CN208623315U - 一种过电压检测保护电路 - Google Patents

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杨军
鄂凌松
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Beijing Jinshengda Biological Electronic Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种过电压检测保护电路,包括IN输入端,所述的IN输入端连接电阻R1的一端、晶体管T的发射极、电阻R4的一端和MOS管M的源极,所述MOS管M的漏极连接OUT输出端,所述电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和二极管D1的负极,所述二极管D1的正极连接二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接晶体管T的集电极、电阻R4的一端和MOS管M的栅极,所述电阻R2的另一端与所述晶体管T的基极连接。本实用新型使用少量的元器件实现了过电压的准确检测,是一种高效的过电压检测保护电路。

Description

一种过电压检测保护电路
技术领域
本实用新型涉及保护电路技术领域,具体来说,涉及一种过电压检测保护电路。
背景技术
目前的电器设备例如植物补光灯等都工作在正常的电压范围内,当电压大于额定电压时,可能会影响电路中元器件的正常工作,因此需要一种过电压检测保护电路,目前的过电压检测保护电路具有检测不准确,元器件多,电路结构复杂等缺点。
实用新型内容
针对相关技术中的上述技术问题,本实用新型提出一种过电压检测保护电路,能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种过电压检测保护电路,包括IN输入端,所述的IN输入端连接电阻R1的一端、晶体管T的发射极、电阻R4的一端和MOS管M的源极,所述MOS管M的漏极连接OUT输出端,所述电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和二极管D1的负极,所述二极管D1的正极连接二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接晶体管T的集电极、电阻R4的一端和MOS管M的栅极,所述电阻R2的另一端与所述晶体管T的基极连接。
进一步的,所述二极管D2的正极接地。
本实用新型的有益效果:本实用新型使用少量的元器件实现了过电压的准确检测,是一种高效的过电压检测保护电路。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例所述的一种过电压检测保护电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,根据本实用新型实施例所述的一种过电压检测保护电路,包括IN输入端,所述的IN输入端连接电阻R1的一端、晶体管T的发射极、电阻R4的一端和MOS管M的源极,所述MOS管M的漏极连接OUT输出端,所述电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和二极管D1的负极,所述二极管D1的正极连接二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接晶体管T的集电极、电阻R4的一端和MOS管M的栅极,所述电阻R2的另一端与所述晶体管T的基极连接。
在一具体实施例中,所述二极管D2的正极接地。
为了方便理解本实用新型的上述技术方案,以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。
根据本实用新型所述的一种过电压检测保护电路,在正常工作时电阻R4给MOS管M的栅极偏压使得MOS管M 处于导通状态,输出电压等于输入电压。当直流输入电压超过DC48V时输出变为0电压, 即输入电压高于DC48V时二极管D1和二极管D2导通使得晶体管T的基极电压超过0.7V使发射极与集电极导通从而使MOS管M截止起到过压保护作用。
综上所述,本实用新型
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种过电压检测保护电路,其特征在于,包括IN输入端,所述的IN输入端连接电阻R1的一端、晶体管T的发射极、电阻R4的一端和MOS管M的源极,所述MOS管M的漏极连接OUT输出端,所述电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和二极管D1的负极,所述二极管D1的正极连接二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接晶体管T的集电极、电阻R4的一端和MOS管M的栅极,所述电阻R2的另一端与所述晶体管T的基极连接。
2.根据权利要求1所述的一种过电压检测保护电路,其特征在于,所述二极管D2的正极接地。
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