CN208637793U - 一种低电容引弧放电二极管 - Google Patents
一种低电容引弧放电二极管 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种低电容引弧放电二极管。它包括上下电极和陶瓷管,还包括锥台结构的上下封盖,上下封盖的中心分别设置有通孔,上下电极穿过通孔后伸入到陶瓷管内,上下电极外套有金属罩,上下金属罩的向对面均具有拱起的表面从而形成引弧分散面,上下电极相对的端面均涂覆有氧化物涂层,安装座、陶瓷管以及上下两个电极之间形成密封腔体,密封腔体内充有惰性气体介质。采用上述结构后,可以将电弧通过弧形表面进行分布,使得最终的电弧主要集中在管体的中心,不但避免了对管体的损害,更有利于赋予放电管以非常低击穿电压值,避免了两个电极与陶瓷管直接接触,进一步能够赋予放电管以非常低击穿电压值,同时没有改变现有的放电管的体积。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种气体放电管,具体地说是一种低电容引弧放电二极管。
背景技术
随着社会的发展,二极管技术已经非常成熟,目前的常规的放电二极管通常都是由上电极、下电极以及上下电极之间的陶瓷管用焊料密封而成,陶瓷管内充有惰性气体,其原理是当放电管两端电压达到一定值时,放电管被击穿,使大电流通过从而保护电器设备正常使用,在实际使用过程中往往会存在续流的问题,其放电产生的电弧也会对管体造成损坏,影响其使用,虽然有人提出间隙放电通道,但是依然避免不了余弧的存在,仍然存在较为严重的问题,另外,还存在电容值过大且体积过大影响使用范围的缺陷。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构设计合理,电容低、灭弧性能好从而提高使用寿命的低电容引弧放电二极管。
为了解决上述技术问题,本实用新型的低电容引弧放电二极管,包括上电极、下电极和陶瓷管,还包括能够安装在陶瓷管上下两端的锥台结构的上封盖和下封盖,上封盖和下封盖的中心分别设置有用于安装上电极、下电极的通孔,上电极、下电极穿过通孔后伸入到陶瓷管内,所述上电极外套有一个上金属罩,下电极外套有一个下金属罩,上金属罩和下金属罩的向对面均具有拱起的表面从而形成引弧分散面,所述上电极和下电极相对的端面均涂覆有氧化物涂层,上封盖、下封盖、陶瓷管以及上下两个电极之间形成密封腔体,密封腔体内充有惰性气体介质。
所述上金属罩和下金属罩均为半球状结构,上金属罩和下金属罩的开口端与陶瓷管的内径相当并固定安装在上封盖和下封盖上。
所述上电极和下电极的上端端面分别设置有安置槽,所述氧化物涂层涂覆在安置槽内。
所述陶瓷管上下两端设置有内环槽,所述上封盖和下封盖分别安装在陶瓷管上下两端的内环槽中并通过银铜焊料焊接固定,
所述上电极和下电极分别通过焊料焊接固定在上封盖和下封盖上。
采用上述的结构后,由于上下电极分别外套有的金属罩,两个金属罩的相对面均具有拱起的表面从而形成引弧分散面,由此可以将电弧通过弧形表面进行分布,使得最终的电弧主要集中在管体的中心,不但避免了对管体的损害,更有利于赋予放电管以非常低击穿电压值,再者,封盖和下封盖均设置的锥台结构,两者安装后使得焊接密封面完全不在腔体内,上下电极分别通过焊料焊接固定在两个密封盖上,避免了两个电极与陶瓷管直接接触,加上涂覆的氧化物涂层,进一步能够赋予放电管以非常低击穿电压值,使得上下电极的上端端面在固有的间距下电容值大大降低,同时没有改变现有的放电管的体积。
附图说明
图1为本实用新型的低电容引弧放电二极管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本实用新型的低电容引弧放电二极管作进一步详细说明。
如图所示,本实用新型的低电容引弧放电二极管,包括上电极1、下电极2和陶瓷管3,还包括能够安装在陶瓷管上下两端的锥台结构的上封盖4和下封盖5,陶瓷管上下两端设置有内环槽,上封盖4和下封盖5分别安装在陶瓷管上下两端的内环槽中并通过银铜焊料焊接固定,上电极1和下电极2分别通过焊料焊接固定在上封盖4和下封盖5上,上封盖4和下封盖5的中心分别设置有用于安装上电极1、下电极2的通孔,上电极1、下电极2穿过通孔后伸入到陶瓷管内,上电极1外套有一个上金属罩6,下电极2外套有一个下金属罩7,上金属罩6和下金属罩7的向对面均具有拱起的表面从而形成引弧分散面,通过引弧分散面可以使得电弧分布在金属罩上,特别是拱形凸起相对的部分有利于集中电弧不会扩散到管体上,上电极1和下电极2的上端端面分别设置有安置槽,上电极1和下电极2相对的端面均涂覆有位于安置槽内的氧化物涂层8,上封盖、下封盖、陶瓷管以及上下两个电极之间形成密封腔体,密封腔体内充有惰性气体介质。
进一步地,所说的上金属罩6和下金属罩7均为半球状结构,上金属罩6和下金属罩7的开口端与陶瓷管3的内径相当并固定安装在上封盖4和下封盖5上,通过半球状的结构设计可以最大化减小陶瓷管的长度,由此减小了整体体积,满足了小型化的设计要求。
Claims (5)
1.一种低电容引弧放电二极管,包括上电极(1)、下电极(2)和陶瓷管(3),其特征在于:还包括能够安装在陶瓷管上下两端的锥台结构的上封盖(4)和下封盖(5),所述上封盖(4)和下封盖(5)的中心分别设置有用于安装上电极(1)、下电极(2)的通孔,所述上电极(1)、下电极(2)穿过通孔后伸入到陶瓷管内,所述上电极(1)外套有一个上金属罩(6),下电极(2)外套有一个下金属罩(7),上金属罩(6)和下金属罩(7)的向对面均具有拱起的表面从而形成引弧分散面,所述上电极(1)和下电极(2)相对的端面均涂覆有氧化物涂层(8),所述上封盖(4)、下封盖(5)、陶瓷管以及上下两个电极之间形成密封腔体,密封腔体内充有惰性气体介质。
2.按照权利要求1所述的低电容引弧放电二极管,其特征在于:所述上金属罩(6)和下金属罩(7)均为半球状结构,上金属罩(6)和下金属罩(7)的开口端与陶瓷管(3)的内径相当并固定安装在上封盖(4)和下封盖(5)上。
3.按照权利要求1或2所述的低电容引弧放电二极管,其特征在于:所述上电极(1)和下电极(2)的上端端面分别设置有安置槽,所述氧化物涂层涂覆在安置槽内。
4.按照权利要求1或2所述的低电容引弧放电二极管,其特征在于:所述陶瓷管上下两端设置有内环槽,所述上封盖(4)和下封盖(5)分别安装在陶瓷管上下两端的内环槽中并通过银铜焊料焊接固定。
5.按照权利要求4所述的低电容引弧放电二极管,其特征在于:所述上电极(1)和下电极(2)分别通过焊料焊接固定在上封盖(4)和下封盖(5)上。
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