CN106937435B - 一种无极性整流电路 - Google Patents

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Abstract

一种无极性整流电路，包括两个输入端和两个输出端，两个P沟道MOS管，以及两个N沟道MOS管。所述两个输入端分别与一个P沟道MOS管的漏极和一个N沟道MOS管的漏极电性连接。所述一个输出端与两个P沟道MOS管的源极电性连接，另一个输出端与两个N沟道MOS管的源极电性连接。在使用时，无论一个输入端的输入的是正极还是负极，所述两个输出端中的一个固定输出为高电平，另一个输出端固定输出低电平，从而而可以使电源插头无需再分正负极，可以减少LED灯具的安装时间，特别对于大量的LED灯具的安装。

Description

一种无极性整流电路
技术领域
本发明涉及一种照明设备领域，特别是一种无极性整流电路。
背景技术
在节能环保的背景下，LED灯具因其具有出光效率高、聚光性能好而越来越多地应用于居家、商业照明领域。在诸如展览馆，珠宝店、博物馆、超市等场所中，还有一些居家照明，如大型别墅中。随着LED灯具，特别是条形灯具的大量使用，但其安装会给用户带来一些不必要的麻烦。因为LED芯片的使用的电流必须是直流电，而一般的电源插头都是分正负极，因此会增加安装大量的条形灯具的时间。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种可以利于快速安装LED灯具的无极性整流电路，以解决上述问题。
一种无极性整流电路包括两个输入端和两个输出端，两个P沟道MOS管，以及两个N沟道MOS管。所述两个输入端分别与一个P沟道MOS管的漏极和一个N沟道MOS管的漏极电性连接。所述一个输出端与两个P沟道MOS管的源极电性连接，另一个输出端与两个N沟道MOS管的源极电性连接。
在使用时，无论一个输入端的输入的是正极还是负极，所述两个输出端中的一个固定输出为高电平，另一个输出端固定输出低电平，从而可以使电源插头无需再分正负极，可以减少LED灯具的安装时间，特别对于大量的LED灯具的安装。
附图说明
以下结合附图描述本发明的实施例，其中：
图1为本发明提供的第一实施例的一种无极性整流电路的电路原理图。
图2为本发明提供的第二实施例的一种无极性整流电路的电路原理图。
具体实施方式
以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本发明实施例的说明并不用于限定本发明的保护范围。
请参阅图1，其为本发明提供的第一实施例的一种无极性整流电路100的电路原理图。所述无极性整流电路包括两个输入端VIN1、VIN2和两个输出端Vout+、Vout-，两个P沟道MOS管Q1、Q2，以及两个N沟道MOS管Q3、Q4。可以理解的是，对于本领域技术人员，上述的电子元器件如P沟道MOS管和N沟道MOS管为习知的技术，例如MOS管的三个端子极性，开启电压等，无需做更多的解释。
所述输入端VIN1、VIN2分别与两个P沟道MOS管中的一个的漏极和两个N沟道MOS管中的一个的漏极电性连接，在本实施例中，所述输入端VIN1与P沟道MOS管Q1的漏极和N沟道MOS管Q3的漏极电性连接，所述输入端VIN2与P沟道MOS管Q2的漏极和N沟道MOS管Q4的漏极电性连接。所述输入端VIN1还与P沟道MOS管Q1的源极电性连接，并在输入端VIN1与P沟道MOS管Q1的源极之间设置有一个保护电阻R1，以消耗所述P沟道MOS管Q1的寄生电感。所述输入端VIN2与N沟道MOS管Q3的源极电性连接，并在输入端VIN2与N沟道MOS管Q3的源极之间设置有一个保护电阻R2，以消耗所述N沟道MOS管Q3的寄生电感。为了给所述P沟道MOS管Q1、Q2，N沟道MOS管Q3、Q4一个开启电压，所述一个P沟道MOS管的栅极和一个N沟道MOS管的栅极与一个输入端电性连接，而另一个P沟道MOS管的栅极和另一个N沟道MOS管的栅极与另一个输入端电性连接。在本实施例中，所述P沟道MOS管Q2的栅极与N沟道MOS管Q4的栅极与输入端VIN1电性连接，所述P沟道MOS管Q1的栅极与N沟道MOS管Q3的栅极与输入端VIN2电性连接。
所述输出端Vout+、Vout-中的一个与两个P沟道MOS管的源极电性连接，另一个输出端与两个N沟道MOS管的源极电性连接。在本实施例中，所述输出端Vout+与两个P沟道MOS管Q1、Q2的源极电性连接，所述输出端Vout-与两个N沟道MOS管Q3、Q4的源极电性连接。
在使用时，当输入端VIN1为输入的是正极，输入端VIN2输入的是负极，且所述P沟道MOS管Q1、Q2与N沟道MOS管Q3、Q4的最大VGS电压大于所述输入端VIN1、VIN2的输入电压时，P沟道MOS管Q1和N沟道MOS管Q4将导通，而P沟道MOS管Q2和N沟道MOS管Q3将截止，使输出端Vout+输出高电平，输出端Vout-将输出低电平。而当输入端VIN1输入的是负极，输入端VIN2输入的是正极时，所述P沟道MOS管Q1和N沟道MOS管Q4将截止，P沟道MOS管Q2和N沟道MOS管Q3将导通，使输出端Vout+输出高电平，输出端Vout-将输出低电平，从而达到无论两个输入端输入的是哪一个极性，输出端Vout+都输出高电平，输出端Vout-也将都输出高电平。进而可以使电源插头无需再分正负极，可以减少LED灯具的安装时间，特别对于大量的LED灯具的安装。
请参阅图2，其为本发明提供的第二实施例的一种无极性整流电路的电路原理图。所述无极性整流电路100包括两个输入端VIN1、VIN2和两个输出端Vout+、Vout-，两个P沟道MOS管Q1、Q2，以及两个N沟道MOS管Q3、Q4。
第二实施例与第一实施例的不同点在于第一实施例的电路与第二实施例的电路的用处不同，第一实施例用于当P沟道MOS管Q1、Q2与N沟道MOS管Q3、Q4的最大VGS电压大于所述输入端VIN1、VIN2的输入电压的情况，而第二实施例的电路用于P沟道MOS管Q1、Q2与N沟道MOS管Q3、Q4的最大VGS电压小于所述输入端VIN1、VIN2的输入电压的情况。
第二实施例的两个输出端Vout+、Vout-及两个输入端VIN1、VIN2与四个MOS管的源极和漏极的连接方法相同，不同点在于所述两个输入端VIN1、VIN2与四个MOS管的栅极的电性连接方法。
所述两个输入端VIN1、VIN2中的一个输入端通过两个稳压管分别与一个P沟道MOS管和一个N沟道MOS管的栅极电性连接，其中一个稳压管的阳极与该输入端电性连接，阴极与P沟道MOS管的栅极电性连接，另一个稳压管的阴极与该输入端电性连接，阳极与N沟道MOS管的栅极电性连接。另一个输入端也通过两个稳压管分别对应与另一个P沟道MOS管和另一个N沟道MOS管的栅极电性连接，其中一个稳压管的阳极与该输入端电性连接，阴极与P沟道MOS管的栅极电性连接，另一个稳压管的阴极与该输入端电性连接，阳极与N沟道MOS管的栅极电性连接。在本实施例中，所述输入端VIN1通过两个稳压管D1、D3分别与P沟道MOS管Q2和N沟道MOS管Q4的栅极电性连接，其中稳压管D1的阴极与该输入端VIN1电性连接，阳极与N沟道MOS管Q4的栅极电性连接，另一个稳压管D3的阳极与该输入端VIN1电性连接，阴极与P沟道MOS管Q2的栅极电性连接。所述输入端VIN2通过两个稳压管D2、D4分别与P沟道MOS管Q1和N沟道MOS管Q3的栅极电性连接，其中稳压管D2的阴极与该输入端VIN2电性连接，阳极与N沟道MOS管Q3的栅极电性连接，稳压管D4的阳极与该输入端VIN2电性连接，阴极与P沟道MOS管Q1的栅极电性连接。通过所述的稳压管D1、D2、D3、D4来限制所述四个MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的电压，从而限制该四个MOS管的输入电压，使其不超过最大VGS电压，因此，对于该四个稳压管D1、D2、D3、D4的选择，应使其稳压值大于所述输入端VIN1、VIN2的输入电压值与所述P沟道或N沟通MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的导通电压VGS之间的差值。
另外，所述两个P沟道MOS管中的一个P沟道MOS管的栅极通过一个保护电阻与另一个P沟道MOS管的栅极电性连接，两个N沟道MOS管中的一个N沟道MOS管的栅极通过另一个保护电阻与另一个N沟道MOS管栅极电性连接。在本实施例中，所述P沟道MOS管Q1与P沟道MOS管Q2的栅极之间设置有保护电阻R2，N沟道MOS管Q3与N沟通MOS管Q4的栅极之间设置有保护电阻R1。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用于局限本发明的保护范围，任何在本发明精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本发明的权利要求范围内。

Claims (4)

1.一种无极性整流电路，其特征在于：所述无极性整流电路包括两个输入端和两个输出端，两个P沟道MOS管，以及两个N沟道MOS管，所述两个输入端分别与一个P沟道MOS管的漏极和一个N沟道MOS管的漏极电性连接，所述一个输出端与两个P沟道MOS管的源极电性连接，另一个输出端与两个N沟道MOS管的源极电性连接；
所述一个输入端通过两个稳压管分别对应与一个P沟道MOS管和一个N沟道MOS管的栅极电性连接，其中一个稳压管的阴极与该输入端电性连接，阳极与N沟道MOS管的栅极电性连接，另一个稳压管的阳极与该输入端电性连接，阴极与P沟道MOS管的栅极电性连接。
2.如权利要求1所述的无极性整流电路，其特征在于：另一个输入端通过两个稳压管分别对应与另一个P沟道MOS管和另一个N沟道MOS管的栅极电性连接，其中一个稳压管的阴极与该输入端电性连接，阳极与另一个N沟道MOS管的栅极电性连接，另一个稳压管的阳极与该输入端电性连接，阴极与另一个P沟道MOS管的栅极电性连接。
3.如权利要求2所述的无极性整流电路，其特征在于：所述稳压管的稳压值大于所述输入端的输入值与P沟道或N沟道MOS管的导通电压VGS之间的差值。
4.如权利要求1所述的无极性整流电路，其特征在于：所述两个P沟道MOS管中的一个P沟道MOS管的栅极通过一个保护电阻与另一个P沟道MOS管的栅极电性连接，所述两个N沟道MOS管中的一个N沟道MOS管的栅极通过另一个保护电阻与另一个N沟道MOS管的栅极电性连接。
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