CN209001832U - 抗辐射干扰的boost升压电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及抗辐射干扰的BOOST升压电路,包括:电感P01‑P02、二极管D1、开关管Q1、电容C1、C2、C3以及控制电路,电感P01‑P02的一端连接电源输入端,另一端连接二极管D1的正极以及开关管Q1的集电极,二极管D1的负极连接输出端以及电容C2、C3的一端,电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地,开关管Q1的发射极接地,开关管Q1的栅极连接控制电路的一端以及电容C1的一端,控制电路的另一端连接控制端,电容C1的另一端接地。本实用新型通过增加电容C1减少开关管Q1的高频震荡,使开关管Q1的集电极和发射极端的高频干扰被吸收,不能辐射出去;增加电容C2使输出端的干扰也被消除,达到了抑制辐射干扰超标的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及抗辐射干扰的BOOST升压电路。
背景技术
光伏逆变器由升压电路和逆变桥式电路构成,升压电路主要用于将直流电压升压至逆变器输出所需直流电压,逆变桥式电路主要用于将升压后的直流电压转换为固定频率的交流电压。因此,经升压电路和逆变桥式电路完成将直流电转换为交流电的功能。
在现有的BOOST升压回路中,存在高频辐射对外产生干扰,从而降低输出交流电压的质量。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提出抗辐射干扰的BOOST升压电路。
抗辐射干扰的BOOST升压电路,包括:电感P01-P02、二极管D1、开关管Q1、电容C1、C2、C3以及控制电路,所述电感P01-P02的一端连接电源输入端,另一端连接二极管D1的正极以及开关管Q1的集电极,所述二极管D1的负极连接输出端以及电容C2、C3的一端,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地,所述开关管Q1的发射极接地,开关管Q1的栅极连接控制电路的一端以及电容C1的一端,所述控制电路的另一端连接控制端,所述电容C1的另一端接地。
优选的,所述控制电路包括三极管Q2、电阻R1、R2、R3,所述三极管Q2的基极连接控制端以及电阻R1的一端,三极管Q2的集电极接地,三极管Q2的发射极连接电阻R2的一端,所述电阻R1的另一端连接开关管Q1的栅极,所述电阻R2的另一端连接开关管Q1的栅极,所述电阻R3的一端连接开关管Q1的栅极,另一端接地。
本实用新型可以实现以下效果:通过增加电容C1降低辐射干扰,减少开关管Q1的高频震荡来抑制并网逆变器的辐射,使开关管Q1的集电极和发射极端的高频干扰被吸收,不能辐射出去;增加电容C2使输出端的干扰也被消除,达到了抑制辐射干扰超标的目的。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1所示,本实用新型实施例提供了一种抗辐射干扰的BOOST升压电路,包括:电感P01-P02、二极管D1、开关管Q1、电容C1、C2、C3以及控制电路,电感P01-P02的一端连接电源输入端,另一端连接二极管D1的正极以及开关管Q1的集电极,二极管D1的负极连接输出端BUS+以及电容C2、C3的一端,所述电容C2的另一端接地,电容C3的另一端接地,开关管Q1的发射极接地,开关管Q1的栅极连接控制电路的一端以及电容C1的一端,控制电路的另一端连接控制端BOOST,电容C1的另一端接地。
其中,控制端BOOST用于输入控制高电平信号或控制低电平信号,通过控制电路来实现开关管Q1导通或断开的控制。
控制端BOOST输入控制高电平信号经过控制电路控制开关管Q1导通,当开关管Q1导通时,电源给电感P01-P02充电。由于输入是直流电,所以电感P01-P02上的电流以一定的比率线性增加。随着电感P01-P02电流增加,电感里储存了一些能量。其中二极管D1用于防止电容C2、C3对地放电。
当电感P01-P02存储的能量饱和时,控制端BOOST输入控制低电平信号经过控制电路控制开关管Q1断开。当开关管Q1断开时,由于电感的电流保持特性,流经电感P01-P02的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。电感开始给电容C3充电,电容C3两端电压升高,此时电压已经高于输入电压了,则升压完毕。
电容C1是开关管Q1的输入级电容,用于消除开关管Q1的驱动电压VGE高频震荡;C2为升压电路输出端之间的高频吸收电容。通过增加电容C1降低辐射干扰,减少开关管Q1的高频震荡来抑制并网逆变器的辐射,使开关管Q1的集电极和发射极端的高频干扰被吸收,不能辐射出去。增加电容C2使输出端的干扰也被消除,达到了抑制辐射干扰超标的目的。
在本实施例的一实施方式中,控制电路包括三极管Q2、电阻R1、R2、R3,三极管Q2的基极连接控制端以及电阻R1的一端,三极管Q2的集电极接地,三极管Q2的发射极连接电阻R2的一端,电阻R1的另一端连接开关管Q1的栅极,所述电阻R2的另一端连接开关管Q1的栅极,电阻R3的一端连接开关管Q1的栅极,另一端接地。
其中,电阻R1为导通电阻,开关管Q1驱动电压VGE的电压开启时的导通电阻;电阻R2为关断电阻;电阻R3为开关管Q1在的驱动电压Vge固定状态电阻。通过控制端BOOST控制三极管Q2的导通或断开来实现驱动电压VGE大小的控制,从而实现开关管Q1导通或断开的控制。
本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (2)
1.抗辐射干扰的BOOST升压电路,其特征在于,包括:电感P01-P02、二极管D1、开关管Q1、电容C1、C2、C3以及控制电路,所述电感P01-P02的一端连接电源输入端,另一端连接二极管D1的正极以及开关管Q1的集电极,所述二极管D1的负极连接输出端以及电容C2、C3的一端,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地,所述开关管Q1的发射极接地,开关管Q1的栅极连接控制电路的一端以及电容C1的一端,所述控制电路的另一端连接控制端,所述电容C1的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的抗辐射干扰的BOOST升压电路,其特征在于,所述控制电路包括三极管Q2、电阻R1、R2、R3,所述三极管Q2的基极连接控制端以及电阻R1的一端,三极管Q2的集电极接地,三极管Q2的发射极连接电阻R2的一端,所述电阻R1的另一端连接开关管Q1的栅极,所述电阻R2的另一端连接开关管Q1的栅极,所述电阻R3的一端连接开关管Q1的栅极,另一端接地。
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