-i-n的异质接合，可有效减少介面的缺陷，改善太阳能电池效率。此外，第二型半导体层3具有多个对应于第一开口21的第二开口31，第二开口31的宽度不小于第一开口21的宽度，且第二开口31分别迭盖于第一开口21。如图3所示，在本实施例中，第二开口31的宽度大于第一开口的宽度21，然而在其他实施例中，第二开口31的宽度亦可等于第一开口的宽度21。
此外，在本实施例中，第二型半导体层3为一非晶硅第二型半导体层或一微晶硅第二型半导体层，而在本实施例中，第二型半导体层3是利用化学气相沉积工艺于本征层2上沉积出掺杂有第二型半导体材料的非晶硅第二型半导体层，然后以蚀刻或雷射切割等工艺形成第二开口31，在其他实施例中，亦可以在本征层2与第二型半导体层3先形成之后，再以蚀刻或雷射切割等工艺分别形成第一开口21与第二开口31；或者以光罩(mask)直接形成具有第一开口21的本征层2与具有第二开口31的第二型半导体层3。
电极层4包含多个第一电极区41与多个第二电极区42。多个第一电极区41分别经由第一开口21电性接触地设置于第一型半导体掺杂区12上，且由于该第二开口31的宽度大于第一开口的宽度21，因此第一电极区41不会与第二型半导体层3接触而可避免短路现象发生。
第二电极区42分别间隔地设置于第二型半导体层3上，并与第一电极区41彼此相隔。
如上所述，本发明的背接触式太阳能电池100是在半导体基板本体11的背光面111上形成本征层2与第二型半导体层3，并使第一型半导体掺杂区12自本征层2的第一开口21与第二型半导体层3的第二开口31露出，以使第一电极区41与第二电极区42能分别电性连结于第一型半导体掺杂区12与第二型半导体层3。其中，由于本实施例是利用化学气相沉积的方式形成本征层2，并于本征层2上形成p型之第二型半导体层3，与现有技术相比，本发明以化学气相沉积工艺形成本征层2与第二型半导体层3所需的时间较短，且不需在高温的环境下，因此可以有效地避免硼等IIIA族元素因高温扩散制程于硅晶圆表面产生的高缺陷密度层与不易钝化等问题。
此外，在本实施例中，第一型半导体掺杂区12自第一开口21露出的面积小于第一型半导体掺杂区12整体面积的50%，且第一型半导体掺杂区12会因本征层2的覆盖而产生钝化效果，而由于第一电极区41与第一型半导体掺杂区12之间为直接接触，因此可降低接触电阻(contact resistance)并减少因接触电阻导致的功率损失。再者，由于第一型半导体掺杂区12直接形成于半导体基板本体11表面内，进而形成背面电场，因此通过电场效应来排斥空穴，可驱使空穴回到第二型半导体层3，以进一歩提升输出电流与电压。
请参阅图3与图4，图4为本发明第一较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的立体剖面示意图。如图所示，第一开口21与第二开口31皆为直条式的线型开口，且，使得经由第一开口21而设置在第一型半导体掺杂区12上的第一电极区41以及设置在第二型半导体层3上的第二电极区42形成交错地排列。
请参阅图5，图5为本发明第二较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的俯视图。如图5所示，一背接触式太阳能电池100a与上述第一实施例的背接触式太阳能电池100相似，其差异仅在于背接触式太阳能电池100a的第一开口21a为圆型开口，而第二开口31a为直条式的线型开口，在本实施例中，第二开口31a的宽度大于第一开口21a的宽度，由于第一开口21a为一圆型开口，因此第一开口21a的宽度在本实施例中是指该圆型开口21a的直径，而第一电极区41a与第二电极区42a在本实施例中为直条式的结构，意即第一电极区41a是透过圆型开口的第一开口21a电性接触于第一型半导体掺杂区(图5未示)。
请参阅图6，图6为本发明第三较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图。如图所示，一背接触式太阳能电池100b与上述背接触式太阳能电池100相似，其差异仅在于背接触式太阳能电池100b是以一本征层2b、一第二型半导体层3b、多个第一电极区41b以及多个第二电极区42b分别取代上述第一较佳实施例所提供的一本征层2、一第二型半导体层3、多个第一电极区41以及多个第二电极区42。其中，由于第二型半导体层3b的第二开口的宽度等于本征层2b的第一开口的宽度，因此第一电极区41b与本征层2b之间分别以一间隙D间隔地设置，且第二型半导体层3b与第二电极区42b也同样以间隙D与第一电极区41b间隔地设置，可避免第一电极区41b与第二型半导体层3b接触而产生短路现象。
此外，在本实施例中，背接触式太阳能电池100b相较于上述背接触式太阳能电池100更包含有多个钝化层5，而钝化层5是透过化学气相沉积工艺于本征层2b的第一开口(图中未标示)内，但不限于此，且这些钝化层5各具有一第三开口51，钝化层5部分覆盖第一型半导体掺杂区12b，使得部份的第一型半导体掺杂区12b自钝化层5的第三开口51暴露出，故第一电极区41b可经由第三开口51电性连结于第一型半导体掺杂区12b，意即钝化层5是在本征层2b与第一电极区41b之间的间隙D中形成，借以有效地隔绝本征层2b与第一电极区41b，并进一歩避免电流因直接透过本征层2b在第一电极区41b与第二电极区42b之间流动而导致短路，且在本实施例中，钝化层5的材质为氧化硅，其对于第一型半导体掺杂区12的钝化效果比非晶硅的本征层2b更佳，然而在其他实施例中，钝化层5的材质还可以是氮化硅等其他绝缘物质，且钝化层5可于本征层2b的第一开口形成后接续形成，然后再形成第二型半导体层3b、多个第一电极区41b以及多个第二电极区42b，或者钝化层5可以于本征层2b与第二型半导体层3b的第一开口与第二开口形成后，于第一电极区41b形成前设置于第一开口内。
其中，本实施例中的本征层2b的第一开口的面积是大于第一型半导体掺杂区12b的面积，而钝化层5则覆盖了部分的第一型半导体掺杂区12b，但在其他实施例中，第一电极区41b亦可完全覆盖第一型半导体掺杂区12b的面积，使得钝化层5未覆盖到第一型半导体掺杂区12b。
请参阅图7、图8与下表一，图7为本发明的背接触式太阳能电池的效率与开口百分率的关系示意图，图8为本发明的背接触式太阳能电池在开口百分率介于0.1%至10%时，背接触式太阳能电池的效率与开口百分率的关系示意图。由图7、图8与下表一的实验结果可以得知，本发明的本征层与钝化层具有开口，且第一实施例与第二实施例的本征层的第一开口或第三实施例的钝化层的第三开口在开口面积与第一型半导体掺杂区的面积比大于0.20%时，背接触式太阳能电池的效率可有大幅提升。即，本发明的第一型半导体掺杂区上具有一个面积至少为第一型半导体掺杂区面积的0.20%的开口时，第一电极区可通过开口与第一型半导体掺杂区电性连结，有效地降低两者之间的电阻值，提升背接触式太阳能电池效率。当开口面积为第一型半导体掺杂区面积的0.35%至70%时，背接触式太阳能电池的效率可以维持在更高的水平。通过本发明可避免当本征层及/或钝化层开口面积过大，会导致本征层及/或钝化层的钝化效果降低，以及开口面积过小所导致的电阻过高的问题，故能使背接触式太阳能电池获得良好的钝化效果与效率。
表一
另外，本发明的背接触式太阳能电池的半导体基板本体与半导体基板背光面具有相同的掺杂型，可为P型或N型。其中，当半导体基板本体掺杂的第一型半导体材料为N型时，位于该半导体基板背光面的第一型半导体掺杂区亦为N型，可进一步避免传统的IBC(interdigitated back contact)太阳电池在高温炉管内进行高温且长时间的硼(Boron)扩散时造成具有高缺陷密度的BRL层(boron rich layer)，可进一步降低背接触式太阳能电池背光面的表面缺陷，使效率提高。
通过以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。

Claims (18)

1.一种背接触式太阳能电池，包含：
一太阳能电池基板，包含：
一半导体基板本体，具有一受光面以及一与所述受光面相对设置的背光面，且所述半导体基板本体具有一浓度为第一掺杂浓度的第一型半导体材料；以及
多个第一型半导体掺杂区，间隔地形成于所述背光面，且所述多个第一型半导体掺杂区各具有一浓度为第二掺杂浓度的第一型半导体材料，而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；
一本征层，设置于所述背光面上，且所述本征层具有多个第一开口，所述多个第一型半导体掺杂区分别自所述多个第一开口露出；
一第二型半导体层，设置于所述本征层上，且所述第二型半导体层具有多个对应于所述多个第一开口的第二开口，所述第二开口的宽度不小于所述第一开口的宽度；以及
一电极层，包含：
多个第一电极区，分别经由所述多个第一开口电性接触地设置于所述多个第一型半导体掺杂区上且不与所述第二型半导体层接触；以及
多个第二电极区，分别间隔地设置于所述第二型半导体层上，并与所述多个第一电极区彼此相隔。
2.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口的面积不大于所述多个第一型半导体掺杂区的面积。
3.根据权利要求2所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第一开口的面积占所述第一型半导体掺杂区面积的比例为0.2%至100%。
4.根据权利要求3所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第一开口的面积占所述第一型半导体掺杂区面积的比例为0.35%至70%。
5.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口的面积大于所述多个第一型半导体掺杂区的面积。
6.根据权利要去5所述的背接触式太阳能电池，更包含多个钝化层，所述多个钝化层分别设置于所述多个第一开口内，且所述多个钝化层各具有一第三开口，所述多个第一电极区分别经由所述第三开口电性接触所述多个第一型半导体掺杂区，且所述第三开口的面积不大于所述多个第一型半导体掺杂区的面积。
7.根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第三开口为圆型开口、线型开口或其组合。
8.根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第三开口的面积占所述第一型半导体掺杂区面积的比例为0.2%至100%。
9.根据权利要求8所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第三开口的面积占所述第一型半导体掺杂区面积的比例为0.35%至70%。
10.根据权利要求5所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一电极区与所述本征层之间分别以一间隙间隔地设置，且所述背接触式太阳能电池更包含多个钝化层，所述多个钝化层分别沉积形成于所述第一电极区与所述本征层间的所述间隙中。
11.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述太阳能电池基板更包含一前表面电场层，形成于所述受光面。
12.根据权利要求11所述的背接触式太阳能电池，其中，所述前表面电场层以一大于所述第一掺杂浓度的第三掺杂浓度掺杂有所述第一型半导体材料。
13.根据权利要求11所述的背接触式太阳能电池，更包含一抗反射涂层，设置于所述前表面电场层上。
14.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述半导体基板本体具有一粗糙表面，设置于所述受光面。
15.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口为圆型开口、线型开口或其组合。
16.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第二开口为线型开口。
17.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述本征层为一非晶硅本征层或一微晶硅本征层。
18.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第二型半导体层为一非晶硅第二型半导体层或一微晶硅第二型半导体层。
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