CN209036273U - 基板研磨装置 - Google Patents

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李根雨
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Abstract

公开一种基板研磨装置和基板研磨系统。根据一个实施例的基板研磨装置可包括：研磨单元，其对基板的被研磨面进行研磨；以及辅助研磨单元，其用于对所述基板的边缘区域进行研磨。

Description

基板研磨装置
技术领域
下面的实施例涉及一种基板研磨装置及包括其的基板研磨系统。
背景技术
在制造基板时需要CMP(化学机械研磨,chemical mechanical polishing)作业，CMP作业包括研磨、磨光(buffing)以及清洗。基板的CMP作业要求通过研磨垫对基板的被研磨面进行研磨的工艺。CMP装置作为用于对基板的一面或两面进行研磨、磨光以及清洗的构成要素，设置有传送带、研磨垫或包括刷子的传送带。为了促进及强化CMP作业而使用研磨液。
在研磨基板时，通常研磨垫的尺寸比基板的尺寸小。所以，为了对基板的被研磨面进行研磨，有必要使得研磨垫水平移动的同时对基板进行研磨。
另外，在研磨基板的过程中，如果基板从研磨位置脱离，则产生基板研磨率降低的问题，因此，要求如用于固定基板位置的保持架一样的构造物。一般来说，如果保持架和基板的高度存在段差，则研磨垫会碰撞到基板的侧面，从而产生基板弹起的反弹(rebound)现象，并且产生基板的研磨度降低的问题。但是，在对比研磨垫大的尺寸的基板进行研磨的过程中，因为研磨垫需要在移动的同时对基板进行研磨，所以使得研磨垫对配置于基板周围的保持架进行研磨，最终，产生基板及研磨垫的段差增加的问题，从而产生基板边缘区域与其他部位相比研磨度降低的问题。另外，如果为了防止反弹现象而更换保持架，则需要中止连续工艺，所以会产生生产率降低的问题。因此，实情是要求既可以防止反弹现象又可以最小化保持架更换周期的装置。
实用新型内容
根据一个实施例的目的在于，提供一种基板研磨装置，其确保具有均匀的研磨度的基板。
根据一个实施例的目的在于，提供一种基板研磨装置，其防止基板边缘区域的研磨度下降，从而具有较高的工艺生产率。
根据一个实施例的基板研磨装置，其可包括：研磨单元，其对基板的被研磨面进行研磨；以及辅助研磨单元，其用于对所述基板的边缘区域进行研磨。
在一个侧面，所述研磨单元包括：研磨头，其位于所述基板的上部；研磨垫，其附着于所述研磨头，与所述基板相接触，同时对所述被研磨面进行研磨，所述辅助研磨单元可包括：辅助研磨头，其位于所述基板的上部；辅助研磨垫，其附着于所述辅助研磨头，与所述基板相接触，同时对所述被研磨面进行研磨。
在一个侧面，所述研磨头可沿着第一路径进行移动，第一路径设定为所述研磨垫对所述被研磨面的整体进行研磨。
在一个侧面，所述辅助研磨头可沿着第二路径进行移动，第二路径设定为所述辅助研磨垫在所述基板的边缘区域循环的同时对所述基板的边缘区域进行研磨。
在一个侧面，所述研磨垫可具有比所述辅助研磨垫大的面积。
根据一个实施例的基板研磨装置可包括：基板支撑单元，其以使得基板的被研磨面朝向上部的形式支撑所述基板；研磨单元，其位于所述基板支撑单元上部，对移送至所述研磨位置的基板的被研磨面进行研磨；以及辅助研磨单元，其位于所述基板支撑单元的上部，对移送至所述研磨位置的基板的边缘区域进行研磨。
在一个侧面，所述研磨单元可包括：研磨滚筒，其沿着与所述被研磨面平行的平面进行线性移动；研磨头，其与所述研磨滚筒相连接，以与所述被研磨面垂直的轴为中心进行旋转；以及研磨垫，其与所述主研磨头相连接。
在一个侧面，所述研磨滚筒可以沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向进行线性移动。
在一个侧面，所述研磨滚筒可沿着所述第一方向及第二方向同时进行移动，以便沿着与所述被研磨面平行的轨道进行移动。
在一个侧面，所述辅助研磨单元可包括：辅助研磨滚筒，其沿着所述基板的边缘区域进行移动；辅助研磨头，其与所述辅助研磨滚筒相连接，以与所述基板面垂直的轴为中心进行旋转；以及辅助研磨垫，其与所述辅助研磨头相连接。
在一个侧面，所述基板支撑单元可包括：基板安放部，所述基板安放于基板安放部；基板支撑部，其配置于所述基板安放部的下侧，并且支撑所述基板；以及保持架部，其配置于所述安放的基板周围。
在一个侧面，所述基板安放部包括移送带，移动带缠绕于滚子(roller)并进行旋转，将基板移送至研磨位置，所述基板支撑部配置于移送带的内侧，并可在隔着所述移送带的状态下，在所述基板的背面支撑所述基板。
在一个侧面，所述基板支撑部可相对于所述基板沿着上下方向进行升降操作。
在一个侧面，可对所述保持架部的高度进行调节，以便防止和所述安放的基板形成段差。
根据一个实施例的基板研磨系统可包括：基板支撑单元，其支撑基板；研磨单元，其包括研磨垫，研磨垫沿着设定的路径进行移动，同时对所述基板的被研磨面进行研磨；辅助研磨单元，其沿着所述基板的周围进行移动，同时对所述被研磨面的边缘区域进行研磨；传感部，其对所述基板的研磨状态进行测量；控制部，其对所述研磨单元及辅助研磨单元的操作进行控制。
在一个侧面，所述传感部对所述被研磨面的研磨均匀度进行测量，所述控制部可分别对所述研磨单元及辅助研磨单元进行控制，以便使得所述被研磨面整体的研磨度均匀。
在一个侧面，所述传感部对所述基板的边缘区域的研磨状态进行测量，并对具有设定值以下的研磨度的区域进行检测，所述控制部可控制所述辅助研磨单元，以便对所述检测出的区域进行研磨。
根据一个实施例的基板研磨装置可以确保具有均匀的研磨度的基板。
根据一个实施例的基板研磨装置防止基板边缘区域的研磨度降低，从而可具有较高的工艺生产率。
根据一个实施例的基板研磨装置的效果并非限定于上述提及的内容，一般的技术人员可以从以下的记载明确地理解未提及的其他效果。
附图说明
本说明书中所附的以下附图例示了本实用新型的优选的一个实施例，与实用新型的详细说明一起发挥更进一步理解本实用新型的技术思想的作用，因此，本实用新型不能解释为只限定于所述附图中记载的事项。
图1是根据一个实施例的基板研磨装置的立体图。
图2是沿着图1的II-II线的基板研磨装置的截面图。
图3是根据一个实施例的研磨单元的操作图。
图4是根据一个实施例的辅助研磨单元的操作图。
图5是根据一个实施例的基板研磨装置的操作图。
图6是根据一个实施例的基板研磨装置的框图。
具体实施方式
以下，通过例示的附图对实施例进行详细的说明。需要留意的是，在给各个附图的构成要素添加参照标号时，对相同的构成要素虽然在不同的图上进行了表示，但也尽可能使其具有相同的标号。此外，在说明实施例时，判断为针对有关的公知构成或功能的具体说明会妨碍对实施例的理解的情况，省略其详细说明。
此外，在对实施例的构成要素进行说明时，可以使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。所述术语仅仅用于区分该构成要素和其他构成要素，并非通过术语来限定相应构成要素的本质或次序或顺序等。记载为某个构成要素“连接”、“结合”或者“接合”于其他构成要素的情况，虽然该构成要素可以直接连接或接合于其他构成要素，但是，应该理解为，在各个构成要素之间也可以“连接”、“结合”或者“接合”有另外的其他构成要素。
针对与某一个实施例中包含的构成要素具有共同功能的构成要素，在其他实施例中使用相同的名称来进行说明。只要没有相反的记载，在任意一个实施例中记载的说明也可以适用于其他实施例，并且在重复的范围内省略具体的说明。
图1是根据一个实施例的基板研磨装置的立体图，图2是沿着图1的II-II线的基板研磨装置的截面图，图3是根据一个实施例的研磨单元的操作图，图4是根据一个实施例的辅助研磨单元的操作图。
参照图1至图4，根据一个实施例的基板研磨装置10，同时对一个基板W的多个部位进行研磨，从而可均匀地保持基板W的研磨度。基板研磨装置10对基板W的边缘区域进行研磨，从而能够防止基板W的中心和边缘区域的研磨不均匀。
基板W可包括用于如LCD(liquid crystal display，液晶显示器)、PDP(plasmadisplay panel，等离子显示板)等平板显示设备(flat panel display device,FPD)的玻璃。但是，基板W的种类不限定于此。比如，基板W也可以是用于制造半导体装置(semiconductor)的硅片(silicon wafer)。此外，虽然在附图中示出了基板W具有四边形形状，但是这仅仅是为了便于说明的一个例子，基板W的形状不限定于此。
根据一个实施例的基板研磨装置10可包括：基板支撑单元130、研磨单元110以及辅助研磨单元120。
基板支撑单元130可以以使得基板W的被研磨面朝向上部的形式支撑基板W。基板支撑单元130为了对基板W进行研磨而支撑基板W的同时，可以将基板W移送至研磨位置。基板支撑单元130可包括：基板安放部、基板支撑部133及保持架部134。
基板W可安放于基板安放部。基板W以被研磨面朝向上部的形式被安放于基板安放部，可随着基板安放部的移动而调节位置。基板安放部可以是传送带(conveyor)，传送带包括滚子131和移送带132，移送带132缠绕于滚子131并进行旋转操作。
滚子131可以以旋转轴为中心进行旋转。可设置有一对滚子131。此时，一对滚子131可以配置为以具有相互平行的旋转轴的形式隔开一定间距。一对滚子131可以以相同的角速度进行旋转。滚子131可以与马达相连接，马达与旋转轴相连接并提供驱动力。在设置有一对滚子131时，马达与各个滚子131相连接，从而可提供动力，但是与此不同地，可以使得提供驱动力的马达仅与一个滚子131相连接，使得滚轮(idler)与另一个滚子131相连接，以便随着移送带132的移动进行自由旋转。但是，这不过是一个例示，马达的种类及动力传递方式并非限定于此。
移送带132缠绕于滚子131并进行旋转的同时可以移送基板W。移送带132以形成闭环(closed loop)的形式形成为一体型，可随着滚子131的旋转向一个方向移动。移送带132的移动方向和滚子131的旋转轴互相垂直。基板W可以安放在位于上部的移送带132的外面。换句话说，基板W安放于移送带132的外面上部，通过移送带132的旋转移动可以从一个滚子131向另一个滚子131方向被移送。当基板W位于一对滚子131之间时，可以利用后面叙述的研磨单元110对基板W进行研磨。换句话说，安放于移送带132的基板W向“研磨位置”移动，若完成研磨，则基板W可以随着移送带132的移动从“研磨位置”脱离。
基板支撑部133配置于基板安放部的下侧，并可支撑基板W。安放于基板安放部的基板W，例如，安放于移送带132外面的基板W，在研磨的情况下，向下部方向被加压，基板支撑部133在隔着移送带132的状态下，在基板W的背面向上部加压移送带132，从而可以支撑基板W。例如，基板支撑部133可以配置于一对滚子131之间，以便能够支撑位于研磨位置的基板W。基板支撑部133相对于基板W沿着上下方向进行升降操作，从而可以调节施加于基板W的移送带132的压力。例如，基板支撑部133与可以调节长度的升降部件相连接，随着升降部件的操作可以调节相对于地面的高度。
基板支撑部133可向所支撑的基板W的各个部位施加相互不同的压力。例如，基板支撑部133包括被划分为多个区域的压力腔室，压力腔室的各个区域施加相互不同的压力，从而可以调节向基板W的各个部位施加的压力。根据如上所述的结构，基板支撑部133在对基板W进行研磨的过程中按各个部分来调节向基板W施加的压力，从而可以以使得基板W整体的研磨均匀度均匀的形式进行调节。
保持架部134配置于被安放的基板W的周围，从而可以在基板W被研磨的状态下固定基板W的位置。例如，保持架部134可以以包围基板W的安放部位的形式形成于移送带132的外面。保持架部134支撑基板W的外侧，从而可保持相对于移送带132的基板W的相对位置。保持架部134可具有与基板W相对应的厚度，以便不与安放的基板W形成段差。另外，可以对保持架部134的高度进行调节，以便不与基板W的被研磨面形成段差。例如，在基板W的研磨过程中，可产生包围基板W的边缘区域的保持架部被磨损的现象。所以，调节相对于地面的保持架部134的高度，从而可以去除和基板W的被研磨面的段差。
研磨单元110可以对基板W的被研磨面进行研磨。例如，研磨单元110安放于移送带132上，从而可对到达研磨位置的基板W的被研磨面进行研磨。研磨单元110可包括研磨滚筒111、研磨头112及研磨垫113。
研磨滚筒111位于基板支撑单元130的上部，即位于基板W的上部，并且可以对到达研磨位置的基板W的被研磨面进行研磨。研磨滚筒111可以在与基板W的被研磨面平行的平面上进行线性移动。如图3所示，研磨滚筒111可沿着与基板W的被研磨面平行的第一方向D1及与第一方向D1垂直的第二方向D2进行线性往返移动。所以，研磨滚筒111通过向第一方向D1及第二方向D2的同时移动，可以以形成与基板W的被研磨面平行的轨道的形式进行移动。结果，研磨滚筒111可以以通过基板W的被研磨面整体的上部的形式进行移动。
研磨头112可以以能够旋转的形式与研磨滚筒111相连接。研磨头112可以以与基板W的被研磨面垂直的轴为中心进行旋转。研磨头112可以随着研磨滚筒111的移动在基板W的被研磨面的上部进行旋转的同时进行移动。
研磨垫113可以与研磨头112相连接。例如，研磨垫113可以以能够更换的形式与研磨头112的下侧端部相连接，与基板W的被研磨面接触，同时可以对基板W的被研磨面进行研磨。研磨垫113随着研磨滚筒111及研磨头112的操作，相对于基板W进行移动、旋转的同时，可以对基板W的被研磨面进行研磨。
研磨单元110可沿着第一路径进行移动，第一路径设定为研磨垫113对被研磨面的整体进行研磨。例如，研磨单元110以横穿基板W的形式进行移动的同时，可对基板W的被研磨面进行研磨。
辅助研磨单元120可以对基板W的边缘区域进行研磨。辅助研磨单元120位于基板支撑单元130的上部，沿着移送至研磨位置的基板W的边缘区域进行移动，同时可对基板W的被研磨面进行研磨。辅助研磨单元120可包括：辅助研磨滚筒121、辅助研磨头122及辅助研磨垫123。
辅助研磨滚筒121可沿着配置于研磨位置的基板W的边缘位置进行移动。辅助研磨滚筒121可在与基板W的被研磨面平行的平面上进行线性移动。如图4所示，辅助研磨滚筒121在与基板W的被研磨面平行的平面上进行线性移动的同时，可以在基板W的边缘区域进行循环。
辅助研磨头122可以以能够旋转的形式与辅助研磨滚筒121相连接。辅助研磨头122可以以能够以与基板W的被研磨面垂直的轴为中心旋转的形式与辅助研磨滚筒121相连接。辅助研磨头122随着辅助研磨滚筒121的移动，在基板W的上部进行旋转的同时，可沿着基板W的边缘区域进行移动。
辅助研磨垫123可以与辅助研磨头122相连接。例如，辅助研磨垫123以能够更换的形式与辅助研磨头122的下侧端部相连接，与基板W的被研磨面接触的同时，可对基板W的边缘区域进行研磨。
研磨单元110可沿着第一路径进行移动，第一路径设定为研磨垫113对被研磨面的整体进行研磨。例如，研磨单元110以横穿基板W的形式进行移动，同时可对基板W的被研磨面进行研磨。结果，辅助研磨单元120可使得辅助研磨垫123沿着第二路径进行移动，第二路径设定为在基板W的边缘区域循环的同时对基板W的边缘区域进行研磨。
总之，研磨单元110及辅助研磨单元120同时在基板W的上部进行移动，同时可对基板W的被研磨面进行研磨。在研磨单元110以横穿基板W的形式移动的同时对被研磨面进行研磨时，支撑基板W的边缘区域的保持架部134可能被磨损。如果保持架部134被磨损，则产生基板W的被研磨面和保持架部134之间的段差，因此在研磨垫113对保持架部134和基板W的边缘区域同时进行研磨的过程中，可能产生基板W的反弹现象。由此，产生基板W被损伤的问题，或者基板W边缘区域比其他区域研磨度降低，从而可能产生基板W整体的研磨度不均匀的现象。
辅助研磨单元120只对产生研磨度降低的基板W的边缘区域进行集中研磨，从而能够保持基板W整体的研磨均匀度。结果，通过辅助研磨单元120，可解决由于保持架部134的磨损而导致的研磨度降低的问题，防止由于保持架部134的更换而导致的工艺生产率降低。
图5是根据一个实施例的基板研磨装置的立体图。
参照图5，根据一个实施例的基板研磨装置10'可包括：基板支撑单元14、研磨单元110及辅助研磨单元120。
基板支撑部14可包括：基板安放部141，基板W安放于基板安放部141；以及保持架部142，其对安放于基板安放部141的基板W的侧面进行支撑。
研磨单元110对安放于基板安放部141的基板W的被研磨面进行研磨，辅助研磨单元120可对安放于基板安放部141的基板W的边缘区域进行研磨。
研磨单元110包括：研磨头112，其位于基板W的上部；研磨垫113，其附着于研磨头112，并与基板W接触，同时对被研磨面进行研磨，辅助研磨单元120可包括：辅助研磨头122，其位于基板W的上部；辅助研磨垫123，其附着于辅助研磨头122，并与基板W接触，同时对被研磨面进行研磨。
此时，研磨单元110使得研磨垫113沿着第一路径移动，第一路径设定为研磨垫113可对被研磨面整体进行研磨，辅助研磨单元120可使得辅助研磨垫123沿着第二路径移动，第二路径设定为辅助研磨垫123在基板W的边缘区域循环的同时对基板W的边缘区域进行研磨。
辅助研磨垫123可具有比研磨垫113小的面积。换句话说，通过具有相对较大面积的研磨垫113对基板W的被研磨面进行研磨，通过具有相对较小的面积的辅助研磨垫123可对具有低研磨度的基板W的边缘区域进行集中研磨。
结果，基板研磨装置10'可通过研磨单元110及辅助研磨单元120均匀地对基板W的所有区域进行研磨。
图6是根据一个实施例的基板研磨装置的框图。
根据一个实施例的基板研磨装置可包括：基板支撑单元130、研磨单元110、辅助研磨单元120、传感部150及控制部160。
研磨单元110沿着设定的路径进行移动的同时对基板W的被研磨面进行研磨，辅助研磨单元120可沿着基板W的周围进行移动的同时对被研磨面的边缘区域进行研磨。
传感部150可对基板W的研磨状态进行测量。传感部150可对基板W的被研磨面的研磨均匀度进行测量。例如，传感部150测量基板W的各个部位研磨度，通过比较测量的各个部位的研磨度，可以测量基板W整体的研磨均匀度。另外，传感部150可对基板W的边缘区域的研磨度降低进行测量。例如，传感部150将基板W的边缘区域划分为多个区域，测量各个区域的研磨状态，从而可对产生设定值以下的研磨度的区域进行检测。
控制部160可对研磨单元110及辅助研磨单元120的操作进行控制。控制部160可以以传感部150传感到的信息为基础对研磨单元110和辅助研磨单元120各自的操作进行控制，以便使得被研磨面整体的均匀度均匀。例如，控制部160可通过传感部150控制辅助研磨单元120的操作，以便对产生设定值以下的研磨度的区域进行研磨。
总之，根据一个实施例的基板研磨装置可通过辅助研磨单元缩短研磨所需的时间，增加保持架的更换周期，使得研磨工艺生产力增大，辅助研磨单元只对基板的研磨度易于降低的边缘区域进行集中研磨。此外，基板研磨装置可以通过研磨单元及辅助研磨单元的分别操作来确保具有均匀的研磨度的基板。
如上所述，虽然根据限定的附图对实施例进行了说明，但是若是在所属技术领域内具有通常的知识的技术人员，则可以基于所述记载进行多种修改及变形。例如，可以以与说明的方法不同的顺序执行所说明的技术，及/或者将所说明的结构、装置等构成要素以与说明的方法不同的形态进行结合或组合，或者即使用不同的构成要素或均等物来代替或置换，也可以达成合适的结果。
标号说明
10：基板研磨装置
W：基板
110：研磨单元
120：辅助研磨单元
130：基板支撑单元

Claims (16)

1.一种基板研磨装置，其包括：
研磨单元，其对基板的被研磨面进行研磨；
辅助研磨单元，其用于对所述基板边缘区域进行研磨；
所述研磨单元包括研磨头和研磨垫，研磨头位于所述基板上部，研磨垫附着于所述研磨头，与所述基板相接触的同时对所述被研磨面进行研磨，
所述辅助研磨单元包括辅助研磨头和辅助研磨垫，辅助研磨头位于所述基板上部，辅助研磨垫附着于所述辅助研磨头，与所述基板相接触的同时对所述被研磨面进行研磨。
2.根据权利要求1所述的基板研磨装置，
所述研磨单元沿着第一路径进行移动，第一路径设定为所述研磨垫对所述被研磨面的整体进行研磨。
3.根据权利要求2所述的基板研磨装置，
所述辅助研磨单元沿着第二路径进行移动，第二路径设定为所述辅助研磨垫在所述基板的边缘区域循环的同时对所述基板的边缘区域进行研磨。
4.根据权利要求1所述的基板研磨装置，
所述研磨垫具有比所述辅助研磨垫大的面积。
5.一种基板研磨装置，其包括：
基板支撑单元，其以使得基板的被研磨面朝向上部的形式支撑所述基板；
研磨单元，其位于所述基板支撑单元的上部，对移送至其研磨位置的基板的被研磨面进行研磨；以及
辅助研磨单元，其位于所述基板支撑单元的上部，对移送至所述研磨位置的基板的边缘区域进行研磨。
6.根据权利要求5所述的基板研磨装置，所述研磨单元包括：
研磨滚筒，其沿着与所述被研磨面平行的平面进行线性移动；
研磨头，其与所述研磨滚筒相连接，以与所述被研磨面垂直的轴为中心进行旋转；以及
研磨垫，其与所述研磨头相连接。
7.根据权利要求6所述的基板研磨装置，
所述研磨滚筒沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向进行线性移动。
8.根据权利要求7所述的基板研磨装置，
所述研磨滚筒沿着所述第一方向及第二方向同时进行移动，以便沿着与所述被研磨面平行的轨道移动。
9.根据权利要求5所述的基板研磨装置，所述辅助研磨单元包括：
辅助研磨滚筒，其沿着所述基板的边缘区域移动；
辅助研磨头，其与所述辅助研磨滚筒相连接，以与所述基板垂直的轴为中心进行旋转；
辅助研磨垫，其与所述辅助研磨头相连接。
10.根据权利要求5所述的基板研磨装置，所述基板支撑单元包括：
基板安放部，所述基板安放于基板安放部；
基板支撑部，其配置于所述基板安放部的下侧，支撑所述基板；
保持架部，其配置于所述基板安放部的周围。
11.根据权利要求10所述的基板研磨装置，
所述基板安放部包括移送带，移送带缠绕于滚子并进行旋转，将所述基板移送至研磨位置，
所述基板支撑部配置于所述移送带的内侧，在隔着所述移送带的状态下，在所述基板的背面支撑所述基板。
12.根据权利要求10所述的基板研磨装置，
所述基板支撑部相对于所述基板沿着上下方向进行升降操作。
13.根据权利要求10所述的基板研磨装置，
对所述保持架部的高度进行调节，以便防止和所述安放的基板形成段差。
14.一种基板研磨系统，其包括：
基板支撑单元，其支撑基板；
研磨单元，其包括研磨垫，研磨垫沿着设定的路径进行移动的同时对所述基板的被研磨面进行研磨；
辅助研磨单元，其沿着所述基板的周围进行移动的同时对所述被研磨面的边缘区域进行研磨；
传感部，其测量所述基板的研磨状态；以及
控制部，其控制所述研磨单元及辅助研磨单元的操作。
15.根据权利要求14所述的基板研磨系统，
所述传感部测量所述被研磨面的研磨均匀度，
所述控制部分别控制所述研磨单元及辅助研磨单元，以便使得所述被研磨面整体的研磨度均匀。
16.根据权利要求14所述的基板研磨系统，
所述传感部对所述基板的边缘区域的研磨状态进行测量，对具有设定值以下的研磨度的区域进行检测，
所述控制部控制所述辅助研磨单元，以便对被检测的所述基板的边缘区域进行研磨。
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