CN208390203U - 一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置传送至出料口，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置，因此也具有上述的有益效果。

Description

一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置。

背景技术

随着世界能源危机的日益严重，绿色能源、能源多元化、可再生能源的利用成了我国可持续发展的战略选择，其中太阳能光伏发电成了当前电力科技者研发的热门课题之一。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，多晶硅纯度越高，电子性能越好，相应光电转换率提高。

传统的多晶硅破碎工艺采用多晶硅棒出炉后直接在多晶硅棒上用钨钴合金锤进行敲击破碎，此敲击过程需要耗费大量人力进行破碎；同时受硅棒硬度影响，破碎的硅块直径较大，需进一步继续敲击，多次敲击的小块料直接影响产品品质，多次敲击破碎产生的粉尘影响产品外观及单晶成晶率并且破碎效率极低。

破碎小块料设备目前行业使用的为颚式破碎机和辊式破碎机，但使用此类设备对多晶硅产品污染较大，颚式及辊式挤压过程中，多晶硅和金属颚板或辊轮金属直接挤压造成颚板断裂、开裂、翘皮等掉渣现象，直接造成金属污染，此类设备制成的小块料需要全部清洗，清洗需要消耗大量高纯HNO3、HF，超纯水等原料，清洗完毕后需要烘干消耗电等浪费大量资源浪费。

实用新型内容

为解决现有技术中的上述问题，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅硅棒预处理装置。

本实用新型的另一目的在于提供一种具有上述多晶硅硅棒预处理装置的破碎装置。

本实用新型的实施例是这样实现的：

一种多晶硅硅棒预处理装置，其包括加热装置以及冷却装置；加热装置包括加热件以及第一传送装置，加热件具备有加热通道，第一传送装置滑动连接于加热通道内；加热通道具备有进口端以及与之相对设置为出口端，第一传送装置用于将多晶硅硅棒从进口端运送至出口端；冷却装置包括冷却水槽以及倾斜设置于冷却水槽内的第二传送装置，第二传送装置具备有进料口以及与之相对设置的出料口，第二传送装置用于将多晶硅硅棒从进料口运送至出料口；进料口设置于冷却水槽内，出料口置于冷却水槽外；其中，出口端靠近进料口设置，用于多晶硅硅棒从出口端置入进料口。

本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，在使用过程中，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒置入第一传送装置上，在第一传送带的带动下，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口，同时置于冷却槽中，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置传送至出料口，多晶硅硅棒经过自身的余温将表面的残留水分挥发掉后，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。

在本实用新型的一个实施例中：

上述加热装置还包括用于控制加热件开启、关闭及调节大小的控制装置。

在本实用新型的一个实施例中：

上述加热件还包括用于检测多晶硅硅棒的光敏传感器，光敏传感器连接于加热件靠近进口端，并对应第一传送装置设置；光敏传感器与控制装置电连接。

在本实用新型的一个实施例中：

上述加热件包括防护罩以及设置于防护罩内的加热元件，控制装置与加热元件电连接。

在本实用新型的一个实施例中：

上述防护罩采用耐高温透明石英材料制成。

在本实用新型的一个实施例中：

上述加热件还包括保温外层，保温外层外套设于防护罩。

在本实用新型的一个实施例中：

上述第一传送装置采用传动带制成，传动带采用耐高温材料制成。

在本实用新型的一个实施例中：

上述冷却水槽设置由进水口以及出水口，出水口设置于冷却水槽的底部，进水口设置于冷却水槽靠近开口处。

在本实用新型的一个实施例中：

上述第二传送装置包括流动带以及驱动流动带转动的驱动装置；流动带上间隔设置有多个挡板。

一种破碎装置，其包括破碎机以及任意一项上述的多晶硅硅棒预处理装置。

本实用新型实施例的有益效果是：

本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，在使用过程中，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒置入第一传送装置上，在第一传送带的带动下，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口，同时置于冷却槽中，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置传送至出料口，多晶硅硅棒经过自身的余温将表面的残留水分挥发掉后，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。

本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置，因此也具有上述的有益效果。

附图说明

为了更清楚的说明本实用新型实施例的技术方案，下面对实施例中需要使用的附图作简单介绍。应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施方式，不应被看作是对本实用新型范围的限制。对于本领域技术人员而言，在不付出创造性劳动的情况下，能够根据这些附图获得其他附图。

图1为本实用新型实施例1提供的多晶硅硅棒预处理装置的整体结构示意图。

图标：10-多晶硅硅棒预处理装置；100-加热装置；110-加热件；112-防护罩；120-第一传送装置；130-加热通道；132-进口端；134-出口端；140-控制装置；150-光敏传感器；200-冷却装置；210-冷却水槽；212-进水口；214-出水口；220-第二传送装置；222-进料口；224-出料口；226-流动带；228-挡板。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，本实用新型的描述中若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，本实用新型的描述中若出现术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本实用新型实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例1：

请参照图1，本实施例提供一种多晶硅硅棒预处理装置10，其包括加热装置100以及冷却装置200；加热装置100包括加热件110以及第一传送装置120，加热件110具备有加热通道130，第一传送装置120滑动连接于加热通道130内；加热通道130具备有进口端132以及与之相对设置为出口端134，第一传送装置120用于将多晶硅硅棒从进口端132运送至出口端134；冷却装置200包括冷却水槽210以及倾斜设置于冷却水槽210内的第二传送装置220，第二传送装置220具备有进料口222以及与之相对设置的出料口224，第二传送装置220用于将多晶硅硅棒从进料口222运送至出料口224；进料口222设置于冷却水槽210内，出料口224置于冷却水槽210外；其中，出口端134靠近进料口222设置，用于多晶硅硅棒从出口端134置入进料口222。

具体地，在本实施例中，加热装置100还包括用于控制加热件110开启、关闭及调节大小的控制装置140。

在本实施例中，加热件110还包括用于检测多晶硅硅棒的光敏传感器150，光敏传感器150连接于加热件110靠近进口端132，并对应第一传送装置120设置；光敏传感器150与控制装置140电连接。设置光敏传感器150便于其在检测到有多晶硅硅棒的时候启动加热件110进行加热，实现自动化加热，同时可避免在没有多晶硅硅棒的情况下，加热件110出现加热的状况，可有效地节约资源。

在本实施例中，加热件110包括防护罩112以及设置于防护罩112内的加热元件(图中未示出)，控制装置140与加热元件电连接。

在本实施例中，防护罩112采用耐高温透明石英材料制成。将防护罩112采用耐高温透明石英材料制成，便于用户清楚地观测多晶硅在加热通道130中加热的情况。

在本实施例中，加热件110还包括保温外层(图中未示出)，保温外层外套设于防护罩112。设置保温外层，便于用户保证内部热量不易散失，节约热量，同时可避免加热装置100外侧温度较高，烧伤工作人员。

在本实施例中，第一传送装置120采用传动带制成，传动带采用耐高温材料制成。

在本实施例中，冷却水槽210设置由进水口212以及出水口214，出水口214设置于冷却水槽210的底部，进水口212设置于冷却水槽210靠近开口处。将出水口214设置于冷却水槽210的超纯水流出，同时，将进水口212设置于冷却水槽210靠近开口处，其与出水口214形成高度差，便于冷却槽的超纯水循环流动。

在本实施例中，第二传送装置220包括流动带226以及驱动流动带226转动的驱动装置；流动带226上间隔设置有多个挡板228。由于第二传送装置220倾斜设置于冷却水槽210内，设置档板可有效地避免多晶硅硅棒滑落。

本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置10包括加热装置100以及冷却装置200，在使用过程中，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒置入第一传送装置120上，在第一传送带的带动下，将多晶硅硅棒输送至加热通道130中，经过加热通道130将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道130的出口端134输出，置于第二传送装置220的进料口222，同时置于冷却槽中，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置220传送至出料口224，多晶硅硅棒经过自身的余温将表面的残留水分挥发掉后，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型的实施例中提供的多晶硅硅棒预处理装置10具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。

实施例2：

本实施例提供一种破碎装置，破碎装置包括破碎机以及任意一项上述的多晶硅硅棒预处理装置10。

本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置10，因此也具有上述的有益效果。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为了清楚说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置；所述加热装置包括加热件以及第一传送装置，所述加热件具备有加热通道，所述第一传送装置滑动连接于所述加热通道内；所述加热通道具备有进口端以及与之相对设置为出口端，所述第一传送装置用于将多晶硅硅棒从所述进口端运送至所述出口端；所述冷却装置包括冷却水槽以及倾斜设置于所述冷却水槽内的第二传送装置，所述第二传送装置具备有进料口以及与之相对设置的出料口，所述第二传送装置用于将多晶硅硅棒从所述进料口运送至所述出料口；所述进料口设置于所述冷却水槽内，所述出料口置于所述冷却水槽外；其中，所述出口端靠近所述进料口设置，用于多晶硅硅棒从所述出口端置入所述进料口。

2.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述加热装置还包括用于控制所述加热件开启、关闭及调节大小的控制装置。

3.根据权利要求2所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述加热件还包括用于检测多晶硅硅棒的光敏传感器，所述光敏传感器连接于所述加热件靠近所述进口端，并对应所述第一传送装置设置；所述光敏传感器与所述控制装置电连接。

4.根据权利要求3所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述加热件包括防护罩以及设置于所述防护罩内的加热元件，所述控制装置与所述加热元件电连接。

5.根据权利要求4所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述防护罩采用耐高温透明石英材料制成。

6.根据权利要求4所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述加热件还包括保温外层，所述保温外层外套设于所述防护罩。

7.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述第一传送装置采用传动带制成，所述传动带采用耐高温材料制成。

8.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述冷却水槽设置由进水口以及出水口，所述出水口设置于所述冷却水槽的底部，所述进水口设置于所述冷却水槽靠近开口处。

9.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒预处理装置，其特征在于，所述第二传送装置包括流动带以及驱动所述流动带转动的驱动装置；所述流动带上间隔设置有多个挡板。

10.一种破碎装置，其特征在于，所述破碎装置包括破碎机以及权利要求1至9任意一项所述的多晶硅硅棒预处理装置。