CN208638090U - 一种基于低功耗的双路电源切换电路 - Google Patents

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王志
夏建兵
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李志强
叶枫
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Abstract

本实用新型涉及电池管理系统领域。一种基于低功耗的双路电源切换电路,包括,主电源(B);在工作模式下为MCU供电;低功耗电源(A);在低功耗模式下为MCU供电;切换电路(D);在主电源和低功耗电源之间切换;切换电路包括有;PMOS管(Q1),D端耦接至主电源上,S端耦接至MCU上;PMOS管(Q2),S端耦接至低功耗电源上,D端耦接至MCU上;所述PMOS管(Q2)的G端通过二极管(D3)耦接至主电源的输出端上;PMOS管(Q1)的G端通过二极管(D2)耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。该双路电源切换电路对于既满足休眠时低功耗要求,也满足正常工作时电流的技术要求。

Description

一种基于低功耗的双路电源切换电路
技术领域
本实用新型涉及电池管理系统领域,尤其涉及一种基于低功耗的双路电源切换电路。
背景技术
在电力、通讯等传统应用以及新能源领域,电池一般作为后备电源或能量存储时,大部分采用多电池串联后再进行应用,以适应电压等级要求。同时,电池管理系统(BatteryManagement System,BMS)与电池紧密相连,作为电池不可或缺的部件对电池系统进行管理。
由于与电池紧密相连,对其功耗要求非常严格,且同时也需保障在电池系统工作状态与非工作状态下的有效运行。故此在一般情况下,合理的BMS系统功耗要求为正常工作下状态功耗本身要尽可能低,在非工作状态下可以进入超低功耗模式,减少能量损失。
因此BMS有低功耗指标的要求,如休眠时的静态电流小于1mA。目前市场上采用超低功耗的非隔离电源芯片一般在15元以上,无法满足BMS低成本的要求。
发明内容
为了解决上述问题,本实用新型的目的在于提供一种基于低功耗的双路电源切换电路,该双路电源切换电路对于BMS组端供电电源来说,既满足休眠时低功耗要求,也满足正常工作时电流的技术要求。
为了实现上述的目的,本实用新型采用了以下的技术方案:
一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:包括
主电源(B);在工作模式下为MCU供电;
低功耗电源(A);在低功耗模式下为MCU供电;
切换电路(D);在主电源和低功耗电源之间切换;切换电路包括有;PMOS管(Q1),D端耦接至主电源上,S端耦接至MCU上;PMOS管(Q2),S端耦接至低功耗电源上,D端耦接至MCU上;所述PMOS管(Q2)的G端通过二极管(D3)耦接至PMOS管(Q1)的D端与主电源的输出端上;PMOS管(Q1)的G端通过二极管(D2)耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。
作为优选,还包括;主电源开启关闭电路(C),输出端耦接至主电源上并由MCU控制。
作为优选,所述主电源开启关闭电路(C)包括S端连接在控制电源输出端上的PMOS管(Q3),以及G端通过偏置电阻(R7)连接在MCU引出的DC信号线上的NMOS管(Q4);所述PMOS管(Q3)的G端通过偏置电阻(R6)与NMOS管(Q4)的D端连接。
作为优选,所述主电源开启关闭电路(C)还包括偏置电阻(R8)耦接在NMOS管(Q4)的G端S端之间,NMOS管(Q4)S端耦接至电路输入电源地端(GND),偏置电阻(R10)耦接在PMOS管(Q3)的G端S端之间。
作为优选,所述切换电路还包括有二极管(D1),耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。
作为优选,所述切换电路还包括有;电阻(R1、R2),为PMOS管(Q2)的偏置电阻,电阻(R1、R2)耦接至PMOS管(Q2)的G端部上,且电阻(R1)耦接至PMOS管(Q2)的S端与低功耗电源,电阻(R2)耦接至电路输入电源地端(GND);电阻(R3、R4)为PMOS管(Q1)的偏置电阻,电阻(R3、R4)耦接至PMOS管(Q1)的G端部上,且电阻(R4)耦接至PMOS管(Q1)的S端与MCU,电阻(R3)耦接至电路输入电源地端(GND)。
作为优选,所述切换电路还包括有;偏置电阻(R5)与电容(C1)在主电源与PMOS管(Q1)的D端的线路上,偏置电阻(R5)耦接于二极管(D3)与电路地端(GND),电容(C1)耦接至电路输入电源地端(GND)。
本实用新型采用上述技术方案,该技术方案涉及一种基于低功耗的双路电源切换电路,该基于低功耗的双路电源切换电路包括主电源(工作电源)和低功耗电源两种电源,并通过切换电路在主电源和低功耗电源之间切换。该双路电源切换电路对于BMS组端供电电源,既满足休眠时低功耗要求,也满足正常工作时电流的技术要求。
附图说明
图1为BMS电源系统结构图图。
图2为主电源关闭电路图与双路电源切换电路图。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型的优选实施方案作进一步详细的说明。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
如图1~2所示的一种基于低功耗的双路电源切换电路,包括
主电源(B);在工作模式下为MCU供电;
低功耗电源(A);在低功耗模式下为MCU供电;
切换电路(D);在主电源和低功耗电源之间切换;切换电路包括有;PMOS管(Q1),D端耦接至主电源上,S端耦接至MCU上;PMOS管(Q2),S端耦接至低功耗电源上,D端耦接至MCU上;所述PMOS管(Q2)的G端通过二极管(D3)耦接至PMOS管(Q1)的D端与主电源的输出端上;PMOS管(Q1)的G端通过二极管(D2)耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。
作为优选,还包括;主电源开启关闭电路(C),输出端耦接至主电源上并由MCU控制。
作为优选,所述主电源开启关闭电路(C)包括S端连接在控制电源输出端上的PMOS管(Q3),以及G端通过偏置电阻(R7)连接在MCU引出的DC信号线上的NMOS管(Q4);所述PMOS管(Q3)的G端通过偏置电阻(R6)与NMOS管(Q4)的D端连接;
作为优选,所述主电源开启关闭电路(C)还包括偏置电阻(R8)耦接在NMOS管(Q4)的G端S端之间,NMOS管(Q4)S端耦接至电路输入电源地端(GND),偏置电阻(R10)耦接在PMOS管(Q3)的G端S端之间。
作为优选,所述切换电路还包括有二极管(D1),耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。
作为优选,所述切换电路还包括有;电阻(R1、R2),为PMOS管(Q2)的偏置电阻,电阻(R1、R2)耦接至PMOS管(Q2)的G端部上,且电阻(R1)耦接至PMOS管(Q2)的S端与低功耗电源,电阻(R2)耦接至电路输入电源地端(GND);电阻(R3、R4)为PMOS管(Q1)的偏置电阻,电阻(R3、R4)耦接至PMOS管(Q1)的G端部上,且电阻(R4)耦接至PMOS管(Q1)的S端与MCU,电阻(R3)耦接至电路输入电源地端(GND)。
作为优选,所述切换电路还包括有;偏置电阻(R5)与电容(C1)在主电源与PMOS管(Q1)的D端的线路上,偏置电阻(R5)耦接于二极管(D3)与电路地端(GND),电容(C1)耦接至电路输入电源地端(GND)。
该技术方案涉及一种基于低功耗的双路电源切换电路,该基于低功耗的双路电源切换电路包括主电源(工作电源)和低功耗电源两种电源,并通过切换电路在主电源和低功耗电源之间切换。该双路电源切换电路对于BMS组端供电电源,既满足休眠时低功耗要求,也满足正常工作时电流的技术要求。具体来说,
根据以上技术方案对于切换电路原理做如下描述:
图中,A框中是低功耗电源,B框是主电源,C框是主电源开启关闭电路,D框是切换电路;低功耗电源(A)+3.3V0电源在模块上电后即开始工作,此电源提供MCU启动时刻供电需求及低功耗情况下不间断供电需求。当主电源关闭后,切换电路可同步切换到低功耗电源供电。
正常工作时MCU一上电便会使主电源开启关闭电路开启,使主电源工作。主电源(B)的主输出+5V电压后通过三端稳压器稳压输出+3.3V1,由于(肖特基)二极管D3压降0.2V左右,因为二极管的钳位作用,所以PMOS管(Q2)的GS电压不足以导通,相反+3.3V1电压通过PMOS管(Q1)的体内二极管输出,低功耗电路将不再输出电流。
当系统需要低功耗电源(A)而关闭主电源(B)时,MCU输出低电平,NMOS管(Q4)截止,PMOS管(Q3)同时亦处于截止不导通状态,控制电源+15V与主电源(B)之间的通路切断,主电源(B)关闭,输出+5V电压降为0V。同时,低功耗电源(A)+3.3V0从模块上电后始终有电压,所以PMOS管(Q2)正偏导通,通过二极管(D1)输出MCU的供电电压,同时PMOS管(Q1)由于二极管(D2)的钳位处于截止状态。
图中的点状虚线L2为主电源的输出回路,点状虚线L1为低功耗电源的输出回路。R1,R2为Q2的偏置电阻。R3,R4为Q1的偏置电阻。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:包括
主电源(B);在工作模式下为MCU供电;
低功耗电源(A);在低功耗模式下为MCU供电;
切换电路(D);在主电源和低功耗电源之间切换;切换电路包括有;
PMOS管(Q1),D端耦接至主电源上,S端耦接至MCU上;PMOS管(Q2),S端耦接至低功耗电源上,D端耦接至MCU上;所述PMOS管(Q2)的G端通过二极管(D3)耦接至主电源的输出端上;PMOS管(Q1)的G端通过二极管(D2)耦接至PMOS管(Q2)的D端与MCU之间的线路上。
2.根据权利要求1所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:还包括;主电源关闭电路(C),输出端耦接至主电源上并由MCU控制。
3.根据权利要求2所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:所述主电源关闭电路(C)包括S端连接在控制电源输出端上的PMOS管(Q3),以及G端连接在MCU引出的DC信号线上的NMOS管(Q4);所述PMOS管(Q3)的G端通过偏置电阻(R6)与NMOS管(Q4)的D端连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:所述主电源开启关闭电路(C)还包括偏置电阻(R8)耦接在NMOS管(Q4)的G端S端之间,NMOS管(Q4)S端耦接至电路输入电源地端(GND),偏置电阻(R10)耦接在PMOS管(Q3)的G端S端之间。
5.根据权利要求1所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:所述切换电路还包括有二极管(D1),耦接至PMOS管(Q2)的D端。
6.根据权利要求1所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:所述切换电路还包括有;电阻(R1、R2),为PMOS管(Q2)的偏置电阻,电阻(R1、R2)耦接至PMOS管(Q2)的G端部上,且电阻(R1)耦接至PMOS管(Q2)的S端与低功耗电源,电阻(R2)耦接至电路输入电源地端(GND);电阻(R3、R4)为PMOS管(Q1)的偏置电阻,电阻(R3、R4)耦接至PMOS管(Q1)的G端部上,且电阻(R4)耦接至PMOS管(Q1)的S端与MCU,电阻(R3)耦接至电路输入电源地端(GND)。
7.根据权利要求6所述的一种基于低功耗的双路电源切换电路,其特征在于:所述切换电路还包括有;偏置电阻(R5)与电容(C1)在主电源与PMOS管(Q1)的D端的线路上,偏置电阻(R5)耦接于二极管(D3)与电路地端(GND),电容(C1)耦接至电路输入电源地端(GND)。
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