CN208315533U - 一种改善eas特性的功率mosfet器件 - Google Patents

一种改善eas特性的功率mosfet器件 Download PDF

Info

Publication number
CN208315533U
CN208315533U CN201821141486.0U CN201821141486U CN208315533U CN 208315533 U CN208315533 U CN 208315533U CN 201821141486 U CN201821141486 U CN 201821141486U CN 208315533 U CN208315533 U CN 208315533U
Authority
CN
China
Prior art keywords
conducting wire
protective shell
clamping seats
pedestals
eas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201821141486.0U
Other languages
English (en)
Inventor
陈利
陈译
陈剑
姜帆
张军亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd filed Critical Xiamen Core 1 Integrated Circuit Co Ltd
Priority to CN201821141486.0U priority Critical patent/CN208315533U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208315533U publication Critical patent/CN208315533U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,包括主体,还包括固定装置和弹出装置,所述主体包括保护壳,所述固定装置包括四个底座,四个所述底座均位于保护壳的顶面,四个所述底座的内侧设置有两个弹簧,两个所述弹簧的内侧设置有凸起,两个所述弹簧的一侧均设置有凸板,四个所述底座的顶部均固定连接有夹紧座,所述夹紧座的内侧连接有两个卡槽,所述夹紧座的底部四周设置有限位板;通过设计安装了夹紧座,在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定,解决了现有的MOSFET器件,由于没有设置夹紧座等装置,在将导线和装置固定连接时,需要将导线围绕螺栓,并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动,导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。

Description

一种改善EAS特性的功率MOSFET器件
技术领域
本实用新型属于MOSFET器件技术领域,具体涉及一种改善EAS特性的功率MOSFET器件。
背景技术
MOSFET器件:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型。
现有的MOSFET器件,由于没有设置夹紧座等装置,在将导线和装置固定连接时,需要将导线围绕螺栓,并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动,在夹紧导线时不能便捷的将导线与装置固定,导致在固定导线的过程较为费时费力的问题,为此我们提出一种改善EAS特性的功率MOSFET器件。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,以解决上述背景技术中提出现有的MOSFET器件,由于没有设置夹紧座等装置,在将导线和装置固定连接时,需要将导线围绕螺栓,并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动,在夹紧导线时不能便捷的将导线与装置固定,导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,包括主体,还包括固定装置和弹出装置,所述主体包括保护壳,所述固定装置包括四个底座,四个所述底座均位于保护壳的顶面,四个所述底座的内侧设置有两个弹簧,两个所述弹簧的内侧设置有凸起,两个所述弹簧的一侧均设置有凸板,四个所述底座的顶部均固定连接有夹紧座,所述夹紧座的内侧连接有两个卡槽,所述夹紧座的底部四周设置有限位板。
优选的,所述弹出装置包括两个卡扣,两个所述卡扣均为位于保护壳的顶部,两个所述卡扣的顶部均连接有把手,两个所述卡扣的底部均固定连接有挡板,两个所述卡扣的两侧均卡合连接有扭簧,所述扭簧的一侧固定连接有固定板。
优选的,所述主体还包括插槽,所述保护壳的表面设置有插槽,且所述保护壳与插槽相互紧密连接。
优选的,所述弹簧通过和凸起卡合与底座固定连接,且所述卡槽与凸板相互卡合对应。
优选的,所述把手的表面设置有防滑纹,且把手与卡扣与挡板均为一体式结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)通过设计安装了位于保护壳顶部的夹紧座,在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定,解决了现有的MOSFET器件,由于没有设置夹紧座等装置,在将导线和装置固定连接时,需要将导线围绕螺栓,并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动,导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。
(2)通过设计安装了位于插槽两侧的卡扣,便于省力的将与插槽连接的插头取下,解决了现有的MOSFET器件,由于没有设置卡扣类装置,插头与插槽卡合连接后,再将插头取下,只能在打开插头上的卡扣的同时将插头向外侧拔出,导致取下插头的过程较为不便的问题。
附图说明
图1为本实用新型MOSFET器件的结构示意图;
图2为本实用新型底座的竖截面剖视图;
图3为本实用新型底座的俯视图;
图4为本实用新型保护壳的竖截面剖视图;
图5为本实用新型卡扣的结构示意图;
图6为本实用新型MOSFET器件的电路图;
图中:1、保护壳;2、夹紧座;3、插槽;4、把手;5、底座;6、限位板;7、卡槽;8、凸板;9、弹簧;10、凸起;11、扭簧;12、挡板;13、固定板;14、卡扣。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1-图6,本实用新型提供一种技术方案:一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,包括主体,还包括固定装置和弹出装置,主体包括保护壳1,固定装置包括四个底座5,四个底座5均位于保护壳1的顶面,四个底座5的内侧设置有两个弹簧9,两个弹簧9的内侧设置有凸起10,两个弹簧9的一侧均设置有凸板8,四个底座5的顶部均固定连接有夹紧座2,夹紧座2的内侧连接有两个卡槽7,夹紧座2的底部四周设置有限位板6。
为了便于保证弹出装置的正常使用,本实施例中,优选的,弹出装置包括两个卡扣14,两个卡扣14均为位于保护壳1的顶部,两个卡扣14的顶部均连接有把手4,两个卡扣14的底部均固定连接有挡板12,两个卡扣14的两侧均卡合连接有扭簧11,扭簧11的一侧固定连接有固定板13。
为了便于保证插槽3的正常使用,本实施例中,优选的,主体还包括插槽3,保护壳1的表面设置有插槽3,且保护壳1与插槽3相互紧密连接。
为了便于更好的使用弹簧9,本实施例中,优选的,弹簧9通过和凸起10卡合与底座5固定连接,且卡槽7与凸板8相互卡合对应。
为了便于增加卡扣14的一体性,本实施例中,优选的,把手4的表面设置有防滑纹,且把手4与卡扣14与挡板12均为一体式结构。
实施例2
请参阅图1-图6,本实用新型提供一种技术方案:一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,包括主体,还包括固定装置和弹出装置,主体包括保护壳1,固定装置包括四个底座5,四个底座5均位于保护壳1的顶面,四个底座5的内侧设置有两个弹簧9,两个弹簧9的内侧设置有凸起10,两个弹簧9的一侧均焊接有凸板8,四个底座5的顶部均固定连接有夹紧座2,夹紧座2的内侧连接有两个卡槽7,夹紧座2的底部四周一体式连接有限位板6。
为了便于保证弹出装置的正常使用,本实施例中,优选的,弹出装置包括两个卡扣14,两个卡扣14均为位于保护壳1的顶部,两个卡扣14的顶部均连接有把手4,两个卡扣14的底部均固定连接有挡板12,两个卡扣14的两侧均卡合连接有扭簧11,扭簧11的一侧固定连接有固定板13。
为了便于保证插槽3的正常使用,本实施例中,优选的,主体还包括插槽3,保护壳1的表面设置有插槽3,且保护壳1与插槽3相互紧密连接。
为了便于更好的使用弹簧9,本实施例中,优选的,弹簧9通过和凸起10卡合与底座5固定连接,且卡槽7与凸板8相互卡合对应。
为了便于增加卡扣14的一体性,本实施例中,优选的,把手4的表面设置有防滑纹,且把手4与卡扣14与挡板12均为一体式结构。
本实用新型的工作原理及使用流程:安装时,将导线对准底座5并插入,直至导线顺着底座5从另一端开口露出,然后旋紧螺栓,螺栓表面的螺纹与底座5表面螺纹孔内壁的螺纹相互作用,螺栓即可向下旋送,直至螺栓接触夹紧座2时,继续旋紧螺栓,螺栓向下挤压夹紧座2,弹簧9开始形变收缩,直至夹紧座2完全将导线固定,在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定,需要取出插头时,通过把手4将两侧的卡扣14向两侧按压,在卡扣14向外侧翻转的过程中,与把手4为一体的挡板12开始对插头的地推向上推动,当把手4向两侧翻转至一定角度时,挡板12即可将插头推出,便于省力的将与插槽3连接的插头取下。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,包括主体,其特征在于:还包括固定装置和弹出装置,所述主体包括保护壳(1),所述固定装置包括四个底座(5),四个所述底座(5)均位于保护壳(1)的顶面,四个所述底座(5)的内侧设置有两个弹簧(9),两个所述弹簧(9)的内侧设置有凸起(10),两个所述弹簧(9)的一侧均设置有凸板(8),四个所述底座(5)的顶部均固定连接有夹紧座(2),所述夹紧座(2)的内侧连接有两个卡槽(7),所述夹紧座(2)的底部四周设置有限位板(6)。
2.根据权利要求1所述的一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,其特征在于:所述弹出装置包括两个卡扣(14),两个所述卡扣(14)均为位于保护壳(1)的顶部,两个所述卡扣(14)的顶部均连接有把手(4),两个所述卡扣(14)的底部均固定连接有挡板(12),两个所述卡扣(14)的两侧均卡合连接有扭簧(11),所述扭簧(11)的一侧固定连接有固定板(13)。
3.根据权利要求1所述的一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,其特征在于:所述主体还包括插槽(3),所述保护壳(1)的表面设置有插槽(3),且所述保护壳(1)与插槽(3)相互紧密连接。
4.根据权利要求1所述的一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,其特征在于:所述弹簧(9)通过和凸起(10)卡合与底座(5)固定连接,且所述卡槽(7)与凸板(8)相互卡合对应。
5.根据权利要求1所述的一种改善EAS特性的功率MOSFET器件,其特征在于:所述把手(4)的表面设置有防滑纹,且把手(4)与卡扣(14)与挡板(12)均为一体式结构。
CN201821141486.0U 2018-07-18 2018-07-18 一种改善eas特性的功率mosfet器件 Active CN208315533U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821141486.0U CN208315533U (zh) 2018-07-18 2018-07-18 一种改善eas特性的功率mosfet器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821141486.0U CN208315533U (zh) 2018-07-18 2018-07-18 一种改善eas特性的功率mosfet器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208315533U true CN208315533U (zh) 2019-01-01

Family

ID=64717570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821141486.0U Active CN208315533U (zh) 2018-07-18 2018-07-18 一种改善eas特性的功率mosfet器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208315533U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203301898U (zh) 一种防水接头
CN208315533U (zh) 一种改善eas特性的功率mosfet器件
CN201623424U (zh) 快速接线盒
CN208580890U (zh) 一种防尘性能好的连接器
CN206293746U (zh) 一种交流充电机的防脱落充电头
CN204834969U (zh) 一种插接结构
CN206364351U (zh) 带有导向互锁装置的微矩形连接器
CN205595536U (zh) 卡扣式连接器
CN110029839A (zh) 一种淋浴房立柱与横梁的连接件
CN208127520U (zh) 一种便于插拔防水的电器连接线
CN106169675A (zh) 一种插座防尘塞
CN206098901U (zh) 一种防水连接器
CN219179479U (zh) 一种万用表插口保护结构
CN205231332U (zh) 一种拆合式电源插座
CN206163873U (zh) 灯座套装
CN215499753U (zh) 一种防鸟害的直流滤波器
CN203135119U (zh) 网线接口端子
CN221041617U (zh) 电源插头
CN219123605U (zh) 一种电动车充电连接器
CN213124859U (zh) 一种充电孔结构
CN209133775U (zh) 配电柜接线端子结构
CN210052908U (zh) 具密封功能的插头连接器
CN208539525U (zh) 一种新型活节螺栓式电缆保护器
CN218415214U (zh) 一种紧凑型高压接线端子
CN218997184U (zh) 一种线束连接器

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant