CN208545485U - 一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件；所述永磁体固定在磁轭上，支撑部件固定在磁控溅射腔室内，支撑部件上开设有孔，微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。本实用新型所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀，不方便调节的问题；且结构简单，易于安装。
Description
技术领域
本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。
背景技术
从上世纪八十年代以来，采用磁控溅射物理气象沉积技术制备功能薄膜已经发展为工业镀膜生产中最主要的技术之一。为了提高靶材利用率，膜层沉积速率和放电过程稳定性，必须对溅射系统进行整体的优化设计，其中磁控溅射阴极靶的设计最为关键。增加磁场均匀性能够增加靶面剥蚀的均匀性，提高靶材利用率，从而延长靶的寿命；同时，合理的磁场分布还能够有效提高溅射过程的稳定性。对平面阴极靶来说，磁场由条形永磁体阵列产生，每条永磁体需要保证磁场强度、尺寸参数完全一致。由于目前加工技术的限制，实际应用中常会表现出磁场分布不均匀的问题，影响沉积薄膜的质量。为了改善磁场均匀性，现有的方法是在永磁体下方增加或减少垫片，改变永磁体位置，达到调节磁场均匀的目的。但是这种方法需要将阴极靶整体或局部拆开，操作复杂，效率低，而且通过增加或较少垫片的方式无法实现连续调节，难以调节到最佳位置。因此，设计一种能够简单、连续调节磁场强度的装置具有重要的意义。
发明内容
为克服现有矩形平面磁控溅射阴极靶磁场不均匀的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下。
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件；所述永磁体固定在磁轭上，支撑部件与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件上开设有孔，微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。
进一步的，所述微调装置为旋转式微调装置。
进一步的，所述微调装置包括上固定件、上固定螺丝、下固定螺丝、下固定件和旋转微调部件；上固定件通过上固定螺丝与磁轭固定，下固定件通过下固定螺丝与支撑部件固定，旋转微调部件穿过支撑部件与磁轭接触。
进一步的，所述微调装置为多点式连接，均匀分布在磁轭的中心和边沿处。
进一步的，所述微调装置平行于磁轭矩形平面方向呈多排分布。
当支撑部件固定，调节微调装置时，微调装置带动磁轭以及固定在磁轭上的磁铁移动，实现局部磁场强度的调节；最终实现提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性的目的。
有益效果
本实用新型所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀，不方便调节的问题；本实用新型所述装置结构简单，易于安装。
附图说明
图1是本实用新型所述装置结构主视图；
图2是本实用新型所述装置结构左视图；
图3为本实施实例中微调装置结构示意图。
1-永磁体，2-磁轭，3-微调装置，4-支撑部件，31-上板固定件，32-上板固定螺丝，33-下板固定螺丝，34-下板固定件，35-旋转微调部件。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，如图1、2所示，包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)固定在磁控溅射腔室壁上(整个磁靶根据需要可放于腔室内也可放于腔室外)，磁轭(2)通过微调装置(3)与支撑部件(4)连接。
所述微调装置如图3所示，包括上固定件(31)、上固定螺丝(32)、下固定螺丝(33)、下固定件(34)和旋转微调部件(35)；上固定件(31)通过上固定螺丝(32)与磁轭(2)固定，下固定件(34)通过下固定螺丝(33)与支撑部件(4)固定，旋转微调部件(35)穿过支撑部件(4)与磁轭接触。
所述微调装置(3)连接磁轭(2)和支撑部件(4)的方式为多点连接。
所述多点连接的微调装置(3)平行于磁轭(2)长度方向呈三排分布，三排微调装置(3)分别位于磁轭(2)中心和边沿，每排中多个微调装置(3)的等距排列。
当支撑部件(4)固定，调节微调装置(3)时，微调装置(3)带动磁轭(2)以及固定在磁轭上的永磁体(2)连续移动，实现局部磁场强度的调节；最终实现矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀一致的目的。
以上仅以本实用新型的具体应用范围，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。除上述实施实例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用同等替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围。
Claims (5)
1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述装置包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件(4)上开设有孔，微调装置(3)穿过支撑部件(4)上的孔与磁轭(2)接触。
2.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置(3)为旋转式微调装置。
3.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置包括上固定件(31)、上固定螺丝(32)、下固定螺丝(33)、下固定件(34)和旋转微调部件(35)；上固定件(31)通过上固定螺丝(32)与磁轭(2)固定，下固定件(34)通过下固定螺丝(33)与支撑部件(4)固定，旋转微调部件(35)穿过支撑部件(4)与磁轭接触。
4.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置(3)为多点式连接，均匀分布在磁轭(2)的中心和边沿处。
5.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置(3)平行于磁轭(2)矩形平面方向呈多排分布。
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| CN201820897772.3U CN208545485U (zh) | 2018-06-11 | 2018-06-11 | 一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置 |
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| CN201820897772.3U CN208545485U (zh) | 2018-06-11 | 2018-06-11 | 一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置 |
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| CN208545485U true CN208545485U (zh) | 2019-02-26 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN208545485U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109932666A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁力测量治具及采用该治具进行磁力测量的方法 |
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2018
- 2018-06-11 CN CN201820897772.3U patent/CN208545485U/zh active Active
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