CN208507343U - 一种抗浪涌型厚膜晶片电阻 - Google Patents
一种抗浪涌型厚膜晶片电阻 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的三层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，镭射线延伸至电阻阻体，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，基板两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极组和背面电极。本实用新型将传统的单层正面电极改进为多层正面电极，同时电阻阻体两端夹与第二正面电极和第三正面电极之间，此种结构可满足电阻的抗浪涌要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，属于电子元器件技术领域。
背景技术
随着科技的进步，时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升，性能可靠及工艺稳定的厚膜晶片电阻也应电子产品的特殊需求呈现多样化的发展趋势，也给厚膜晶片电阻带来了新的发展机遇，客户应用端对厚膜晶片电阻的抗浪涌性能指标也有更高的要求。目前，现行业中普通的厚膜晶片电阻的抗浪涌能力较差，无法满足人们抗浪涌厚膜晶片电阻的需求。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种抗浪涌型厚膜晶片电阻。
为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：
一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的三层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，镭射线延伸至电阻阻体，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，基板两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极组和背面电极。
定义最外层正面电极为第三个正面电极，第三个正面电极的一端连接侧面电极，第三个正面电极的另一端位于第二个正面电极与电阻阻体搭接处的上方，并且该端与电阻阻体连接。
所有正面电极均采用银钯材料。
第二保护层顶面上设置有字码层。
电阻阻体为采用厚膜印刷工艺制作而成的电阻阻体。
正面电极组、侧面电极和背面电极上覆盖有镍层，镍层上覆盖有锡层。
本实用新型所达到的有益效果：1、本实用新型将传统的单层正面电极改进为三层正面电极，此种结构可满足电阻的抗浪涌要求；2、电阻阻体两端夹与第二正面电极和第三正面电极之间的设计有利于进一步提高电阻的抗浪涌能力。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型所述步骤(1)后的半成品示意图；
图3是本实用新型所述步骤(2)后的半成品示意图；
图4是本实用新型所述步骤(3)后的半成品示意图；
图5是本实用新型所述步骤(4)后的半成品示意图；
图6是本实用新型所述步骤(5)后的半成品示意图；
图7是本实用新型所述步骤(6)后的半成品示意图；
图8是本实用新型所述步骤(7)后的半成品示意图；
图9是本实用新型所述步骤(8)后的半成品示意图；
图10是本实用新型所述步骤(9)后的半成品示意图；
图11是本实用新型所述步骤(10)后的半成品示意图；
图12是本实用新型所述步骤(11)后的半成品示意图；
图13是本实用新型所述步骤(12)后的半成品示意图；
图14是本实用新型所述步骤(13)后的半成品示意图；
图15是本实用新型所述步骤(14)后的半成品示意图；
图16是本实用新型所述步骤(15)后的成品示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示，一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，包括基板01，基板01的下表面两侧均设置有背面电极05，基板01的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的三层正面电极，从上往下依次为第三正面电极10、第二正面电极08和第一正面电极07，在正面电极组之间的基板01上表面设置有电阻阻体09，电阻阻体09采用厚膜印刷工艺制作而成，在一定程度上也能提高抗浪涌性能，电阻阻体09上覆盖有第一保护层11，第一保护层11的上表面设置有镭射线12，镭射线12延伸至电阻阻体09，通过镭射线12调整阻值，第一保护层11和镭射线12上覆盖有第二保护层13，第二保护层13顶面上设置有字码层14，用作电阻的标识，基板01两端侧面上均设置有侧面电极15，两侧面电极15分别导通两侧的正面电极组和背面电极05，正面电极组、侧面电极15和背面电极05上覆盖有镍层16，镍层16厚度为4～15μm，镍层16上覆盖有锡层17，锡层17厚度为5～15μm。
第三个正面电极的一端连接侧面电极15，第三个正面电极的另一端位于第二个正面电极与电阻阻体09搭接处的上方，并且该端与电阻阻体09连接，第三个正面电极的连接结构有利于进一步提高电阻的抗浪涌能力。
上述电阻将传统的单层正面电极改进为三层正面电极，不仅可满足客户对电阻的抗浪涌要求，同时最外层正面电极的连接结构设计进一步提高电阻的抗浪涌能力，使上述电阻抗浪涌指标可达：0603规格70W，0805规格100W，1206规格300W。
上述电阻的制备过程如下：
步骤1：如图2所示，以氧化铝为材质制作陶瓷基板01，在基板01的上表面04刻有多条相垂直设置的折条线02和折粒线03，折条线02和折粒线03将基板01的上表面04划分为多个单元格，这样一块基板01，可以制造出多个抗浪涌型厚膜晶片电阻，提高生产效率；
步骤2：如图3所示，基板01的下表面06通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，从而在基板01的下表面06形成背面电极05；
步骤3：如图4所示，各单元格的两侧通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，从而在基板01的上表面04形成第一正面电极07；
步骤4：如图5所示，上述第一正面电极07的上面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，从而在第一正面电极07上面形成第二正面电极08，银钯浆料制成的第一正面电极07和第二正面电极08的叠加，使其散热性能更好，可提升产品的可靠性及更好的抗浪涌性能；
步骤5：如图6所示，通过丝网厚膜印刷方式在各单元格两侧的第一正面电极07和第二正面电极08之间印刷涂覆一层阻体浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，从而形成电阻阻体09；
步骤6：如图7所示，第二正面电极08的上面、第二正面电极08与电阻阻体09的搭接处上面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，形成第三正面电极10，从而更有利于抗浪涌性能的提升；
步骤7：如图8所示，电阻阻体09的上表面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层玻璃浆料，并进行烧结，烧结温度为：600±5℃，从而形成第一保护层11；
步骤8：如图9所示，使用激光镭射切割的方式对电阻阻体09进行修正，形成客户所需的阻值及精度，激光镭射调整方式，不仅达到规定的阻值及精度，还能更好的降低激光镭射切割对电阻阻体09的损伤；
步骤9：如图10所示，第一保护层11上表面，通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料，并进行烧结，烧结温度为：200±10℃，从而形成第二保护层13；
步骤10：如图11所示，各单元格的第二保护层13上表面居中位置，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层字码浆料，并进行烧结，烧结温度为：200±10℃，从而形成作为标识阻值大小的字码层14，用于标示电阻阻值；
步骤11：如图12所示，沿所述陶瓷基板01的每条折条线02将经过步骤（1）- 步骤（10）处理后的基板01，依序折成条状的抗浪涌型厚膜晶片电阻条状半成品；
步骤12：如图13所示，将抗浪涌型厚膜晶片电阻条状半成品，通过治具堆叠的方式堆叠在一起，对抗浪涌型厚膜晶片电阻条状半成品的两侧面采用镀镍铬合金材料方式，形成侧面电极15；
步骤13：如图14所示，沿每条折粒线03将经过步骤（11）- 步骤（12）处理后的抗浪涌型厚膜晶片电阻条状半成品，依序折成粒状的抗浪涌型厚膜晶片电阻粒状半成品；
步骤14：如图15所示，将抗浪涌型厚膜晶片电阻粒状半成品的背面电极05、正面电极组和侧面电极15的表面通过滚镀方式电镀一层金属镍，从而形成镍层16；
步骤15：如图16所示，通过滚镀方式电镀一层金属锡，从而形成锡层17。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的三层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，镭射线延伸至电阻阻体，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，基板两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极组和背面电极。
2.根据权利要求1所述的一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：定义最外层正面电极为第三个正面电极，第三个正面电极的一端连接侧面电极，第三个正面电极的另一端位于第二个正面电极与电阻阻体搭接处的上方，并且该端与电阻阻体连接。
3.根据权利要求1所述的一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：所有正面电极均采用银钯材料。
4.根据权利要求1所述的一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：第二保护层顶面上设置有字码层。
5.根据权利要求1所述的一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：电阻阻体为采用厚膜印刷工艺制作而成的电阻阻体。
6.根据权利要求1所述的一种抗浪涌型厚膜晶片电阻，其特征在于：正面电极组、侧面电极和背面电极上覆盖有镍层，镍层上覆盖有锡层。
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| CN201820735063.5U CN208507343U (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 一种抗浪涌型厚膜晶片电阻 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201820735063.5U CN208507343U (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 一种抗浪涌型厚膜晶片电阻 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN208507343U true CN208507343U (zh) | 2019-02-15 |
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| CN201820735063.5U Active CN208507343U (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 一种抗浪涌型厚膜晶片电阻 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN208507343U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114171267A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-03-11 | 宁波鼎声微电子科技有限公司 | 一种抗浪涌电阻器及其加工设备 |
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2018
- 2018-05-17 CN CN201820735063.5U patent/CN208507343U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN114171267A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-03-11 | 宁波鼎声微电子科技有限公司 | 一种抗浪涌电阻器及其加工设备 |
| CN114171267B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-05-26 | 宁波鼎声微电子科技有限公司 | 一种抗浪涌电阻器及其加工设备 |
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