CN208825777U - 一种新型线切割间隙快速消电离电路 - Google Patents

一种新型线切割间隙快速消电离电路 Download PDF

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李东瑞
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Abstract

本实用新型提供一种新型线切割间隙快速消电离电路,包括:EPLD、滤波电路、放大电路、开关电路,所述EPLD输出端依次经滤波电路、放大电路、开关电路后接钼丝和工件,当每个正常放电脉冲关断后EPLD会相应的发出一个脉冲给图1电路,EPLD输出波形通过R1限流电阻到光耦U5的输入端,光耦U5驱动MOS管开关Q1的导通,MOS管开关Q1栅极为高电平Q1导通,当正常放电脉冲关断后产生的反峰电压通过MOS管开关Q1,MOS管开关内的寄生二极管,由源极流到漏记产生续流,由于寄生二极管的恢复时间很快只有十几纳秒所以能够快速吸收关断后产生的震荡。

Description

一种新型线切割间隙快速消电离电路
技术领域
本实用新型涉及线切割技术领域,尤其涉及一种新型线切割间隙快速消电离电路。
背景技术
在电火花线切割加工过程中当,随着高频脉冲电压关断,关断瞬间会功放电阻会产生反向电动势产生很强的震荡会威胁到功放管的安全,同时影响加工表面质量,加工表面会产生各种不规则线痕,光洁度变差,由于关断后产生的电压很高,容易造成间隙状态不稳从而导致断丝。
为了减小关断后产生的震荡,目前大多数做法通过在间隙之间直接接个反向二极管来吸收产生的反峰电压。通过这个办法能够减小产生的震荡,但二极管发热严重容易损坏,对二极管性能要求较高价格比较高昂。
现有实用新型专利CN201720499366.7一种节能型线切割脉冲电源电路,涉及以下技术方案:包括:EPLD、高圧回路、低圧回路,高圧回路、低圧回路输入端连接EPLD,输出端都接工件,高圧回路与低圧回路相互独立工作;高圧回路用于快速击穿,低圧回路用于快速击穿后的恒流加工,每个加工周期内先高压回路实现快速击穿在采用低压恒流加工,高压回路由于输出电流小开通时间短,快速击穿过程中能量损失小;恒流加工过程中的电阻很小,电阻消耗功率也就很小,从而降低整个加工过程中的能量损耗、降低发热量,保证能量利用率大幅提高、总功率下降,节约了加工用电成本,对生产机床厂家来讲,由于发热量减少,进一步的减少了散热风扇的使用,节约了制造成本,减小了电柜的体积。
实用新型内容
本专利申请提供了一种新型线切割间隙快速消电离电路,过一种新型控制模式来消除关断后产生的震荡,从而实现快速间隙之间消电离,为了达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:包括:EPLD、滤波电路、放大电路、开关电路,所述EPLD输出端依次经滤波电路、放大电路、开关电路后接钼丝和工件。
优选的,所述滤波电路滤波电路采用RC滤波电路。
优选的,所述EPLD与滤波电路之间还连接有限流电阻R1。
优选的,所述放大电路采用光耦隔离放大电路。
优选的,所述开关电路采用MOS管开关。
优选的,MOS管开关采用N沟道MOS管。
优选的,MOS管漏极接工件、源极接钼丝,源极和栅极之间接二极管。
本实用新型的有益效果:本专利申请中,当每个正常放电脉冲关断后EPLD会相应的发出一个脉冲给图1电路,EPLD输出波形通过R1限流电阻到光耦U5的输入端,光耦U5驱动MOS管开关Q1的导通,MOS管开关Q1栅极为高电平Q1导通,当正常放电脉冲关断后产生的反峰电压通过MOS管开关Q1,MOS管开关内的寄生二极管,由源极流到漏记产生续流,由于寄生二极管的恢复时间很快只有十几纳秒所以能够快速吸收关断后产生的震荡。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图;
图2为利用本专利申请的效果图。
具体实施方式
由图1所示可知,本实用新型包括:EPLD、滤波电路、放大电路、开关电路,所述EPLD输出端依次经滤波电路、放大电路、开关电路后接钼丝和工件。
优选的,所述滤波电路滤波电路采用RC滤波电路,所述滤波电路由电容C1和电阻R2并联构成,电阻R2还与二极管D1并联。
优选的,所述EPLD与滤波电路之间还连接有限流电阻R1,即EPLD正极输出端接电阻R1,电容C1、电阻R2、二极管D1的阴极三者的公共端接电阻R1的另一端,而电容C1、电阻R2、二极管D1的阳极三者的公共端接EPLD的负极。
优选的,所述放大电路采用光耦隔离放大电路,包括光耦U5,电阻R1,电容C1、电阻R2、二极管D1的阴极三者的公共端还接在光耦输入端的1引脚,而电容C1、电阻R2、二极管D1的阳极三者的公共端接光耦的3引脚,光耦U5的4、5引脚之间接下拉电阻R3,光耦U5的5引脚还接电阻R4。
优选的,所述开关电路采用MOS管开关Q1,MOS管开关采用N沟道MOS管,MOS管的源极和栅极之间接二极管D2、漏极接工件、源极接钼丝,二极管D2的阴极接电阻R4的另一端、二极管D2的阳极接地。
当每个正常放电脉冲关断后EPLD会相应的发出一个脉冲给图1电路,EPLD输出波形通过R1限流电阻到光耦U5的输入端,光耦U5驱动MOS管开关Q1的导通,MOS管开关Q1栅极为高电平Q1导通,当正常放电脉冲关断后产生的反峰电压通过MOS管开关Q1,MOS管开关内的寄生二极管,由源极流到漏记产生续流,由于寄生二极管的恢复时间很快只有十几纳秒所以能够快速吸收关断后产生的震荡。
上述实施例仅例示性说明本专利申请的原理及其功效,而非用于限制本专利申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利申请的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本专利申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本专利请的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:包括:EPLD、滤波电路、放大电路、开关电路,所述EPLD输出端依次经滤波电路、放大电路、开关电路后接钼丝和工件。
2.根据权利要求1所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:所述滤波电路滤波电路采用RC滤波电路。
3.根据权利要求1所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:所述EPLD与滤波电路之间还连接有限流电阻R1。
4.根据权利要求1所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:所述放大电路采用光耦隔离放大电路。
5.根据权利要求1所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:所述开关电路采用MOS管开关。
6.根据权利要求5所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:MOS管开关采用N沟道MOS管。
7.根据权利要求6所述的一种新型线切割间隙快速消电离电路,其特征在于:MOS管漏极接工件、源极接钼丝,源极和栅极之间接二极管。
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