CN208507682U - 一种屏蔽槽栅功率mosfet器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳，还包括散热机构，所述散热机构为散热片，所述散热片固定于所述外壳的底部，所述散热片的表面开设有连接孔，且连接孔贯通所述散热片，所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔；本实用新型的有益效果是：本实用新型结构科学合理，使用安全方便，通过在外壳的底部固定散热片，并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固，当MOSFET器件焊接在电路板上时，散热片和电路板接触，使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型属于MOSFET器件技术领域，具体涉及一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件。
背景技术
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。
然而现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件在使用时仍然存在着一些不合理的因素，现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于外壳直接和电路板焊接，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，散热效率低下，容易造成电路板的损坏。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，以解决上述背景技术中提出的现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件在使用时仍然存在着一些不合理的因素，现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于外壳直接和电路板焊接，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，散热效率低下，容易造成电路板的损坏问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳，还包括散热机构，所述散热机构为散热片，所述散热片固定于所述外壳的底部，所述散热片的表面开设有连接孔，且连接孔贯通所述散热片，所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔。
优选的，所述外壳的侧表面对立设置有若干个引脚，且上述引脚贯通所述外壳的侧表面，并与所述外壳的内部焊接。
优选的，所述散热片的长度大于所述外壳的长度3-5mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构科学合理，使用安全方便，通过在外壳的底部固定散热片，并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固，当MOSFET器件焊接在电路板上时，散热片和电路板接触，使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的散热片侧视结构示意图；
图3为本实用新型的散热片剖视结构示意图；
图4为本实用新型的外壳仰视结构示意图；
图5位平面N沟道增强型MOSFET的剖面图；
图6为屏蔽槽栅功率MOSFET器件提供负压的互补电路图；
图中：1、外壳；2、引脚；3、散热片；4、连接孔；5、外壳接孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1、图2、图3、图4、图5和图6，本实用新型提供一种技术方案：一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳1，还包括散热机构，散热机构为散热片3，散热片3固定于外壳1的底部，散热片3的表面开设有连接孔4，且连接孔4贯通散热片3，外壳1的底部开设有和连接孔4对应的外壳接孔5。
为了使得引脚2和外壳1固定更牢固，本实施例中，优选的，外壳1的侧表面对立设置有若干个引脚2，且上述引脚2贯通外壳1的侧表面，并与外壳1的内部焊接。
为了使得屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板连接时，通过散热片3更好的散热，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命，通过本实施例中，优选的，散热片3的长度大于外壳1的长度3mm。
实施例2
请参阅图1、图2、图3、图4、图5和图6，本实用新型提供一种技术方案：一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳1，还包括散热机构，散热机构为散热片3，散热片3固定于外壳1的底部，散热片3的表面开设有连接孔4，且连接孔4贯通散热片3，外壳1的底部开设有和连接孔4对应的外壳接孔5。
为了使得引脚2和外壳1固定更牢固，本实施例中，优选的，外壳1的侧表面对立设置有若干个引脚2，且上述引脚2贯通外壳1的侧表面，并与外壳1的内部焊接。
为了使得屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板连接时，通过散热片3更好的散热，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命，通过本实施例中，优选的，散热片3的长度大于外壳1的长度4mm。
实施例3
请参阅图1、图2、图3、图4、图5和图6，本实用新型提供一种技术方案：一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳1，还包括散热机构，散热机构为散热片3，散热片3固定于外壳1的底部，散热片3的表面开设有连接孔4，且连接孔4贯通散热片3，外壳1的底部开设有和连接孔4对应的外壳接孔5。
为了使得引脚2和外壳1固定更牢固，本实施例中，优选的，外壳1的侧表面对立设置有若干个引脚2，且上述引脚2贯通外壳1的侧表面，并与外壳1的内部焊接。
为了使得屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板连接时，通过散热片3更好的散热，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命，通过本实施例中，优选的，散热片3的长度大于外壳1的长度5mm
本实用新型的工作原理及使用流程：本实用新型安装好过后，使用时，在散热片3的表面开设连接孔4，在外壳1的底部和连接孔4对应的位置开设外壳接孔5，通过连接柱穿过连接孔4和外壳接孔5，并将连接柱的端部融化，使散热片3和外壳1固定牢固，通过焊接将MOSFET器件焊接在电路板上，即通过焊接将散热片3和电路板固定，使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片3上，再经散热片3散发到周围空气中去，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命；
图5是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图，它用一块P型硅半导体材料作衬底,，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO)绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结，衬底与源极在内部连接在一起；
屏蔽槽栅功率MOSFET器件提供负压的互补电路图中，当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断；反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳(1)，其特征在于：还包括散热机构，所述散热机构为散热片(3)，所述散热片(3)固定于所述外壳(1)的底部，所述散热片(3)的表面开设有连接孔(4)，且连接孔(4)贯通所述散热片(3)，所述外壳(1)的底部开设有和所述连接孔(4)对应的外壳接孔(5)。
2.根据权利要求1所述的一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，其特征在于：所述外壳(1)的侧表面对立设置有若干个引脚(2)，且上述引脚(2)贯通所述外壳(1)的侧表面，并与所述外壳(1)的内部焊接。
3.根据权利要求1所述的一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，其特征在于：所述散热片(3)的长度大于所述外壳(1)的长度3-5mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821141262.XU CN208507682U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种屏蔽槽栅功率mosfet器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821141262.XU CN208507682U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种屏蔽槽栅功率mosfet器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208507682U true CN208507682U (zh) | 2019-02-15 |
Family
ID=65289596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821141262.XU Active CN208507682U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种屏蔽槽栅功率mosfet器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208507682U (zh) |
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2018
- 2018-07-18 CN CN201821141262.XU patent/CN208507682U/zh active Active
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