CN208293072U - 一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机。本实用新型在平面磁控溅射镀膜机、安装双层旋靶管型柱状磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机和阴极电弧离子镀膜机的镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源。在清洗过程中利用两个柱状阴极电弧源互为阴阳极，放电产生的弧光等离子体中的电子流把氩气电离，用得到的高密度的氩离子流轰击清洗工件，增强工件的轰击清洗效果，提高膜基结合力；在工件清洗后的镀膜过程中，两个柱状阴极电弧源参与镀纳米多层膜；在磁控溅射镀膜机中发挥辅助沉积作用。

Description

一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜机，具体涉及一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机，属于真空镀膜设备领域。

背景技术

目前在真空镀膜领域应用的磁控溅射镀膜和阴极电弧离子镀膜过程中，为了提高膜层与基体的结合力，采用了许多方法：由采用辉光放电氩离子轰击清洗工件，到采用阳极层离子源轰击清洗工件，阳极层离子源也是辉光放电型气体离子源。辉光放电的电流密度低，氩离子密度低，一般电流密度mA/mm²级，以上两种方法的工件偏压1000V极，偏流在1～4A范围，轰击清洗效果不是很理想，膜基结合力不够高。

近期比较多的是采用小圆形阴极电弧源发射的金属离子流进行清洗。阴极电弧源产生弧光放电后，发射高密度的弧光等离子体，一般电流密度100A/mm²级，其中含有高密度的电子、金属膜层离子和膜层原子。镀膜前的清洗时，工件接偏压电源的负极，加400V～800V高压加速金属离子，金属离子以很高的能量轰击净化工件，轰击清洗效果好。所以无论是在磁控溅射镀膜机中，还是阴极电弧离子镀膜中，镀膜前多采用阴极电弧源发射的金属离子流轰击清洗工件。但是，较高的轰击能量会使工件表面受到损伤，也会使工件过热，而且在放电过程中阴极电弧源会喷发大熔滴，容易在工件表面积存大颗粒，降低工件表面的质量。

也有的利用气体弧光等离子体中的电子流把镀膜室内的氩气电离，利用高密度的氩离子流清洗工件。镀膜机中需要匹配气体弧光等离子体发射源，如空心阴极枪、热丝弧枪。

最近有的利用固体弧光等离子体电子流把镀膜室内的氩气电离，用高密度的氩离子流清洗工件。具体方法是，把两个产生弧光放电的旋靶管型柱状阴极电弧源安放在镀膜室侧边，分别接弧电源的正负极，接通弧电源以后，两个柱状阴极电弧源互为阴阳极，产生冷场致弧光放电。产生的弧光等离子体中的电子流被作为阳极的柱弧源吸引，高密度的电子流向阳极运动的过程中，把镀膜室内的氩气电离，用得到的高密度的氩离子轰击清洗工件。清洗效果好。但由于两个柱弧源安放在镀膜室侧边，只有当工件转到两个旋靶管型柱弧源这一侧时，工件才能得到有效的清洗。

还有的利用在镀膜室壁上专设的小圆形阴极电弧源或矩形平面大弧源作为阴极，另设水冷阳极。二者之间产生的弧光等离子体中的电子流被另设的水冷阳极吸引，高密度的电子流向阳极运动的过程中，把镀膜室内的氩气电离，得到的高密度的氩离子轰击清洗工件，清洗效果好。其不足仍然是其阴、阳极设置在镀膜室的一侧，镀膜室内的等离子体密度分布不均匀。而且在以上所述的镀膜机中作为清洗用的阴极电弧源，只在清洗工件时发挥作用，在之后的镀膜过程中闲置不用。使得镀膜室内相当大的面积没有等离子体的作用，浪费了镀膜空间。

还有的是在采用镀膜室周边设置旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶为镀膜源的磁控溅射镀膜机中，在镀膜室中部安装两个柱状弧阴极电弧源，分别接弧电源的正负极，接通弧电源以后，两个柱弧源互为阴阳极，产生冷场致弧光放电。产生的弧光等离子体中的电子流被作为阳极的柱状阴极电弧源吸引，高密度的电子流向阳极运动的过程中，把镀膜室内的氩气电离，用得到的高密度的氩离子轰击清洗工件。但，目前在平面磁控溅射镀膜机中；在工件外周围和内周都设置旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机中；在阴极电弧离子镀膜机的镀膜室中，还没有在镀膜室中部设置两个互为阴阳极的柱状弧阴极电弧清洗源来清洗工件的。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机，本实用新型在镀膜室内设置镀膜源、工件转架和固体弧光等离子体清洗源。

本实用新型所提供的设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机本体，包括安装阴极电弧源的阴极电弧离子镀膜机、安装旋靶管型柱状磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机、安装平面磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机镀膜机。

本实用新型的特点是在以上三种类型镀膜机本体中设置固体弧光等离子体清洗源。具体如中国专利ZL 201720302520.7所记载的，在镀膜室中部安装两个柱状弧阴极电弧源作为固体弧光等离子体清洗源。两个柱状弧阴极电弧源分别接交变弧电源的正负极，接通弧电源以后，两个柱弧源互为阴阳极，产生弧光放电，得到的弧光等离子体中的电子流，被作为阳极的柱弧源吸引，高密度的电子流向阳极运动的过程中，把镀膜室内的氩气电离，用得到的高密度的氩离子流轰击清洗工件，增强工件的轰击清洗效果，提高膜基结合力。由于氩离子密度大，工件不需要加很高的偏压，一般200V以下，工件偏流可以达10A以上。由于氩离子质量小，对工件的损伤小，也不会过热，工件表面不会积存大熔滴。

以上所述的用阴极电弧源为固体弧光等离子体清洗源，虽然也是用阴极电弧源产生的弧光放电等离子体清洗工件，但不是用高偏压加速的金属离子流清洗工件，而是转化为用低偏压、高密度的氩离子轰击工件，清洗效果优于其他方法。

本实用新型中，镀膜室中间安装两个柱状弧阴极电弧源的另外的作用是，在工件清洗后的镀膜阶段，原来作为清洗用的镀膜室中间设置的两个柱状阴极电弧源接直流弧电源的负极，镀膜室接直流弧电源的正极，接通弧电源以后，柱弧源进行常规镀膜。无论在磁控溅射镀膜机中，还是在阴极电弧离子镀膜机中都参与镀膜。镀膜室中部设置的柱状弧源所镀的膜层可以增加膜层的厚度，还可以参与镀纳米多层膜，所镀的膜层是多层膜中的一个间隔层。

本实用新型，把两个柱状阴极源设置在镀膜室的中间，目的是使镀膜室内的弧光等离子体均匀分布，产生的氩离子向周围工件产生的清洗效果均匀，所镀的膜层向周围均匀镀膜，有利于镀出厚度均匀的纳米多层面。

进一步，镀膜室中间设置两个柱状阴极电弧源的三种镀膜机的结构如下：

1、在所述阴极电弧源离子镀膜机中，所述镀膜源是设置在镀膜室周边的各种形式的阴极电弧镀膜源，它们是小平面圆形阴极电弧源、大平面矩形阴极电弧源或旋靶管型柱状阴极电弧源。镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源做为固体弧光等离子体清洗源。

在所述阴极电弧离子镀膜机中，为了提高工件的清洗效果，在镀膜室的中部设置两个柱状阴极电弧源。两个柱状阴极电弧源接交变弧电源，接通弧电源以后，产生弧光放电，弧光等离子体中的电子流把工件周围的氩气电离，用得到的高密度的氩离子流清洗工件，比用阴极电弧源发射的金属离子流清洗工件效果好。

所述镀膜室中部设置的柱状阴极电弧清洗源，除了具有轰击清洗工件的作用之外，在镀膜过程中，中部设置的柱弧源接直流弧电源负极，镀膜室接正极，可以和镀膜室周围的阴极电弧镀膜源共同向工件上镀膜。当设置于所述镀膜室中部的柱状阴极电弧源和设于工件外周围的所述阴极电弧源的靶材成分相同时，能够得到相同成分的膜，增加膜层厚度；当两者的靶材成分不相同时，中部的所述柱状阴极电弧源参与镀纳米多层膜，所镀出的膜层，是纳米多层膜中的一个间隔层。本实用新型把两个柱状阴极电弧源设置在镀膜室的中间，使得弧光等离子体的作用范围均衡，对镀纳米多层膜更为有利。

2、在安装旋靶管型柱状磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机中，镀膜源是设置在工件转架的外周围和内周的旋靶管型柱状磁控溅射靶。镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源做为固体弧光等离子体清洗源。

进一步，在本实用新型所提供的设置固体弧光等离子体清洗源的磁控溅射镀膜机本体中，所述镀膜源为旋靶管型柱状磁控溅射靶，包括靶管、安装在靶管内的磁控结构和用于组装靶管和磁控结构的靶封头；其中，靶管可以进行旋转，靶管内的磁控结构不动，组成旋靶管型柱状磁控溅射靶。

所述旋靶管型柱状磁控溅射靶可为旋靶管型柱状平衡磁控溅射靶和旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶。

所述旋靶管型柱状平衡磁控溅射靶的磁控结构中的磁钢全部采用强磁钢钕铁硼，磁场分布为“强S-强N-强S”或“强N-强S-强N”。

所述的旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶的磁控结构是由强磁钢和与强磁钢连接的弱磁体磁极靴组成，磁场分布为“弱S-强N-弱S”、“弱N-强S-弱N”、“强S-弱N-强S”、“强N-弱S-强N”。

在所述磁控溅射镀膜机中磁场的排列方式是相邻两个靶管内安装磁钢的磁极性反向排列在镀膜室内，相邻两个所述的柱状非平衡磁控溅射靶之间的磁力线相互交联，形成闭合磁场。闭合磁场除了可以控制靶前面的电子做旋轮线运动，还可以控制相邻两个靶周边的电子做旋转运动，镀膜空间有更多的电子都受到磁场的约束，增加电子与气体、与膜层粒子的碰撞几率。

本实用新型所提供的磁控溅射镀膜机中，在工件转架的外周围和内周都设置所述旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶，除了形成外层周向闭合磁场和内层周向闭合磁场，还形成内外两层相对的柱状磁控溅射靶之间的径向闭合磁场。即在镀膜室内形成多方位的闭合磁场。镀膜室内各个角落的电子都会受到电磁场的控制，和更多的氩气碰撞电离；和更多的金属膜层原子产生碰撞电离。

在本实用新型的磁控溅射镀膜机中，镀膜室中部设置的两个柱状阴极电弧清洗源，在清洗工件后的镀膜过程中，还可以参加镀膜过程。具体方法是：在用磁控溅射靶进行镀膜时，镀膜室中部的两个柱状阴极电弧源，接直流弧电源的负极，镀膜室接正极，接通弧电源以后，两个柱弧源阴极也向工件镀膜。当中部两个柱状阴极电弧源靶材的成分和磁控溅射靶的成分相同时，两个柱状阴极电弧源镀出的膜层增加膜的厚度；当中部柱状阴极电弧源靶材的成分和磁控溅射靶的成分不相同时，中部的柱状阴极电弧源镀出的膜和磁控溅射靶所镀出的膜可以形成纳米多层膜。中间柱状阴极电弧源所镀出的膜层，是纳米多层膜中的一个间隔层。

在辉光放电的磁控溅射镀膜过程中，中部的两个柱状阴极电弧源在参与镀膜的过程中，又提供大量的等离子体，提高了镀膜空间的等离子体密度，可以提高磁控溅射膜层原子的离化率，有利于获得化合物膜，起到辅助沉积作用。

本实用新型所提供的磁控溅射镀膜机是在镀膜室内形成多方位的闭合磁场的磁控溅射镀膜机，镀膜机本体中的等离子体密度已经比一般磁控溅射镀膜机高了。但仍然是磁控溅射镀膜过程，膜基结合力和金属离化率仍不够理想。所述本实用新型的磁控溅射镀膜机中，在镀膜室中部设置固体弧光等离子体清洗源可以提高膜基结合力、提高金属离化率，参与镀纳米多层膜。

3、在安装平面磁控溅射靶的磁控溅射镀膜机中，镀膜源是设置在镀膜室壁上的平面磁控溅射靶。镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源做为固体弧光等离子体清洗源。

所述平面磁控溅射靶为平衡平面磁控溅射靶、平面非平横磁控溅射靶。平衡磁控溅射靶的靶内磁控结构的磁钢全部采用强磁钢钕铁硼，磁场分布为强N-强S-强N、强S-强N-强S。平衡磁控溅射靶中的强磁钢把磁力线紧紧地约束在靶面前，靶周边的磁场作用小；平面非平衡磁控溅射靶靶内的磁控结构的N极、S极分别采用强磁钢钕铁硼和弱磁体磁极靴。非平衡磁控的排布形式可以是强N-弱S-强N、强S-弱N-强S，还可以是弱N-强S-弱N、弱S-强N-弱S；非平衡磁控溅射靶靶面前磁力线的分布与平衡磁控溅射靶相比，磁力线向前推移、向周围扩展，扩大了磁场的作用范围。相邻的非平衡磁控溅射靶靶内磁钢的磁极性反向安装，两个靶之间的磁力线相互交联，在全镀膜室形成闭合磁场，使得镀膜室内的各个角落的电子都受到电磁场的控制，与氩气、与溅射下来的膜层粒子产生更多的碰撞电离，得到更多的氩离子和更多的金属离子。

本实用新型磁控溅射镀膜机中，在镀膜室中部设置固体弧光等离子体清洗源是把弧光放电引入到辉光放电的磁控溅射镀膜设备中，显著提高磁控溅射镀膜镀膜机内的等离子体密度，对提高膜基结合力、提高金属离化率，参与镀纳米多层膜，在磁控溅射镀膜机中发挥独特的作用。

附图说明

图1为本实用新型实施例1中镀膜机的主视图。

图2为图1中沿A-A线的剖视图。

图3为本实用新型实施2中镀膜机的主视图。

图4为图3中沿A-A线的剖视图。

图5为本实用新型实施例3中镀膜机的主视图。

图6为图5中沿A-A线的剖视图。

图中各标记如下：

1镀膜室、2工件转架、3柱状阴极电弧源、4交变弧电源、5直流弧电源、6小平面圆形阴极电弧源、7矩形平面大弧源、8旋靶管型柱状阴极电弧源、9旋靶管型柱状磁控溅射靶、10平面磁控溅射靶、11工件偏压电源、12磁控溅射电源。

具体实施方式

本实用新型有三种结构的镀膜机，是在三种不同镀膜源的镀膜机本体中，在镀膜室的中部设置两个柱状阴极电弧源作为固体弧光等离子体清洗源。以下分述三种结构的镀膜机。

实施例1、本实用新型第一种结构的镀膜机

在以阴极电弧源为镀膜源的阴极电弧离子镀膜机的本体中，在镀膜室1内设置工件转架2，在镀膜室1中间设置两个柱状阴极电弧源3。

图1所示为第一种结构镀膜机的主视图，图2为沿A-A线的剖视图，可以看出，本实施例镀膜机的结构是，在镀膜室1的外周围设置各种形式的阴极电弧镀膜源，具体为小平面圆形阴极电弧源6、矩形平面大弧源7和旋靶管型柱状阴极电弧源8。在镀膜室1的中部设置两个柱状阴极电弧源3。

在镀膜室的中部设置的两个柱状阴极电弧清洗源3的工作过程是：

1)在镀膜前的工件清洗阶段：两个柱状阴极电弧源3分别接交变弧电源4的两个极，接通弧电源以后，两个柱状阴极电弧源3互为阴阳极，产生弧光放电以后，得到高密度的弧光等离子体。其中的高密度的电子流在向阳极柱弧源运动的过程中，把镀膜室1通入的氩气电离，用高密度的氩离子轰击清洗工件，轰击清洗效果好。当两个阴极电弧源3的电位交替变化时，镀膜室内始终有高密度的氩离子流轰击清洗工件。这种用阴柱状阴极电弧源产生的高密度氩离子流清洗工件的清洗源，叫固体弧光等离子体清洗源。由于氩离子密度大，工件不需要加很高偏压，一般加200V以下。用高密度、低能量的氩离子流清洗工件，工件不会过热或受到损伤。同时，另一个接交变弧电源4负极的柱状阴极电弧源，在放电过程中，不断把靶材表面的污染物蒸发掉，进行自身的清洗；

2)在镀膜阶段：首先把两个柱状阴极电弧源3都改接相应直流弧电源5的负极，镀膜室接直流弧电源5的正极。镀膜室1周边的小平面圆形阴极电弧6、矩形平面大弧源7、旋靶管型柱状阴极电弧源8分别接相应的直流弧电源5的负极。以上弧电源的正极都接镀膜室1。同时开启各阴极电弧源的直流弧电源，可以多个阴极电弧源同时放电进行镀膜。当镀膜室1周边阴极电弧源靶材的成分和两个中部柱状阴极电弧源3的成分相同时，中间两个柱状弧源镀出的膜层材料可以增加膜层厚度，即参与镀膜过程。当两种靶材的成分不相同时，可以镀出纳米多层膜。中间柱状弧源所镀出的膜层是纳米多层膜中的一个间隔层。

实施例2、本实用新型的第二种结构的镀膜机

在以双层旋靶管型柱状磁控溅射靶为镀膜源的磁控溅射镀膜机的本体中，在镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源。

图3所示为本实用新型镀膜机的主视图，图4为沿A-A线的剖视图。可以看出，本实施例镀膜机的结构是在镀膜室1内设置两层旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶9、工件转架2，在镀膜室1中部设置两个柱状阴极电弧源3。

本实用新型中，旋靶管型状非平衡磁控溅射靶9设于工件2的外周围和内周。旋靶管型柱状磁控溅射靶9，由靶管、靶管内的磁控结构和靶的封头组成，靶封头把靶管和靶管内的磁控结构连接成一个整体后，安装到镀膜室1内，靶封头的功能，是保证靶管旋转，靶管内的磁控结构不旋转。

所述采用的旋靶管型柱状磁控溅射靶9的磁控结构有平衡磁场、非平衡磁场。

本实用新型图3显示的是在镀膜机中安装的是旋靶管型柱状非平衡状磁控溅射靶。在镀膜室1内的排布方式是，相邻两个旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶9内磁钢的磁极性方向相反，即一个是S-N-S排列，另一个是N-S-N排列；相邻两个靶侧边的磁力线相互交联，形成闭合磁场，在两个靶之间也有磁场约束电子运动。工件2的外周和内周都形成周向闭合磁场。在相对的内外两层非平衡磁控溅射靶之间的磁极性也呈反向排列，形成径向磁场。因此，则整个镀膜室的磁力线都相互交联起来，整个镀膜室内形成了完整的多方位闭合磁场。这种闭合磁场可以使镀膜室1内各个角落的电子都受到磁场的控制，和更多的氩气、更多的金属原子产生碰撞电离，产生更多的氩离子和金属离子，提高磁控溅射镀膜室内的等离子体密度，有利于获得化合物膜层。

所述在镀膜室的中部设置的两个柱状阴极电弧源3的工作过程是：

1)在镀膜前的工件清洗阶段：也是由两个互为阴阳极的柱状阴极电弧源发射高密度的电子流把氩气电离，用高密度的氩离子流轰击清洗工件。对于提高磁控溅射所镀膜层和基体的结合力起着更为重要的作用。

2)在镀膜阶段：把两个柱状阴极电弧源3接直流弧电源的负极，镀膜室1接正极。在开启两层旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶进行镀膜的时候，同时开启中间的两个柱弧源一起镀膜。当两层旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶的靶材的成分和两个中间柱状弧源成分相同时，柱状弧源镀出的膜层可以增加膜层厚度，两个柱弧源参与镀膜。当两种靶材的成分不相同时，可以镀出纳米多层膜。中间柱状弧源所镀出的膜层是纳米多层膜的一个间隔层。

两个中间柱状弧源参与磁控溅射镀膜过程中，柱状弧源发射的弧光等离子体又可以把溅射下来的膜层原子电离，提高膜层原子的离化率。镀膜室内的金属离子体密度增大，对磁控溅射镀膜起着有效的辅助沉积作用，更有利于获得优异的磁控溅射膜层组织。

实施例3、本实用新型第三种结构的镀膜机

在以平面磁控溅射靶为镀膜源的磁控溅射镀膜机的本体中，在镀膜室中间设置两个柱状阴极电弧源。

图5所示为本实用新型第三种结构镀膜机的主视图，图6为沿A-A线的剖视图。可以看出，本实施例镀膜机，在镀膜室1周边设置平面磁控溅射靶10，镀膜室1内设置两个柱状阴极电弧源3。

本实用新型中，平面磁控溅射靶10设于镀膜室1的壁上。所述平面磁控溅射靶10有平面平衡磁控溅射靶和平面非平面磁控溅射靶。平面平衡磁控溅射靶中的强磁钢把磁力线紧紧地约束在靶面前，靶周边的磁场作用小；平面非平衡磁控溅射靶靶面前磁力线的分布与平衡磁控溅射靶相比，磁力线向前推移、向周围扩展，扩大了磁场的作用范围。相邻的非平衡磁控溅射靶靶内磁钢的磁极性反向安装，两个靶之间的磁力线相互交联，在全镀膜室形成闭合磁场，使得镀膜室内的各个角落的电子都受到电磁场的控制，与氩气、与溅射下来的膜层粒子产生更多的碰撞电离，得到更多的氩离子和更多的金属离子。

在本实用新型的以平面磁控溅射靶10为镀膜源的磁控溅射镀膜机的本体中，在镀膜室1中间设置的两个互为阴阳极的柱状阴极电弧源3，在工件清洗阶段和镀膜阶段的过程和作用和实施例2基本相同。

固体弧光等离子体清洗源在辉光放电的磁控溅射镀膜过程中，在提高膜基结合力和金属离化率可以发挥重要作用。本实用新型把两个互为阴阳极的柱状阴极电弧清洗源设置在镀膜室的中间，可以在镀膜室中产生均匀分布的弧光等离子体，氩离子流对周围工件的清洗作用均匀。对周围镀膜均匀，尤其有利于镀出层间厚度均匀的纳米多层膜。

为了避免在清洗工件时，阴极电弧清洗源发射的膜层成分和大熔滴对工件产生污染，在以上实施例的镀膜机中，所设置的柱状阴极电弧清洗源需要设置屏蔽挡板。在镀膜前进行轰击清洗工件时，需要对工件进行屏蔽、遮挡，在此后参与镀膜的过程中，再把挡板打开。

Claims (9)

1.一种设置固体弧光等离子体清洗源的镀膜机，包括镀膜机本体；所述镀膜机本体包括镀膜室及设于所述镀膜室内的工件转架和镀膜源；其特征在于：所述镀膜室中部设置两个柱状阴极电弧源；

镀膜前，两个所述柱状阴极电弧源接交变弧电源；两个所述柱状阴极电弧源互为阴阳极；

镀膜时，两个所述柱状阴极电弧源接直流弧电源的负极，所述镀膜室接直流弧电源的正极。

2.根据权利要求1所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜机本体为阴极电弧离子镀膜机；所述镀膜源为小平面圆形阴极电弧源、矩形平面大弧源或旋靶管型柱状阴极电弧源。

3.根据权利要求1所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜机本体为磁控溅射镀膜机；所述镀膜源为旋靶管型柱状磁控溅射靶，相邻两个所述旋靶管型柱状磁控溅射靶内的磁极性反向排列，形成多方位闭合磁场。

4.根据权利要求1所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜机本体为磁控溅射镀膜机；所述镀膜源为平面磁控溅射靶，相邻两个所述平面磁控溅射靶内的磁极性反向排列，形成闭合磁场。

5.根据权利要求1所述的镀膜机，其特征在于：所述柱状阴极电弧源包括靶管、设于所述靶管内的磁控结构和靶封头。

6.根据权利要求2或5所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜室的外周围设置所述镀膜源。

7.根据权利要求3所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜室的外周围和内周均设置所述旋靶管型柱状磁控溅射靶。

8.根据权利要求4所述的镀膜机，其特征在于：所述镀膜室的外周围设置所述平面磁控溅射靶。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的镀膜机，其特征在于：所述柱状阴极电弧源的周围设置屏蔽挡板。