CN204350428U - Dali输入保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种DALI输入保护电路，包括DALI信号输入端、整流电路、第一三极管、第二三极管、第一光电耦合器及第二光电耦合器。整流电路的输入端与DALI信号输入端连接，第一三极管的发射极与第二三极管的基极相连，第二三极管的发射极与整流电路的正极输出端相连，第二三极管的集电极与第一三极管的基极相连；第一光电耦合器的输入端与第一三极管的集电极相连，第一光电耦合器的输出端与镇流器的第一I/O接口相连；第二光电耦合器的输入端与镇流器的第二I/O接口相连，第二光电耦合器的输出端与MOS开关管的栅极相连，MOS开关管的漏极连接至整流电路的正极输出端。本实用新型可以减少DALI电源因输入信号线接错而炸毁电源，减小不良，提高产品的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及DALI通信技术领域，尤其涉及一种DALI输入保护电路。
背景技术
DALI数字可寻址照明接口是一种数据传输的协议，它定义了电子镇流器与设备控制器之间的通信方式。在DALI系统中，通过荧光灯调光控制器可对每个镇流器分别寻址，这样可以实现对连接在同一控制线上的每个荧光灯进行查询、调光等控制。目前市面上的DALI电源都没有AC市电接入保护功能，如果AC市电接入，则所有电源会烧毁，造成严重财产损失，还有可能引成火灾。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足而提供一种DALI输入保护电路。
本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案是：一种DALI输入保护电路，包括：
DALI信号输入端，用于接收控制器输入的DALI信号；
整流电路，所述整流电路的输入端与所述DALI信号输入端连接；
第一三极管，所述第一三极管的发射极与一第一电阻的一端、第二三极管的基极相连，所述第一电阻的另一端与所述整流电路的正极输出端相连；
第二三极管，所述第二三极管的发射极与所述整流电路的正极输出端相连，所述第二三极管的集电极与一第二电阻的一端、所述第一三极管的基极相连，所述第二电阻的另一端依次串联连接第三电阻及第四电阻，所述第四电阻与所述整流电路的负极输出端一同接地；
第一光电耦合器，所述第一光电耦合器的输入端与所述第一三极管的集电极相连，所述第一光电耦合器的输出端与外部镇流器的第一I/O接口相连， 用于将DALI信号耦合至所述镇流器；
第二光电耦合器，所述第二光电耦合器的输入端与所述镇流器的第二I/O接口相连，所述第二光电耦合器的输出端与一MOS开关管的栅极相连，所述MOS开关管的源极接地，所述MOS开关管的漏极连接至所述整流电路的正极输出端。
下面对上述技术方案作进一步阐述：
进一步地，所述第一光电耦合器包括第一发光二极管及第一光敏三极管，所述第一发光二极管的阳极连接所述第一三极管的集电极，所述第一发光二极管的阴极连接至一稳压二极管的阴极，所述稳压二极管的阳极接地，所述稳压二极管上并联有第二电容；
所述第一光敏三极管的的集电极通过第五电阻接+5V电源，且第一光敏三极管的的集电极还与所述第一I/O接口相连；所述第一光敏三极管的的发射极接地。
进一步地，所述第二光电耦合器包括第二发光二极管及第二光敏三极管，所述第二发光二极管的阳极通过第七电阻接+5V电源，所述第二发光二极管的阴极通过第八电阻接第二I/O接口；
所述第二光敏三极管的集电极与所述第一发光二极管的阴极连接，所述第二光敏三极管的集电极与所述MOS开关管的栅极相连。
进一步地，所述MOS开关管的栅极连接至一第一电容及第九电阻的一端，所述第一电容及第九电阻的另一端接地。
进一步地，所述第一三极管及第二三极管为PNP型三极管。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的DALI输入保护电路，当DALI信号电压超过50V时，流过第一电阻上的电压会增加，如此，会关闭高压信号接收的第一三极管，从而保护了第一三极管后的低压元器件，大大减少了DALI电源因输入信号线接错而炸毁电源，减小不良，大大提高了产品的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型实施例DALI输入保护电路的原理图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
参照图1所示，本实用新型提供了一种DALI输入保护电路，包括DALI信号输入端10、整流电路BD1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一光电耦合器U1及第二光电耦合器U2。
具体的，DALI信号输入端10用于接收控制器输入的DALI信号，整流电路BD1的输入端与DALI信号输入端10连接。第一三极Q1的发射极与一第一电阻R1的一端、第二三极管Q2的基极相连，所述第一电阻R1的另一端与所述整流电路BD1的正极输出端相连。第二三极管Q2的发射极与整流电路BD1的正极输出端相连，第二三极管Q2的集电极与一第二电阻R2的一端、所述第一三极管Q1的基极相连，所述第二电阻R2的另一端依次串联连接第三电阻R3及第四电阻R4，所述第四电阻R4与所述整流电路BD1的负极输出端一同接地。第一光电耦合器U1的输入端与所述第一三极管Q1的集电极相连，所述第一光电耦合器U1的输出端与外部镇流器的第一I/O接口20相连，用于将DALI信号耦合至所述镇流器。第二光电耦合器U2的输入端与所述镇流器的第二I/O接口30相连，所述第二光电耦合器U2的输出端与一MOS开关管Q3的栅极相连，所述MOS开关管Q3的源极接地，所述MOS开关管Q3的漏极连接至所述整流电路BD1的正极输出端。需要说明的是，第一三极管Q1及第二三极管Q2为PNP型三极管。
还是参照图1所示，更为具体的，第一光电耦合器U1包括第一发光二极管及第一光敏三极管，所述第一发光二极管的阳极连接所述第一三极管的集电极，所述第一发光二极管的阴极连接至一稳压二极管ZD1的阴极，所述稳压二极管ZD1的阳极接地，所述稳压二极管ZD1上并联有第二电容C2。所 述第一光敏三极管的的集电极通过第五电阻R5接+5V电源，且第一光敏三极管的的集电极还与所述第一I/O接口20相连；所述第一光敏三极管的的发射极接地。
第二光电耦合器U2包括第二发光二极管及第二光敏三极管，所述第二发光二极管的阳极通过第七电阻R7接+5V电源，所述第二发光二极管的阴极通过第八电阻R8接第二I/O接口30。第二光敏三极管的集电极与所述第一发光二极管的阴极连接，所述第二光敏三极管的集电极与所述MOS开关管Q3的栅极相连。
MOS开关管Q3的栅极连接至一第一电容C1及第九电阻R9的一端，所述第一电容C1及第九电阻R9的另一端接地。
在DALI信号接收时，当DALI信号输入端10为高电平时，电流经过整流桥，第一三极管Q1导通，第一光电耦合器U1工作，镇流器的第一I/O接口20保持高电平。当DALI信号输入端10为低电平时，第一三极管Q1截止，第一光电耦合器U1不工作，镇流器的第一I/O接口20保持低电平。
在DALI信号发送时，当镇流器的第二I/O接口30为高电平，第二光电耦合器U2不工作，从而MOS开关管Q3断开，DALI信号输入端10维持为高电平。当镇流器的第二I/O接口30为低电平时，第二光电耦合器U2工作，从而MOS开关管Q3导通，DALI信号输入端10电压被拉至信号0。
DALI信号输入端10是连接的DALI信号走线(24VDC MAX)，因为DALI信号走线通常与AC市电走线一起布线，如果220VAC市电接入DALI总线上，流过第一电阻R1(200OHM)电阻上的压降会增加，从而使第二三极管Q2(PMBT2907)导通，如此，使第一三极管Q1(BPHV9640Z)截止，220VAC市电因第一三极管Q1的截止而不能流入电路后级，从而保护了后面电子元器件。另DALI信号发送是使用高压的MOS开关管Q3(1N601A/600V)，即使220VAC加到两端也不会损坏元件。
综上所述，本实用新型的DALI输入保护电路，当DALI信号电压超过50V时，流过第一电阻R1上的电压会增加，如此，会关闭高压信号接收的第一三极管Q1，从而保护了第一三极管Q1后的低压元器件，大大减少了DALI电源因输入信号线接错而炸毁电源，减小不良，大大提高了产品的可靠性。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专 利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种DALI输入保护电路，其特征在于，包括：
DALI信号输入端，用于接收控制器输入的DALI信号；
整流电路，所述整流电路的输入端与所述DALI信号输入端连接；
第一三极管，所述第一三极管的发射极与一第一电阻的一端、第二三极管的基极相连，所述第一电阻的另一端与所述整流电路的正极输出端相连；
第二三极管，所述第二三极管的发射极与所述整流电路的正极输出端相连，所述第二三极管的集电极与一第二电阻的一端、所述第一三极管的基极相连，所述第二电阻的另一端依次串联连接第三电阻及第四电阻，所述第四电阻与所述整流电路的负极输出端一同接地；
第一光电耦合器，所述第一光电耦合器的输入端与所述第一三极管的集电极相连，所述第一光电耦合器的输出端与外部镇流器的第一I/O接口相连，用于将DALI信号耦合至所述镇流器；
第二光电耦合器，所述第二光电耦合器的输入端与所述镇流器的第二I/O接口相连，所述第二光电耦合器的输出端与一MOS开关管的栅极相连，所述MOS开关管的源极接地，所述MOS开关管的漏极连接至所述整流电路的正极输出端。
2.根据权利要求1所述的DALI输入保护电路，其特征在于，所述第一光电耦合器包括第一发光二极管及第一光敏三极管，所述第一发光二极管的阳极连接所述第一三极管的集电极，所述第一发光二极管的阴极连接至一稳压二极管的阴极，所述稳压二极管的阳极接地，所述稳压二极管上并联有第二电容；
所述第一光敏三极管的的集电极通过第五电阻接+5V电源，且第一光敏三极管的的集电极还与所述第一I/O接口相连；所述第一光敏三极管的的发射极接地。
3.根据权利要求2所述的DALI输入保护电路，其特征在于，所述第二光电耦合器包括第二发光二极管及第二光敏三极管，所述第二发光二极管的阳极通过第七电阻接+5V电源，所述第二发光二极管的阴极通过第八电阻接第二I/O接口；
所述第二光敏三极管的集电极与所述第一发光二极管的阴极连接，所述第二光敏三极管的集电极与所述MOS开关管的栅极相连。
4.根据权利要求3所述的DALI输入保护电路，其特征在于，所述MOS开关管的栅极连接至一第一电容及第九电阻的一端，所述第一电容及第九电阻的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的DALI输入保护电路，其特征在于，所述第一三极管及第二三极管为PNP型三极管。
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|---|---|---|---|---|
| CN107820676A (zh) * | 2015-06-25 | 2018-03-20 | 高准公司 | 用于模拟光耦合器的输入保护电路 |
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2014
- 2014-12-11 CN CN201420785149.0U patent/CN204350428U/zh not_active Expired - Fee Related
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