CN208738238U - 凸基板led及发光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种凸基板LED及发光装置，LED所采用的LED支架包括正面为凸起面的基板和设置于基板上、与基板绝缘隔离的电路层，也即LED支架自身就布设有电路层，该电路层包括用于将基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或基板上其他器件的连接点连接的电路，这样当需要将LED与其他LED电连接或与其他器件电连接时，可直接通过LED支架自身的电路层实现与其他灯珠或器件的连接，并不需要额外采用电路板，既能简化连接结构，又能避免采用电路板导致的尺寸和成本的增加，能更好的应用于各种应用场景；同时能提升利用该LED制得的背光单元的可靠性和稳定性。

Description

凸基板LED及发光装置

技术领域

本实用新型涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)领域，尤其涉及一种凸基板LED及发光装置。

背景技术

随着LED技术的发展和在各个领域各种场景的应用，产生了满足各种需求的LED结构。在各种LED结构中，基本都会使用到LED支架，而为了满足各种需求，也衍生了各种尺寸、结构和材质的LED支架。但是，目前的LED支架结构的设置都仅仅是承载LED芯片，对LED芯片起到保护，以及将LED芯片的正、负极引出的作用。目前的各种LED支架都不承担电路布线，当在一些应用场景中，需要将LED与其他LED电连接或与其他器件电连接时，只能通过额外的PCB板电路实现该电连接。

另外，当需要在一个LED支架中设置多颗串联或并联或串并联混合连接的LED芯片时，目前的做法也只能是将多个LED芯片设置在支架的基板上，然后再额外通过金线实现各LED芯片之间的连接，例如，参见图1-图2所示的一种现有典型的LED结构，其中图1为LED忽略除荧光胶之后的俯视图，图2为图1的LED的剖视图，在图1-图2中，假设需要在LED支架1内设置多颗依次串联连接的LED芯片11时，目前的做法则只能通过金线依次实现串联线路上相邻LED芯片11正负极之间的电连接。从图1所示可知，通过在LED支架底部额外采用金线实现各LED芯片11之间的连接，需要连接的线路多且杂，实现连接的焊接过程效率低下，且受限于LED支架尺寸限制容易出现脱焊、虚焊甚至焊接错误的情况，导致产品成本高，产品质量良品率和可靠性差，且图1-图2所示的仅仅是要求LED芯片11之间实现最简单的串联连接，如果需要在一个LED支架内实现LED芯片之间串并联混合连接或其他的复杂连接方式时，在目前的LED支架结构基本不能实现。

实用新型内容

本实用新型提供的凸基板LED及发光装置，主要解决的技术问题是：解决现有LED支架不能承担电路布线的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种凸基板LED，包括正面具有凸起区域的基板，位于所述基板正面之上且与所述基板绝缘隔离的电路层以及至少一颗LED芯片，所述基板正面之上设有灯珠区域，所述灯珠区域包括至少一个所述凸起区域，所述LED芯片设置于所述灯珠区域内，所述电路层包括用于将所述基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或所述基板上其他器件的连接点连接的电路。

在本实用新型的一种实施例中，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同。

在本实用新型的一种实施例中，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的LED芯片。

在本实用新型的一种实施例中，还包括位于所述LED芯片之上的发光转换层、透明胶层或扩散胶层。

在本实用新型的一种实施例中，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同，且所述LED包括发光转换层时，所述发光转换层为荧光粉胶层、荧光膜或量子点QD膜；

所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的至少两颗LED芯片，且所述LED包括发光转换层时，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括两种不同发光峰值波长的芯片或三种不同发光峰值波长的芯片或多种不同发光峰值波长的芯片，所述发光转换层包括荧光粉胶层、荧光膜或QD膜。

在本实用新型的一种实施例中，所述灯珠区域内的LED芯片包括以下芯片中的任意一种或至少两种的组合：

发光峰值波长为440nm至500nm的蓝光LED芯片；

发光峰值波长为510nm至540nm的绿光LED芯片；

发光峰值波长为550nm至570nm的黄光LED芯片；

发光峰值波长为620nm以上的红光LED芯片；

所述发光转换层为将所述LED芯片发出的光转换成预设混色光的发光转换层。

在本实用新型的一种实施例中，所述预设混色光包括白光。

在本实用新型的一种实施例中，所述发光转换层、透明胶层或扩散胶层通过点胶、模压或喷涂设置于所述LED芯片之上。

在本实用新型的一种实施例中，所述LED芯片为正装LED芯片，所述凸起区域裸露于所述电路层之外；

或，

所述LED芯片为倒装LED芯片，所述电路层覆盖所述凸起区域，且所述凸起区域上的电路层包括所述LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区。

在本实用新型的一种实施例中，所述基板正面还设置有与基板自身绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第一功能电连接区，和/或，所述基板背面设置有与基板绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第二功能电连接区。

在本实用新型的一种实施例中，所述电路层上还设置有保护涂层，绝缘保护膜和金属镀层中的至少一种；

所述保护涂层包括防焊油墨涂层，所述保护膜包括绝缘反光膜，所述金属镀层为单层金属层或由至少两种金属层组成的复合层金属层。

在本实用新型的一种实施例中，所述基板上包括至少两个灯珠区域，所述电路层包括与所述各灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区，以及将所述至少两个灯珠区域进行电连接的电路。

在本实用新型的一种实施例中，所述基板上具有一个灯珠区域，所述电路层包括与所述灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区；

所述灯珠区域中用于放置一颗LED芯片或至少两颗LED芯片。

在本实用新型的一种实施例中，至少一个所述灯珠区域内设置有至少两颗LED芯片，所述电路层还包括实现灯珠区域内各LED芯片之间电连接的芯片连接电路；所述至少两颗LED芯片之间通过所述芯片连接电路实现连接。

为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种发光装置，包括上述任一项所述的凸基板LED，所述发光装置为照明装置、光信号指示装置、补光装置或背光装置。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供的凸基板LED及发光装置，LED所采用的LED支架包括正面具有凸起区域的基板和设置于基板上、与基板绝缘隔离的电路层，也即LED支架自身就布设有电路层，该电路层包括用于将基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或基板上其他器件的连接点连接的电路，这样当需要将LED与其他LED电连接或与其他器件电连接时，可直接通过LED支架自身的电路层实现与其他灯珠或器件的连接，并不需要额外采用电路板，既能简化连接结构，又能避免采用电路板导致的尺寸和成本的增加，能更好的应用于各种应用场景；同时能提升利用该LED制得的背光单元的可靠性和稳定性。

进一步地，本实用新型中，需要在一个灯珠区域内设置多颗LED芯片时，电路层还可包括实现灯珠区域内的LED芯片之间电连接的电路，也即实现设置在LED支架一个灯珠区域内的多颗LED芯片之间连接(可以是串联、并联或串并联混合等)的电路已经预先在LED支架内部设好，在使用时只需将设置于支架内的LED芯片的正、负引脚分别与支架内对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区连接即可，既能简单、可靠的实现支架内LED芯片之间的连接，满足各种场景对支架内的LED芯片之间的各种连接要求，又能保证产品的质量和良品率，提升LED产品的生产效率，进一步降低成本。

附图说明

图1为一种LED结构的俯视图；

图2为图1中的LED结构的剖视图；

图3为本实用新型实施例一提供的电路层高于基板正面的LED支架结构示意图；

图4为本实用新型实施例一提供的电路层与基板正面齐平的LED支架结构示意图；

图5为本实用新型实施例一提供的绝缘层为整体结构的LED支架结构示意图；

图6为本实用新型实施例一提供的绝缘层与电路层形状相适配的LED支架结构示意图；

图7为本实用新型实施例一提供的具有多个围坝的LED支架结构示意图；

图8为本实用新型实施例一提供的具有导电基板的LED支架在基板背面设置功能电连接区的结构示意图；

图9为本实用新型实施例一提供的具有绝缘基板的LED支架在基板背面设置功能电连接区的结构示意图一；

图10-1为本实用新型实施例一提供的具有绝缘基板的LED支架在基板背面设置功能电连接区的结构示意图二；

图10-2为图10-1中设置有连接器的结构示意图；

图11-1为本实用新型实施例一提供的具有绝缘基板的LED支架在电路层设置功能电连接区的结构示意图；

图11-2为图11-1中的第一功能电连接区中的金手指接口示意图；

图12-1为本实用新型实施例一提供的具有导电基板的LED支架在基板正面和背面同时设置功能电连接区的结构示意图；

图12-2为图12-1中的第一功能电连接区中的电连接接口结构示意图；

图13-1为本实用新型实施例二提供的具有导电凸起面基板、且LED芯片正装在基板上的LED结构示意图；

图13-2为本实用新型实施例二提供的具有导电凸起面基板、将纵向的四个固晶区划分为一个灯珠区域、且LED芯片正装在基板上的LED结构的俯视图；

图13-3为本实用新型实施例二提供的具有导电凸起面基板、将一个固晶区划分为一个灯珠区域、且LED芯片正装在基板上的LED结构的俯视图；

图13-4为本实用新型实施例二提供的具有导电凸起面基板、具有荧光胶层、且LED芯片为正装LED芯片的结构示意图；

图13-5为本实用新型实施例二提供的LED芯片包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片的示意图；

图13-6为本实用新型实施例二提供的LED芯片包括红光LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片和发出白光的LED芯片单元的示意图；

图14为本实用新型实施例二提供的具有绝缘凸起面基板、且LED芯片正装在电路层上的LED结构示意图；

图15为本实用新型实施例二提供的具有绝缘凸起面基板、且LED芯片倒装在电路层上的LED结构示意图；

其中，图1-图2中的附图标记1为LED支架，11为LED芯片；图3中的附图标记31为基板，32为电路层；图4中的附图标记41为基板，42为电路层；图5中的附图标记51为基板，52为电路层，53为绝缘层；图6中的附图标记61为基板，62为电路层，63为绝缘层；图7中的附图标记71为基板，721为电路，74为围坝；图8中的附图标记81为导电基板，82为电路层，83为第一绝缘层，812为通孔，84为导电体，85为第二绝缘层；图9中的附图标记91为绝缘基板，92为电路层，912为通孔，94为金属导电体；图10-1和图10-2中的附图标记101为绝缘基板，102为电路层，1012为通孔，104为金属导电层，105为连接器；图11-1和图11-2中的附图标记111为绝缘基板，112为电路层，116为第一功能电连接区，1161为金手指接口；图12-1和图12-2中的附图标记121为导电基板，122为电路层，123为第一绝缘层，124为金属导电体，1212为通孔，125为第二绝缘层，126为第一功能电连接区，1261为作为电连接接口的焊接点；图13-1、图13-2、图13-3、图13-4、图13-5、图13-6中的附图标记171为基板，1711为固晶区，172为LED芯片，173为电路层，174为金属线，175为绝缘层，176为灯珠区域，177为两个灯珠区域176进行电连接的电路，178为荧光胶层，1721为LED芯片172正极引脚，1722为LED芯片172负极引脚，1731为正极引脚焊接区，1732为负极引脚焊接区；图14中的附图标记181为基板，1811为凸起区域，182为LED芯片，183为电路层，184为金属线，185为绝缘层，1821为LED芯片182正极引脚，1822为LED芯片182负极引脚，1831为正极引脚焊接区，1832为负极引脚焊接区；图15中的附图标记191为基板，1911为凸起区域，192为LED芯片，193为电路层，1921为LED芯片192正极引脚，1922为LED芯片192负极引脚，1931为正极引脚焊接区，1932为负极引脚焊接区。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一：

为了解决现有LED支架仅能起到对LED芯片起到保护和将LED芯片的正、负极引出的作用，而不能承担电路布线而导致的各种问题，本实施例提供了一种利用带电路的LED支架制得的LED，该LED支架自带的电路可以满足将基板上的灯珠区域内待放置的LED芯片与其他灯珠(可以是同一基板上的其他灯珠，也可以是在其他基板上形成的灯珠)和/或基板上其他器件(理论上可以是其他任意器件，包括但不限于各种芯片、电阻、电容以及其他电路构成的器件等，且这些器件可以设置在基板上与LED封装成为一个整体，也可以不设置在基板上，且可位于LED支架外)的连接点(可以是各种电连接点)连接的电路。当需要将LED与其他LED电连接或与其他器件电连接时，可直接通过LED支架自身的电路层实现与其他灯珠或器件的连接，并不需要额外采用电路板，既能简化连接结构，又能避免采用电路板导致的尺寸和成本的增加。

在本实施例中，当需要在一个灯珠区域内设置多颗LED芯片时，电路层还可包括实现灯珠区域内的LED芯片之间电连接的电路，而不需要在LED外额外采用PCB板或在LED支架内额外通过金线实现LED芯片之间的电连接，该LED支架的使用可在很大程度上提升LED产品的可靠性、通用性和良品率，降低LED产品的成本。

本实施例中，基板之上的一个灯珠区域是指在基板上设置LED芯片以形成一颗灯珠的区域，且应当理解的是，本实施例中的基板之上的灯珠区域是指空间位于基板上方，包括灯珠区域直接在基板上设置，也包括在基板上的绝缘层或电路层上设置灯珠区域，且具体可根据应用场景灵活设定。且该灯珠区域可以包括至少一个固晶区。

应当理解的是，在本实施例中，电路层与基板之间的绝缘隔离方式可以灵活设定。例如，当基板自身为绝缘基板时，则电路层可以直接设置在基板上，此时电路层与基板之间就已是绝缘隔离状态。当基板为导电基板时，则可以在基板与电路层之间设置一层绝缘层，或者通过其他的任意绝缘隔离方式实现绝缘隔离。

在本实施例中，导电基板可以为各种导电材质构成的基板，例如可为各种金属导电基板，包括但不限于铜基板、铝基板、铁基板；导电基板也可以为包含导电材料的混合材料导电基板，例如导电橡胶等。

在本实施例中，绝缘基板可以为各种绝缘材料构成的基板，当然也可以包含内部含导电材料，外部由绝缘材料构成，整体不导电的基板。例如绝缘类材料可包括但不限环氧树脂类(EP，Epoxide resin)、耐高温尼龙(PPA塑料)、聚邻苯二甲酰胺(PPA，Polyphthalamide)、聚对苯二甲酸1，4-环己烷二甲醇酯(PCT，Poly1，4-cyclohexylenedimethylene terephthalate)、环氧模塑料(EMC，Epoxy molding compound)、不饱和聚酯(UP)树脂、液晶聚合物(LCP，Liquid Crystal Polymer)、片状模塑料(SMC，Sheet moldingcompound)、涤纶树脂(PET，Polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，Polycarbonate)、聚己二酰己二胺(nylon66)。

在本实施例中，基板可以为正面为平面的平面基板，也可以为正面具有凸起结构或下凹结构的非平面基板，且相应的凸起区域和下凹区域可以用于设置LED芯片，也即凸起区域或下凹区域可以作为固晶区。且本实施例中，在凸起区域或下凹区域的整体或部分可以覆盖电路层，也可以不覆盖电路层，具体可根据实际需求和应用场景灵活设定。

在本实施例中，位于基板上的电路层与基板正面之间可以齐平设置，也可以高于基板正面，或略低于基板正面，具体可根据采用制作LED支架的工艺、具体应用场景等因素灵活设置。例如，在一种示例结构中，电路层高于基板正面，参见图3所示，图3中电路层32高于基板31的基板正面。在另一种示例中，参见图4所示，图4中电路层42与基板41的上表面齐平。

另外，应当理解的是，在本实施例中，当需要在基板与电路层之间增加绝缘层，且该绝缘层是用于将基板与电路层之间进行绝缘隔离时，所设置的绝缘层可以直接将基板上与电路层对应的区域整个覆盖，此时的绝缘层为一个整体结构；例如，参见图5所示，在基板51与电路层52之间设置有绝缘层53，绝缘层53覆盖基板51上与电路层52对应的区域。在本实施例中，该绝缘层也可以与电路层的形状相适配，只要能可靠的将电路层与基板进行绝缘隔离即可。例如，参见图6所示，在基板61与电路层62之间设置有绝缘层63，绝缘层63与电路层62的形状尺寸相匹配，电路层62未覆盖的区域绝缘层63也未覆盖。

本实施例中，绝缘层可以采用各种用于进行绝缘隔离的绝缘材料，例如包括但不限于绝缘漆、绝缘胶、绝缘纸、绝缘纤维制品、塑料、橡胶、漆布纸、玻璃、陶瓷等。

在本实施例中，电路层包括正极引脚焊接区和负极引脚焊接区时，正极引脚焊接区和负极引脚焊接区在电路层上具体的分布位置和分布方式都可以灵活设定。另外，电路层还包括实现一个灯珠区域内的各LED芯片之间连接的电路(也即芯片连接电路)时，可以包括实现LED芯片之间串联连接、并联连接、串并联混合连接等芯片连接电路中的至少一种，且具体可以根据LED支架的应用场景和需求灵活设定。

在本实施例中，基板上的灯珠区域的个数可以灵活设定，且各灯珠区域内所设置的LED芯片个数也可以灵活设定。例如可以设置基板上包括至少两个灯珠区域，电路层包括实现各灯珠区域之间连接的电路，且一个灯珠区域内可设置一颗LED芯片，也可设置至少两颗LED芯片，电路层上包括与各灯珠区域内的LED芯片连接的引脚焊接区。且可选地，本实施例中的LED支架可以采用围坝，也可以不采用围坝，具体都可格局实际需求灵活设定。例如，在一种示例中，可以采用围坝，且此时一个灯珠区域可以对应一个围坝。

例如，在一种实施方式中，基板上包括至少两个灯珠区域，电路层包括与各灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区，以及将至少两个灯珠区域进行电连接的电路。每个灯珠区域中的LED芯片的数量可以设置为相同，也可设置为不同，具体可根据实际情况进行灵活设置。

在另一种实施方式中，基板上具有一个灯珠区域，电路层包括与灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区。灯珠区域中的LED芯片的数量可以设置为一颗，也可设置为两颗及以上，具体可根据实际情况进行灵活设置。

在又一种实施方式中，至少一个灯珠区域内设置有至少两颗LED芯片，电路层还包括实现灯珠区域内各LED芯片之间电连接的芯片连接电路；至少两颗LED芯片之间通过芯片连接电路实现连接。

基板上设置多个围坝时，此时一个围坝和该围坝内的LED芯片相当于利用现有LED支架制得的一个LED灯珠，也即本实施例提供的LED支架可以在一个基板上实现设置多个灯珠，且该多个灯珠之间可通过LED支架内置的电路层实现串联或并联或串并联结合的连接，相对现有LED支架，进一步提升了集成度，且相对现有多LED组合使用的方式，降低了产品成本，减小了产品尺寸。

参见图7所示，该图中在基板71(图中未画出电路层，应当理解的是，围坝也可能直接设置在电路层上，或者一部分位于电路层上，一部分位于基板上)上设置了多个围坝74，围坝74内可以包括一个灯珠区域，且一个灯珠区域内至少可以仅设置一颗LED芯片，且一个灯珠区域内设置多颗LED芯片时，这多颗LED芯片之间可以是并联，也可以是串联，或者串、并联结合。在本实施例中，电路层还包括设置于围坝74之外，用于将各围坝74内的LED芯片连接的电路721。此时可以看成是以围坝为单位，一个围坝和该围坝内的LED芯片与采用现有LED支架的LED等同，这样本实施例就在一个基板上实现了类似现有通过PCB板集成设置多颗LED的结构，且成本比现有的设置方式低，尺寸也更小，集成度更高。

根据上述示例可知，在本实施例中，基板上所设置的电路层除了可实现灯珠之间的连接和/或灯珠与其他器件的连接，还可实现灯珠区域内各LED芯片之间的连接。

根据需求，本实施例中的电路层还可在基板的整个正面进行设置，或至少一部分延伸出基板上的灯珠区域以布设与其他灯珠和/或器件连接的电路，例如包括但不限于的驱动电路(该驱动电路可以是驱动LED芯片的驱动电路，也可是整个电路层或其他器件的驱动电路)，控制LED芯片的控制电路(包括但不限于区域调整(local dimming)电路)等。

在本实施例中，上述控制电路和驱动电路可以仅仅是实现控制和驱动时所需的基础线路，而不包括实现控制和驱动所需的各种电子元器件(例如电阻、电容、各种芯片(例如驱动芯片))，各种元器件在这些基础线上连接的点即为上述器件的连接点。且本实施例中实现控制或驱动所需的各种电子元器件根据需求可以设置于基板正面之上，也可以设置于基板背面，或者设置于基板之外。例如当电路层包括驱动电路时，可以采用裸片形式的驱动芯片，并可将该驱动芯片设置于基板背面或正面，也即可实现将驱动芯片和/或者其他元器件集成到LED支架中，更利于缩小LED应用模块的尺寸和装配等。

在本实施例中，对于LED支架上功能电连接区的设置可以灵活设定。例如，可以不在基板背面侧引出功能电连接区，而在基板正面侧设置与基板绝缘隔离的功能电连接区(此时该功能电连接区可能直接位于基板上，也可能位于电路层上)，或者根据需求在基板背面和正面同时设置功能电连接区。在本实施例中，在基板正面侧设置功能电连接区时，可以称设置于基板正面侧的功能电连接区为第一功能电连接区，且其他器件的连接点也可设置于该第一功能电连接区内；在基板背面侧设置功能电连接区时，可以称基板背面的功能电连接区为第二功能电连接区，且根据需求，其他器件的连接点也可与该第二功能电连接区连接。本实施例中，称功能电连接区的用于与外部连接的接口为电连接接口(如上所示，可能为其他器件的连接点)，电连接接口可设置为电连接插孔，PIN脚端子，或金手指接口或者焊盘接口等等。

本实施例中，在基板背面侧设置第二功能电连接区时，基板背面设置的第二功能电连接区与电路层具体连接的位置可以根据第二功能电连接区具体所要实现的功能具体确定。且在本实施例中，可以沿着基板正面到侧面然后到背面的路径实现背面第二功能电连接区与电路层的连接，也可以直接从基板正面向背面开设通孔，通过通孔内设置与电路层的相应位置进行电连接的导电体实现第二功能电连接区的设置。

为了便于理解，本实施例下面以基本为导电基板和绝缘基板两种情况分别进行说明。

当基板为导电基板(例如金属基板)时，导电基板与电路层之间设置有绝缘层(本示例中称之为第一绝缘层)导电基板背面设置有与导电基板绝缘隔离，且与电路层电连接的第二功能电连接区。可选地，可在导电基板上设置贯穿导电基板正面和背面的通孔，在通孔内侧壁上设置绝缘层(本示例中称之为第二绝缘层)，在通孔内设置导电体，导电体通过第二绝缘层与导电基板绝缘隔离，导电体的上端穿过第一绝缘层与电路层电连接，下端沿通孔向导电基板背面延伸作为第二功能电连接区的电连接接口。为了便于理解，本实施例结合图8所示的剖视结构为示例做进一步说明。在导电基板81上设置有第一绝缘层83和电路层82，其中，导电基板81上开设有通孔812，在通孔812的孔壁上形成有第二绝缘层85，在通孔812内设置有导电体84，导电体84穿过第一绝缘层83与电路层82上相应的位置电连接。在本实施例中，导电体84的下端作为第二功能电连接区对外的电连接接口，其可与导电基板背面齐平，或保持在通孔内略低于通孔背面的开口的位置，或者伸出导电基板81背面，但伸出部分需与导电基板81绝缘。本实施例中电连接接口为PIN脚端子时，导电体84下端延伸出通孔，与导电基板背面绝缘隔离设置的PIN脚端子，或为延伸出通孔，与导电基板背面绝缘隔离设置的金手指接口等，也即电连接接口可以设置为各种实现电连接的各种接口结构。应当理解的是，图8中的导电体84可以由各种导电材质构成，例如包括但不限于铜、铝、银等。

当基板为绝缘基板时，绝缘基板背面设置有与电路层电连接的第二功能电连接区，可选地，在绝缘基板上设置贯穿绝缘基板正面和背面的通孔，通孔内设有导电体，导电体的上端与电路层电连接，下端沿通孔向绝缘基板背面延伸作为第二功能电连接区的电连接接口。本实施例中，导电体的结构形态包括但不限于下面示例的两种形态。

一种形态为，导电体为嵌入通孔内，尺寸与通孔尺寸相匹配的金属导电体。例如参见图9所示：图9中绝缘基板91上设置有电路层92，绝缘基板91上开设有通孔912，通孔912内设置尺寸相匹配的金属导电体94，金属导电体94上端与电路层相应位置电连接，下端作为第二功能电连接区对外的电连接接口，其可与绝缘基板背面齐平，或保持在通孔内略低于通孔背面的开口的位置，或者伸出绝缘基板背面。应当理解的是，图9中的金属导电体94可以由各种金属导电材质构成，例如包括但不限于铜、铝、银等。

一种形态为，导电体为附着在通孔孔壁上并向通孔两端开口外延伸的金属导电层，例如参见图10-1所示：图10-1中绝缘基板101上设置有电路层102，绝缘基板上开设有通孔1012，通孔1012内壁设有金属导电层104，金属导电层104上端与电路层相应位置电连接，下端作为第二功能电连接区对外的电连接接口，其可与绝缘基板背面齐平，或保持在通孔内略低于通孔背面的开口的位置，或者延伸出绝缘基板背面在通孔背面开口附近区域形成电连接接口。图10-1中的电连接接口就为一种示例的电连接插孔，在进行电连接时，外部器件(例如芯片、电阻、电容、连接器等等)的引脚或PIN脚或PIN针可插入电连接插孔与金属导电层104形成电连接。例如参见图10-2所示，连接器105的PIN针可插入通过内与金属导电层104形成电连接，从而实现电路层102中两个模块之间的电连接。

应当理解的是，本实施例中在基板背面引出的第二功能电连接区可以包括将LED支架与外部电源连接的支架正电极连接区和支架负电极连接区和用于与LED支架外的器件(例如包括但不限于电阻、电感、电容、各种开关、芯片等)连接的器件连接区中的至少一种，具体可以根据需求灵活设置。

请参见图11-1所示，绝缘基板111上设置有电路层112，且在绝缘基板111正面上的电路层112上还设置有第一功能电连接区116，在图11-1中第一功能电连接区116设置有两个，第一功能电连接区116与电路层中其他电路的具体的连接位置则可根据具体的电路结构灵活确定。当然，根据实际需要，也可同时在绝缘基板背面设置第二功能电连接区，或者仅在绝缘基板背面设置第二功能电连接区，在绝缘基板正面则不设置第一功能电连接区。

请参见图11-2所示，在本实施例中，第一功能电连接区116中的电连接接口可以作为金手指接口1161；应当理解的是，金手指接口中金手指的具体个数和功能则可以根据具体需求灵活设定。当然，在基板背面侧设置的各电连接接口也可以设置成金手指接口或者连接器接口。

请参见图12-1示，在导电基板121上设置有第一绝缘层123和电路层122，其中，导电基板121上开设有通孔1212，在通孔1212的孔壁上形成有第二绝缘层125，在通孔1212内设置有导电体124，导电体124上端穿过第一绝缘层123与电路层122上相应的位置电连接，导电体124的下端作为第二功能电连接区对外的电连接接口。在导电基板121的右端电路层122上还设置有第一功能电连接区126，也即在图12中导电基板121的正面和背面同时设置有功能电连接区，以为LED支架对外提供更多的接入口，更利于LED支架在各场景的灵活使用。

本实施例中，第一功能电连接区126中的电连接接口可以是通过直接将相应位置的电路基材层裸露在外形成的焊接点，例如参见图12-2所示，1261就是作为电连接接口的焊接点；当然，也可以向外延伸做成类似PIN脚端子的连接点，具体形态可以根据具体应用需求灵活设定。

应当理解的是，在本实施例中，当在基板正面和背面同时分别设置第一功能电连接区和第二功能电连接区时，所设置的第一功能电连接区和第二功能电连接区所对应实现的功能可以相同，也可以不同，也可以是第一功能电连接区和第二功能电连接区配合实现一种功能。

在本实施例中，为了提升LED支架的可靠性、出光效率等，可选地，还可在基板上设置的电路层上，设置保护层和金属镀层中的至少一种，且本实施例中的保护层包括但不限于保护涂层和绝缘保护膜中的至少一种；本实施例中金属镀层的设置还可便于进行器件连接时搭线。

例如，可以在电路层上设置各种保护涂层，应当理解的是，该保护涂层不覆盖电路层上的焊接区，该保护涂层可以起到对电路层进行保护的作用，且根据实际需求还可起到对电路层上的电路结构进行标识，和/或提升LED支架出光效率等作用。例如，本实施例中的保护涂层可以设置为防焊油墨涂层，该防焊油墨涂层可以包括白油层、绿油层和黑油层中的至少一种。例如可以在一些区域设置白油层，一些区域设置绿油层，或者一些区域设置白油层，一些区域设置黑油层，或者仅设置白油层、绿油层或黑油层，甚至根据需求设置多层油墨层等等。具体选择哪些种类的油墨层以及具体组合方式等都可灵活设定。黑油层的设置可以吸收部分光，可以对最终发射出去的光进行再次调整。又例如，可以在电路层上设置各种绝缘保护膜(也即通过覆膜的方式进行保护)，本实施例中的绝缘保护膜可以采用绝缘反光膜，例如反光柔性膜，以提升LED支架的出光率。本实施例中反光柔性膜也不该电路层上的焊接区。且应当理解的是，在一种示例中，绝缘保护层和保护涂层还可结合设置，例如可在电路层上先设置保护涂层，然后在保护涂层上设置绝缘保护层。在本实施例中，也可以采用直接在电路层上设置金属镀层，该金属镀层可为单层金属层，也可为由至少两种金属层组成的复合层金属层；例如为单层金属层时，可为单层镀银层；为复合金属层时，可以为由银层和金层或者其他金属层组成的复合层金属层。

本实施例提供的LED的光照射出来、呈现给用户的颜色，可以根据实际需求和应用场景进行灵活设置。LED的光照射出来、呈现给用户是何种颜色，是根据以下因素决定的：LED芯片自身发出的光的颜色、LED是否包括有发光转换层、当LED包括有发光转换层时发光转换层的颜色。

如上所述，本实施例中基板上灯珠区域的个数以及各灯珠区域内LED芯片设置的颗数都可灵活设定。且应当理解的是，本实施例中各灯珠区域内LED芯片的颗数可以相同，也可以不同。各灯珠区域内LED芯片的发光峰值波长也可以相同或不同，也即在基板上设置的LED芯片的发光峰值波长以及发光峰值波长的组合也是可以灵活设定的，例如，本实施例中的在基板上设置的LED芯片可以包括以下芯片中的任意一种，或至少两种的任意组合：

发光峰值波长在440nm至500nm的蓝光芯片；

发光峰值波长在510nm至540nm的绿光芯片；

发光峰值波长在550nm至570nm的黄光芯片；

发光峰值波长大于620nm以上的红光芯片。

但应当理解的是，上述四种芯片仅仅是本实施例中的一种示例，并不限于上述四种芯片。

在本实施例中，在基板上设置的LED芯片为上述示例的四种芯片中的一种，且基板上设置的LED芯片的颗数为至少两颗时，这至少两颗LED芯片的发光峰值波长可以相同(例如都为发光峰值波长为440nm、445nm或450nm等的蓝光芯片)，也可不同(例如一部分为发光峰值波长为440nm、445nm或450nm的蓝光芯片，另一部分为发光峰值波长为455nm、465nm或480nm的蓝光芯片等)。

在本实施例中，在基板上设置的LED芯片为上述示例的四种芯片中的两种以上时，具体可包括两种、三种或四种，且具体的组合方式包括但不限于上述示例的四种芯片的任意组合。例如包括两种时，可以是蓝光芯片与绿光芯片，也可以是蓝光芯片与红光芯片，或绿光芯片与黄光芯片；包括三种时，可以是蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，也可以是黄光芯片、蓝光芯片和红光芯片，或蓝光芯片、绿光芯片和黄光芯片等。且根据上述分析可知，每一种芯片发光峰值波长也可相同或不同。为了便于理解，本实施例下面结合几种具体示例进行说明。

在一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置一种芯片且发光峰值波长相同，例如，采用发光峰值波长500nm的蓝光LED芯片，或发光峰值波长530nm的绿光LED芯片。

在一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置一种芯片且发光峰值波长包括至少两种的LED芯片，例如，采用发光峰值波长为450nm和500nm的蓝光LED芯片，或发光峰值波长为550nm、560nm和570nm的黄光芯片。

在另一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置两种芯片、且每一种芯片的发光峰值波长相同，例如，采用红光LED芯片和蓝光LED芯片，红光LED芯片的发光峰值波长都为650nm，蓝光LED芯片的发光峰值波长都为450nm。

在另一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置两种芯片、且至少一种芯片的发光峰值波长不同，例如，采用黄光LED芯片和绿光LED芯片，黄光LED芯片的发光峰值波长都为560nm，一部分绿光LED芯片的发光峰值波长为530nm，另一部分绿光LED芯片的发光峰值波长为540nm。

在另一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置三种芯片、且每一种芯片的发光峰值波长相同，例如，采用蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片，蓝光LED芯片的发光峰值波长都为480nm，绿光LED芯片的发光峰值波长都为535nm，红光LED芯片的发光峰值波长都为620nm。

在另一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置三种芯片、且至少一种芯片的发光峰值波长不同，例如，采用蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片，蓝光LED芯片的发光峰值波长都为480nm，一部分绿光LED芯片的发光峰值波长为535nm，另一部分绿光LED芯片的发光峰值波长为540nm，一部分红光LED芯片的发光峰值波长为620nm，另一部分红光LED芯片的发光峰值波长为650nm。

在另一种示例中，灯珠区域内的LED芯片设置四种芯片、且每一种芯片的发光峰值波长相同，例如，采用蓝光LED芯片、绿光LED芯片、黄光LED芯片和红光LED芯片，蓝光LED芯片的发光峰值波长都为480nm，绿光LED芯片的发光峰值波长都为536nm，黄光LED芯片的发光峰值波长都为570nm，红光LED芯片的发光峰值波长都为625nm。

应当理解的是，当基板上设置的LED芯片包括多种(大于三种)不同发光峰值波长的LED芯片时，可以是四种、五种、六种等不同发光峰值波长的LED芯片。例如，一种示例中设置基板上的至少一个灯珠区域内设置多颗LED芯片，且具体包括上述四个不同发光峰值波长范围的LED芯片，且具体的假设设置4颗LED芯片，分别为发光峰值波长为480nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片、发光峰值波长为680nm的红光LED芯片和发光峰值波长为560nm的黄光LED芯片。可选地，还可在黄光LED芯片上涂覆一层蓝色的荧光粉胶层、荧光膜或QD膜，则黄光LED芯片发出的黄光经过蓝色的荧光粉胶层、荧光膜或QD膜之后，便可发出白光。

应当理解的是，在本实施例中，LED芯片自身发出的光的类型可以是肉眼可见的可见光，也可以是肉眼不可见的紫外光、红外光；当LED芯片自身发出的光的类型是肉眼不可见的紫外光、红外光时，需在LED芯片之上设置发光转换层，以将肉眼不可见光转换成肉眼可见光，使得LED照射出来的光是用户可见的光。例如，当LED芯片自身发出的光是紫外光时，若想LED呈现用户可见的白光，则发光转换层可以是将红、绿、蓝荧光粉进行混合后制作成的。

本实施例提供的LED，还可包括位于LED芯片之上的发光转换层、透明胶层或扩散胶层。当在LED芯片之上设置有发光转换层时，LED的光照射出来、呈现给用户的颜色，是LED芯片发出的光的颜色，与发光转换层所发出的荧光的颜色进行混合后呈现出来的。发光转换层至少有以下作用：是LED的光照射出来、呈现给用户的颜色的决定因素之一，同时还能起到对LED芯片的保护作用，例如防尘、防水、防油等。当在LED芯片之上设置有透明胶层时，透明胶层可起到对LED芯片的保护作用，例如防尘、防水、防油等。当在LED芯片之上设置有扩散胶层时，扩散胶层可以采用无机型光扩散剂和有机型光扩散剂来制作；在LED芯片之上设置扩散胶层时，可以增加光的散射和透射，遮住LED芯片发光源以及刺眼光源的同时，又能使整个树脂发出更加柔和，美观，高雅的光，达到透光不透明的舒适效果。为了便于理解，下面以几种LED芯片与发光转换层的结合示例进行说明。

如上分析可知，本实施例中灯珠区域内的LED芯片可以是上述示例的四种芯片中的任意一种或至少两种的组合，因此本实施例中以采用上述四种芯片中的任意一种或至少两种的组合，与发光转换层结合产生预设混色光为示例进行说明。且应当理解的是，本实施例中的预设混色光可以根据具体需求灵活设定，例如可以为白光，也可以品红光、青光、蓝白光等等。下面以白光为示例进行说明。

例如，灯珠区域内的LED芯片为上述示例的四种芯片中的任意一种时，如果为蓝光芯片(例如发光峰值波长为450nm)，此时的发光转换层可以采用黄色荧光粉胶层、黄色荧光膜或黄色量子点QD膜；如果为绿光芯片，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉和红色荧光粉混合后制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点和红色量子点混合后制成的QD膜；如果为黄光芯片，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点制成的QD膜，如果为红光芯片，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉和绿色荧光粉混合后制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点和绿色量子点混合后制成的QD膜。

又例如，灯珠区域内的LED芯片为上述示例的四种芯片中的任意两种的组合时，如果为蓝光芯片与绿光芯片的组合，此时的发光转换层可以采用红色荧光粉制成的荧光粉胶层、荧光膜或红色量子点制成的QD膜；如果为蓝光芯片与红光芯片的组合，此时的发光转换层可以采用绿色荧光粉制成的荧光粉胶层、荧光膜或绿色量子点制成的QD膜；如果为蓝光芯片与黄光芯片的组合，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉混合后制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点、绿色量子点和红色量子点混合后制成的QD膜，以此类推。

又例如，灯珠区域内的LED芯片为上述示例的四种芯片中的任意三种的组合时，如果为蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片的组合，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉混合后制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点、绿色量子点和红色量子点混合后制成的QD膜；如果为红光芯片、绿光芯片和黄光芯片的组合，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点制成的QD膜。当然，在一些示例中，也可直接通过芯片自身颜色混合得到混色光，例如可直接通过蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片组合而不采用发光转换层得到白光。具体设置可根据应用场景灵活确定。

又例如，灯珠区域内的LED芯片为上述示例的四种芯片的组合时，此时的发光转换层可以采用蓝色荧光粉制成的荧光粉胶层、荧光膜或蓝色量子点制成的QD膜；当然，也可以直接为蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片自身发出的光混合后得到的白光与灯珠区域内额外设置的白光单元发出的白光再混合得到白光，该白光单元可通至少一颗LED芯片与发光转换层结合得到，具体可以采用但不限于上述任意一种方式得到的。

在本实施例中，荧光粉胶层、荧光膜可采用无机荧光粉制作的，可以是掺杂了稀土元素的无机荧光粉，其中，无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。荧光粉胶层可以是将荧光粉和胶水均匀混合之后进行固化形成的，胶水可以是采用光致固化胶体、感光胶等。荧光膜的制作可以是先将荧光粉和胶水均匀混合之后形成荧光粉胶体，然后采用印刷工艺将荧光粉胶体均匀印刷在支撑模具上，最后经过加热干燥或室温晾干后从支撑模具上取下形成。应当理解的是，上述只是例举了荧光粉胶层、荧光膜的一种制作方式，本实施例的荧光粉胶层、荧光膜的制作并不仅限于上述的方式。

量子点QD膜可采用量子点荧光粉制作的；量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgSe、MgS、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。量子点QD膜可以是将量子点荧光粉和胶水均匀混合之后进行固化形成的，胶水可以是采用光致固化胶体、感光胶等。应当理解的是，上述只是例举了量子点QD膜的一种制作方式，本实施例的量子点QD膜的制作并不仅限于上述的方式。

本实施例提供的发光转换层、透明胶层或扩散胶层可以通过点胶、模压或喷涂的方式设置于LED芯片之上。例如，当LED的发光转换层采用荧光粉胶层、或荧光膜时，均可以通过点胶工艺向LED芯片发光面涂覆掺入荧光粉的封装胶水形成；也可以预先将荧光粉和胶水进行混合后，再通过模压工艺将其覆盖在LED芯片发光面上，不需要混合在封装胶水中通过点胶涂覆在LED芯片的封装面上，因此可以通过足够的时间和工艺保证荧光粉均匀分散在荧光粉胶层、或荧光膜中，从而提升LED芯片的产品优良率。

例如，当LED的发光转换层采用量子点QD膜时，可以通过点胶工艺向LED芯片发光面涂覆掺入量子点荧光粉的封装胶水形成；也可以预先将量子点荧光粉和胶水进行均匀混合后，再通过模压工艺将其覆盖在LED芯片发光面上，不需要混合在封装胶水中通过点胶涂覆在LED芯片的封装面上，因此可以通过足够的时间和工艺保证量子点荧光粉均匀分散在量子点QD膜中，从而提升LED芯片的产品优良率。

实施例二：

为了便于理解，本实施例以基板为凸起面基板为例进行说明。

在本实施例中，凸基板LED包括正面具有凸起区域的基板，还包括位于基板正面之上且与基板绝缘隔离的电路层以及至少一颗LED芯片，LED芯片位于凸起区域之上；基板正面之上设有灯珠区域，灯珠区域包括至少一个凸起区域，LED芯片设置于灯珠区域内，电路层包括用于将基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或基板上其他器件的连接点连接的电路。

本实施例提供的凸基板LED可以只有一颗LED芯片，也可以是多颗LED芯片，具体数量可以根据实际情况进行灵活设置。一颗LED芯片可以是有一个凸起区域与之对应。一个灯珠区域内的凸起区域的数量可以根据实际情况进行灵活设置。灯珠区域的数量也可以根据实际情况进行灵活设置。

本实施例中，LED芯片也可为正装LED芯片，此时基板正面的凸起区域裸露于电路层之外；

LED芯片也可为倒装LED芯片，电路层覆盖凸起区域，且凸起区域上的电路层包括LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区。

以下提供具体的例子进行说明，例如，参见图13-1，图13-1为本实施例提供的一种具有导电凸起面基板、且LED芯片为正装芯片的LED结构示意图，图13-1中，LED基板171的正面为具有凸起区域的非平面基板，且相应的凸起区域用于设置LED芯片172，也即凸起区域作为固晶区1711。基板171的材质为铜基板，多颗LED芯片172均为正装芯片，通过金属线174进行电连接；在基板171正面之上设置有电路层173，固晶区1711所在的区域不设置电路层173，电路层173铜基板171之间通过绝缘层175进行绝缘隔离，电路层173与绝缘层175位置重合；LED芯片172设置在相邻两个电路层173之间，且直接设置在基板171的固晶区1711上。电路层173包括分别与LED芯片172正极引脚1721和负极引脚1722连接的正极引脚焊接区1731和负极引脚焊接区1732，电路层173还包括用于将基板171上的灯珠区域内的LED芯片172与其他灯珠和/或基板171上其他器件的连接点连接的电路；各LED芯片172的正极引脚1721和负极引脚1722分别与电路层173上对应的正极引脚焊接区1731和负极引脚焊接区1732连接，同一个LED芯片172放置在相邻的两个电路层173之间，例如对于某一个LED芯片172，其正极引脚1721与其中一个电路层173的正极引脚焊接区1731连接，其负极引脚1722与另一电路层173的负极引脚焊接区1732连接，这两个电路层173相邻；LED芯片172之间通过芯片连接电路实现电连接。

参见图13-2，图13-2为本实施例提供的一种具有导电凸起面基板、将纵向的四个固晶区划分为一个灯珠区域、且LED芯片正装在基板上的LED结构的俯视图；

图13-2提供的基板171包括4个灯珠区域176，每个灯珠区域176有4个固晶区，每个LED芯片172对应一个固晶区；电路层173包括与各灯珠区域176内待放置的LED芯片172的正极引脚1721和负极引脚1722分别对应的正极引脚焊接区1731和负极引脚焊接区1732，以及将至少两个灯珠区域176进行电连接的电路177。

应当理解的是，灯珠区域的划分可以根据实际场景进行灵活划分，例如除了图13-2提供的纵向划分的方式，还可以是横向划分的方式，还可以是将一个固晶区划分为一个灯珠区域的方式，参见图13-3，图13-3为本实施例提供的一种具有导电凸起面基板、将一个固晶区划分为一个灯珠区域、且LED芯片正装在基板上的LED结构的俯视图，图13-3与图13-2的区别在于仅灯珠区域划分的方式不同，图13-2的灯珠区域划分的方式为将纵向的四个固晶区划分为一个灯珠区域，图13-3的灯珠区域划分的方式为将一个固晶区划分为一个灯珠区域。

图13-2中，LED芯片172设置在固晶区1711上，固晶区1711为凸起区域。

基于上述给出的条件，以下给出四个不同的示例：

示例一，LED包括多颗LED芯片172，多颗LED芯片172均为发光峰值波长为450nm的蓝光芯片，采用点胶工艺向多颗LED芯片172发光面涂覆掺入一定量的红色无机荧光粉和绿色无机荧光粉的封装胶水形成荧光胶层，参见图13-4，图13-4为本实施例提供的一种具有导电凸起面基板、具有荧光胶层、且LED芯片为正装LED芯片的结构示意图，图13-4是在图13-1的基础上增加了荧光胶层178；LED通电后，LED芯片172发出蓝光，与荧光胶层178的红荧光、绿荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例二，LED包括多颗LED芯片172，多颗LED芯片172包括发光峰值波长为450nm的蓝光芯片和发光峰值波长为540nm的绿光芯片，先将红色无机荧光粉和胶水均匀混合之后形成荧光粉胶体，再通过模压工艺将荧光粉胶体覆盖在LED芯片172发光面上，形成荧光膜；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，与荧光膜的红荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例三，LED包括多颗LED芯片172，多颗LED芯片172包括发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为700nm的红光LED芯片，先将一定量的红量子点荧光粉、蓝量子点荧光粉和绿量子点荧光粉均匀混合之后，再和胶水均匀混合形成量子点QD膜，再通过模压工艺将量子点QD膜覆盖在LED芯片172发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，然后再与量子点QD膜的红光、蓝光、绿光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例四，LED包括多颗LED芯片172，多颗LED芯片172包括发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为700nm的红光LED芯片，采用透明胶层覆盖在LED芯片172的发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，蓝光、绿光、红光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

以下针对灯珠区域内设置的LED芯片包括三种不同发光峰值波长范围的芯片，LED芯片包括发光峰值波长为440nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为520nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为700nm的红光LED芯片的情况进行举例说明，例如，参见图13-5，图13-5为本实施例提供的一种LED芯片包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片的示意图，图13-5中，包括4个灯珠区域176，每个灯珠区域176包括3个LED芯片172，这3个LED芯片172分别为红光LED芯片172(图中用字母R表示)、绿光LED芯片172(图中用字母G表示)、蓝光LED芯片172(图中用字母B表示)，这也是图13-5与图13-2的区别之处。

以下针对灯珠区域内设置的LED芯片包括三种不同发光峰值波长范围的芯片，LED芯片包括发光峰值波长为440nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为520nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为700nm的红光LED芯片的另一种情况进行举例说明，参见图13-6，图13-6为本实施例提供的一种LED芯片包括红光LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片和发出白光的LED芯片单元的示意图，图13-6中，包括4个灯珠区域176，每个灯珠区域176包括4个LED芯片172，这4个LED芯片172包括红光LED芯片172(图中用字母R表示)、绿光LED芯片172(图中用字母G表示)、两个蓝光LED芯片172(图中用字母B表示)，其中发出白光的LED芯片单元是在一个蓝光LED芯片172上涂覆一层红色荧光粉和绿色荧光粉混合后的荧光胶层形成，这也是图13-6与图13-5的区别之处。

参见图14，图14为本实施例提供的一种具有绝缘凸起面基板、且LED芯片为正装LED芯片的LED结构示意图，图14中，LED基板181的正面为具有凸起区域1811的非平面基板，基板181为绝缘基板，多颗LED芯片182均为正装芯片，通过金属线184进行电连接；在绝缘基板181正面之上设置有电路层183，凸起区域1811一部分区域覆盖有电路层183；电路层183包括分别与LED芯片182正极引脚1821和负极引脚1822连接的正极引脚焊接区1831和负极引脚焊接区1832，电路层183还包括用于将基板181上的灯珠区域内的LED芯片182与其他灯珠和/或基板181上其他器件的连接点连接的电路；各LED芯片182的正极引脚1821和负极引脚1822分别与电路层183上对应的正极引脚焊接区1831和负极引脚焊接区1832连接；同一个LED芯片182放置在凸起区域1811的相邻两个电路层183上，例如对于某一个LED芯片182，其正极引脚1821与凸起区域1811的一个电路层183的正极引脚焊接区1831连接，其负极引脚1822与同一凸起区域1811的另一个电路层183的负极引脚焊接区1832连接，这两个电路层183相邻，相邻两个电路层183之间的区域是绝缘隔离的。

基于上述给出的条件，以下给出四个不同的示例：

示例一，LED包括多颗LED芯片182，多颗LED芯片182均为发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片，采用点胶工艺向多颗LED芯片182发光面涂覆掺入一定量的红色无机荧光粉和绿色无机荧光粉的封装胶水形成荧光胶层；LED通电后，LED芯片182发出蓝光，与荧光胶层的红荧光、绿荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例二，LED包括多颗LED芯片182，多颗LED芯片182包括发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片、和发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片，先将红色无机荧光粉和胶水均匀混合之后形成荧光粉胶体，再通过模压工艺将荧光粉胶体覆盖在LED芯片182发光面上，形成荧光膜；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，与荧光膜的红荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例三，LED包括多颗LED芯片182，多颗LED芯片182包括发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片、和发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为630nm的红光LED芯片，先将一定量的红量子点荧光粉、蓝量子点荧光粉和绿量子点荧光粉均匀混合之后，再和胶水均匀混合形成量子点QD膜，再通过模压工艺将量子点QD膜覆盖在LED芯片182发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，然后再与量子点QD膜的红光、蓝光、绿光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例四，LED包括多颗LED芯片182，多颗LED芯片182包括发光峰值波长为450nm的蓝光LED芯片、和发光峰值波长为540nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为630nm的红光LED芯片，采用透明胶层覆盖在LED芯片182的发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，蓝光、绿光、红光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

参见图15，图15为本实施例提供的一种具有绝缘凸起面基板、且LED芯片为倒装芯片的LED结构示意图，基板191的正面为具有凸起区域1911的非平面基板，且相应的凸起区域1911用于设置LED芯片192，也即凸起区域1911作为固晶区。多颗LED芯片192均为倒装芯片。在绝缘基板191正面之上设置有电路层193，由于基板191本身已经是绝缘的，所以电路层193是直接设置在绝缘基板191上的，凸起区域1911一部分区域覆盖有电路层193。电路层193包括分别与LED芯片192正极引脚1921和负极引脚1922连接的正极引脚焊接区1931和负极引脚焊接区1932，电路层193还包括用于将基板191上的灯珠区域内的LED芯片192与其他灯珠和/或基板191上其他器件的连接点连接的电路；各LED芯片192的正极引脚1921和负极引脚1922分别与电路层193上对应的正极引脚焊接区1931和负极引脚焊接区1932连接；同一个LED芯片192放置在凸起区域1911的相邻两个电路层193上，例如对于某一个LED芯片192，其正极引脚1921与凸起区域1911的一个电路层193的正极引脚焊接区1931连接，其负极引脚1922与同一凸起区域1911的另一个电路层193的负极引脚焊接区1932连接，这两个电路层193相邻，相邻两个电路层193之间的区域是绝缘隔离的；LED芯片192之间通过芯片连接电路实现电连接。

基于上述给出的条件，以下给出四个不同的示例：

示例一，LED包括多颗LED芯片192，多颗LED芯片192均为发光峰值波长为480nm的蓝光LED芯片，采用点胶工艺向多颗LED芯片192发光面涂覆掺入一定量的红色无机荧光粉和绿色无机荧光粉的封装胶水形成荧光胶层(图中未示出)；LED通电后，LED芯片192发出蓝光，与荧光胶层的红荧光、绿荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例二，LED包括多颗LED芯片192，多颗LED芯片192包括发光峰值波长为480nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为510nm的绿光LED芯片，先将红色无机荧光粉和胶水均匀混合之后形成荧光粉胶体，再通过模压工艺将荧光粉胶体覆盖在LED芯片192发光面上，形成荧光膜(图中未示出)；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，与荧光膜的红荧光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例三，LED包括多颗LED芯片192，多颗LED芯片192包括发光峰值波长为480nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为510nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为680nm的红光LED芯片，先将一定量的红量子点荧光粉、蓝量子点荧光粉和绿量子点荧光粉均匀混合之后，再和胶水均匀混合形成量子点QD膜(图中未示出)，再通过模压工艺将量子点QD膜覆盖在LED芯片192发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，然后再与量子点QD膜的红光、蓝光、绿光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

示例四，LED包括多颗LED芯片192，多颗LED芯片192包括发光峰值波长为480nm的蓝光LED芯片、发光峰值波长为510nm的绿光LED芯片、和发光峰值波长为680nm的红光LED芯片，采用透明胶层(图中未示出)覆盖在LED芯片192的发光面上；LED通电后，蓝光芯片发出蓝光，绿光芯片发出绿光，红光芯片发出红光，蓝光、绿光、红光混合后，从LED中发出白光呈现给用户。

实施例三

本实施例还提供一种发光装置，该发光装置包括上述实施例一或实施例二所示例的凸基板LED。本实施例中的发光装置可为照明装置、光信号指示装置、补光装置或背光装置等。为照明装置时，具体可以为应用于各种领域的照明装置，例如日常生活中的台灯、日光灯、吸顶灯、筒灯、路灯、投射灯等等，又例如汽车中的远光灯、近光灯、氛围灯等，又例如医用中的手术灯、低电磁照明灯、各种医用仪器的照明灯，又例如应装饰领域照明中的各种彩灯、景观照明灯、广告灯等等；为光信号指示装置时，具体可以为应用于各种领域的光信号指示装置，例如交通领域的信号指示灯，通信领域中通信设备上的各种信号状态指示灯；为补光装置时，可以为摄影领域的补光灯，例如闪光灯、补光灯，也可以为农业领域为植物补光的植物补光灯等；为背光装置时，可以为应用于各种背光领域的背光模组，例如可应用于显示器、电视机、手机等移动终端、广告机等设备上。

应当理解的是，上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是LED的应用并不限于上述示例的几种领域。

以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型实施例所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (15)

1.一种凸基板LED，其特征在于，包括正面具有凸起区域的基板，位于所述基板正面之上且与所述基板绝缘隔离的电路层以及至少一颗LED芯片，所述基板正面之上设有灯珠区域，所述灯珠区域包括至少一个所述凸起区域，所述LED芯片设置于所述灯珠区域内，所述电路层包括用于将所述基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或所述基板上其他器件的连接点连接的电路。

2.如权利要求1所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同。

3.如权利要求1所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的LED芯片。

4.如权利要求1至3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，还包括位于所述LED芯片之上的发光转换层、透明胶层或扩散胶层。

5.如权利要求4所述的凸基板LED，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同，且所述LED包括发光转换层时，所述发光转换层为荧光粉胶层、荧光膜或量子点QD膜；

所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的至少两颗LED芯片，且所述LED包括发光转换层时，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括两种不同发光峰值波长的芯片或三种不同发光峰值波长的芯片或多种不同发光峰值波长的芯片，所述发光转换层包括荧光粉胶层、荧光膜或QD膜。

6.如权利要求5所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内的LED芯片包括以下芯片中的任意一种或至少两种的组合：

发光峰值波长为440nm至500nm的蓝光LED芯片；

发光峰值波长为510nm至540nm的绿光LED芯片；

发光峰值波长为550nm至570nm的黄光LED芯片；

发光峰值波长为620nm以上的红光LED芯片；

所述发光转换层为将所述LED芯片发出的光转换成预设混色光的发光转换层。

7.如权利要求6所述的凸基板LED，其特征在于，所述预设混色光包括白光。

8.如权利要求4所述的凸基板LED，其特征在于，所述发光转换层、透明胶层或扩散胶层通过点胶、模压或喷涂设置于所述LED芯片之上。

9.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述LED芯片为正装LED芯片，所述凸起区域裸露于所述电路层之外；

或，

所述LED芯片为倒装LED芯片，所述电路层覆盖所述凸起区域，且所述凸起区域上的电路层包括正极引脚焊接区和负极引脚焊接区。

10.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述基板正面还设置有与基板自身绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第一功能电连接区，和/或，所述基板背面设置有与基板绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第二功能电连接区。

11.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述电路层上还设置有保护涂层，绝缘保护膜和金属镀层中的至少一种；

所述保护涂层包括防焊油墨涂层，所述保护膜包括绝缘反光膜，所述金属镀层为单层金属层或由至少两种金属层组成的复合层金属层。

12.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述基板上包括至少两个灯珠区域，所述电路层包括与所述各灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区，以及将所述至少两个灯珠区域进行电连接的电路。

13.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述基板上具有一个灯珠区域，所述电路层包括与所述灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区；

所述灯珠区域中用于放置一颗LED芯片或至少两颗LED芯片。

14.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，至少一个所述灯珠区域内设置有至少两颗LED芯片，所述电路层还包括实现灯珠区域内各LED芯片之间电连接的芯片连接电路；所述至少两颗LED芯片之间通过所述芯片连接电路实现连接。

15.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的凸基板LED，所述发光装置为照明装置、光信号指示装置、补光装置或背光装置。