CN208938966U - 一种倒装三色led发光单元、显示屏 - Google Patents
一种倒装三色led发光单元、显示屏 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208938966U CN208938966U CN201821223277.0U CN201821223277U CN208938966U CN 208938966 U CN208938966 U CN 208938966U CN 201821223277 U CN201821223277 U CN 201821223277U CN 208938966 U CN208938966 U CN 208938966U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- upside
- gan
- luminescence unit
- color led
- led luminescence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种倒装三色LED发光单元、显示屏，其中，所述倒装三色LED发光单元包括一PCB板、均匀设置在所述PCB板上并与所述PCB板分别电连接的第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片，所述第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片的上表面设置有红色量子点薄膜层。相比单独的红光芯片，本实用新型倒装三色LED发光单元发出的红色发射光谱可调且能实现超高色域显示，并且所述倒装三色LED发光单元均采用GaN作为发光材料，能有效解决光衰不一致的问题；进一步地，所述三色LED发光单元采用倒装结构能实现超小间距显示。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种倒装三色LED发光单元、显示屏。
背景技术
LED为一种半导体发光二极管，由于其具有亮度高、光效高、寿命长等优异性能，目前已广泛应用于照明、背光以及显示行业。
LED显示屏主要由蓝、绿、红三种LED显示像素组成，其中，蓝绿LED芯片均采用GaN作为发光材料，而红光芯片与蓝绿芯片的发光材料不同，故采用三色芯片时容易产生红光与蓝绿光衰减速度差距较大的现象，从而造成长时间使用的偏色问题，且红光芯片发光效率较低，价格较贵。
LED显示屏目前主要采用正装芯片作为发光单元，而由于正装芯片需要打金线作为电性能连接，限制了像素之间pitch的减小，故其主要用于户外大尺寸显示，而进入室内显示或小尺寸显示，缩小LED芯片之间的pitch势在必行。
量子点作为一种新兴显示材料和技术，其利用量子限域效应，具有宽吸收窄发射峰的优异性能，并且能够根据量子点材料半径的不同实现可见光范围内发射峰的连续可调，从而实现超高色域的显示性能，目前已广泛应用于电视、手机、电脑等背光行业。但量子点对水氧等侵蚀仅为敏感，且量子点尺寸越小，阻隔水氧的包裹难度越大，而红色量子点的粒径相对于蓝、绿量子点的尺寸大，相对容易实现阻隔水氧的包裹。因此，现有技术亟需开发一种基于红色量子点的超高色域显示屏。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种倒装三色LED发光单元、显示屏，旨在解决现有三色LED发光芯片中的红光芯片发光效率低、成本高以及光衰不一致造成偏色的问题。
本实用新型的技术方案如下：
一种倒装三色LED发光单元，其中，包括一PCB板、均匀设置在所述PCB板上并与所述PCB板分别电连接的第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片，所述第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片的上表面设置有红色量子点薄膜层；所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片的四周侧面均设置有白色反光挡墙。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述红色量子点薄膜层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物和钙钛矿量子点中的一种或多种。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述Ⅱ-Ⅵ族化合物为GaAs、InN、GaN、GaP、InP和 InAs中中的一种或多种。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物CdSe、CdTe、MgTe、CaS、CaSe、MgS、MgSe、CaTe、BaSe、 BaTe、ZnS、SrS、SrSe、ZnSe、ZnTe 、SrTe、BaS 和CdS中的一种或多种。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述钙钛矿量子点为CsPbX3 和CH3NH3PbX3中的一种或多种，其中，X为Cl，Br或I中的一种。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片均通过锡膏或导电银胶与所述PCB板电连接。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述白色反光挡墙的材料为环氧树脂、硅胶、陶瓷或塑胶。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述第一GaN蓝光芯片和第二GaN蓝光芯片的发光波长为430-470nm，所述GaN绿光芯片的发光波长为520-560nm。
一种显示屏，其中，由多个LED显示子板拼接而成，所述LED显示子板包括所述的倒装三色LED发光单元。
有益效果：本实用新型通过在第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片的上表面设置红色量子点薄膜层，所述第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片激发所述红色量子点薄膜层发出红光；相比单独的红光芯片，本实用新型倒装三色LED发光单元发出的红色发射光谱可调且能实现超高色域显示，并且所述倒装三色LED发光单元均采用GaN作为发光材料，能有效解决光衰不一致的问题；进一步地，所述三色LED发光单元采用倒装结构能实现超小间距显示。
附图说明
图1为本实用新型一种倒装三色LED发光单元较佳实施例的结构示意图。
图2为本实用新型一种LED显示子板较佳实施例的结构示意图。
图3为图2所示LED显示子板的归一化光谱示意图。
具体实施方式
本实用新型提供了一种倒装三色LED发光单元、显示屏，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1，图1为本实用新型一种倒装三色LED发光单元较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述倒装三色LED发光单元包括一PCB板10、均匀设置在所述PCB板上并与所述PCB板分别电连接的第一GaN蓝光芯片20、GaN绿光芯片30以及第二GaN蓝光芯片40，所述第二GaN蓝光芯片40的上表面设置有红色量子点薄膜层50。
当然，本实用新型也可在第一GaN蓝光芯片上表面设置红色量子点薄膜层，本实用新型只需从所述第一GaN蓝光芯片和第二GaN蓝光芯片任选一个设置红色量子点薄膜层，便可实现通过蓝光芯片激发红色量子点薄膜层发出红光。
具体来讲，本实用新型中的倒装三色LED发光单元均采用GaN材料制成的芯片发光，可避免发光材料差异引起的光衰较大的差异；进一步地，本实用新型采用GaN蓝光芯片激发红色量子点发出红光替代现有采用单独红光芯片发红光的方式，即可实现红色光谱可调且能实现超高色域显示；更进一步地，本实用新型采用倒装芯片，不用打线，可缩小LED芯片之间的像素间距，从而实现超高密度显示。
优选地，在本实用新型中，所述倒装三色LED发光单元，其中，所述红色量子点薄膜层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物和钙钛矿量子点中的一种或多种。
更优选地，所述倒装三色LED发光单元，其中，所述Ⅱ-Ⅵ族化合物为GaAs、InN、GaN、GaP、InP和 InAs中中的一种或多种，但不限于此。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物CdSe、CdTe、MgTe、CaS、CaSe、MgS、MgSe、CaTe、BaSe、 BaTe、ZnS、SrS、SrSe、ZnSe、ZnTe 、SrTe、BaS 和CdS中的一种或多种，但不限于此。
作为举例，当采用CdSe量子点材料时，其红色量子点尺寸在5—10nm之间，通过GaN蓝光芯片激发出的红光峰值波长在610—650nm之间。
所述倒装三色LED发光单元，其中，所述钙钛矿量子点为CsPbX3 和CH3NH3PbX3中的一种或多种，但不限于此，其中，X为Cl，Br或I中的一种。
进一步地，如图1所示，所述PCB板内部为多层复合线路板，所述PCB板与所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片之间设置有焊接点60，所述焊接层的材料为锡膏或导电银胶。也就是说，所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片均通过锡膏或导电银胶与所述PCB板电连接。
具体来讲，本实用新型中的芯片均采用倒装结构，使得所述芯片能够通过锡膏或导电银胶直接与PCB板实现电连接，而不需要通过在芯片上打金线实现与PCB板的电连接。因此，本实用新型能够实现缩小LED芯片之间的像素间距，从而使得本实用新型的倒装三色LED发光单元可进入室内显示或小尺寸显示。
更进一步地，如图1所示，为了防止相邻芯片之间光线的互相串扰导致显示效果较差，本实用新型在所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片的四周侧面均设置有白色反光挡墙70。
优选地，所述白色反光挡墙的材料为环氧树脂、硅胶、陶瓷或塑胶。
更优选地，如图1所示，在所述第二GaN蓝光芯片中，所述白色反光挡墙可高于芯片底部或与芯片底部平行。
在本实用新型中，所述第一GaN蓝光芯片和第二GaN蓝光芯片的发光波长优选为430-470nm，所述GaN绿光芯片的发光波长优选为520-560nm。
进一步地，本发明还提供一种显示屏，其中，由多个LED显示子板拼接而成，所述LED显示子板包括所述倒装三色LED发光单元。
具体来讲，如图2所示，图2为一块LED显示子板的结构示意图，其由本实用新型中的若干个倒装三色LED发光单元排列而成，通过对所述每个倒装三色LED发光单元进行覆膜操作可实现对芯片的保护。覆膜操作优选对每个或多个发光单元进行分别点胶，或对整块LED显示子板进行点胶或涂胶或模压胶，其材料为LED封装行业通用的硅胶或环氧树脂胶。最后，由多个LED显示子板进行拼接，最终形成整块LED显示屏。
进一步地，本实用新型还对一块LED显示子板的色域数据进行了测试，如表1所示，白场色坐标未进行校正，主要为了看其色域表现。由于LED的GaN芯片和及红色QD的半波宽均较窄，故可将传统的LED的2.5nm分bin进行放宽，如放宽至2个bin到5nm进行出货，可大大节省分bin时间及成本。如表1中所示，NTSC色域可到120%以上，若将LED分bin进行缩窄，可进一步提升色域值。
表1 LED显示子板的白/红/绿/蓝亮度及色域数据
进一步地，请参阅图3，图3为一LED显示子板的光谱示意图，如图所示，所述LED显示子板的红绿蓝中心波长均可进行调整。
综上所述，本实用新型通过在第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片的上表面设置红色量子点薄膜层，所述第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片激发所述红色量子点薄膜层发出红光；相比单独的红光芯片，本实用新型倒装三色LED发光单元发出的红色发射光谱可调且能实现超高色域显示，并且所述倒装三色LED发光单元均采用GaN作为发光材料，能有效解决光衰不一致的问题；进一步地，所述三色LED发光单元采用倒装结构能实现超小间距显示。
应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种倒装三色LED发光单元，其特征在于，包括一PCB板、均匀设置在所述PCB板上并与所述PCB板分别电连接的第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片，所述第一GaN蓝光芯片或第二GaN蓝光芯片的上表面设置有红色量子点薄膜层；所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片的四周侧面均设置有白色反光挡墙。
2.根据权利要求1所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述红色量子点薄膜层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物和钙钛矿量子点中的一种。
3.根据权利要求2所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅵ族化合物为GaAs、InN、GaN、GaP、InP和 InAs中的一种。
4.根据权利要求2所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物CdSe、CdTe、MgTe、CaS、CaSe、MgS、MgSe、CaTe、BaSe、 BaTe、ZnS、SrS、SrSe、ZnSe、ZnTe 、SrTe、BaS和CdS中的一种。
5.根据权利要求2所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述钙钛矿量子点为CsPbX3和CH3NH3PbX3中的一种，其中，X为Cl，Br或I中的一种。
6.根据权利要求1所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述第一GaN蓝光芯片、GaN绿光芯片以及第二GaN蓝光芯片均通过锡膏或导电银胶与所述PCB板电连接。
7.根据权利要求6所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述白色反光挡墙的材料为环氧树脂、硅胶、陶瓷或塑胶。
8.根据权利要求1所述倒装三色LED发光单元，其特征在于，所述第一GaN蓝光芯片和第二GaN蓝光芯片的发光波长为430-470nm，所述GaN绿光芯片的发光波长为520-560nm。
9.一种显示屏，其特征在于，由多个LED显示子板拼接而成，所述LED显示子板包括权利要求1-8任一所述的倒装三色LED发光单元。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821223277.0U CN208938966U (zh) | 2018-07-31 | 2018-07-31 | 一种倒装三色led发光单元、显示屏 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821223277.0U CN208938966U (zh) | 2018-07-31 | 2018-07-31 | 一种倒装三色led发光单元、显示屏 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208938966U true CN208938966U (zh) | 2019-06-04 |
Family
ID=66716867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821223277.0U Active CN208938966U (zh) | 2018-07-31 | 2018-07-31 | 一种倒装三色led发光单元、显示屏 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208938966U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114725151A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 湖南大学 | 像素单元、显示装置及其制备方法 |
| CN114725080A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 湖南大学 | 发光单元、显示装置及其制备方法 |
-
2018
- 2018-07-31 CN CN201821223277.0U patent/CN208938966U/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114725151A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 湖南大学 | 像素单元、显示装置及其制备方法 |
| CN114725080A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 湖南大学 | 发光单元、显示装置及其制备方法 |
| CN114725151B (zh) * | 2022-03-24 | 2023-09-08 | 湖南大学 | 像素单元、显示装置及其制备方法 |
| CN114725080B (zh) * | 2022-03-24 | 2023-10-13 | 湖南大学 | 发光单元、显示装置及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11631791B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP5240603B2 (ja) | 白色光源モジュール及びバックライトユニット並びにｌｃｄディスプレイ | |
| US7759683B2 (en) | White light emitting diode | |
| KR100946015B1 (ko) | 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈 | |
| US20050057144A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2006190957A (ja) | 白色発光装置及び該白色発光装置を用いるバックライトモジュール | |
| EP2381495A2 (en) | Light emitting device package, backlight unit, display device and lighting device | |
| CN101492602B (zh) | 用于白光发光装置中的混合荧光粉及采用该混合荧光粉的白光发光装置 | |
| CN102144307A (zh) | 发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元 | |
| US20130015461A1 (en) | Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same | |
| JP2011151419A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
| CN208938966U (zh) | 一种倒装三色led发光单元、显示屏 | |
| JP2000349345A (ja) | 半導体発光装置 | |
| CN109343271A (zh) | 背光模组及液晶显示器 | |
| CN104654052A (zh) | 照明设备 | |
| CN201129667Y (zh) | 一种使用led光源的侧光式背光模组 | |
| CN101840987A (zh) | 白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块 | |
| JP2013098427A (ja) | 半導体発光装置 | |
| CN102779814A (zh) | 可发出白光的发光元件及其混光方法 | |
| CN207181896U (zh) | 一种基于量子膜的背光源模组及显示装置 | |
| KR101272691B1 (ko) | 조명 장치 | |
| CN112271239B (zh) | 发光二极管和背光式显示装置 | |
| KR20220088454A (ko) | 고색 영역 포토루미네선스 파장 변환된 백색 발광 디바이스 | |
| CN1373521A (zh) | 具有蓝光发光单元以及含硒化锌的覆盖部的发光元件 | |
| CN212783446U (zh) | 一种全彩片式led器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |