CN208638339U - 一种反向开关晶体管充电电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种反向开关晶体管充电电路，包括反向开关晶体管电路和预充回路，所述反向开关晶体管电路包括反向开关晶体管RSD和与所述反向开关晶体管RSD并联的电阻R1，所述预充回路包括预充电容C、磁开关MS、半导体开关T、电阻R2和二极管D1，预充电容C、磁开关MS、半导体开关T依次串联在所述反向开关晶体管RSD两端，预充电容C的高压端连接磁开关MS，预充电容C的低压端连接半导体开关T的阳极。本实用新型的反向开关晶体管充电电路结构简单，易于控制。
Description
技术领域
本实用新型涉及功率器件技术领域，特别涉及一种反向开关晶体管充电电路。
背景技术
反向开关晶体管是一种半导体功率电器元件，是由前苏联科学家I.V.Grekhov和他的同事首先提出的一种专门应用于脉冲功率领域的半导体开关器件。上世纪80年代初前苏联科学家I.V.Grekhov对其工作机理进行了研究，到80年代中期试制成功，直至上世纪80年代末90年代初完成了机理、微电子与电力半导体工艺技术、基本调制电路等的研究。
现有技术中，由于需要对反向开关晶体管的关断时间进行检查，但是对反向开关晶体管进行预充的电路设计结构复杂，容易发生故障。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种反向开关晶体管充电电路，以解决现有技术中对反向开关晶体管进行预充的电路设计结构复杂，容易发生故障的问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：
一种反向开关晶体管充电电路，包括反向开关晶体管电路和预充回路，
所述反向开关晶体管电路包括反向开关晶体管RSD和与所述反向开关晶体管RSD并联的电阻R1，
所述预充回路包括预充电容C、磁开关MS、半导体开关T、电阻R2和二极管D1，预充电容C、磁开关MS、半导体开关T依次串联在所述反向开关晶体管RSD两端，预充电容C的高压端连接磁开关MS，预充电容C的低压端连接半导体开关T的阳极。
可选的：还包括电源电路，所述电源电路包括交流电源AC、二极管D2和电阻R3，交流电源AC的一端接地，另一端连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极与二极管D1的阳极之间串联有电阻R3。
可选的：所述磁开关MS包括导线和磁性材料，所述导线在所述磁性材料的磁芯上缠绕若干线圈组成所述磁开关MS。
采用上述技术方案，与传统的充电电路相比，结构更加简单，所以不容易发生故障，可以通过半导体开关T的关断控制进行充电，更加易于操作。
附图说明
图1为本实用新型的反向开关晶体管充电电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
一种反向开关晶体管充电电路，包括反向开关晶体管电路、预充回路和电源电路。
具体的，反向开关晶体管电路包括反向开关晶体管RSD和与反向开关晶体管RSD并联的电阻R1，
预充回路包括预充电容C、磁开关MS、半导体开关T、电阻R2和二极管D1，预充电容C、磁开关MS、半导体开关T依次串联在反向开关晶体管RSD两端，预充电容C的高压端连接磁开关MS，预充电容C的低压端连接半导体开关T的阳极，电阻R2用于增加预充回路与电源电路的阻抗，减少预充回路上的能耗。
电源电路包括交流电源AC、二极管D2和电阻R3，交流电源AC的一端接地，另一端连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极与二极管D1的阳极之间串联有电阻R3。
其中，磁开关MS包括导线和磁性材料，导线在磁性材料的磁芯上缠绕若干线圈组成磁开关MS，在本实用新型的实施例中，磁开关MS用于保护半导体开关T。
在闭合半导体开关T后，电流依次流过预充电容C、磁开关MS和半导体开关T，在预充电容C电荷极性交换过程结束时，半导体开关T处于反向阻断状态，预充电容C开始反向放电，电流依次流过反向开关晶体管RSD、二极管D1和电阻R2，形成反向开关晶体管RSD的充电电路。
以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种反向开关晶体管充电电路，其特征在于：包括反向开关晶体管电路和预充回路，
所述反向开关晶体管电路包括反向开关晶体管RSD和与所述反向开关晶体管RSD并联的电阻R1，
所述预充回路包括预充电容C、磁开关MS、半导体开关T、电阻R2和二极管D1，预充电容C、磁开关MS、半导体开关T依次串联在所述反向开关晶体管RSD两端，预充电容C的高压端连接磁开关MS，预充电容C的低压端连接半导体开关T的阳极。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：还包括电源电路，所述电源电路包括交流电源AC、二极管D2和电阻R3，交流电源AC的一端接地，另一端连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极与二极管D1的阳极之间串联有电阻R3。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：所述磁开关MS包括导线和磁性材料，所述导线在所述磁性材料的磁芯上缠绕若干线圈组成所述磁开关MS。
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| CN110138360A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-16 | 华中科技大学 | 一种基于rsd的去磁开关高效脉冲功率发生电路 |
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| CN110138360A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-16 | 华中科技大学 | 一种基于rsd的去磁开关高效脉冲功率发生电路 |
| CN110138360B (zh) * | 2019-05-14 | 2020-11-24 | 华中科技大学 | 一种基于rsd的去磁开关高效脉冲功率发生电路 |
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